JP6199659B2 - パッケージ基板の加工方法 - Google Patents
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また、パッケージ基板を分割予定ラインに沿って切断する方法として、分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射する方法も用いられている。
一方、パッケージ基板の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりパッケージ基板を分割予定ラインに沿って切断する方法においては、合成樹脂が溶融してパッケージデバイスの品質を著しく低下させるという問題がある。
パッケージ基板の熱拡散基板側を保持手段によって保持し、切削ブレードを分割予定ラインに位置付けるとともに、切削ブレードの外周縁を熱拡散基板の表面に達する深さに設定して切り込み送りし、分割予定ラインに沿って切削することにより分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたパッケージ基板の熱拡散基板側を保持手段によって保持し、分割予定ラインに沿って形成された該切削溝に沿ってレーザー光線を照射することにより熱拡散基板を該切削溝に沿って切断する熱拡散基板切断工程と、を含み、
該熱拡散基板切断工程においてレーザー光線を照射することにより熱拡散基板を該切削溝に沿って切断する際には、レーザー光線による加工部に対しアシストガスを噴射することを特徴とするパッケージ基板の加工方法が提供される。
また、本発明によるパッケージ基板の加工方法においては、熱拡散基板切断工程は切削ブレードによる切断ではなくレーザー加工による切断であるため、熱拡散基板がセラミックスで形成されていても円滑に切断でき、生産性が良好となる。
切削溝形成工程は、先ず上記パッケージ基板2の熱拡散基板21側を保持テーブル31の吸着チャック312の表面である載置面上に載置し、図示しない吸引手段を作動することにより保持テーブル31にパッケージ基板2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、保持テーブル31上に保持されたパッケージ基板2は、デバイス23および合成樹脂24側が上側となる。このようにして、パッケージ基板2を保持した保持テーブル31は、図示しない切削送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。
切削ブレードの厚み :200μm
切削ブレードの直径 :52mm
切削ブレードの回転速度 :20000rpm
切削送り速度 :100mm/秒
レーザー光線の波長 :1μm
繰り返し周波数 :18kHz
平均出力 :150W
集光スポット径 :φ50μm
加工送り速度 :160mm/秒
また、熱拡散基板切断工程は切削ブレードによる切断ではなくレーザー加工による切断であるため、熱拡散基板21がセラミックスで形成されていても円滑に切断でき、生産性が良好となる。
21:熱拡散基板
22:分割予定ライン
23:デバイス
24:合成樹脂
3:切削装置
31:切削装置の保持テーブル
32:切削手段
323:切削ブレード
33:撮像手段
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置の保持テーブル
411:逃げ溝
412:吸引孔
42:レーザー光線照射手段
422:集光器
424:アシストガス噴射手段
43:撮像手段
Claims (2)
- 熱拡散基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが配置され、該複数のデバイスを合成樹脂層によって被覆したパッケージ基板を分割予定ラインに沿って個々のパッケージデバイスに分割するパッケージ基板の加工方法であって、
パッケージ基板の熱拡散基板側を保持手段によって保持し、切削ブレードを分割予定ラインに位置付けるとともに、切削ブレードの外周縁を熱拡散基板の表面に達する深さに設定して切り込み送りし、分割予定ラインに沿って切削することにより分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたパッケージ基板の熱拡散基板側を保持手段によって保持し、分割予定ラインに沿って形成された該切削溝に沿ってレーザー光線を照射することにより熱拡散基板を該切削溝に沿って切断する熱拡散基板切断工程と、を含み、
該熱拡散基板切断工程においてレーザー光線を照射することにより熱拡散基板を該切削溝に沿って切断する際には、レーザー光線による加工部に対しアシストガスを噴射することを特徴とするパッケージ基板の加工方法。 - 該熱拡散基板切断工程においてパッケージ基板を保持する保持手段は、パッケージ基板の分割予定ラインと対応する領域に逃げ溝が形成されるとともに該逃げ溝によって区画された複数の領域にそれぞれ吸引孔が設けられた保持テーブルを備え、該保持テーブル上にパッケージ基板の熱拡散基板側を吸引保持した状態で該熱拡散基板切断工程を実施する、請求項1記載のパッケージ基板の加工方法。
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