JP3802821B2 - 電子部品のリード切断方法 - Google Patents
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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- Laser Beam Processing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームに電子部品のチップを組込み、複数の電子部品チップを集合体として一括封止した後に行う電子部品のリード切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）パッケージ、ＳＯＮ（Small Outline Non-lead）パッケージ等のリードレスタイプの電子部品では、リードフレーム上に各電子部品のチップを搭載後、エリア毎に一括封止を行い（ＭＡＰ（Mold Area Package）方式）、その後切断・分離して個々の電子部品を製造することが増えてきている。
【０００３】
図２は、この方法で一括封止した一括封止体を有するリードフレームの説明図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図である。リードフレーム１内に個々の電子部品となる複数のチップを搭載し、電子部品のチップが複数集合したエリアを一括封止し、樹脂封止体２とする。図２では、例として３箇所に分割した樹脂封止エリア（樹脂封止体２）を設けており、各分割した樹脂封止エリアには各電子部品のチップが複数個、例えば格子状に配列されている。この一括封止する方法は、リードレスタイプの電子部品の製造方法においてリードフレーム単位で一括作業できることや、リードフレーム当たりの電子部品搭載個数が多くなることからコストダウンに大きく貢献している。
【０００４】
樹脂封止体２から個々の電子部品へ切断・分離する方法としては、従来から用いられているパンチングによる切断に代わって、樹脂封止後に切断相当位置の樹脂を除去すると共にリードフレームのリードを切断・分離する方法が多く採用されている。
【０００５】
図３は、図２で示した樹脂封止エリア（樹脂封止体２）内の従来のリード切断方法の説明図で、図３（ａ）は切断前、図３（ｂ）は切断後の断面図である。図３において１はリードフレーム、２は樹脂封止体、３はチップ、４はダイヤモンドブレードである。リードフレーム１は、チップ３を搭載するダイパッドとその周囲のリード等が一体成形されている。また、チップ３とリードフレーム１はＡｕ線によるワイヤーボンド等の方法で電気的に接続している（図では省略）。個々の電子部品に分離するために、ダイヤモンドブレード４を使うことで樹脂封止体２とリードフレーム１を一度に切断できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
これまで述べた切断・分離方法は、高硬度の材料でそれより低硬度の材料を接触・せん断によって削り取るものである。しかし、切断・分離する電子部品の対象部位は単一材料で構成されているとは限らず、固有の硬度、可鍛性等を有した材料によってそれぞれ構成されている。従って、これまでの切断・分離方法では各構成材料の物理的特性の差によりそれぞれの材料の研削レートが異なり切断面にダレが発生したり、被加工面に残留歪みが発生する。
【０００７】
残留歪みは電子部品の電気的特性に影響を与えるばかりでなく、機械的特性についても強度低下や、構成材料間の密着力低下をもたらす。また、代表的なリードフレーム材であるＣｕは可鍛性が大きいので、切断でのバリ発生や、ブレードの目詰まり等によりブレード寿命が短くなり、切断装置の稼働率低下、作業工数増加、ブレード費用増加となる。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決し、切断面にダレや被加工面に残留歪みを発生させることなく、リードフレームのリードを切断除去することができる電子部品のリード切断方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願発明の電子部品のリード切断方法は、リードフレームに複数の電子部品のチップを搭載し、前記複数の電子部品のチップを集合体として一括封止し封止樹脂対に加工した後に行う電子部品のリード切断方法において、各リードの切断予定部位を覆う樹脂を除去し、薄肉化された樹脂を残存させた後、該残存させた樹脂を含むリードに対してレーザ光を照射し、前記切断予定部位の前記各リードを切断することを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明について、ＱＦＮ、ＳＯＮパッケージ等の一括封止タイプのリードフレームを例にとり、説明する。
【００１１】
図１は本発明の説明図である。Ｃｕ等を材料とするリードフレーム１の個別の電子部品となる各エリア毎にチップ３を搭載後、複数のチップ３を集合体として一括封止して樹脂封止体２を形成する。リードフレーム１は、チップ３を搭載するダイパッドとその周辺のリード等が一体成形されている。また、チップ３とリードフレーム１はＡｕ線によるワイヤーボンド等の方法で電気的に接続している（図では省略）。
【００１２】
図１（ａ）に示すように、レーザ光照射前に、樹脂封止体２のレーザ光照射部に予め溝７を形成する。これは、レーザ光照射による樹脂の飛沫量を減少させるために設けたもので、溝７の深さは、リードフレーム上に樹脂が少なくとも１０μｍ程度残る程度の深さが好ましい。また溝幅は、デバイス外形、レーザ光照射の精度等を考慮して決めればよい。
【００１３】
具体的な溝７の形成手段は、リード切断相当部位に予めダイヤモンドブレード４を用いて形成する。ダイヤモンドブレード４はリードフレーム１を切断することはないので、目詰まり等の問題は回避できる。
【００１４】
溝７形成後、図１（ｂ）に示すように、樹脂が残るリードフレーム上にレーザ光５を照射し、切断・分離する。溝７の形成で、樹脂が薄肉化しているため、レーザ加工に要するエネルギーは軽減できる。また、リード上に残存する薄肉化された樹脂は、使用する波長（１００ｎｍ〜３５５ｎｍ）のレーザ光を吸収するので、レーザ加工に要するエネルギーを軽減できる。
【００１５】
レーザ光の照射時間は、チップ３など内部への熱の影響を少なくするため、短時間とするのが良く、パルスを用いる。レーザ光照射装置としては、現在入手可能なＮｅ：ＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）、第４高調波（波長２６６ｎｍ）のジャイアントパルスを用いるのが望ましい。所定の結晶格子により高調波とし、その後ピーク値を高め、かつパルス幅を小さくしたインパルスを照射することにより、リードフレームの切断・分離に十分なエネルギーが印加されると共にパルス幅が数１０ｎｓｅｃなので電子部品への熱の影響も無視できる。また、Ｎｅ：ＹＡＧレーザの第４高調波をジャイアントパルスとして用いたパルス幅２０ｎｓｅｃの照射でも高いピーク値を有する高エネルギーのレー ザ光を瞬時に照射できる。
【００１６】
なお、図１に示したリードフレーム１、樹脂封止体２、チップ３の配置や構造は一例を示したに過ぎず、リード切断相当部位の樹脂及びリード（リード同士を連結するタイバーもしくはダムバー等を含めても良い）が、溝７を形成した後、レーザ光照射で切断できるリードフレームの構造であれば、本発明を適用できる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明によれば、ダイヤモンドブレードがリードフレームを切断することがないので、目詰まり等の問題が回避できる。更に、樹脂とリードの両方に吸収率が高い波長を選択し、かつジャイアントパルスを用いるので、電子部品への熱影響が少なく、電気的特性の変動もない。
【００１８】
特に溝を形成することで、樹脂の薄肉化によりレーザ加工に要するエネルギーが低減され、好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の電子部品のリード切断方法の説明図で、（ａ）はレーザ光照射前、（ｂ）はレーザ光照射後の断面図である。
【図２】 一括樹脂封止体を有するリードフレームの説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図３】 従来の電子部品のリード切断方法の説明図で、（ａ）はレーザ光照射前、（ｂ）はレーザ光照射後の断面図である。
【符号の説明】
１：リードフレーム
２：樹脂封止体
３：チップ
４：ダイヤモンドブレード
５：レーザ光
７：溝
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームに電子部品のチップを組込み、複数の電子部品チップを集合体として一括封止した後に行う電子部品のリード切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）パッケージ、ＳＯＮ（Small Outline Non-lead）パッケージ等のリードレスタイプの電子部品では、リードフレーム上に各電子部品のチップを搭載後、エリア毎に一括封止を行い（ＭＡＰ（Mold Area Package）方式）、その後切断・分離して個々の電子部品を製造することが増えてきている。
【０００３】
図２は、この方法で一括封止した一括封止体を有するリードフレームの説明図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図である。リードフレーム１内に個々の電子部品となる複数のチップを搭載し、電子部品のチップが複数集合したエリアを一括封止し、樹脂封止体２とする。図２では、例として３箇所に分割した樹脂封止エリア（樹脂封止体２）を設けており、各分割した樹脂封止エリアには各電子部品のチップが複数個、例えば格子状に配列されている。この一括封止する方法は、リードレスタイプの電子部品の製造方法においてリードフレーム単位で一括作業できることや、リードフレーム当たりの電子部品搭載個数が多くなることからコストダウンに大きく貢献している。
【０００４】
樹脂封止体２から個々の電子部品へ切断・分離する方法としては、従来から用いられているパンチングによる切断に代わって、樹脂封止後に切断相当位置の樹脂を除去すると共にリードフレームのリードを切断・分離する方法が多く採用されている。
【０００５】
図３は、図２で示した樹脂封止エリア（樹脂封止体２）内の従来のリード切断方法の説明図で、図３（ａ）は切断前、図３（ｂ）は切断後の断面図である。図３において１はリードフレーム、２は樹脂封止体、３はチップ、４はダイヤモンドブレードである。リードフレーム１は、チップ３を搭載するダイパッドとその周囲のリード等が一体成形されている。また、チップ３とリードフレーム１はＡｕ線によるワイヤーボンド等の方法で電気的に接続している（図では省略）。個々の電子部品に分離するために、ダイヤモンドブレード４を使うことで樹脂封止体２とリードフレーム１を一度に切断できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
これまで述べた切断・分離方法は、高硬度の材料でそれより低硬度の材料を接触・せん断によって削り取るものである。しかし、切断・分離する電子部品の対象部位は単一材料で構成されているとは限らず、固有の硬度、可鍛性等を有した材料によってそれぞれ構成されている。従って、これまでの切断・分離方法では各構成材料の物理的特性の差によりそれぞれの材料の研削レートが異なり切断面にダレが発生したり、被加工面に残留歪みが発生する。
【０００７】
残留歪みは電子部品の電気的特性に影響を与えるばかりでなく、機械的特性についても強度低下や、構成材料間の密着力低下をもたらす。また、代表的なリードフレーム材であるＣｕは可鍛性が大きいので、切断でのバリ発生や、ブレードの目詰まり等によりブレード寿命が短くなり、切断装置の稼働率低下、作業工数増加、ブレード費用増加となる。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決し、切断面にダレや被加工面に残留歪みを発生させることなく、リードフレームのリードを切断除去することができる電子部品のリード切断方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願発明の電子部品のリード切断方法は、リードフレームに複数の電子部品のチップを搭載し、前記複数の電子部品のチップを集合体として一括封止し封止樹脂対に加工した後に行う電子部品のリード切断方法において、各リードの切断予定部位を覆う樹脂を除去し、薄肉化された樹脂を残存させた後、該残存させた樹脂を含むリードに対してレーザ光を照射し、前記切断予定部位の前記各リードを切断することを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明について、ＱＦＮ、ＳＯＮパッケージ等の一括封止タイプのリードフレームを例にとり、説明する。
【００１１】
図１は本発明の説明図である。Ｃｕ等を材料とするリードフレーム１の個別の電子部品となる各エリア毎にチップ３を搭載後、複数のチップ３を集合体として一括封止して樹脂封止体２を形成する。リードフレーム１は、チップ３を搭載するダイパッドとその周辺のリード等が一体成形されている。また、チップ３とリードフレーム１はＡｕ線によるワイヤーボンド等の方法で電気的に接続している（図では省略）。
【００１２】
図１（ａ）に示すように、レーザ光照射前に、樹脂封止体２のレーザ光照射部に予め溝７を形成する。これは、レーザ光照射による樹脂の飛沫量を減少させるために設けたもので、溝７の深さは、リードフレーム上に樹脂が少なくとも１０μｍ程度残る程度の深さが好ましい。また溝幅は、デバイス外形、レーザ光照射の精度等を考慮して決めればよい。
【００１３】
具体的な溝７の形成手段は、リード切断相当部位に予めダイヤモンドブレード４を用いて形成する。ダイヤモンドブレード４はリードフレーム１を切断することはないので、目詰まり等の問題は回避できる。
【００１４】
溝７形成後、図１（ｂ）に示すように、樹脂が残るリードフレーム上にレーザ光５を照射し、切断・分離する。溝７の形成で、樹脂が薄肉化しているため、レーザ加工に要するエネルギーは軽減できる。また、リード上に残存する薄肉化された樹脂は、使用する波長（１００ｎｍ〜３５５ｎｍ）のレーザ光を吸収するので、レーザ加工に要するエネルギーを軽減できる。
【００１５】
レーザ光の照射時間は、チップ３など内部への熱の影響を少なくするため、短時間とするのが良く、パルスを用いる。レーザ光照射装置としては、現在入手可能なＮｅ：ＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）、第４高調波（波長２６６ｎｍ）のジャイアントパルスを用いるのが望ましい。所定の結晶格子により高調波とし、その後ピーク値を高め、かつパルス幅を小さくしたインパルスを照射することにより、リードフレームの切断・分離に十分なエネルギーが印加されると共にパルス幅が数１０ｎｓｅｃなので電子部品への熱の影響も無視できる。また、Ｎｅ：ＹＡＧレーザの第４高調波をジャイアントパルスとして用いたパルス幅２０ｎｓｅｃの照射でも高いピーク値を有する高エネルギーのレー ザ光を瞬時に照射できる。
【００１６】
なお、図１に示したリードフレーム１、樹脂封止体２、チップ３の配置や構造は一例を示したに過ぎず、リード切断相当部位の樹脂及びリード（リード同士を連結するタイバーもしくはダムバー等を含めても良い）が、溝７を形成した後、レーザ光照射で切断できるリードフレームの構造であれば、本発明を適用できる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明によれば、ダイヤモンドブレードがリードフレームを切断することがないので、目詰まり等の問題が回避できる。更に、樹脂とリードの両方に吸収率が高い波長を選択し、かつジャイアントパルスを用いるので、電子部品への熱影響が少なく、電気的特性の変動もない。
【００１８】
特に溝を形成することで、樹脂の薄肉化によりレーザ加工に要するエネルギーが低減され、好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の電子部品のリード切断方法の説明図で、（ａ）はレーザ光照射前、（ｂ）はレーザ光照射後の断面図である。
【図２】 一括樹脂封止体を有するリードフレームの説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図３】 従来の電子部品のリード切断方法の説明図で、（ａ）はレーザ光照射前、（ｂ）はレーザ光照射後の断面図である。
【符号の説明】
１：リードフレーム
２：樹脂封止体
３：チップ
４：ダイヤモンドブレード
５：レーザ光
７：溝
Claims (1)
- リードフレームに複数の電子部品のチップを搭載し、前記複数の電子部品のチップを集合体として一括封止し封止樹脂体に加工した後に行う電子部品のリード切断方法において、
各リードの切断予定部位を覆う樹脂を除去し、薄肉化された樹脂を残存させた後、該残存させた樹脂を含むリードに対してレーザ光を照射し、前記切断予定部位の前記各リードを切断することを特徴とする電子部品のリード切断方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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2002
- 2002-02-22 JP JP2002045862A patent/JP3802821B2/ja not_active Expired - Fee Related
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