JP5588601B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来の半導体装置の製造方法としては、特許文献１に開示されたものがある。同文献に開示された製造方法は、基板上に配置された複数のチップを樹脂により一括封止した後、その樹脂の表面に粘着テープを貼り付け、その後、基板側からレーザ照射によって厚み方向に途中まで切断し、残りのレーザ切断溝を粘着テープ側から押すように力を加えて割ることにより、チップごとに樹脂で封止された個片を半導体装置として取り出すものである。このような製造方法によれば、個片化された複数の半導体装置を粘着テープにより安定的に保持した状態で取り扱うことができる。
しかしながら、上記従来の製造方法では、粘着テープを繰り返し使用することができず、また、粘着テープが比較的高価であるといった点から、製造コストが高くなりやすいという難点があった。
特開２０００−２７７５５０号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造コストを抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することをその課題としている。
本発明によって提供される半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を基板の表面に搭載するとともに、その基板の裏面に上記半導体素子に導通する複数の端子を設ける工程と、上記基板の表面側において上記複数の半導体素子を樹脂により一括封止する工程と、一体となった上記基板および上記樹脂を上記半導体素子ごとに溝で区切るように、ダイシングソーによって厚み方向に途中まで切断する工程と、上記ダイシングソーの切断によって形成された上記溝をレーザビームにより完全に切断することにより、上記半導体素子ごとに樹脂で封止された個片を半導体装置として取り出す工程と、を含み、上記ダイシングソーによる切断後、上記端子を介して上記半導体素子の測定検査を行い、その後、上記レーザビームによる切断を行い、上記ダイシングソーによる切断工程では、上記基板側から切断を開始するとともに、上記樹脂の一部を残すように切断するとともに、上記レーザビームによる切断工程では、レーザビームを透過する部材に上記基板を吸着させた状態で、上記レーザビームを透過する部材とは反対側から上記樹脂のうち上記溝が形成されていない側に対して平面視において上記溝が形成された位置に合わせて上記レーザビームを照射して個片化切断を行うことを特徴としている。
このような構成によれば、粘着テープを用いずとも一体となった基板および樹脂を容易に取り扱うことができ、この種の半導体装置を製造する際のコストを抑えることができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図１は、本発明の製造方法によって得られる半導体装置の一例を示し、図２〜４は、本発明にかかる製造方法の一実施形態を示している。図１に示すように、半導体装置Ａは、半導体素子１、基材２、複数の端子３、およびモールド樹脂４を有して構成されている。半導体素子１は、たとえばＩＣチップあるいはＬＳＩチップからなり、基材２の表面２ａに設けられている。基材２は、たとえばエポキシ樹脂あるいは金属製のリードフレームである。端子３は、はんだボールからなり、基材２の裏面２ｂに電極として設けられている。モールド樹脂４は、半導体素子１を保護するために設けられており、モールド樹脂４の上面縁部４ａは、切り欠き状となっている。
この半導体装置Ａは、次のようにして製造される。
まず、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、基材２の原材料となる基板２０を用意し、この基板２０の表面２０ａに複数の半導体素子１を縦横に整列させた状態で搭載する。基板２０の裏面２０ｂには、半導体素子１のそれぞれに導通する端子３を設ける。端子３は、基板２０にあらかじめ形成されたスルーホールや配線パターン（図示略）を介して半導体素子１と導通接続される。
次に、図３に示すように、基板２０の表面２０ａ側において複数の半導体素子１を樹脂により一括封止することにより、樹脂封止部４０を形成する。この樹脂封止部４０は、半導体装置Ａのモールド樹脂４となるものである。これにより、基板２０と樹脂封止部４０が一体化する。一体となった基板２０および樹脂封止部４０の全体の厚みは、たとえば１ｍｍ程度である。なお、本実施形態では、樹脂封止部４０によって半導体素子１を４個ずつ封止するようにしているが、もちろんその個数を限定するものではない。
次に、図４（ａ）に示すように、基板２０の裏面２０ｂを上方に向けた姿勢とし、一体となった基板２０および樹脂封止部４０をダイシングソーＤによって厚み方向に途中まで切断する。ダイシングソーＤの刃厚は、たとえば２００μｍ程度である。このとき、ダイシングソーＤは、基板２０側から切断を開始し、半導体素子１ごとに区切るように所定の切断ラインに沿って切り込みながら移動させられる。これにより、半導体素子１は、ダイシングソーＤの切断によって形成された溝５０で区切られた恰好となり、樹脂封止部４０は、溝５０に残った厚み方向の残部４１によってまだ一体となっている。残部４１の厚みｔは、１００〜２００μｍ程度である。このようなダイシングソーＤによる切断時には、切りくずが発生するため、切断中あるいは切断後に水洗するのが望ましい。
次に、図４（ｂ）に示すように、基板２０および樹脂封止部４０が一体となったものをそのまま取り扱い、半導体素子１ごとに端子３を介して所定の測定検査装置Ｔにより測定検査を行う。これにより、半導体装置Ａを個々に取り扱って測定検査を行うよりも迅速かつ容易に測定検査を行うことができる。
その後、図４（ｃ）に示すように、樹脂封止部４０を上方に向けた姿勢でたとえばガラス基板６０上に基板２０および樹脂封止部４０が一体となったものを載置し、これをガラス基板６０に吸着させた状態でレーザビームＬにより溝５０を完全に切断する。レーザビームＬは、たとえばガラス基板６０を通して溝５０の位置が撮像手段により認識されることで溝５０に対して正確に位置合わせされ、残部４１を完全に切断すべく３００μｍ程度の切断深さとなるように適切なパワーおよび波長が選択される。たとえば比較的波長が短い５３２ｎｍ程度のレーザビームＬでは、樹脂封止部４０の樹脂に対して比較的高いエネルギ吸収率がみられる。レーザビームＬによる切断時には、レーザビームＬが溝５０を切断して下方に進行しても、ガラス基板６０を透過することで反射による悪影響が生じない。このようなレーザビームＬによる切断を行った結果、図１に示すような半導体装置Ａが個片化されたものとして得られる。このようにして得られた半導体装置Ａのモールド樹脂４には、レーザビームＬの切断跡として切り欠き状の上面縁部４ａが形成される。
したがって、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、従来技術で用いられていた粘着テープを用いる必要がなくなるので、この種の半導体装置Ａを製造する際のコストを抑えることができる。また、中間製造物として基板２０および樹脂封止部４０が一体となったものを測定検査などに際して容易に取り扱うことができ、生産性を高めることができる。
本発明は、上述した実施形態の内容に限定されない。本発明にかかる製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
本発明の製造方法によって得られる半導体装置の一例を示す断面図である。 本発明にかかる製造方法の一実施形態を説明するための斜視図である。 図２に続く製造工程を説明するための斜視図である。 図３に続く製造工程を説明するための断面図である。
符号の説明
１ 半導体素子
２ 基材
３ 端子
４ モールド樹脂
２０ 基板
２０ａ 基板の表面
２０ｂ 基板の裏面
４０ 樹脂封止部（樹脂）
４１ 樹脂封止部の残部
５０ 溝
６０ ガラス基板
Ａ 半導体装置
Ｄ ダイシングソー
Ｌ レーザビーム
Ｔ 測定検査装置

Claims (1)

  1. 複数の半導体素子を基板の表面に搭載するとともに、その基板の裏面に上記半導体素子に導通する複数の端子を設ける工程と、
    上記基板の表面側において上記複数の半導体素子を樹脂により一括封止する工程と、
    一体となった上記基板および上記樹脂を上記半導体素子ごとに溝で区切るように、ダイシングソーによって厚み方向に途中まで切断する工程と、
    上記ダイシングソーの切断によって形成された上記溝をレーザビームにより完全に切断することにより、上記半導体素子ごとに樹脂で封止された個片を半導体装置として取り出す工程と、
    を含み、
    上記ダイシングソーによる切断後、上記端子を介して上記半導体素子の測定検査を行い、その後、上記レーザビームによる切断を行い、
    上記ダイシングソーによる切断工程では、上記基板側から切断を開始するとともに、上記樹脂の一部を残すように切断するとともに、
    上記レーザビームによる切断工程では、レーザビームを透過する部材に上記基板を吸着させた状態で、上記レーザビームを透過する部材とは反対側から上記樹脂のうち上記溝が形成されていない側に対して平面視において上記溝が形成された位置に合わせて上記レーザビームを照射して個片化切断を行うことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
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