CN220155538U - 一种封装器件及电子器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种封装器件及电子器件，应用于电子器件封装技术领域，包括封装器件本体和引线框架，封装器件本体包括相对设置的第一表面和第二表面，引线框架的顶面裸露于封装器件本体的第一表面；引线框架的顶面为平整表面；封装器件本体的侧壁为分离面，分离面靠近第一表面一侧裸露有引线框架的侧壁；分离面包括第一切割面和第二切割面，第一切割面从第一表面向第二表面延伸，第一切割面的宽度小于引线框架的厚度。通过在第一次切割时在厚度方向仅仅切割部分引线框架，此时基于半切割的引线框架可以对封装器件表面进行去毛刺处理，使得引线框架的顶面为平整表面，保证封装器件表面无毛刺。

Description

一种封装器件及电子器件

技术领域

本实用新型涉及电子器件封装技术领域，特别是涉及一种封装器件以及一种电子器件。

背景技术

QFN(Quad Flat No lead)是一种方形扁平无引脚半导体芯片封装结构，DFN(DualFlat No lead)是一种矩形扁平无引脚半导体芯片封装结构，QFN/DFN类半导体封装测试器件在框架上需要切割分离成独立的个体。切割机使用以树脂为载体内嵌金刚石的切割刀具对框架及塑封材料进行分割。

但是在切割过程中会产生切割毛刺，保留在产品边缘，这个毛刺在后续的电镀过程中会被镀上锡，使之进一步加厚拉长，造成封装体引脚边缘不平整，或引脚延展，导致后续上板发生焊接不良等品质问题。所以如何提供一种没有毛刺的封装器件是本领域技术人员急需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种封装器件，表面没有毛刺；本实用新型的另一目的在于提供一种电子器件，其所使用的封装器件表面没有毛刺。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种封装器件，包括封装器件本体和引线框架，所述封装器件本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述引线框架的顶面裸露于所述封装器件本体的第一表面；所述引线框架的顶面为平整表面；

所述封装器件本体的侧壁为分离面，所述分离面靠近所述第一表面一侧裸露有所述引线框架的侧壁；所述分离面包括第一切割面和第二切割面，所述第一切割面从所述第一表面向所述第二表面延伸，所述第一切割面的宽度小于所述引线框架的厚度；所述第二切割面从所述第一切割面向所述第二表面延伸。

可选的，还包括电镀层，所述电镀层覆盖所述引线框架的顶面，以及所述引线框架侧壁位于所述第一切割面的区域。

可选的，所述电镀层为锡电镀层。

可选的，所述第一切割面的宽度为所述引线框架厚度的一半。

可选的，所述引线框架为铜引线框架。

可选的，所述分离面为平整表面。

可选的，所述封装器件本体包括芯片，和包覆所述芯片的塑封体，所述芯片与所述引线框架通信连接。

可选的，所述芯片通过粘片胶贴合在所述引线框架表面。

可选的，所述芯片通过焊线与所述引线框架连接。

本实用新型还提供了一种电子器件，包括如上述任一项所述的封装器件。

本实用新型所提供的一种封装器件，包括封装器件本体和引线框架，封装器件本体包括相对设置的第一表面和第二表面，引线框架的顶面裸露于封装器件本体的第一表面；引线框架的顶面为平整表面；封装器件本体的侧壁为分离面，分离面靠近第一表面一侧裸露有引线框架的侧壁；分离面包括第一切割面和第二切割面，第一切割面从第一表面向第二表面延伸，第一切割面的宽度小于引线框架的厚度；第二切割面从第一切割面向第二表面延伸。

通过形成两个切割面，在第一次切割时在厚度方向仅仅切割部分引线框架，此时基于半切割的引线框架可以对封装器件表面进行去毛刺处理，使得引线框架的顶面为平整表面；之后再对引线框架进行全切割，形成分离面，保证封装器件表面无毛刺。

本实用新型还提供了一种电子器件，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。

附图说明

为了更清楚的说明本实用新型实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中封装器件的切割工艺示意图；

图2为本实用新型实施例所提供的一种封装器件的侧视结构示意图；

图3为图2的俯视结构示意图；

图4为本实用新型实施例所提供的一种封装器件的工艺示意图；

图5为本实用新型实施例所提供的一种具体的QFN/DFN封装器件的侧视结构示意图；

图6为图5的俯视结构示意图；

图7为本实用新型实施例所提供的一种具体的封装器件的工艺流程图。

图中：1.封装器件本体、11.芯片、12.塑封体、13.粘片胶、14.焊线、2.引线框架、3.分离面、31.第一切割面、32.第二切割面、4.电镀层、5.毛刺。

具体实施方式

本实用新型的核心是提供一种封装器件。如图1所示，图1为现有技术中封装器件的切割工艺示意图。由于铜材的延展性较强，在切割过程中铜材的断面会被延展拉伸，切割时形成毛刺5，保留在产品边缘。现有的切割流程如下：首先对整条的产品进行表面电镀，形成电镀层4，引脚表面镀上一层锡作为后续上板的保护层。然后进行切割分离，使每颗产品从料条中分离出来。由于铜材的延展性，在切割过程中会产生毛刺5。这一流程管对简单，但无法去除毛刺5，对于应用要求比较高的产品，无法解决毛刺的问题。

而本实用新型所提供的一种封装器件，包括封装器件本体和引线框架，封装器件本体包括相对设置的第一表面和第二表面，引线框架的顶面裸露于封装器件本体的第一表面；引线框架的顶面为平整表面；封装器件本体的侧壁为分离面，分离面靠近第一表面一侧裸露有引线框架的侧壁；分离面包括第一切割面和第二切割面，第一切割面从第一表面向第二表面延伸，第一切割面的宽度小于引线框架的厚度；第二切割面从第一切割面向第二表面延伸。

通过形成两个切割面，在第一次切割时在厚度方向仅仅切割部分引线框架，此时基于半切割的引线框架可以对封装器件表面进行去毛刺处理，使得引线框架的顶面为平整表面；之后再对引线框架进行全切割，形成分离面，保证封装器件表面无毛刺。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参考图2至图4，图2为本实用新型实施例所提供的一种封装器件的侧视结构示意图；图3为图2的俯视结构示意图；图4为本实用新型实施例所提供的一种封装器件的工艺示意图。

参见图2以及图3，在本实用新型实施例中，封装器件包括封装器件本体1和引线框架2，所述封装器件本体1包括相对设置的第一表面和第二表面，所述引线框架2的顶面裸露于所述封装器件本体1的第一表面；所述引线框架2的顶面为平整表面；所述封装器件本体1的侧壁为分离面3，所述分离面3靠近所述第一表面一侧裸露有所述引线框架2的侧壁；所述分离面3包括第一切割面31和第二切割面32，所述第一切割面31从所述第一表面向所述第二表面延伸，所述第一切割面31的宽度小于所述引线框架2的厚度；所述第二切割面32从所述第一切割面31向所述第二表面延伸。

上述封装器件本体1为封装器件的主体结构，在本实施例中主要对切割后暴露出的引线框架2进行限定，相应的在本实施例中封装器件本体1为封装器件中排除引线框架2后剩余的结构，其通常包括塑封体12，被塑封体12包裹的芯片11等等。通常情况下，所述封装器件本体包括芯片11，和包覆所述芯片11的塑封体12，该塑封体12通常也会包覆引线框架，裸露部分引线框架的表面，所述芯片11与所述引线框架通信连接。上述芯片11可以通过粘片胶13贴合在所述引线框架表面，该芯片11可以通过焊线14与所述引线框架连接。有关封装器件本体1的具体结构可以根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。

上述封装器件会具有封装的引线框架2，该引线框架2的部分表面会暴露在封装器件本体1表面。具体的，上述封装器件本体1包括相对设置的第一表面和第二表面，而引线框架2的顶面具体会裸露于封装器件本体1的第一表面，通常在第二表面不会有引线框架2裸露。在本实施例中引线框架2的顶面为平整表面，该引线框架2裸露的顶面具体为经过去毛刺处理，具体经过如抛光、使用研磨设备(磨轮)进行表面研磨等方式去除完毛刺5后，所形成的平整表面，该平整表面没有毛刺5突出。

上述封装器件本体1的侧壁为分离面3，即在制备封装器件时，会沿该分离面3进行切割，形成封装器件本体1的侧壁，使得不同的封装器件本体1相互分离，形成封装器件。上述引线框架2通常在该分离面3有裸露，具体的在分离面3中靠近第一表面一侧裸露有引线框架2的侧壁。上述引线框架2的顶面会在第一表面裸露，该引线框架2的侧壁会在封装器件本体1的侧壁裸露，即在封装器件本体1的分离面3裸露，显然该引线框架2的侧壁会在分离面3靠近所述第一表面一侧裸露。

在本实施例中分离面3包括第一切割面31和第二切割面32，不同的切割面是由不同的切割工序所产生的，即在本实施例中分离面3的产生具体需要先后经过两道切割工序，相应的封装器件本体1的分离需要先后经过两道切割工序。

参见图4，在本实施例中所述第一切割面31从所述第一表面向所述第二表面延伸，所述第一切割面31的宽度小于所述引线框架2的厚度，所述第二切割面32从所述第一切割面31向所述第二表面延伸；即在执行产生第一切割面31的切割工艺时，其仅仅会切割部分引线框架2，该切割工艺的切割厚度小于引线框架2的厚度。因此在本实施例中分离封装器件本体1的切割工艺具体为二次切割工艺，第一次切割为半切割，该半切割的切割厚度会小于引线框架2的厚度，即半切割时不会割断引线框架2，保持引线框架2的电连接性。

需要说明的是，在本实施例中为了保证引线框架2的顶面为平整表面，对该引线框架2顶面的去毛刺工艺需要在上述半切割之后执行。即在本实施例中具体会先执行半切割，该半切割通常是从封装器件本体1的第一表面一侧进行半切割，形成上述第一切割面31，而该切割过程会在封装器件本体1的第一表面，即引线框架2裸露的顶面产生毛刺5。之后，可以对该引线框架2的顶面进行去毛刺5，使得引线框架2的顶面为平整表面。最后，对封装器件本体1进行二次切割，形成上述分离面3，在分离面3形成上述第二切割面32，实现封装器件的分割，此时分割出的封装器件表面不会具有毛刺5，其表面为平整表面。

本实用新型实施例所提供的一种封装器件，通过形成两个切割面，在第一次切割时在厚度方向仅仅切割部分引线框架2，此时基于半切割的引线框架2可以对封装器件表面进行去毛刺处理，使得引线框架2的顶面为平整表面；之后再对引线框架2进行全切割，形成分离面3，保证封装器件表面无毛刺5。

有关本实用新型实施例所提供的一种封装器件的具体结构将在下述实用新型实施例中做详细介绍。

请参考图5至图7，图5为本实用新型实施例所提供的一种具体的QFN/DFN封装器件的侧视结构示意图；图6为图5的俯视结构示意图；图7为本实用新型实施例所提供的一种具体的封装器件的工艺流程图。

区别于上述实用新型实施例，本实用新型实施例是在上述实用新型实施例的基础上，进一步的对QFN/DFN封装器件的结构进行限定。其余内容已在上述实用新型实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

参见图5以及图6，在本实用新型实施例中，还包括电镀层4，所述电镀层4覆盖所述引线框架2的顶面，以及所述引线框架2侧壁位于所述第一切割面31的区域。

上述电镀层4具体会在对引线框架2的顶面进行去毛刺5后再进行设置，该电镀层4具体为通过电镀工艺设置在引线框架2表面的膜层，该电镀层4主要起到对引线框架2的保护作用，作为保护层。

该电镀层4具体会覆盖引线框架2的顶面，以及引线框架2侧壁位于第一切割面31的区域，即该电镀层4的设置具体是在对封装器件本体1进行半切割，形成第一切割面31后，并且在去除了引线框架2顶面的毛刺5后，所设置的电镀层4。

在本实施例中，所述电镀层4具体可以为锡电镀层4，即上述电镀层4的材质可以为锡，以起到保护罗露出的引线框架2的目的。当然上述电镀层4也可以选用其他的材质，在此对于电镀层4的具体材质并不做具体限定。

在本实用新型实施例中，所述第一切割面31的宽度为所述引线框架2厚度的一半。即在对封装器件本体1进行半切割时，该半切割的切割深度为引线框架2厚度的一半。当设施有上述电镀层4时，该电镀层4的覆盖引线框架2侧壁的面积为引线框架2裸露出的侧壁面积的一半。当然，在本实用新型实施例中对于申述半切割的深度，即第一切割面31的宽度并不做具体限定，视具体情况而定。

通常上述引线框架2为铜引线框架2，即引线框架2的材质为铜。当然在本实施例中也可以选用其他材质的引线框架2，对于引线框架2的具体材质并不做具体限定。为了保证QFN/DFN封装器件表面的平整，所述分离面3可以为平整表面，即对封装器件本体1进行两次切割所使用的刀宽相同，且切割位置相同，从而保证切割面为平整表面，使得引线框架2裸露出的侧壁为平整表面。

参见图7，本实施例所提供的一种QFN/DFN封装器件，具体在电镀流程之前，增加一次半切割，通过半切割创造处理毛刺5的条件，并再半切割后增加处理毛刺5的工艺，实现电镀前完成去除表面毛刺5的目的。之后的步骤与传统工艺相同，对工艺流程的变更较少，不需要增加额外的投资，通过工艺方式的调整，实现品质改善。

具体的，在本实施例中首先对料条进行半切割，只切穿引线框架2切割道的一部分；该半切割过程可以使用现有的切割设备和刀片，该过程通常设置切割深度为引线框架2的一半厚度。这样既可以让毛刺5暴露在产品的表面，又不影响引线框架2的连接性，后续仍然可以实现电镀。之后对表面产生的毛刺5进行处理，可以通过机械研磨或其他方式，去掉产生的毛刺5；具体使用研磨设备(磨轮)进行表面研磨时，研磨深度通常设置在25μm左右，该掩膜深度的设置可以研磨掉凸出于表面的毛刺5，同时不会对引线框架2表面有太多的磨损。研磨之后的引线框架2表面没有毛刺5，并且更加平滑平整。

再之后会进行电镀，电镀层4深入到封装体的侧立面，即上述半切割所形成的第一切割面31。上述电镀层4覆盖到半切割区域，可以使最终封装器件表面更平整。最后进行第二次切割，彻底切穿产品。由于产品表面在第一次半切割后已经处理过毛刺5，第二次切割也不再切割这一部分，最终产品表面是完全没有毛刺5的，毛刺问题可以得到彻底的解决。

上述二次切割的过程也可以采用激光切割，或化学蚀刻的方式，将产品从引线框架2上分离出来，上述方法的机器过于昂贵。本实施例所提供的方法通过工艺方式的变更，形成对应结构的QFN/DFN封装器件，不需要额外的设备投资。

本实用新型还提供了一种电子器件，该电子器件具体包括如上述任一实用新型实施例所提供的封装器件。在本实施例中该电子器件具体可以为各种移动终端、通信设备等，有关电子器件的其他结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。

由于上述封装器件表面不具有毛刺5，因此其与在电子器件中可以保证良好的焊接接触，可以提高电子器件的良品率。有关本实用新型所提供的封装器件的具体结构已在上述实用新型实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本实用新型的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本实用新型所提供的一种封装器件及电子器件进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种封装器件，其特征在于，包括封装器件本体和引线框架，所述封装器件本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述引线框架的顶面裸露于所述封装器件本体的第一表面；所述引线框架的顶面为平整表面；

所述封装器件本体的侧壁为分离面，所述分离面靠近所述第一表面一侧裸露有所述引线框架的侧壁；所述分离面包括第一切割面和第二切割面，所述第一切割面从所述第一表面向所述第二表面延伸，所述第一切割面的宽度小于所述引线框架的厚度；所述第二切割面从所述第一切割面向所述第二表面延伸。

2.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，还包括电镀层，所述电镀层覆盖所述引线框架的顶面，以及所述引线框架侧壁位于所述第一切割面的区域。

3.根据权利要求2所述的封装器件，其特征在于，所述电镀层为锡电镀层。

4.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述第一切割面的宽度为所述引线框架厚度的一半。

5.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述引线框架为铜引线框架。

6.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述分离面为平整表面。

7.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述封装器件本体包括芯片，和包覆所述芯片的塑封体，所述芯片与所述引线框架通信连接。

8.根据权利要求7所述的封装器件，其特征在于，所述芯片通过粘片胶贴合在所述引线框架表面。

9.根据权利要求7所述的封装器件，其特征在于，所述芯片通过焊线与所述引线框架连接。

10.一种电子器件，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项权利要求所述的封装器件。