JP2885723B2 - リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JP2885723B2 JP2885723B2 JP24962696A JP24962696A JP2885723B2 JP 2885723 B2 JP2885723 B2 JP 2885723B2 JP 24962696 A JP24962696 A JP 24962696A JP 24962696 A JP24962696 A JP 24962696A JP 2885723 B2 JP2885723 B2 JP 2885723B2
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- dam
- semiconductor device
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレームを用
いた半導体装置の製造方法に関し、特に樹脂封止型半導
体装置のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
に関する。
いた半導体装置の製造方法に関し、特に樹脂封止型半導
体装置のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、アウタリードの成形性向上や外装半田めっき
の不着部低減のためダム樹脂や樹脂バリを除去するため
アルカリ溶液中での電解はくりや高圧の水を噴射する方
法がとられていたが十分に解除できなかった。そのた
め、ダム樹脂や樹脂バリの除去性向上のため特開平４−
１６４３５６号公報に示されるような、ダム部に封止樹
脂と密着性の低い物質をつける方法が考案されていた。
造方法は、アウタリードの成形性向上や外装半田めっき
の不着部低減のためダム樹脂や樹脂バリを除去するため
アルカリ溶液中での電解はくりや高圧の水を噴射する方
法がとられていたが十分に解除できなかった。そのた
め、ダム樹脂や樹脂バリの除去性向上のため特開平４−
１６４３５６号公報に示されるような、ダム部に封止樹
脂と密着性の低い物質をつける方法が考案されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、従来
の技術において完全なダム樹脂，樹脂バリの除去ができ
ないことである。その理由は、封入樹脂とリードフレー
ムとの密着性は信頼性向上を目的とし年々高くなってき
ており、現状のダム樹脂除去方法では密着性の方がハク
リ性を上まわっているからである。
の技術において完全なダム樹脂，樹脂バリの除去ができ
ないことである。その理由は、封入樹脂とリードフレー
ムとの密着性は信頼性向上を目的とし年々高くなってき
ており、現状のダム樹脂除去方法では密着性の方がハク
リ性を上まわっているからである。
【０００４】第２の問題点は、半導体装置の信頼性（耐
湿性）の低下や銀めっきのマイグレーション発生の恐れ
があったからである。その理由は、ダム部に封止樹脂と
の密着性が低い物質が塗布された場合は封止時金型とリ
ードフレームのずれにより半導体装置本体に塗布した物
質が入ったときは水分の浸入が容易になり信頼性低下の
危険性が高くなるからである。また、塗布する物質が高
分子化合物の場合はイオン性不純物を含有することが多
くさらに、信頼性低下を促進する。さらに、塗布する物
質が銀などのマイグレーション性が高い物質の場合、前
記のように半導体装置内に入ったときはマイグレーショ
ンによるリード短絡不良の発生が懸念されるためであ
る。
湿性）の低下や銀めっきのマイグレーション発生の恐れ
があったからである。その理由は、ダム部に封止樹脂と
の密着性が低い物質が塗布された場合は封止時金型とリ
ードフレームのずれにより半導体装置本体に塗布した物
質が入ったときは水分の浸入が容易になり信頼性低下の
危険性が高くなるからである。また、塗布する物質が高
分子化合物の場合はイオン性不純物を含有することが多
くさらに、信頼性低下を促進する。さらに、塗布する物
質が銀などのマイグレーション性が高い物質の場合、前
記のように半導体装置内に入ったときはマイグレーショ
ンによるリード短絡不良の発生が懸念されるためであ
る。
【０００５】第３の問題点は、アウタリードの成形性，
寸法精度が低いことである。その理由は、ダム樹脂やア
ウタリード上の樹脂バリはアウタリードを金型によって
所定の形状に切断，成形するときに、リードフレームと
金型との間にはさまり成形形状が悪化したり寸法精度が
低下する。また、樹脂バリ除去のため半田めっき工程の
前処理で酸などでエッチングするためアウタリードの細
りが発生することがある。
寸法精度が低いことである。その理由は、ダム樹脂やア
ウタリード上の樹脂バリはアウタリードを金型によって
所定の形状に切断，成形するときに、リードフレームと
金型との間にはさまり成形形状が悪化したり寸法精度が
低下する。また、樹脂バリ除去のため半田めっき工程の
前処理で酸などでエッチングするためアウタリードの細
りが発生することがある。
【０００６】第４の問題点は、リードフレームの製造コ
ストが高いことである。その理由は、ダム部へ封止樹脂
との密着性が低い物質を塗布する場合は塗布する物質の
材料費，塗布加工費がかかる。特に、高分子化合物を塗
布する場合は塗布装置を新たに作製する必要があり設備
投資も必要となるからである。
ストが高いことである。その理由は、ダム部へ封止樹脂
との密着性が低い物質を塗布する場合は塗布する物質の
材料費，塗布加工費がかかる。特に、高分子化合物を塗
布する場合は塗布装置を新たに作製する必要があり設備
投資も必要となるからである。
【０００７】本発明の目的は、信頼性低下やコスト上昇
をともなわずに完全なダム樹脂，樹脂バリ除去を行うこ
とである。
をともなわずに完全なダム樹脂，樹脂バリ除去を行うこ
とである。
【０００８】
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、樹脂封止型半導体装置のリードフレームの少
くとも樹脂封止部周端からタイバまでのダム部に厚めっ
きを施したリードフレームを用いて、樹脂封止後にタイ
バからダム樹脂内部まで切断することにより該タイバの
側面と該ダム樹脂間の前記厚めっきを露出させる工程
と、しかる後、前記ダム樹脂が前記リードフレームから
浮いた状態にするめっきのはくり工程と、次に高水圧を
かけ前記ダム樹脂を除去する工程とを含むことを特徴と
する。
造方法は、樹脂封止型半導体装置のリードフレームの少
くとも樹脂封止部周端からタイバまでのダム部に厚めっ
きを施したリードフレームを用いて、樹脂封止後にタイ
バからダム樹脂内部まで切断することにより該タイバの
側面と該ダム樹脂間の前記厚めっきを露出させる工程
と、しかる後、前記ダム樹脂が前記リードフレームから
浮いた状態にするめっきのはくり工程と、次に高水圧を
かけ前記ダム樹脂を除去する工程とを含むことを特徴と
する。
【００１０】樹脂封止された本発明の半導体装置に使用
するリードフレームによれば、半田めっきの前処理でダ
ム部に施されためっきがはくりされる。これにより、ダ
ム部に付着した樹脂や樹脂封止部からもれ出した樹脂バ
リは容易に除去できる。
するリードフレームによれば、半田めっきの前処理でダ
ム部に施されためっきがはくりされる。これにより、ダ
ム部に付着した樹脂や樹脂封止部からもれ出した樹脂バ
リは容易に除去できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１２】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形
態のリードフレームを用いた半導体装置の平面図及びそ
のＡ−Ａ′線断面図である。図１（ａ），（ｂ）に示す
ように、本発明の一実施の形態のリードフレーム１は、
ダム部２に銅めっき３が１０μｍ程度施されている。こ
の銅めっき３はリードフレーム１の側面にも施されてい
る。
態のリードフレームを用いた半導体装置の平面図及びそ
のＡ−Ａ′線断面図である。図１（ａ），（ｂ）に示す
ように、本発明の一実施の形態のリードフレーム１は、
ダム部２に銅めっき３が１０μｍ程度施されている。こ
の銅めっき３はリードフレーム１の側面にも施されてい
る。
【００１３】図２（ａ），（ｂ）、図３（ａ），
（ｂ）、図４（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施
の形態のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
を説明する工程順に示した平面図及びそれぞれのＢ−
Ｂ′，Ｃ−Ｃ′，Ｄ−Ｄ′線断面図である。本発明の一
実施の形態のリードフレームを用いた半導体装置の製造
方法は、まず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂
封止後にタイバ４を金型により切断する。この工程で
は、ダム部２の銅めっき３にはまだ樹脂５が付着してい
る。次に、図３（ａ），（ｂ）に示すように、半田めっ
きの前処理工程に銅めっき３のはくり工程を設けること
により、ダム樹脂５がリードフレーム１から浮いた状態
となる。次に、図４（ａ），（ｂ）に示すように、リー
ドフレーム１から浮いた状態のダム樹脂５に高圧水をか
ける工程で、ダム樹脂５が完全に除去される。
（ｂ）、図４（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施
の形態のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
を説明する工程順に示した平面図及びそれぞれのＢ−
Ｂ′，Ｃ−Ｃ′，Ｄ−Ｄ′線断面図である。本発明の一
実施の形態のリードフレームを用いた半導体装置の製造
方法は、まず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂
封止後にタイバ４を金型により切断する。この工程で
は、ダム部２の銅めっき３にはまだ樹脂５が付着してい
る。次に、図３（ａ），（ｂ）に示すように、半田めっ
きの前処理工程に銅めっき３のはくり工程を設けること
により、ダム樹脂５がリードフレーム１から浮いた状態
となる。次に、図４（ａ），（ｂ）に示すように、リー
ドフレーム１から浮いた状態のダム樹脂５に高圧水をか
ける工程で、ダム樹脂５が完全に除去される。
【００１４】以上、ダム部に銅めっきを施した例につい
て説明したが、その他ダム部に銅めっきに代えて半田め
っき、スズ−ニッケル合金めっき及び銀めっき等も可能
である。このダム部２へのめっきの種類の変更は、使用
する封止樹脂との密着性や半田めっきの前処理工程での
処理内容に応じて最適なものを選択する。
て説明したが、その他ダム部に銅めっきに代えて半田め
っき、スズ−ニッケル合金めっき及び銀めっき等も可能
である。このダム部２へのめっきの種類の変更は、使用
する封止樹脂との密着性や半田めっきの前処理工程での
処理内容に応じて最適なものを選択する。
【００１５】
【発明の効果】第１の効果は、ダム樹脂が完全に除去で
きることにより、アウタリードを所定の形状に成形する
工程での寸法精度が向上することである。その理由は、
ダム樹脂はダム部に施しためっきと密着しており直接リ
ードフレームに密着しておらず、半田めっき工程の前処
理でめっきをはくりすることによりダム樹脂がリードフ
レームから浮いた状態により高圧水をダム樹脂に噴射す
ることで容易にダム樹脂が除去されるからである。
きることにより、アウタリードを所定の形状に成形する
工程での寸法精度が向上することである。その理由は、
ダム樹脂はダム部に施しためっきと密着しており直接リ
ードフレームに密着しておらず、半田めっき工程の前処
理でめっきをはくりすることによりダム樹脂がリードフ
レームから浮いた状態により高圧水をダム樹脂に噴射す
ることで容易にダム樹脂が除去されるからである。
【００１６】第２の効果は半導体装置の耐湿信頼性の向
上である。その理由は、使用する封止樹脂との密着性の
高いめっきを選択することにより、樹脂封止部内にめっ
きが残ってもめっきと封止樹脂間からの水分の侵入を低
減できる。通常使用されるリードフレーム材料の鉄−ニ
ッケル合金や銅合金と封止樹脂との密着性よりも高い密
着性をもつめっきの選択が可能であるからである。
上である。その理由は、使用する封止樹脂との密着性の
高いめっきを選択することにより、樹脂封止部内にめっ
きが残ってもめっきと封止樹脂間からの水分の侵入を低
減できる。通常使用されるリードフレーム材料の鉄−ニ
ッケル合金や銅合金と封止樹脂との密着性よりも高い密
着性をもつめっきの選択が可能であるからである。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形態のリー
ドフレームを用いた半導体装置の平面図及びそのＡ−
Ａ′線断面図である。
ドフレームを用いた半導体装置の平面図及びそのＡ−
Ａ′線断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形態のリー
ドフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する工
程順に示した平面図及びそのＢ−Ｂ′線断面図である。
ドフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する工
程順に示した平面図及びそのＢ−Ｂ′線断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形態のリー
ドフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する工
程順に示した平面図及びそのＣ−Ｃ′線断面図である。
ドフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する工
程順に示した平面図及びそのＣ−Ｃ′線断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形態のリー
ドフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する工
程順に示した平面図及びそのＤ−Ｄ′線断面図である。
ドフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する工
程順に示した平面図及びそのＤ−Ｄ′線断面図である。
１ リードフレーム ２ ダム部 ３ 銅めっき ４ タイバ ５ ダム樹脂 ６ 樹脂封止部
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
の少くとも樹脂封止部周端からタイバまでのダム部に厚
めっきを施したリードフレームを用いた半導体装置の製
造方法において、樹脂封止後にタイバからダム樹脂内部
まで切断することにより該タイバの側面と該ダム樹脂間
の前記厚めっきを露出させる工程と、しかる後、前記ダ
ム樹脂が前記リードフレームから浮いた状態にするめっ
きのはくり工程と、次に高水圧をかけ前記ダム樹脂を除
去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24962696A JP2885723B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24962696A JP2885723B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098146A JPH1098146A (ja) | 1998-04-14 |
| JP2885723B2 true JP2885723B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=17195833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24962696A Expired - Lifetime JP2885723B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2885723B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3866880B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2007-01-10 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型電子装置 |
| JP5509878B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-06-04 | 凸版印刷株式会社 | Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム基板の製造方法 |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP24962696A patent/JP2885723B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1098146A (ja) | 1998-04-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990112 |