JPH0832348B2 - 半導体装置のリードカツト方法 - Google Patents

半導体装置のリードカツト方法

Info

Publication number
JPH0832348B2
JPH0832348B2 JP2063125A JP6312590A JPH0832348B2 JP H0832348 B2 JPH0832348 B2 JP H0832348B2 JP 2063125 A JP2063125 A JP 2063125A JP 6312590 A JP6312590 A JP 6312590A JP H0832348 B2 JPH0832348 B2 JP H0832348B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
cutting
semiconductor device
die
cutting method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2063125A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03264140A (ja
Inventor
佐百規 稗田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2063125A priority Critical patent/JPH0832348B2/ja
Publication of JPH03264140A publication Critical patent/JPH03264140A/ja
Publication of JPH0832348B2 publication Critical patent/JPH0832348B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Shearing Machines (AREA)
  • Wire Processing (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードの切断に使用する半導体装置のリー
ドカット方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置のリードカット方法は、次
に示す手順を経て行われる。すなわち、第2図に示すよ
うにめっき1によって外装処理が施された外部接続用の
リード2を有する半導体装置(図示せず)を受けダイ4
上に載置し、次にこの半導体装置(図示せず)のリード
2を上下方向に昇降するカットダイ5によって切断する
のである。この場合、切断時にはカットダイ5を上方か
ら下方に向かって垂直に下降させる。なお、リード2の
切断面2aには、切断時にだれによってめっき1が付着す
る。
この後、リード2には基板実装用の半田が付着され
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、従来の半導体装置のリードカット方法にお
いては、リード2の切断面2aがリード突出方向に対して
垂直な切断面となるものであるため、この切断面2aにめ
っき1が十分に付着せず、リード切断面の一部が外部に
露呈されていた。この結果、次工程においてリード2の
一部に半田が付着せず、電気抵抗が大きくなったり、接
合強度が低下したり、リード切断面が腐蝕したり、ある
いは外観不良が発生したりして品質上の信頼性が低下す
るという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、リ
ードにおける電気抵抗の増大,接合強度の低下,切断面
の腐蝕あるいは外観不良の発生を防止することができ、
もって品質上の信頼性を向上させることができる半導体
装置のリードカット方法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置のリードカット方法は、予め
外装めっき処理が施された外部接続用のリードを有する
半導体装置を受けダイ上に載置し、次にこの半導体装置
のリードをカットダイによって切断する方法であって、
リードに対してリード切断面がリード先端部に向かって
下る勾配をもつ傾斜面となるような塑性変形力を切断時
に付与するものである。
〔作 用〕
本発明においては、リード切断時にリードの切断面に
外装処理用のめっきを付着させることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細
に説明する。
第1図は本発明に係る半導体装置のリードカット方法
を説明するための断面図で、同図において第2図と同一
の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。同図において、符号11で示す外部接続用のリード
の切断面11aは、封止樹脂(図示せず)の側から先端部
に向かってリード厚が薄くなるような傾斜面によって形
成されている。すなわち、このリード11の傾斜面は、リ
ード先端部に向かって下る勾配をもつのである。12は前
記リード11を切断するカットダイで、前記受けダイ4の
上方に昇降自在に設けられている。このカットダイ12の
先端部は、前記リード11の切断面11aに適合する形状に
形成されている。
次に、本発明の一実施例である半導体装置のリードカ
ット方法について説明する。
すなわち、リードカットは、予め外装めっき処理が施
された外部接続用のリード11を有する半導体装置(図示
せず)を受けダイ4上に載置し、次にこの半導体装置
(図示せず)のリード11をカットダイ12によって切断す
る方法であって、リード11にリード切断面11aがリード
先端部に向かって下る勾配をもつ傾斜面になるような塑
性変形力を付与することにより行われる。この場合、リ
ード切断時にはカットダイ12を上方から下方に向かって
垂直に下降させる。
この後、リード11には基板接続用の半田が付着され
る。
したがって、本実施例においては、リード切断時にリ
ード11の切断面11aにめっき1を付着させることができ
るから、めっき1によってリード11の切断面11aを覆う
ことができ、次工程におけるリード11を対する半田付着
を十分に保証することができる。
なお、本実施例においては、カットダイ5を垂直に下
降させることによりリード切断面11aを傾斜させる例を
示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例
えばカットダイ12の下降方向を変更しても実施例と同様
の切断面11aとすることができる。すなわち要するに、
本発明はリード切断面11aをリード先端部に向かって下
る勾配をもつ傾斜面とすることにより、リード切断面11
aにめっき1を付着させることができればよいのであ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、予め外装めっき
処理が施された外部接続用のリードを有する半導体装置
を受けダイ上に載置し、次にこの半導体装置のリードを
カットダイによって切断する方法であって、リードにリ
ード切断面がリード先端部に向かって下る勾配を傾斜面
となるような塑性変形力を切断時に付与するので、リー
ド切断時にリードの切断面に外装処理用のめっきを付着
させ、このめっきによってリードの切断面を覆うことが
できる。したがって、次工程におけるリードに対する半
田付着を十分に保証することができるから、リードにお
ける電気抵抗の増大,接合強度の低下,切断面の腐蝕あ
るいは外観不良の発生を防止することができ、品質上の
信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体装置のリードカット方法を
説明するための断面図、第2図は従来の半導体装置のリ
ードカット方法を説明するための断面図である。 1……めっき、4……受けダイ、11……リード、11a…
…切断面、12……カットダイ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】予め外装めっき処理が施された外部接続用
    のリードを有する半導体装置を受けダイ上に載置し、次
    にこの半導体装置のリードをカットダイによって切断す
    る方法であって、前記リードに対してリード切断面がリ
    ード先端部に向かって下る勾配をもつ傾斜面となるよう
    な塑性変形力を切断時に付与することを特徴とする半導
    体装置のリードカット方法。
JP2063125A 1990-03-14 1990-03-14 半導体装置のリードカツト方法 Expired - Fee Related JPH0832348B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2063125A JPH0832348B2 (ja) 1990-03-14 1990-03-14 半導体装置のリードカツト方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2063125A JPH0832348B2 (ja) 1990-03-14 1990-03-14 半導体装置のリードカツト方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03264140A JPH03264140A (ja) 1991-11-25
JPH0832348B2 true JPH0832348B2 (ja) 1996-03-29

Family

ID=13220243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2063125A Expired - Fee Related JPH0832348B2 (ja) 1990-03-14 1990-03-14 半導体装置のリードカツト方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0832348B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010033943A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Yazaki Corp コネクタ端子の製造方法及びコネクタ端子
JP5869408B2 (ja) * 2012-04-05 2016-02-24 榮子 山田 溶剤封入溶接線用の鋼片の製造方法
JP6340204B2 (ja) * 2014-02-14 2018-06-06 エイブリック株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03264140A (ja) 1991-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3730412B2 (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
US6126885A (en) Method for manufacturing resin-molded semiconductor device
US6005286A (en) Increasing the gap between a lead frame and a semiconductor die
JP2004349728A (ja) カプセル化電子部品、特に集積回路の製造方法
JPH1131774A (ja) 金属板の切断装置
JPH0832348B2 (ja) 半導体装置のリードカツト方法
JPH0145228B2 (ja)
JPH08318328A (ja) リード切断用金型
JPH0745769A (ja) 樹脂封止型半導体装置のリード切断方法
JP2522095B2 (ja) 半導体装置のリ―ドカット方法
JP2586352B2 (ja) 半導体装置用リード切断装置
JPS634945B2 (ja)
JP2851791B2 (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH04333267A (ja) 表面実装半導体装置の製造方法
JP2885723B2 (ja) リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JPS61237458A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH02302068A (ja) トランスファーモールド型混成集積回路
US20030042594A1 (en) Semiconductor package and method of manufacturing lead
JPH04326755A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH0722559A (ja) リードフレーム
JPS635912B2 (ja)
JPH0626222B2 (ja) 半導体チツプのダイボンデイング方法
JPS61236146A (ja) リ−ド成形機
JP2679197B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH02109356A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees