JP6377514B2 - パッケージ基板の加工方法 - Google Patents
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Description
図2及び図3に示すように、パッケージ基板10は、熱拡散基板10側が保持手段2の保持面20に保持され、樹脂層13の上面が露出した状態となる。そして、図3に示すように、図1に示した切削手段3を構成する切削ブレード32を高速回転させて分割予定ライン14の上方に位置付け、切削ブレード32を樹脂層13に切り込ませ、切削ブレード32の下端が熱拡散基板11に達しない深さまで切削ブレード32を下降させるとともに、図1に示した加工送り手段6によって保持手段2をX軸方向に加工送りする。そうすると、図4に示すように、分割予定ライン14に沿って切削溝15が形成される。熱拡散基板11に達しない深さまで切削ブレード32を切り込ませることにより、樹脂層13には、切削溝15の下方に、切削ブレード32によって切削されない部分である樹脂残存部16が形成される。本工程は、例えば、以下の加工条件で行われる。
切削ブレードの厚み :200[μm]
切削ブレードの直径 :52[mm]
切削ブレードの回転速度 :20000[rpm]
加工送り速度 :100[mm/秒]
次に、図5に示すように、切削溝形成工程が実施されたパッケージ基板10の熱拡散基板11側が保持手段2によって保持された状態で、分割予定ライン14の上方に、第1のレーザー加工手段4を構成する第1のレーザー照射ヘッド40を位置付ける。そして、集光レンズ42を通して、分割予定ライン14に形成された切削溝15に沿って、樹脂層13を構成する樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線LB1を樹脂層13に対して照射する。レーザー光線LB1の照射時は、アシストガス導入部41からアシストガスを導入し、照射ヘッド40から噴出させる。本工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の波長 :CO2レーザー(9.2〜10.6[μm])
繰り返し周波数 :100[kHz]
パルス幅 :10[ns]〜10[μs]
平均出力 :40[W]
集光スポット径 :φ100[μm]
加工送り速度 :600[mm/秒]
アシストガス :1[MPa]
次に、図6に示すように、樹脂切断工程が実施されたパッケージ基板10の熱拡散基板11側が保持手段2によって保持された状態で、分割予定ライン14の上方に、第2のレーザー加工手段5を構成する第2のレーザー照射ヘッド50を位置付ける。そして、集光レンズ52を通して、分割予定ライン14に形成された樹脂切断溝17に沿って、熱拡散基板11に対して吸収性を有する波長のレーザー光線LB2を照射し、分割予定ライン14に沿って熱拡散基板11を切断する。レーザー光線LB2の照射時は、アシストガス導入部51からアシストガスを導入し、照射ヘッド50から噴出させる。本工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の波長 :YAGレーザーまたはファイバーレーザー
(1.06[μm])
繰り返し周波数 :20[kHz]
パルス幅 :可変
平均出力 :150〜500[W]
集光スポット径 :φ50[μm]
加工送り速度 :160[mm/秒]
アシストガス :1[MPa]
2:保持手段
20:保持面 21:溝 22:吸引孔 23:回転手段
3:切削手段
30:スピンドル 31:ハウジング 32:切削ブレード
4:第1のレーザー加工手段
40:第1の照射ヘッド 41:アシストガス導入部 42:集光レンズ
5:第2のレーザー加工手段
50:第2の照射ヘッド 51:アシストガス導入部 52:集光レンズ
6:加工送り手段
60:ボールネジ 61:ガイドレール 62:モータ 63:移動板
7:インデックス送り手段
70:ボールネジ 71:ガイドレール 72:モータ 73:移動板
8:切込み送り手段
80:ボールネジ 81:ガイドレール 82:モータ 83:昇降板
9:昇降手段
90:ボールネジ 91:ガイドレール 92:モータ 93:昇降板 94:支持台
10:パッケージ基板
11:熱拡散基板 110:表面
12:デバイス 13:被覆層 14:分割予定ライン
15:切削溝 16:樹脂残存部 17:樹脂切断溝 18:基板切断溝
Claims (2)
- 熱拡散基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが配置され、該複数のデバイスを樹脂によって被覆し樹脂層を形成したパッケージ基板を該分割予定ラインに沿って分断して個々のパッケージ基板に分割するパッケージ基板の加工方法であって、
パッケージ基板の該熱拡散基板側を保持手段によって保持し、切削ブレードを該分割予定ラインに位置付けて該熱拡散基板に達しない深さまで該樹脂に切り込ませて該分割予定ラインに沿って切削することにより該樹脂を残存させ、該分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施され該熱拡散基板側が保持手段によって保持されるパッケージ基板の該分割予定ラインに沿って形成された該切削溝に沿って、該樹脂に対して吸収性を有する波長の赤外レーザー光線を照射し、該残存する樹脂を切断する樹脂切断工程と、
該樹脂切断工程が実施され該熱拡散基板側が保持手段によって保持されたパッケージ基板の該分割予定ラインに沿って、露出した該熱拡散基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し該分割予定ラインに沿って該熱拡散基板を切断して個々のパッケージデバイスに分割する分割工程と、
からなるパッケージ基板の加工方法。 - 前記樹脂切断工程で用いる赤外レーザー光線は、CO2レーザーであり、パルス幅が10ns〜10μsである
請求項1に記載のパッケージ基板の加工方法。
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