JP2008186870A - ビアホールの加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0734—Shaping the laser spot into an annular shape
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/36—Removing material
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- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
【課題】基板の裏面側からレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成する際に、基板の裏面におけるビアホールの開口部の周囲にデブリが堆積したり、ビアホールの内周面上部の偏った領域にデブリが堆積することなく、ビアホールを形成することができるビアホールの加工方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法であって、形成すべきビアホールの直径をDとし、パルスレーザー光線のスポット径をdとした場合、D/2≦d≦D−2μmのスポット径を有するパルスレーザー光線をスポットの外周が形成すべきビアホールの内周に沿って照射する際に、前回の照射位置から120度以上で180度以下の角度を設けて照射する。
【選択図】図7
【解決手段】基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法であって、形成すべきビアホールの直径をDとし、パルスレーザー光線のスポット径をdとした場合、D/2≦d≦D−2μmのスポット径を有するパルスレーザー光線をスポットの外周が形成すべきビアホールの内周に沿って照射する際に、前回の照射位置から120度以上で180度以下の角度を設けて照射する。
【選択図】図7
Description
本発明は、基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
装置の小型化、高機能化を図るため、複数の半導体チップを積層し、積層された半導体チップのボンディングパッドを接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハを構成する基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともに該デバイスにボンディングパッドが形成されており、このボンディングパッドが形成された箇所に基板の裏面側からボンディングパッドに達する細孔(ビアホール)を穿設し、このビアホールにボンディングパッドと接続するアルミニウム、銅等の導電性材料を埋め込む構成である。(例えば、特許文献1参照。)
特開2003−163323号公報
上述した半導体ウエーハに形成されるビアホールは、一般にドリルによって形成されている。しかるに、半導体ウエーハに設けられるビアホールは直径が100〜300μmと小さく、ドリルによる穿孔では生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。しかも、上記ボンディングパッドの厚さは1〜5μm程度であり、ボンディングパッドを破損することなくウエーハを形成するシリコン等の基板のみにビアホールを形成するためには、ドリルを極めて精密に制御しなければならない。
上記問題を解消するために本出願人は、基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともに該デバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを効率よく形成するウエーハの穿孔方法を特願2005−249643号として提案した。
而して、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成すると、図10に示すように基板Aにパルスレーザー光線を照射することによって発生するデブリCが基板Aの裏面におけるビアホールBの開口部の周囲に環状に堆積する。このデブリCは、幅が10μm前後で高さが20〜30μm程度に堆積するので、個々に分割されたチップをスタックしていくとき堆積したデブリが干渉するという問題がある。
上述した問題を解消するために、本発明者は図11の(a)に示すように基板Aに形成するビアホールBの直径より小さいスポット径Sを有するパルスレーザー光線を用い、形成するビアホールBの内周に沿って所定角度毎に照射する所謂トレパニング加工を試してみた。このようにトレパニング加工を実施することにより、ビアホールBの開口部の周囲にデブリが環状に堆積することはなくなったが、図11の(b)に示すようにトレパニング加工を開始した領域の内周面上部に偏ってデブリCが堆積した。
上述したように基板Aに形成されたビアホールBにはアルミニウム、銅等の導電性材料が埋め込まれるが、ビアホールBに直接アルミニウムや銅を埋め込むと、アルミニウムや銅の原子がシリコン等からなる基板の内部に拡散してデバイスの品質を低下させるという問題がある。従って、ビアホールBの内面に絶縁膜を被覆した後に、アルミニウム、銅等の導電性材料を埋め込んでいる。
しかるに、図11の(b)に示すようにビアホールBの内周面上部に偏ってデブリCが堆積していると、絶縁膜Eを形成する際にデブリCの下部に絶縁膜Cが形成されず、この状態でビアホールBにアルミニウム、銅等の導電性材料を埋め込むと、アルミニウム、銅等が基板Aに直接接触することになり、アルミニウムや銅の原子がシリコン等からなる基板の内部に拡散し、デバイスの品質を低下させる原因となる。
上述したように基板Aに形成されたビアホールBにはアルミニウム、銅等の導電性材料が埋め込まれるが、ビアホールBに直接アルミニウムや銅を埋め込むと、アルミニウムや銅の原子がシリコン等からなる基板の内部に拡散してデバイスの品質を低下させるという問題がある。従って、ビアホールBの内面に絶縁膜を被覆した後に、アルミニウム、銅等の導電性材料を埋め込んでいる。
しかるに、図11の(b)に示すようにビアホールBの内周面上部に偏ってデブリCが堆積していると、絶縁膜Eを形成する際にデブリCの下部に絶縁膜Cが形成されず、この状態でビアホールBにアルミニウム、銅等の導電性材料を埋め込むと、アルミニウム、銅等が基板Aに直接接触することになり、アルミニウムや銅の原子がシリコン等からなる基板の内部に拡散し、デバイスの品質を低下させる原因となる。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、基板の裏面側からレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成する際に、基板の裏面におけるビアホールの開口部の周囲にデブリが堆積したり、ビアホールの内周面上部の偏った領域にデブリが堆積することなく、ビアホールを形成することができるビアホールの加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法であって、
形成すべきビアホールの直径をDとし、パルスレーザー光線のスポット径をdとした場合、D/2≦d≦D−2μmのスポット径を有するパルスレーザー光線をスポットの外周が形成すべきビアホールの内周に沿って照射する際に、前回の照射位置から120度以上で180度以下の角度を設けて照射する、
ことを特徴とするビアホールの加工方法が提供される。
形成すべきビアホールの直径をDとし、パルスレーザー光線のスポット径をdとした場合、D/2≦d≦D−2μmのスポット径を有するパルスレーザー光線をスポットの外周が形成すべきビアホールの内周に沿って照射する際に、前回の照射位置から120度以上で180度以下の角度を設けて照射する、
ことを特徴とするビアホールの加工方法が提供される。
本発明によるビアホールの加工方法においては、形成すべきビアホールの直径をDとし、パルスレーザー光線のスポット径をdとした場合、D/2≦d≦D−2μmのスポット径を有するパルスレーザー光線をスポットの外周が形成すべきビアホールの内周に沿って照射する際に、前回の照射位置から120度以上で180度以下の角度を設けて照射するので、ウエーハの基板にパルスレーザー光線が照射されることによって飛散するデブリが集中しないため、ビアホールの内周面上部の偏った位置にデブリが堆積することがない。
以下、本発明によるビアホールの加工方法について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には本発明によるビアホールの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハ2の斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、厚さが例えば100μmのシリコンによって形成された基板21の表面21aに格子状に配列された複数のストリート22によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス23がそれぞれ形成されている。この各デバイス23は、全て同一の構成をしている。デバイス23の表面にはそれぞれ複数のボンディングパッド24が形成されている。このボンディングパッド24は、アルミニウム、銅、金、白金、ニッケル等の金属材からなっており、厚さが1〜5μmに形成されている。
上記半導体ウエーハ2には、基板21の裏面21b側からパルスレーザー光線を照射しボンディングパッド24に達するビアホールが穿設される。この半導体ウエーハ2の基板21にビアホールを穿設するには、図2に示すレーザー加工装置3を用いて実施する。図2に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32を具備している。チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り機構によって図2において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段32は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング321内に配設されている。このレーザー光線照射手段32について、図3を参照して説明する。
図3に示すレーザー光線照射手段32は、パルスレーザー光線発振手段4と、出力調整手段5と、パルスレーザー光線発振手段4から発振され出力調整手段5によって出力調整されたパルスレーザー光線を集光する集光器6と、出力調整手段5と集光器6との間に配設されたレーザー光線走査手段7を具備している。
図3に示すレーザー光線照射手段32は、パルスレーザー光線発振手段4と、出力調整手段5と、パルスレーザー光線発振手段4から発振され出力調整手段5によって出力調整されたパルスレーザー光線を集光する集光器6と、出力調整手段5と集光器6との間に配設されたレーザー光線走査手段7を具備している。
上記パルスレーザー光線発振手段4は、パルスレーザー光線発振器41と、これに付設された繰り返し周波数設定手段42とから構成されている。パルスレーザー光線発振器41は、図示の実施形態においてはYVO4レーザーまたはYAGレーザー発振器からなり、シリコン等の被加工物に対して吸収性を有する波長(例えば355nm)のパルスレーザー光線LBを発振する。上記出力調整手段5は、パルスレーザー光線発振手段4から発振されたパルスレーザー光線LBを所定の出力に調整する。
上記集光器6は、パルスレーザー光線LBを下方に向けて方向変換する方向変換ミラー61と、該方向変換ミラー61によって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ62を具備しており、図2に示すようにケーシング321の先端に装着されている。
上記レーザー光線走査手段7は、パルスレーザー光線発振手段4が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向(X軸方向)に偏向する第1の音響光学偏向手段71と、レーザー光線発振手段4が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向する第2の音響光学偏向手段72とからなっている。
上記第1の音響光学偏向手段71は、レーザー光線発振手段4が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向(X軸方向)に偏向する第1の音響光学素子711と、該第1の音響光学素子711に印加するRF(radio frequency)を生成する第1のRF発振器712と、該第1のRF発振器712によって生成されたRFのパワーを増幅して第1の音響光学素子711に印加する第1のRFアンプ713と、第1のRF発振器712によって生成されるRFの周波数を調整する第1の偏向角度調整手段714と、第1のRF発振器712によって生成されるRFの振幅を調整する第1の出力調整手段715を具備している。上記第1の音響光学素子711は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第1の偏向角度調整手段714および第1の出力調整手段715は、図示しない制御手段によって制御される。
上記第2の音響光学偏向手段72は、レーザー光線発振手段4が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向に偏向する第2の音響光学素子721と、該第2の音響光学素子721に印加するRFを生成する第2のRF発振器722と、該RF発振器722によって生成されたRFのパワーを増幅して第2の音響光学素子721に印加する第2のRFアンプ723と、第2のRF発振器722によって生成されるRFの周波数を調整する第2の偏向角度調整手段724と、第2のRF発振器722によって生成されるRFの振幅を調整する第2の出力調整手段725を具備している。上記第2の音響光学素子721は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第2の偏向角度調整手段724および第2の出力調整手段725は、図示しない制御手段によって制御される。
また、図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段32は、上記第1の音響光学素子711にRFが印加されない場合に、図3において1点差線で示すように第1の音響光学素子711によって偏向されないレーザー光線を吸収するためのレーザー光線吸収手段8を具備している。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段32は以上のように構成されており、第1の音響光学素子711および第2の音響光学素子721にRFが印加されていない場合には、パルスレーザー光線発振手段4から発振されたパルスレーザー光線は、出力調整手段5、第1の音響光学素子711、第2の音響光学素子721を介して図3において1点鎖線で示すようにレーザー光線吸収手段8に導かれる。一方、第1の音響光学素子711に例えば10kHzの周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段4から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図3において実線で示すように偏向され集光点Paに集光される。また、第1の音響光学素子711に例えば20kHzの周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段4から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図3において破線で示すように偏向され、上記集光点Paから加工送り方向(X軸方向)に所定量変位した集光点Pbに集光される。なお、第2の音響光学素子721に所定周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段4から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸を加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向:図3において紙面に垂直な方向)に所定量変位した集光点に集光される。
従って、第1の音響光学偏向手段71および第2の音響光学偏向手段72を作動してパルスレーザー光線の光軸をX軸方向とY軸方向に順次偏向させることにより、図4に示すようにパルスレーザー光線のスポットSを環状に移動するトレパニング加工を実施することができる。
図2に戻って説明を続けると、図示のレーザー加工装置3は、上記レーザー光線照射手段32を構成するケーシング321の先端部に装着された撮像手段33を備えている。この撮像手段33は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
以下、上述したレーザー加工装置3を用いて上記半導体ウエーハ2にビアホールを形成するビアホールの加工方法について説明する。
先ず、図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2の表面21aを載置し、チャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、半導体ウエーハ2は、裏面21bを上側にして保持される。
先ず、図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2の表面21aを載置し、チャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、半導体ウエーハ2は、裏面21bを上側にして保持される。
上述したウエーハ保持工程を実施することにより半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り機構によって撮像手段33の直下に位置付けられる。チャックテーブル31が撮像手段33の直下に位置付けられると、チャックテーブル31上の半導体ウエーハ2は、所定の座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル31に保持された半導体ウエーハ2に形成されている格子状のストリート22がX方向とY方向に平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する(アライメント工程)。即ち、撮像手段33によってチャックテーブル31に保持された半導体ウエーハ2を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。このとき、半導体ウエーハ2のストリート22が形成されている基板21の表面21aは下側に位置しているが、撮像手段33が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、基板21の裏面21bから透かしてストリート22を撮像することができる。
上述したアライメント工程を実施することにより、チャックテーブル31上に保持された半導体ウエーハ2は、所定の座標位置に位置付けられたことになる。なお、半導体ウエーハ2の基板21の表面21aに形成されたデバイス23に形成されている複数のボンディングパッド24は、その設計上の座標位置が予めレーザー加工装置3の図示しない制御手段に格納されている。
上述したアライメント工程を実施したならば、図5に示すようにチャックテーブル31を移動し、半導体ウエーハ2の基板21に所定方向に形成された複数のデバイス23における図5において最左端のデバイス23を集光器6の直下に位置付ける。そして、図5において最左端のデバイス23に形成された複数のボンディングパッド24における最左端のボンディングパッド24を集光器6の直下に位置付ける。
図5に示すように所定のボンディングパッド24を集光器6の直下に位置付けたならば、上記レーザー光線照射手段32の集光器6からパルスレーザー光線を照射し、ボンディングパッド24に達するビアホールを形成するビアホール形成工程を実施する。このビアホール形成工程は、次に示す加工条件によってトレパニング加工を実施する。
ビアホール形成工程の加工条件:
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
1パルス当たりのエネルギー密度:30〜40J/cm2
スポット径(d) :形成すべきビアホールの直径をDとした場合、D/2
≦d≦D−2μm
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
1パルス当たりのエネルギー密度:30〜40J/cm2
スポット径(d) :形成すべきビアホールの直径をDとした場合、D/2
≦d≦D−2μm
ここで、上記ビアホール形成工程におけるパルスレーザー光線の照射方法について説明する。
図6には、形成すべきビアホールBの直径Dと、照射するパルスレーザー光線のスポットSの直径dとの関係が示されている。即ち、照射するパルスレーザー光線のスポットSの直径dは、形成すべきビアホールBの直径Dに対して、D/2≦d≦D−2μmの関係に設定されている。そして、パルスレーザー光線をスポットSの外周が形成すべきビアホールBの内周に沿って照射する。このとき、照射されるパルスレーザー光線は、前回の照射位置から120度以上で180度以下の位相角を設けて照射する。
図6には、形成すべきビアホールBの直径Dと、照射するパルスレーザー光線のスポットSの直径dとの関係が示されている。即ち、照射するパルスレーザー光線のスポットSの直径dは、形成すべきビアホールBの直径Dに対して、D/2≦d≦D−2μmの関係に設定されている。そして、パルスレーザー光線をスポットSの外周が形成すべきビアホールBの内周に沿って照射する。このとき、照射されるパルスレーザー光線は、前回の照射位置から120度以上で180度以下の位相角を設けて照射する。
上述した条件でパルスレーザー光線を照射する第1の照射方法について、図7を参照して説明する。
先ず、図7の(a)に示すように、パルスレーザー光線のスポットSの中心が移動する円F上に頂点P1,P2,P3を有する正三角形Gを設定する。そして、レーザー光線照射手段32は、正三角形Gの頂点P1を中心として1パルス照射する(S1)。次に、レーザー光線照射手段32は、正三角形Gの頂点P2を中心として1パルス照射し(S2)、更に正三角形Gの頂点P3を中心として1パルス照射する(S3)。このようにパルスレーザー光線が照射されたスポットS1,S2,S3の照射位置は、それぞれ前回の照射位置から120度の位相角を設けて照射されることになる。なお、レーザー光線照射手段32によるスポットS1S2S3の変位は、第1の音響光学偏向手段71と第2の音響光学偏向手段72を備えたレーザー光線走査手段7によって制御される。次に、図7の(b)に示すように、頂点P1,P2,P3を有する正三角形Gを形成すべきビアホールBの中心を中心として例えば18度回動した状態を設定し、レーザー光線照射手段32は正三角形Gの頂点P1,P2,P3を中心として順次1パルス照射する(S1,S2,S3)。この場合、正三角形Gの頂点P1を中心として照射されるスポットS1は、前回の照射位置(図7の(a)における正三角形Gの頂点P3を中心として照射されたスポットS3)から138度の位相角が設けられることになる。なお、正三角形Gの頂点P2およびP3を中心として照射されるスポットS2およびS3は、前回の照射位置から120度の位相角を設けて照射されることになる。以後、頂点P1,P2,P3を有する正三角形Gを形成すべきビアホールBの中心を中心として例えば18度ずつ回動した状態を設定し、レーザー光線照射手段32は正三角形Gの頂点P1,P2,P3を中心として順次1パルス照射する(S1,S2,S3)。このようにして、頂点P1,P2,P3を有する正三角形Gの回動位置を10回設定してそれぞれ頂点P1,P2,P3を中心として1パルス照射すると、半導体ウエーハ2の基板21には30パルス照射されることになり、厚さが例えば100μmのシリコン基板の場合、図8に示すように半導体ウエーハ2の基板21にはボンディングパッド24に達するビアホールBが形成される。このように形成されたビアホールBの内面には、上部にデブリCが全周に渡って付着するが、その量が少なく所定領域に偏って堆積することがなかった。
先ず、図7の(a)に示すように、パルスレーザー光線のスポットSの中心が移動する円F上に頂点P1,P2,P3を有する正三角形Gを設定する。そして、レーザー光線照射手段32は、正三角形Gの頂点P1を中心として1パルス照射する(S1)。次に、レーザー光線照射手段32は、正三角形Gの頂点P2を中心として1パルス照射し(S2)、更に正三角形Gの頂点P3を中心として1パルス照射する(S3)。このようにパルスレーザー光線が照射されたスポットS1,S2,S3の照射位置は、それぞれ前回の照射位置から120度の位相角を設けて照射されることになる。なお、レーザー光線照射手段32によるスポットS1S2S3の変位は、第1の音響光学偏向手段71と第2の音響光学偏向手段72を備えたレーザー光線走査手段7によって制御される。次に、図7の(b)に示すように、頂点P1,P2,P3を有する正三角形Gを形成すべきビアホールBの中心を中心として例えば18度回動した状態を設定し、レーザー光線照射手段32は正三角形Gの頂点P1,P2,P3を中心として順次1パルス照射する(S1,S2,S3)。この場合、正三角形Gの頂点P1を中心として照射されるスポットS1は、前回の照射位置(図7の(a)における正三角形Gの頂点P3を中心として照射されたスポットS3)から138度の位相角が設けられることになる。なお、正三角形Gの頂点P2およびP3を中心として照射されるスポットS2およびS3は、前回の照射位置から120度の位相角を設けて照射されることになる。以後、頂点P1,P2,P3を有する正三角形Gを形成すべきビアホールBの中心を中心として例えば18度ずつ回動した状態を設定し、レーザー光線照射手段32は正三角形Gの頂点P1,P2,P3を中心として順次1パルス照射する(S1,S2,S3)。このようにして、頂点P1,P2,P3を有する正三角形Gの回動位置を10回設定してそれぞれ頂点P1,P2,P3を中心として1パルス照射すると、半導体ウエーハ2の基板21には30パルス照射されることになり、厚さが例えば100μmのシリコン基板の場合、図8に示すように半導体ウエーハ2の基板21にはボンディングパッド24に達するビアホールBが形成される。このように形成されたビアホールBの内面には、上部にデブリCが全周に渡って付着するが、その量が少なく所定領域に偏って堆積することがなかった。
次に、ビアホール形成工程におけるパルスレーザー光線を照射する第2の照射方法について、図9を参照して説明する。
第2の照射方法は、先ず、図9の(a)に示すように、パルスレーザー光線のスポットSの中心が移動する円F上に形成すべきビアホールHの中心を通る直線を設定する。そして、レーザー光線照射手段32は、直線Hの一端P4を中心として1パルス照射する(S1)。次に、レーザー光線照射手段32は、直線Hの他端P5を中心として1パルス照射する(S2)。このようにパルスレーザー光線が照射されたスポットS1,S2の照射位置は、形成すべきビアホールHの中心に対して点対称の位置となり、スポットS2は前回の照射位置(スポットS1)から180度の位相角を設けて照射されることになる。次に、図9の(b)に示すように、直線Hを形成すべきビアホールBの中心を中心として例えば10度回動した状態を設定し、レーザー光線照射手段32は直線Hの一端P4,P5を中心として順次1パルス照射する(S1,S2)。この場合、直線Hの一端P4を中心として照射されるスポットS1は、前回の照射位置(図9の(a)における直線Hの他端P5を中心として照射されたスポットS2)から170度の位相角が設けられることになる。なお、直線Hの他端P5を中心として照射されるスポットS2は、前回の照射位置から180度の位相角を設けて照射されることになる。以後、直線Hを形成すべきビアホールHの中心を中心として例えば12度ずつ回動した状態を設定し、レーザー光線照射手段32は直線Hの一端P4および他端P5を中心として順次1パルス照射する。このようにして、直線Hの回動位置を15回設定してそれぞれ直線Hの一端P4および他端P5を中心としてそれぞれ1パルス照射すると、半導体ウエーハ2の基板21には30パルス照射されることになり、厚さが例えば100μmのシリコン基板の場合、図8に示すように半導体ウエーハ2の基板21にはボンディングパッド24に達するビアホールHが形成される。
第2の照射方法は、先ず、図9の(a)に示すように、パルスレーザー光線のスポットSの中心が移動する円F上に形成すべきビアホールHの中心を通る直線を設定する。そして、レーザー光線照射手段32は、直線Hの一端P4を中心として1パルス照射する(S1)。次に、レーザー光線照射手段32は、直線Hの他端P5を中心として1パルス照射する(S2)。このようにパルスレーザー光線が照射されたスポットS1,S2の照射位置は、形成すべきビアホールHの中心に対して点対称の位置となり、スポットS2は前回の照射位置(スポットS1)から180度の位相角を設けて照射されることになる。次に、図9の(b)に示すように、直線Hを形成すべきビアホールBの中心を中心として例えば10度回動した状態を設定し、レーザー光線照射手段32は直線Hの一端P4,P5を中心として順次1パルス照射する(S1,S2)。この場合、直線Hの一端P4を中心として照射されるスポットS1は、前回の照射位置(図9の(a)における直線Hの他端P5を中心として照射されたスポットS2)から170度の位相角が設けられることになる。なお、直線Hの他端P5を中心として照射されるスポットS2は、前回の照射位置から180度の位相角を設けて照射されることになる。以後、直線Hを形成すべきビアホールHの中心を中心として例えば12度ずつ回動した状態を設定し、レーザー光線照射手段32は直線Hの一端P4および他端P5を中心として順次1パルス照射する。このようにして、直線Hの回動位置を15回設定してそれぞれ直線Hの一端P4および他端P5を中心としてそれぞれ1パルス照射すると、半導体ウエーハ2の基板21には30パルス照射されることになり、厚さが例えば100μmのシリコン基板の場合、図8に示すように半導体ウエーハ2の基板21にはボンディングパッド24に達するビアホールHが形成される。
以上のように、上述した実施形態においては、パルスレーザー光線が照射されるスポットを前回の照射位置から120度以上で180度以下の位相角を設けて照射するので、半導体ウエーハ2の基板21にパルスレーザー光線が照射されることによって飛散するデブリが集中しないため、ビアホールHの内周面上部の偏った位置にデブリが堆積することがない。従って、ビアホールHの内周面に絶縁材を良好に形成することができる。
2:半導体ウエーハ
21:半導体ウエーハの基板
22:ストリート
23:デバイス
24:ボンディングパッド
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
33:撮像手段
4:パルスレーザー光線発振手段
5:出力調整手段
6:集光器
7:レーザー光線走査手段
71:第1の音響光学偏向手段
72:第2の音響光学偏向手段
21:半導体ウエーハの基板
22:ストリート
23:デバイス
24:ボンディングパッド
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
33:撮像手段
4:パルスレーザー光線発振手段
5:出力調整手段
6:集光器
7:レーザー光線走査手段
71:第1の音響光学偏向手段
72:第2の音響光学偏向手段
Claims (1)
- 基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法であって、
形成すべきビアホールの直径をDとし、パルスレーザー光線のスポット径をdとした場合、D/2≦d≦D−2μmのスポット径を有するパルスレーザー光線をスポットの外周が形成すべきビアホールの内周に沿って照射する際に、前回の照射位置から120度以上で180度以下の角度を設けて照射する、
ことを特徴とするビアホールの加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007017146A JP2008186870A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | ビアホールの加工方法 |
US12/007,267 US7935910B2 (en) | 2007-01-26 | 2008-01-08 | Method of laser drilling vias |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007017146A JP2008186870A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | ビアホールの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008186870A true JP2008186870A (ja) | 2008-08-14 |
Family
ID=39666768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007017146A Pending JP2008186870A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | ビアホールの加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7935910B2 (ja) |
JP (1) | JP2008186870A (ja) |
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2007
- 2007-01-26 JP JP2007017146A patent/JP2008186870A/ja active Pending
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2008
- 2008-01-08 US US12/007,267 patent/US7935910B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080179302A1 (en) | 2008-07-31 |
US7935910B2 (en) | 2011-05-03 |
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|
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|
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|
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