JP5623807B2 - 光デバイスウエーハの分割方法 - Google Patents
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Description
即ち、図1に示すように光デバイスウエーハ2は、サファイアの結晶方位を示すオリエンテーションフラット21が形成されたサファイア基板の表面2aに、オリエンテーションフラット21に対して平行な複数の第1のストリート22とオリエンテーションフラット21に対して垂直な複数の第2のストリート23とによって区画された領域に光デバイス24が形成されている。光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板は、R面となる結晶層がオリエンテーションフラット21に対して垂直な方向でかつ表面および裏面に対して斜めに形成されている。従って、第1のストリート22に沿ってレーザー光線を照射するとレーザー加工溝の下側に微細なクラックがR面に沿って深く形成される。このため、第2のストリート23に沿って形成されたレーザー加工溝に沿って外力を付与することにより光デバイスウエーハ2を破断すると、第1のストリート22に沿って形成されたレーザー加工溝の下側に生成された微細なクラックの影響を受けR面に沿って破断されるため、破断面が表面および裏面に対して斜めに割れると考えられる。
光デバイスウエーハの表面または裏面側から第1のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハの表面または裏面に破断起点となる第1のレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
光デバイスウエーハの表面または裏面側から第2のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハの表面または裏面に破断起点となる第2のレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、
該第1のレーザー加工溝形成工程および該第2のレーザー加工溝形成工程が実施された光デバイスウエーハの第1のストリートに沿って外力を付与し、光デバイスウエーハを第1のストリートに沿って形成された第1のレーザー加工溝に沿って破断する第1の破断工程と、
該第1のレーザー加工溝形成工程および該第2のレーザー加工溝形成工程が実施された光デバイスウエーハの第2のストリートに沿って外力を付与し、光デバイスウエーハを第2のストリートに沿って形成された第2のレーザー加工溝に沿って破断する第2の破断工程と、を含み、
該第2のレーザー加工溝の深さは該第1のレーザー加工溝の深さより深く設定されている、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法が提供される。
光源 :半導体励起固体レーザー(Nd:YAG)
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :200kHz
平均出力 :1.4W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :300mm/秒
そして、上述した第1のレーザー加工溝形成工程を光デバイスウエーハ2に形成された全ての第1のストリート22に沿って実施する。
光源 :半導体励起固体レーザー(Nd:YAG)
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :200kHz
平均出力 :2.5W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :300mm/秒
そして、上述した第2のレーザー加工溝形成工程を光デバイスウエーハ2に形成された全ての第2のストリート23に沿って実施する。
上述した第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程が実施された光デバイスウエーハ2が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図9の(a)に示すようにフレーム保持部材442上に載置し、クランプ443によってフレーム保持部材442に固定する。次に、移動手段43を作動して移動テーブル42を矢印Yで示す方向(図8参照)に移動し、図9の(a)に示すようにデバイスウエーハ2に形成された1本の第1のストリート22(図示の実施形態においては最左端のストリート)が張力付与手段46を構成する第1の吸引保持部材461の保持面と第2の吸引保持部材462の保持面との間に位置するように位置付ける。このとき、検出手段47によって第1のストリート22を撮像し、第1の吸引保持部材461の保持面と第2の吸引保持部材462の保持面との位置合わせを行う。このようにして、1本の第1のストリート22が第1の吸引保持部材461の保持面と第2の吸引保持部材462の保持面との間に位置付けられたならば、図示しない吸引手段を作動し吸引孔461aおよび462aに負圧を作用せしめることにより、第1の吸引保持部材461の保持面と第2の吸引保持部材462の保持面上にダイシングテープTを介して光デバイスウエーハ2を吸引保持する(保持工程)。
21:オリエンテーションフラット
22:第1のストリート
23:第2のストリート
24:光デバイス
25:第1のレーザー加工溝
26:第2のレーザー加工溝
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:ウエーハ破断装置
41:ウエーハ破断装置の基台
42:移動テーブル
44:フレーム保持手段
46:張力付与手段
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (2)
- R面となる結晶層がサファイアの結晶方位を示すオリエンテーションフラットに対して垂直な方向でかつ表面および裏面に対して斜めに形成されているサファイア基板の表面に、オリエンテーションフラットに対して平行な複数の第1のストリートとオリエンテーションフラットに対して垂直な複数の第2のストリートとによって区画された領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、第1のストリートおよび第2のストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法であって、
光デバイスウエーハの表面または裏面側から第1のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハの表面または裏面に破断起点となる第1レーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
光デバイスウエーハの表面または裏面側から第2のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハの表面または裏面に破断起点となる第2のレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、
該第1のレーザー加工溝形成工程および該第2のレーザー加工溝形成工程が実施された光デバイスウエーハの第1のストリートに沿って外力を付与し、光デバイスウエーハを第1のストリートに沿って形成された第1のレーザー加工溝に沿って破断する第1の破断工程と、
該第1のレーザー加工溝形成工程および該第2のレーザー加工溝形成工程が実施された光デバイスウエーハの第2のストリートに沿って外力を付与し、光デバイスウエーハを第2のストリートに沿って形成された第2のレーザー加工溝に沿って破断する第2の破断工程と、を含み、
該第2のレーザー加工溝の深さは該第1のレーザー加工溝の深さより深く設定されている、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法。 - 該第1のレーザー加工溝の深さは光デバイスウエーハの厚みに対して10〜20%に設定され、該第2のレーザー加工溝の深さは第1のレーザー加工溝の深さより40〜60%深く設定されている、請求項1記載の光デバイスウエーハの分割方法。
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