JP2009044136A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 複数の単結晶半導体基板に水素を添加して、前記複数の単結晶半導体基板それぞれに脆
   化層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体基板それぞれを第１の基板上に並べて、前記複数の単結晶半導
   体基板それぞれと前記第１の基板とを接合させ、
   加熱処理することにより、前記脆化層から、前記複数の単結晶半導体基板それぞれの一
   部を分離させて、前記第１の基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体層それぞれごとに、前記第１の基板を分断して複数の単結晶半
   導体片を形成し、前記複数の単結晶半導体片それぞれは第１の基板片を有し、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれに支持基板を接着し、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれから、前記第１の基板片を分離し、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれを、絶縁表面を有する第２の基板上に並べて、前記
   複数の単結晶半導体片それぞれと前記第２の基板とを接合させ、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれから、前記支持基板を除去することを特徴とする半
   導体装置の作製方法。
2. 複数の単結晶半導体基板に水素を添加して、前記複数の単結晶半導体基板それぞれに脆
   化層を形成し、
   第１の基板に分離層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体基板それぞれを前記第１の基板上に並べて、前記複数の単結晶
   半導体基板それぞれと前記第１の基板とを前記分離層を介して接合させ、
   加熱処理することにより、前記脆化層から、前記複数の単結晶半導体基板それぞれの一
   部を分離させて、前記第１の基板上に前記分離層を介して複数の単結晶半導体層を形成し
   、
   前記複数の単結晶半導体層上に絶縁層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体層それぞれごとに、前記第１の基板、前記分離層および前記絶
   縁層を分断して複数の単結晶半導体片を形成し、前記複数の単結晶半導体片それぞれは第１の基板片、分離層片および絶縁層片を有し、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれに支持基板を接着し、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれから、前記第１の基板片を、前記分離層片により分
   離し、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれを、絶縁表面を有する第２の基板上に並べて、前記
   複数の単結晶半導体片それぞれと前記第２の基板とを接合させ、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれから、前記支持基板を除去することを特徴とする半
   導体装置の作製方法。
3. 複数の単結晶半導体基板に水素を添加して、前記複数の単結晶半導体基板それぞれに脆
   化層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体基板それぞれを第１の基板上に並べて、前記複数の単結晶半導
   体基板それぞれと前記第１の基板とを接合させ、
   加熱処理することにより、前記脆化層から、前記複数の単結晶半導体基板それぞれの一
   部を分離させて、前記第１の基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体層それぞれごとに、前記第１の基板を分断して複数の単結晶半
   導体片を形成し、前記複数の単結晶半導体片それぞれは第１の基板片を有し、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれを、絶縁表面を有する第２の基板上に並べて、前記
   複数の単結晶半導体片それぞれと前記第２の基板とを接合させ、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれから、前記第１の基板片を分離することを特徴とす
   る半導体装置の作製方法。
4. 複数の単結晶半導体基板に水素を添加して、前記複数の単結晶半導体基板それぞれに脆
   化層を形成し、
   第１の基板に分離層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体基板それぞれを前記第１の基板上に並べて、前記複数の単結晶
   半導体基板それぞれと前記第１の基板とを前記分離層を介して接合させ、
   加熱処理することにより、前記脆化層から、前記複数の単結晶半導体基板それぞれの一
   部を分離させて、前記第１の基板上に前記分離層を介して複数の単結晶半導体層を形成し
   、
   前記複数の単結晶半導体層上に絶縁層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体層それぞれごとに、前記第１の基板、前記分離層および前記絶
   縁層を分断して複数の単結晶半導体片を形成し、前記複数の単結晶半導体片それぞれは第１の基板片、分離層片および絶縁層片を有し、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれを、絶縁表面を有する第２の基板上に並べて、前記
   複数の単結晶半導体片それぞれと前記第２の基板とを接合させ、
   前記複数の単結晶半導体片それぞれから、前記第１の基板片を前記分離層片により分離
   することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第２の基板上の前記複数の単結晶半導体片それぞれは、互いに接していることを特
   徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第２の基板は、ガラス基板である半導体装置の作製方法。