JP3785067B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3785067B2 JP3785067B2 JP2001251585A JP2001251585A JP3785067B2 JP 3785067 B2 JP3785067 B2 JP 3785067B2 JP 2001251585 A JP2001251585 A JP 2001251585A JP 2001251585 A JP2001251585 A JP 2001251585A JP 3785067 B2 JP3785067 B2 JP 3785067B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- crystal
- thin film
- diamond
- support substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、口径の大きなバルク結晶を得るのが困難な半導体材料からなる結晶基板のアップスケール方法に係り、特にこの様な特殊な半導体材料のエピタキシャル基板の製造方法、このエピタキシャル基板を用いた半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコン(Si)に比べて高い静電破壊電界、キャリア移動度、熱伝導度など優れた物性を有しているダイアモンド、窒化ガリウム(GaN)、炭化珪素(SiC)等のワイドギャップ半導体材料は、パワーデバイス、高周波デバイス、発光デバイス、電子エミッタなどへの応用が期待されている。しかしながら、いずれもSiに比べて大きく実用化が遅れている。この原因は種々ある。が、その最大のもののひとつに高品質で大面積の結晶基板を得ることが困難である点がある。更に、たとえ、大面積の結晶基板が得られたとしても、極めて高価であり実用的でないといった点にある。
【0003】
例えばダイアモンドでは、人工的に得られる単結晶基板は、最も大きなものでも、高温高圧(HPHT)合成による数mm角程度である(以下においてHPHT合成によるダイアモンドを「HPHTダイアモンド」という。)。そして、その価格は、グレードにもよるが、おおよそ4mm角、厚さ500μmのもので1万円程度である。そして、ダイアモンド基板のサイズを通常の半導体基板である数インチほどにまで大きくすることは、現状の技術レベルでは不可能である。又、この様な数インチレベルの大面積ダイアモンド基板はコストの急激な上昇を伴うことが必須であり、工業的な実現性は今のところ極めて少ない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
Siを中心とした半導体製造技術はますます大口径化の方向に進み、現在300mmφのウェハを採用した製造工程が開始されつつある。したがって、これに必要なそれぞれの半導体製造装置も大口径化の方向にある。例えば、フォトレジストを塗布するスピンナーや、このフォトレジストに対し露光するステッパー等の半導体製造装置も大口径ウェハに適合した装置が主流となっている。このため、3世代程度過去になる50mmφ(2インチ)や75mmφ(3インチ)用の半導体製造装置は、市場において入手困難で、これらの小口径のウェハに対するフォトリソグラフィ工程も次第に困難になりつつある。まして、4mm角程度の微細なチップに対するフォトリソグラフィ工程は、微細なチップを保持するための専用の治具が必要になる等の装置レベルの煩雑さ、或いはチップのハンドリングの困難性を伴い、量産には適合せず、生産コストが極めて増大する結果となる。
【0005】
上記のような問題点に鑑み、本発明は、小さなサイズの結晶基板しか市場で入手出来ない特殊な半導体材料であっても、任意の外径サイズにアップスケールしたエピタキシャル基板を実現し、これにより汎用の製造装置を用いた製造工程を適用出来るエピタキシャル基板、このエピタキシャル基板の製造方法、及びこのエピタキシャル基板を用いた半導体素子の製造方法を提供することである。
【0006】
本発明の他の目的は、ダイアモンド等、通常非常に高価な結晶基板を低いコストで、効率よく使用出来るエピタキシャル基板、このエピタキシャル基板の製造方法、及びこのエピタキシャル基板を用いた半導体素子の製造方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第1の特徴は、(イ)第1及び第2の主表面を有する第1の支持基板を用意する工程;(ロ)第1の支持基板の外形線が規定する平面内に複数枚2次元的に配列可能な寸法を有する板状の結晶基板を、複数枚用意する工程;(ハ)結晶基板のそれぞれの一方の主表面からイオン注入し、結晶基板の一方の主表面から一定の射影飛程の深さにイオン注入層を形成する工程;(ニ)一方の主表面が、第1の主表面に対向するようにして、複数の結晶基板のそれぞれと第1の支持基板とを互いに貼り合わせる工程;(ホ)この貼り合わせ後、複数の結晶基板のそれぞれを熱処理し、イオン注入層において剥離し、複数の結晶基板のそれぞれを、第1の主表面に接合した薄膜タイルと母体側結晶基板とに分離する工程;(ヘ)薄膜タイルの表面にエピタキシャル成長層を形成する工程とを含むエピタキシャル基板の製造方法であることを要旨とする。ここで、「複数の結晶基板のそれぞれと第1の支持基板とを互いに貼り合わせる工程」は、1回の貼り合わせ工程で、所望の面積を獲得する方法のみに限定されるものではない。例えば、先ず、1枚若しくは複数の結晶基板の一方の主表面を第1の主表面の特定の領域において貼り合わせ(直接接合し)、次に他の1枚若しくは複数の結晶基板の一方の主表面を、第1の主表面の他の特定の領域において貼り合わせる(直接接合する)ような複数の段階を経て、逐次直接接合して、所望の面積を獲得しても構わない。更に、「複数の結晶基板のそれぞれと第1の支持基板とを互いに貼り合わせる工程」は、鏡面に仕上げられた対向する2面を密着し、熱処理する方法や、更に電圧を加えて熱処理する方法等が採用できる。複数の段階を経て、逐次直接接合する場合は、所望の面積が獲得出来るまで、必要な熱処理を貼り合わせ工程毎に繰り返す方法と、所望の面積にタイル状に張り合わせた後、まとめて熱処理する方法が採用可能である。一定の場合は、貼り合わせの際の熱処理を省略可能である。
【0008】
本発明の第1の特徴によれば、最大寸法が、例えば10mm以下、より一般的には一辺の寸法が5mm程度以下の単結晶基板しか市場で入手出来ないダイアモンド結晶基板等であっても、現在半導体産業の主流をなしているSi製造プロセスの製造装置が適用可能な大面積化したエピタキシャル基板を得ることが出来る。
【0009】
本発明の第1の特徴において、(ト)複数の母体側結晶基板を新たな複数の結晶基板として用い、この新たな複数の結晶基板のそれぞれに、新たなイオン注入層を形成する工程;(チ)新たな結晶基板のそれぞれを第2の支持基板に貼り合わせる工程;(リ)新たな結晶基板のそれぞれを、第2の支持基板に接合した新たな薄膜タイルと新たな母体側結晶基板とに分離する工程とを更に有することが好ましい。この様にすれば、元の結晶基板の一部を薄膜タイルとして剥離した残余の母体側結晶基板を繰り返し利用出来るため、基板コストを低く抑えることが出来る。例えば、薄膜タイルの厚さを、0.8μmとすれば、500μm厚の元の結晶基板から、500回薄膜タイルを剥離した場合、500×0.8μm=400μmが使用され、100μmの厚さが残る。つまり、1枚1万円の結晶基板であっても、500枚の薄膜タイルを形成出来るので、原料単価は20円となる。
【0010】
本発明の第1の特徴において、イオン注入層は、水素イオン又はヘリウムイオンを1×1016cm-2〜1×1019cm-2のドーズ量、好ましくは1×101 7cm-2〜1×101 8cm-2のドーズ量で注入して形成すれば良い。1×1019cm-2以上のドーズ量でイオン注入しても良いが、ダメージが問題になるので、好ましくはない。又、イオン注入装置のビーム電流を考慮すると、イオン注入に要する時間が異常に長くなるので、1×1019cm-2以上のドーズ量は、工業的には現実的ではない。又、本発明の第1の特徴において、結晶基板は、ダイアモンド、GaN、AlN、BN、SiCからなるグループから選ばれた材料の単結晶基板、又はダイアモンド、GaN、AlN、BN、SiCのいずれかを成分として含む混晶材料のグループから選ばれた混晶材料の単結晶基板であることが可能である。
【0011】
本発明の第2の特徴は、(イ)第1及び第2の主表面を有する支持基板を用意する工程;(ロ)支持基板の外形線が規定する平面内に複数枚2次元的に配列可能な寸法を有する板状の結晶基板を、複数枚用意する工程;(ハ)結晶基板のそれぞれの一方の主表面からイオン注入し、結晶基板の一方の主表面から一定の射影飛程の深さにイオン注入層を形成する工程;(ニ)一方の主表面が、第1の主表面に対向するようにして、複数の結晶基板のそれぞれと支持基板とを互いに貼り合わせる工程;(ホ)この貼り合わせ後、複数の結晶基板のそれぞれを熱処理し、イオン注入層において剥離し、複数の結晶基板のそれぞれを、第1の主表面に接合した薄膜タイルと母体側結晶基板とに分離する工程;(ヘ)薄膜タイルの表面にエピタキシャル成長層を形成する工程;(ト)複数の薄膜タイルの境界部の上部のエピタキシャル成長層及び境界部に隣接した薄膜タイルの周辺部を選択的に除去し、エピタキシャル成長層の表面から支持基板に到達する素子分離溝を形成する工程;(チ)この素子分離溝に素子分離絶縁膜を埋め込む工程とを含む半導体素子の製造方法であることを要旨とする。第1の特徴で述べたように、「複数の結晶基板のそれぞれと第1の支持基板とを互いに貼り合わせる工程」は、複数の段階を経て、異なる領域に逐次直接接合し、最終的に広い面積を獲得するようにしても、1回の貼り合わせ工程で、同時に所望の面積を獲得しても構わない。更に、「複数の結晶基板のそれぞれと第1の支持基板とを互いに貼り合わせる工程」は、熱処理しない方法、熱処理する方法や、電圧を加えて熱処理する方法等が選択できる。
【0012】
本発明の第2の特徴に係る半導体素子の製造方法によれば、市場において大面積の単結晶基板の得られていないダイアモンド等であっても、実効的に大面積化した基板として、汎用の半導体製造装置を用いた製造工程が適用可能になる。又、支持基板材料を各種選ぶことが可能であるので、金属や高濃度ドープした半導体基板等を用いて低抵抗の裏面コンタクトを実現するのも容易である。又、透明基板を用いることによって発光素子の外部への光取り出し効果を上げた半導体光学素子を製造することも可能である。
【0013】
特に、SiCやダイアモンド等のワイドギャップ半導体材料は、熱的、化学的、機械的に安定で、耐放射線性にも優れている。本発明の第2の特徴に係る半導体素子の製造方法によれば、発光素子や高周波デバイスは勿論のこと、高温、大電力、放射線照射等の過酷な条件で、高い信頼性と安定性を示す電力用半導体装置(パワーデバイス)が、大口径ウェハを基礎として大量生産することが可能になる。特に、ワイドギャップ半導体材料を用いた高耐圧の半導体素子は、Siを用いたパワーデバイスよりもオン抵抗が低く、順方向降下電圧が低くなるので、高耐圧で高効率の半導体素子を、安価に提供出来る。
【0014】
本発明の第3の特徴は、支持基板、支持基板上に互いに隣接して貼り合わされた複数枚の薄膜タイル、この複数枚の薄膜タイルのそれぞれの上部及びこの複数枚の薄膜タイルのそれぞれの境界に設けられた溝部の内部に形成されたエピタキシャル成長層とを具備するエピタキシャル基板であることを要旨とする。複数枚の薄膜タイルは、支持基板の外形線の内部に収納されるように、支持基板上貼り合わされている。この複数枚の薄膜タイルは、支持基板とは異なる材料の単結晶から構成されている。
【0015】
本発明の第3の特徴に係るエピタキシャル基板は、大面積単結晶基板の得られていないワイドギャップ半導体材料等の特殊材料を実効的に大面積化したエピタキシャル基板である。このため、汎用の半導体製造装置を用いた製造工程をこのエピタキシャル基板に適用し、各種の半導体素子を高い生産性で製造出来る。特に、熱的、化学的、機械的に安定で、耐放射線性にも優れたワイドギャップ半導体材料の大口径エピタキシャル基板として、本発明の第3の特徴に係るエピタキシャル基板が好適である。この結果、発光素子、高周波デバイス、電力用半導体素子等が、本発明の第3の特徴に係る大口径エピタキシャル基板を使い、大量生産出来る。良く知られているように、パワーデバイスのオン抵抗と耐圧とは、トレード・オフ関係にある。しかし、本発明の第3の特徴に係るエピタキシャル基板によれば、ワイドギャップ半導体材料を用いることにより、低オン抵抗化と高耐圧化が同時に達成出来る。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の第1〜第3の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【0017】
(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法の工程断面図である。
【0018】
(イ)まず、第1及び第2の主表面を有する第1の支持基板300を用意する。第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法では、第1の支持基板300として、直径D=75mmφ(3インチφ)のシリコン(Si)基板を用いる。次に、第1の支持基板300の外形線が規定する平面内に複数枚2次元的に配列可能な寸法を有する板状の結晶基板(ダイアモンド結晶基板)201,202,203,204,・・・・・を、複数枚用意する。結晶基板201,202,203,204,・・・・・は、高圧高温条件下で合成された1辺の長さd0=4mmの正方形の結晶基板(ダイアモンド結晶基板)であり、結晶基板201,202,203,204,・・・・・201,202,203,204,・・・・・の一方の主表面は鏡面仕上げされている。一方の主表面に対応する他方の主表面は鏡面仕上げされても、いなくても構わない。図1(a)に示すように、第1の実施形態では、結晶基板201,202,203,204,・・・・・の一方の主表面側から水素イオン(H+)を注入する。イオン注入は、結晶基板201,202,203,204,・・・・をイオン注入装置の真空排気されたチャンバー内で400℃に昇温して実施するのが好ましい。このイオン注入のイオンエネルギーは100keV〜5MeV程度に選択可能で、ドーズ量を1×1016cm-2〜1×1019cm-2程度にして行う。ドーズ量は、好ましくは1×101 7cm-2〜1×101 8cm-2である。1×1019cm-2以上のドーズ量でイオン注入すると、ダメージが問題になり、イオン注入に要する時間が異常に長くなるので、実用的ではない。例えば、イオンエネルギー150keV、ドーズ量1017cm-2の条件で行うと、一方の主表面より射影飛程Rp=約0.8μmのところをピークにして高濃度の水素イオン注入層201c,202c,203c,204c,・・・・・が形成される。
【0019】
(ロ)次に、図1(b)に示すように、このダイアモンド結晶基板201,202,203,204,・・・・・のそれぞれの一方の主表面が、第1の支持基板300の第1の主表面に対向するようにして、複数の結晶基板201,202,203,204,・・・・・と第1の支持基板300とを互いに貼り合わせる。即ち、第1の支持基板300の一方の主表面を接着面として、第1の支持基板300上に、複数の結晶基板201,202,203,204,・・・・・をタイル状に並べ、直接接合法で接着する(平面図上のダイアモンド結晶基板201,202,203,204,・・・・・の配列方法は図2及び図3のような配列が可能である。)ために互いの表面を貼り合わせる。
【0020】
(ハ)直接接合法においては、互いの表面を貼り合わせ後、熱処理によって接合強度を上げる。この熱処理により、図1(c)に示すように、イオン注入層201c,202c,203c,204c,・・・・・での剥離を生じ、第1の支持基板300上に転写されたダイアモンド結晶薄膜層からなる薄膜タイル201a,202a,203a,204a,・・・・・と、母体側結晶基板201b,202b,203b,204b,・・・・・とに分離する。熱処理温度と時間は第1の支持基板300の種類、イオン種、ドーズ条件により種々調整する必要があるが、ほぼ400℃〜850℃程度で行うことが好ましい。支持基板としてSi基板300を採用した場合は、ダイアモンドとSiとの熱膨張係数の差を考慮すると、熱処理温度は400℃程度が好ましい。この結果、第1の支持基板300の上に、厚さ約0.8μmの薄膜タイル201a,202a,203a,204a,・・・・・を敷き詰めたタイル貼り構造が形成される。母体側結晶基板201b,202b,203b,204b,・・・・・は、新たなダイアモンド結晶基板として再利用する。
【0021】
(ニ)しかる後に、図1(c)に示すように、CVD法によって薄膜タイル201a,202a,203a,204a,・・・・・上にダイアモンド単結晶層であるエピタキシャル成長層301を成長する。CVD法は、例えば4kPaの減圧下で、2.45GHzの高周波放電を用いたプラズマCVDが採用可能である。この際、基板温度850℃において、ソースガスとしてメタン(CH4)ガスを、キャリアガスとしての水素(H2)ガスと共に供給すれば良い。メタン(CH4)ガス:水素(H2)ガスの流量比1:99程度にすれば、0.5μm/時間〜1μm/時間程度の成長速度で、エピタキシャル成長層301が得られる。
【0022】
(ホ)次に、複数の母体側結晶基板201b,202b,203b,204b,・・・・・を新たな複数の結晶基板201b,202b,203b,204b,・・・・・として用い、この新たな複数の結晶基板201b,202b,203b,204b,・・・・・のそれぞれに、図1(a)と同様に、新たなイオン注入層を形成する。
【0023】
(ヘ)そして、図1(b)と同様に、この新たな結晶基板201b,202b,203b,204b,・・・・・を第2の支持基板(図示省略)に貼り合わせる。そして、図1(c)と同様に、複数の新たな結晶基板201b,202b,203b,204b,・・・・・を、第2の支持基板に接合した複数の新たな薄膜タイルと複数の新たな母体側結晶基板とにそれぞれ分離する。更に、図1(c)と全く同様に、CVD法によって新たな薄膜タイル上にダイアモンド単結晶層である新たなエピタキシャル成長層301を成長する。
【0024】
この様にすれば、元の結晶基板201,202,203,204,・・・・・の一部を薄膜タイルとして剥離した残余の母体側結晶基板を繰り返し利用出来るため、最終的な材料としての結晶基板201,202,203,204,・・・・のコストを、実効的に低く出来る。又、この様にして、完成したエピタキシャル基板は、従来HPHTダイアモンド結晶基板上へのホモエピタキシャル成長でのみ得られると同等な高品質なエピタキシャル成長層301を、直径D=75mmφの支持基板300上に有している。且つこのエピタキシャル成長層301は、半導体素子製造工程に不可欠な、スピンナー等の製造装置側が要求する十分な口径D(基板サイズ)を有しているので、特殊な治具を用いることなく、汎用の製造工程により、所望の半導体素子を容易に実現することが可能である。
【0025】
図2は、本発明の第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法により製造したエピタキシャル基板を上面からみた構造を示している。図2では、直径D=75mmφの支持基板300上に1辺の長さd0=4mmの正方形のHPHTダイアモンド結晶からなる薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・を敷き詰め、この上にエピタキシャル成長層301を成長した状態を模式的に示す図である。即ち、直径Dの支持基板300のほぼ中心を通る直線上に、m個の薄膜タイル2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・を敷き詰めるためには、
m・d0 < D ・・・・・(1)
の関係を満足するように、薄膜タイル2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・の1辺の長さd0を選定すれば良い。図2中、格子(碁盤の目)状に、それぞれの薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・の境界(タイルの目地)が描かれているが、これは、下地の幾何学的形状が投影されているのであり、実際のエピタキシャル成長層301の最表面は平坦な連続薄膜である。それぞれの薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・の相互の間隔を、ミクロなレベルで密着し、隙間なく配列するのは理想ではある。しかし、現実には、加工精度及びタイル貼りの精度を考慮すれば、ミクロなレベルで隙間なく配列するのは困難であり、薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・の相互の間には、数μm〜100μm程度のギャップが存在しうる。このため、図2においてはそのギャップ部をタイルの目地として示している。しかし、エピタキシャル成長は、このギャップ(タイルの目地)からなる溝部の内部を埋めながら成長するので、最終的なエピタキシャル成長層301の表面は、平坦な連続薄膜となる。
【0026】
又、図3は、別のタイリングの例を示している。図3も図2と同様に、直径D=75mmφの支持基板300上に、1辺の長さd0=4mmの正方形のHPHTダイアモンド結晶からなる薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・を、正方形のブロック模様となるように敷き詰め、この上にエピタキシャル成長層302を成長した状態を模式的に示す図である。HPHTダイアモンド結晶からなる薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・の相互間にはギャップが存在しうるので、図3においてはそのギャップがタイルの目地として示されている。しかし、図2で説明したように、エピタキシャル成長は、このギャップ(タイルの目地)からなる溝部の内部を埋めながら成長するので、最終的なエピタキシャル成長層302の表面は、平坦な連続薄膜となる。
【0027】
更に、図示はしていないが、必ずしもHPHTダイアモンド結晶からなる薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・を、支持基板300上に全体に敷き詰めることなく、適当な間隔で並べて接着転写しても良い。この場合に、最終的なエピ成長は薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・が有るところに限られて成長するが、通常、薄膜タイル2j-1,1,2j-1,2,・・・・・,2j-1,m,2j-1,2,・・・・・,2j,1,2j,2,・・・・・,2j,m-1,2j,m,・・・・・はサブミクロンの厚みであり、その上に成長させるエピタキシャル成長層301,302と合わせても数μm以内の厚みで収まるため、高解像度の必要ない通常の素子では支障無くフォトリソグラフィ工程等種々の製造工程を実施可能な範囲である。
【0028】
(第2の実施の形態)
図4及び図5は、本発明の第2の実施形態に係る半導体素子(pinダイオード)の製造方法を示す工程断面図である。
【0029】
(イ)前述した第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法に従い、直径D=75mmφのp+Si基板からなる支持基板300の上に、ボロンをドープした、厚さ約0.8μmのp+HPHTダイアモンド結晶からなる薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・を敷き詰め、タイル貼り構造を形成する。薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・は、それぞれ、1辺の長さd0=4mmの正方形の形状をなしている。更に、図4(a)に示すように、CVD法によって薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・上に、p−ダイアモンド単結晶層である第1エピタキシャル成長層(以下において「第1エピ層」と略記する。)311を、厚さ1.5μm〜35μm程度成長する。CVD法は、前述したメタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスによるプラズマCVDを用いれば良い。なお、第1エピ層311の厚さは、目的とするpinダイオードの耐圧や高周波特性に合わせて選べば良い。但し、プラズマCVDの反応管には、更にドーピングガスとして水素(H2)ガスで希釈したジボラン(B2H6)等のp型ドーパントガスを、マスフローコントローラ等で制御して導入する必要がある。それぞれの薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・の相互の間隔をミクロなレベルで密着するのは困難であるので、薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・の相互の間には、数μm〜100μm程度のギャップが存在しうる。図4(a)では、エピタキシャル成長後に、このギャップに相当した凹部が第1エピ層311に露呈した場合を誇張して示している。
【0030】
(ロ)図4(a)に示すように、エピタキシャル成長後に、薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・間のギャップに起因した凹部が問題となる場合は、他の支持基板の上に、薄膜タイルを敷き詰めたタイル貼り構造の上に同様にp−第1エピ層を形成した他のエピタキシャル基板を用意し、2枚のエピタキシャル基板の表面を互いに合わせて、共擦りをすることにより、p−第1エピ層311の表面を平坦化すれば良い。更に、共擦り後、酸素(O2)ガスを用いたプラズマエッチングにより、第1エピ層311を平坦化し、最終的に厚さ1.0μm〜30μm程度の第1エピ層311を得る。
【0031】
(ハ)その後、メタン(CH4)ガス、水素(H2)ガス、ドーピングガスとしてフォスフィン(PH3)等のn型ドーパントガスを用いたプラズマCVDにより、図4(b)に示すように、第1エピ層311の上にn+第2エピ層312を厚さ0.5μm〜0.8μm程度成長する。n型ドーパントガスとしては、フォスフィンの代わりにアルシン(AsH3)、硫化水素(H2S)、アンモニア(NH3)等が使用可能である。
【0032】
(ニ)次に、第2エピ層312の上部にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ工程を用いて、格子状に配列された薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・のそれぞれの中心の位置に開口部を形成する。そして、この開口部を有するフォトレジスト膜の上部にn型オーミックコンタクト用金属膜を真空蒸着法、スパッタリング法等により堆積する。その後、このフォトレジスト膜を剥離する、いわゆるリフトオフ法を用いて、図5(c)に示すように、カソード電極401,402,・・・・・,410,・・・・・を形成する。n型オーミックコンタクト用金属膜としては、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)等を採用可能である。或いは、これらの金属の内の複数の金属の組み合わせからなる合金膜、化合物膜、或いは多層膜(複合膜)等が可能である。図5(c)に示すように、カソード電極401,402,・・・・・,410,・・・・・のパターニング後、800℃〜950℃の高温で熱処理(シンタリング)することにより、n+第2エピ層312に対する実用的なコンタクト抵抗値ρcを得る。更に、p+Si基板300の裏面の全面に、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金(Al−Si,Al−Cu−Si)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)等のp型オーミックコンタクト用金属膜を真空蒸着法、スパッタリング法等により堆積する。その後、400℃〜450℃で熱処理(シンタリング)することにより、p+Si基板300に対する十分低いコンタクト抵抗値ρcを有するアノード電極430が形成される。
【0033】
(ホ)次に、400℃以下の低温CVDにより、カソード電極401,402,・・・・・,410,・・・・・及び露出した第2エピ層312の上部の全面に、厚さ500nmから1μmの酸化膜(SiO2膜)を堆積する。更に、この酸化膜の上部にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ工程を用いて、薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・の間のタイルの目地の部分に開口部を形成する。そして、フォトレジスト膜をエッチングマスクとして、酸化膜をパターニングする。パターニング後、フォトレジスト膜を除去し、パターニングされた酸化膜をエッチングマスクとして、図5(d)に示すように、第2エピ層312、第1エピ層311及び薄膜タイル211a,212a,・・・・・,220a,・・・・・を、酸素ガス(O2)ガスを用いた反応性イオンエッチング(RIE)で、Si基板300が露出するまでパターニングする。この結果、タイルの目地の部分に対応したダイシング溝501,502,・・・・・,509,・・・・・が形成される。その後、このダイシング溝501,502,・・・・・,509,・・・・・をダイシングライン601,602,・・・・・,609,・・・・・として、ダイアモンドブレード等で切断すれば、約4mm角のpinダイオード(p+-p−-n+ダイオード)が、複数個切り出される。
【0034】
以上の工程により、高品質の単結晶ダイアモンドからなる第1エピ層311及び第2エピ層312を用い、且つその厚みを精度良く制御して、素子直列抵抗が小さなpinダイオードを得ることが出来る。特に、ダイアモンドは、熱的、化学的、機械的に安定で、耐放射線性にも優れているので、ダイアモンドのpinダイオードは、高周波デバイスは勿論のこと、高温、大電力、放射線照射等の過酷な条件で、高い信頼性と安定性を示す電力用半導体装置(パワーデバイス)に適用出来る。
【0035】
(第3の実施の形態)
図6,図7及び図8は、本発明の第3の実施形態に係る半導体素子(発光/受光ダイオード)の製造方法を示す工程断面図である。
【0036】
(イ)前述した第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法に従い、直径D=75mmφの石英基板からなる支持基板330の上に、厚さ約0.8μmのボロンをドープしたp+HPHTダイアモンド結晶からなる薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・を敷き詰め、タイル貼り構造を形成する。薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・は、それぞれ、1辺の長さd0=4mmの正方形の形状をなしている。更に、図6(a)に示すように、CVD法によって薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・上に、p−ダイアモンド単結晶層である第1エピ層331を、厚さ1.5μm〜15μm程度成長する。薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・の相互の間のギャップに相当した凹部が問題となる場合は、第2の実施形態と同様に、第1エピ層331を平坦化し、最終的に厚さ1.0μm〜12μm程度の第1エピ層331を得る。その後、メタン(CH4)ガス、水素(H2)ガス、ドーピングガスとしてフォスフィン(PH3)等のn型ドーパントガスを用いたプラズマCVDにより、図6(a)に示すように、第1エピ層331の上にn+第2エピ層332を厚さ0.5μm〜0.8μm程度成長する。
【0037】
(ロ)次に、第2エピ層332の上部に、リフトオフ法を用いて、図6(a)に示すように、n型オーミックコンタクト用金属膜からなるカソード電極421,422,・・・・・,425,・・・・・を形成する。n型オーミックコンタクト用金属膜としては、Ni、W、Ti、Cr、Ta、Mo等、或いは、これらの金属の内の複数の金属の組み合わせからなる合金膜、化合物膜、或いは多層膜(複合膜)等が可能である。そして、カソード電極421,422,・・・・・,425,・・・・・のパターニング後、800℃〜950℃の高温で熱処理(シンタリング)することにより、n+第2エピ層332に対する実用的なコンタクト抵抗値ρcを得る。
【0038】
(ハ)次に、カソード電極421,422,・・・・・,425,・・・・・をエッチングマスクとして、図6(b)に示すように、第2エピ層332及び第1エピ層331を、酸素ガスを用いたRIEで、薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・が露出するまでパターニングする。
【0039】
(ニ)次に、カソード電極421,422,・・・・・,425,・・・・・の上部を含んで、薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・の上部の全面にフォトレジスト膜101を塗布する。そして、図7(c)に示すように、フォトリソグラフィ工程を用いて、薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・の上部の一部に位置するフォトレジスト膜101に開口部を形成する。このフォトレジスト膜101をリフトオフ用マスクとして、リフトオフ用マスクの上部に図7(d)に示すようにp型オーミックコンタクト用金属膜102を真空蒸着法若しくはスパッタリング法で堆積する。p型オーミックコンタクト用金属膜としては、金・ガリウム合金(Au−Ga)、チタン・アルミニウム合金(Ti−Al)、若しくはチタン・金(Ti/Au)やチタン・ニッケル・金(Ti/Ni/Au)等の複合膜等が使用可能である。
【0040】
(ホ)そして、リフトオフ用マスクとしてフォトレジスト膜101を剥離すれば、図8(e)に示すように、薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・の上部の一部にアノード電極431a,431b,432a,432b,・・・・・,435a,・・・・・がパターニングされる。その後、700℃〜950℃の高温で数分間熱処理(シンタリング)することにより、p+薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・に対する実用的なコンタクト抵抗値ρcを得る。
【0041】
(ヘ)最後に、薄膜タイル231a,232a,・・・・・,236a,・・・・・の境界部(目地部)に沿って、ダイアモンドブレード等で切断すれば、図8(f)に示すように、石英基板チップ330−1,330−2,330−3,330−4,330−5,・・・・・を支持基板とした複数の半導体素子(発光/受光ダイオード)が得られる。
【0042】
この様に本発明の第3の実施形態に係る半導体素子の製造方法によれば、裏面側に透明な支持基板チップ330−1,330−2,330−3,330−4,330−5,・・・・・を有するpin(p+-p−-n+)ダイオードを容易に作成出来る。この結果、発光hνを効率よく裏面の透明支持基板チップ330−1,330−2,330−3,330−4,330−5,・・・・経由で取り出すことが出来る。或いは、裏面側の透明支持基板チップ330−1,330−2,330−3,330−4,330−5,・・・・からの入射光をpinダイオードでセンシングすることも出来る。
【0043】
(第4の実施の形態)
図9〜図12は、本発明の第4の実施形態に係る半導体素子としてショットキー・ゲート型電界効果トランジスタ(MESFET)の製造方法を示す工程断面図である。
【0044】
(イ)前述した第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法と同様に、直径D=75mmφのモリブデン(Mo)基板からなる支持基板350の上に、厚さ約0.8μmのボロンをドープしたp+HPHTダイアモンド結晶からなる薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・を敷き詰め、タイル貼り構造を形成する。薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・・は、それぞれ、1辺の長さd0=4mmの正方形の形状をなしている。更に、図9(a)に示すように、CVD法によって薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・上に、p−ダイアモンド単結晶層であるエピ層351を、厚さ1.5μm〜3μm程度成長する。薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・の相互の間のギャップに相当した凹部が問題となる場合は、第2の実施形態と同様に、エピ層351を平坦化し、最終的に厚さ1.0μm〜2μm程度のエピ層351を得る。
【0045】
(ロ)次に、CVDにより、エピ層351の上部の全面に、厚さ500nmから1μmの酸化膜(SiO2膜)を堆積する。更に、この酸化膜の上部にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ工程を用いて、薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・の間のタイルの目地の部分に開口部を形成する。そして、フォトレジスト膜をエッチングマスクとして、酸化膜をパターニングする。パターニング後、フォトレジスト膜を除去し、パターニングされた酸化膜をエッチングマスクとして、図9(b)に示すように、エピ層351及び薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・を、酸素ガス(O2)ガスを用いたRIEで、Mo基板350が露出するまでパターニングする。この結果、タイルの目地の部分に対応した素子分離溝551,552,553,・・・・・が形成される。この素子分離溝551,552,553,・・・・・により、エピ層351は、複数の活性領域361,362,363,364,・・・・・に分離される。素子分離溝551,552,553,・・・・・の幅は、薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・の相互の間のギャップの最大幅程度、若しくはこれ以上が好ましい。薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・の相互の間のギャップの位置(目地の位置)のp−ダイアモンド単結晶層351の結晶性が劣る場合(可能性)があるので、素子分離溝551,552,553,・・・・・により、結晶性が劣るp−ダイアモンド単結晶層351を削除するのが好ましい。この結果、複数の活性領域361,362,363,364,・・・・・の結晶の完全性は極めて高くなり、転位密度も十分低い値が得られる。
【0046】
(ハ)再び、CVDにより、素子分離溝551,552,553,・・・・の深さより十分厚い厚さの酸化膜(SiO2膜)、窒化膜(Si3N4膜)、不純物を添加しない(ノンドープ)多結晶シリコン、酸素を添加した多結晶シリコン(SIPOS)等、或いはこれらの複合膜等の絶縁膜を堆積する。絶縁膜のCVD後、化学的機械研磨(CMP)により、表面を平坦化すれば、図10(c)に示すように、素子分離溝551,552,553,・・・・の内部に素子分離絶縁膜651,652,653,・・・・が埋め込まれる。
【0047】
(ニ)次に、活性領域361,362,363,364,・・・・・及び素子分離絶縁膜651,652,653,・・・の上部の全面にフォトレジスト膜103を塗布する。そして、図10(d)に示すように、フォトリソグラフィ工程を用いて、活性領域361,362,363,364,・・・・の上部の一部に位置するフォトレジスト膜103に開口部を形成する。このフォトレジスト膜103をイオン注入用マスクとして、図10(d)に示すように、アルゴンイオン(Ar+)を、イオンエネルギーは30keV〜100keV、例えば40keVにおいて、活性領域361,362,363,364,・・・・の表面に選択的に注入する。選択的にイオン注入された活性領域361,362,363,364,・・・・の表面は、非晶質化層に転換され、ソース領域371s,372s,373s,374s,・・・・及びドレイン領域371d,372d,373d,374d,・・・・が形成される。
【0048】
(ホ)更に、イオン注入用マスクとして用いたフォトレジスト膜103を、リフトオフ用マスクとして用いて、このリフトオフ用マスク103の上部に図11(e)に示すようにp型オーミックコンタクト用金属膜104を真空蒸着法若しくはスパッタリング法で堆積する。p型オーミックコンタクト用金属膜104としては、金・チタン複合膜(Au/Ti)等が使用可能である。
【0049】
(ヘ)そして、リフトオフ用マスクとしてのフォトレジスト膜103を剥離すれば、図11(f)に示すように、活性領域361,362,363,364,・・・・の表面にソース電極451s,452s,453s,454s,・・・・及びドレイン電極451d,452d,453d,454d,・・・・・がパターニングされる。その後、700℃〜950℃の高温で数分間熱処理(シンタリング)することにより、非晶質化層からなるソース領域371s,372s,373s,374s,・・・・及びドレイン領域371d,372d,373d,374d,・・・・に対する実用的なコンタクト抵抗値ρcを得る。
【0050】
(ト)次に、ソース電極451s,452s,453s,454s,・・・・及びドレイン電極451d,452d,453d,454d,・・・・・・の上部を含んで、活性領域361,362,363,364,・・・・の上部の全面に、他のフォトレジスト膜を塗布する。そして、フォトリソグラフィ工程を用いて、活性領域361,362,363,364,・・・・の上部の一部に位置するフォトレジスト膜に開口部を形成する。このフォトレジスト膜をリフトオフ用マスクとして、リフトオフ用マスクの上部に、ショットキーゲート電極用金属膜を真空蒸着法若しくはスパッタリング法で堆積する。ショットキーゲート電極用金属膜としては、金(Au)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)等が使用可能である。そして、リフトオフ用マスクとしてのフォトレジストを剥離すれば、図12(g)に示すように、活性領域361,362,363,364,・・・・の表面にショットキーゲート電極461,462,463,464,・・・・がパターニングされる。
【0051】
(チ)最後に、図12(h)に示すように、薄膜タイル251a,252a,・・・・・,254a,・・・・・の境界部(目地部)をダイシングライン661,662,663,・・・・・として、ダイアモンドブレード等で切断すれば、複数のMESFETが得られる。
【0052】
本発明の第4の実施形態に係る半導体素子の製造方法によれば、市場において大面積の単結晶基板の入手が極めて困難なダイアモンドであっても、実効的に直径D=75mmφの大面積化した基板として扱うことが可能になる。このため、汎用の半導体製造装置を用いた半導体製造工程が適用可能になり、通常のSiプロセスとほぼ同様な工程でダイアモンドLSI(ダイアモンド集積回路)やダイアモンド個別デバイスを簡単に製造出来る。特に、ダイアモンドを用いた高耐圧のMESFETは、Siを用いたパワーデバイスよりもオン抵抗や順方向降下電圧が低くなるので、高速且つ高効率の半導体装置が実現出来る。
【0053】
本発明の第4の実施形態に係る半導体素子の製造方法に用いる支持基板350は、Mo基板に限らず、高濃度ドープしたSi、SiC、GaN等の半導体基板、或いはタングステン(W)、白金(Pt)、タンタル(Ta)等の各種金属が使用可能である。この様に、支持基板材料を各種選ぶことが可能であるので、ダイアモンド半導体素子に対する低抵抗の裏面コンタクトを実現するのが容易である。更に裏面での電気的接続が不要なLSIやその他の半導体素子であれば、支持基板350として、サファイヤ、石英ガラス等の絶縁体や各種のセラミックス材料等、直接接合可能な範囲で広範な材料を選ぶことが出来る。
【0054】
なお、素子分離溝551,552,553,・・・・・以外に、活性領域361,362,363,364,・・・・・を更に細分化する内部素子分離溝を形成しても良い。この内部素子分離溝は通常のLSIにおける素子分離溝と同様に、1μm若しくはサブミクロンの線幅で、素子分離溝551,552,553,・・・・・と同時に形成出来る。そして、CVDにより、素子分離溝551,552,553,・・・・の内部に素子分離絶縁膜651,652,653,・・・・を埋め込む際に、この内部素子分離溝を同時に埋め込むようにしても良い。
【0055】
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は第1〜第4の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【0056】
既に述べた第1〜第4の実施の形態の説明においては、直径D=75mmφの支持基板300,330,350を例に説明したが、支持基板300,330,350は、直径D=100mmφ,150mmφ,200mmφ,300mmφ,・・・・・等他の口径でも構わないことは勿論である。又、結晶基板は、1辺の長さd0=4mmの正方形であるとして説明したが、これは例示であり、1辺の長さd0=3mm,5mm,10mm,15mm等、現在の半導体製造装置が通常対象としない種々の小口径サイズであれば、任意の寸法に対して適用可能である。即ち、現在の半導体製造装置が通常対象とする支持基板300,330,350の最大寸法(直径)Dに対して、m個の薄膜タイルを一列に配列するためには、式(1)を満足する1辺の長さd0の結晶基板が選択可能である。
【0057】
又、第1〜第4の実施の形態の説明においては、ダイアモンド単結晶基板から薄膜タイルを形成する場合について説明したが、ダイアモンド単結晶基板の他に、窒化ガリウム(GaN)単結晶基板、窒化アルミニウム(AlN)単結晶基板、炭化珪素(SiC)単結晶基板、窒化硼素(BN)単結晶基板などの種々の単結晶基板層を採用可能である。又、ダイアモンド、GaN,AlN,SiC,BN等を成分とする混晶材料の単結晶基板でも良い。
【0058】
更に、薄膜タイル上に、ダイアモンド単結晶層をホモエピタキシャル成長する場合について説明したが、窒化ガリウム(GaN)単結晶、窒化アルミニウム(AlN)単結晶、炭化珪素(SiC)単結晶、窒化硼素(BN)単結晶などの種々の単結晶基板層をダイアモンド単結晶基板上にヘテロエピタキシャル成長させて、所望の半導体素子を製造することも出来る。或いは、下地の単結晶基板をそれぞれ選んで、GaN,AlN,SiC,BN等ホモエピタキシャル成長するようにしても良い。更に、GaN,AlN,SiC,BN等を成分とする混晶材料の単結晶層をヘテロ/ホモエピタキシャル成長させても良い。
【0059】
更に、上記以外の種々の支持基板とこれにタイル状に貼り合わせる結晶基板の材料の選択と組み合わせが可能であることは勿論である。
【0060】
又、これらの種々の支持基板と結晶基板の組み合わせにより、新しい素子構造・機能発現を追求することが出来る。
【0061】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【0062】
【発明の効果】
本発明によれば、小さなサイズの結晶基板しか市場で入手出来ない特殊な材料であっても、その材料のエピタキシャル層を形成した任意の外径サイズのエピタキシャル基板にアップスケールし、汎用の製造工程を適用し、半導体素子を大量生産出来る。
【0063】
更に、本発明によれば、ダイアモンド等、通常非常に高価な結晶基板をロス無く薄皮を剥ぐように有効利用することで、基板・素子の製造コストを大幅に低減することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法により製造したエピタキシャル基板を上面からみた構造を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に係るエピタキシャル基板の別のタイリングの例を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施形態に係る半導体素子(ダイオード)の製造方法を示す工程断面図である(その1)。
【図5】本発明の第2の実施形態に係る半導体素子(ダイオード)の製造方法を示す工程断面図である(その2)。
【図6】本発明の第3の実施形態に係る半導体素子(発光/受光ダイオード)の製造方法を示す工程断面図である(その1)。
【図7】本発明の第3の実施形態に係る半導体素子(発光/受光ダイオード)の製造方法を示す工程断面図である(その2)。
【図8】本発明の第3の実施形態に係る半導体素子(発光/受光ダイオード)の製造方法を示す工程断面図である(その3)。
【図9】本発明の第4の実施形態に係る半導体素子(MESFET)の製造方法を示す工程断面図である(その1)。
【図10】本発明の第4の実施形態に係る半導体素子(MESFET)の製造方法を示す工程断面図である(その2)。
【図11】本発明の第4の実施形態に係る半導体素子(MESFET)の製造方法を示す工程断面図である(その3)。
【図12】本発明の第3の実施形態に係る半導体素子(MESFET)の製造方法を示す工程断面図である(その4)。
【符号の説明】
101,103 フォトレジスト膜
102,104 金属膜
201〜204 結晶基板(ダイアモンド結晶基板)
201a〜204a、211a〜220a,231a〜236a,251a〜254a 薄膜タイル
201b〜204b 母体側結晶基板
201c,202c,203c,204c イオン注入層
300,330,350 支持基板
301,302,351 エピタキシャル成長層
311,331 第1エピ層
312、332 第2エピ層
330−1〜330−5 支持基板チップ
361〜364 活性領域
371s〜374s ソース領域(非晶質化層)
371d〜374d ドレイン領域(非晶質化層)
401〜410,421〜425, カソード電極
430,431a,431b〜435a アノード電極
451s〜454s ソース電極
451d〜454d ドレイン電極
461〜464 ショットキーゲート電極
501〜509 ダイシング溝
551〜553 素子分離溝
601〜609,661〜663 ダイシングライン
651〜653 素子分離絶縁膜
Claims (3)
- 第1及び第2の主表面を有する支持基板を用意する工程と、
前記支持基板の外形線が規定する平面内に複数枚2次元的に配列可能な寸法を有する板状の結晶基板を、前記複数枚用意する工程と、
前記結晶基板のそれぞれの一方の主表面からイオン注入し、該一方の主表面から一定の射影飛程の深さにイオン注入層を形成する工程と、
前記一方の主表面が、前記第1の主表面に対向するようにして、前記複数の結晶基板のそれぞれと前記支持基板とを互いに貼り合わせる工程と、
該貼り合わせ後、前記複数の結晶基板のそれぞれを熱処理し、前記イオン注入層において剥離し、前記複数の結晶基板のそれぞれを、前記第1の主表面に接合した薄膜タイルと母体側結晶基板とに分離する工程と、
前記薄膜タイルの表面にエピタキシャル成長層を形成する工程と、
前記複数の薄膜タイルの境界部の上部の前記エピタキシャル成長層及び前記境界部に隣接した前記薄膜タイルの周辺部を選択的に除去し、前記エピタキシャル成長層の表面から前記支持基板に到達する素子分離溝を形成する工程と、
該素子分離溝に素子分離絶縁膜を埋め込む工程
とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記イオン注入層は、水素イオン又はヘリウムイオンを1×1016cm-2〜1×1019cm-2のドーズ量で注入して形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記結晶基板は、ダイアモンド、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化硼素(BN)、炭化珪素(SiC)からなるグループから選ばれた材料の単結晶基板、又はダイアモンド、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化硼素、炭化珪素のいずれかを成分として含む混晶材料のグループから選ばれた混晶材料の単結晶基板であることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001251585A JP3785067B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001251585A JP3785067B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003068592A JP2003068592A (ja) | 2003-03-07 |
JP3785067B2 true JP3785067B2 (ja) | 2006-06-14 |
Family
ID=19080206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001251585A Expired - Fee Related JP3785067B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3785067B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2864970B1 (fr) * | 2004-01-09 | 2006-03-03 | Soitec Silicon On Insulator | Substrat a support a coefficient de dilatation thermique determine |
JP2005347634A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlGaInN系単結晶ウエハ |
JP2006210660A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP4977999B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2012-07-18 | 株式会社Sumco | 貼合せ基板の製造方法及びその方法で製造された貼合せ基板 |
EP2637208A1 (en) * | 2006-01-31 | 2013-09-11 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer with high thermal conductivity |
WO2009001836A1 (en) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5498670B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2014-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の作製方法 |
US7795114B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing methods of SOI substrate and semiconductor device |
TW200914653A (en) * | 2007-08-24 | 2009-04-01 | Sumco Corp | Semiconductor wafer and its manufacturing method |
JP5607081B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-10-15 | アルタ デバイセズ,インコーポレイテッド | 蒸着およびエピタキシャルリフトオフプロセスのためのタイル状基板 |
EP2551891B1 (en) * | 2010-03-23 | 2021-09-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for producing same |
JP2011246315A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
JP5447206B2 (ja) | 2010-06-15 | 2014-03-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板 |
JP2012089639A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶炭化珪素基板を有する複合基板 |
KR101100994B1 (ko) | 2010-11-08 | 2011-12-29 | 이용근 | 복수의 웨이퍼를 이용한 에피 웨이퍼 제조 방법 및 그를 이용한 led 제조 방법 |
JP5840366B2 (ja) * | 2011-01-06 | 2016-01-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2013087029A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の成長方法 |
US11298370B2 (en) | 2017-04-24 | 2022-04-12 | Hirofumi Yamamoto | Prophylactic or therapeutic agent for inflammatory bowel disease |
JP7084586B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2022-06-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 単結晶ダイヤモンド基板を含む積層体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0832038A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 貼り合わせsoi基板の製造方法および貼り合わせsoi基板 |
JPH09260734A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-10-03 | Seiko Epson Corp | 複合基板及びその製造方法 |
JP2896667B1 (ja) * | 1998-02-04 | 1999-05-31 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiC及びその製造方法 |
JP3358550B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2002-12-24 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
-
2001
- 2001-08-22 JP JP2001251585A patent/JP3785067B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003068592A (ja) | 2003-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3785067B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
EP1873817B1 (en) | Substrate having thin film of GaN joined thereon and method of fabricating the same | |
CN106504988B (zh) | 一种金刚石热沉衬底GaN HEMTs制备方法 | |
EP2820173B1 (en) | Template for gallium-nitride-on-diamond wafer deposition | |
US8129733B2 (en) | Gallium nitride light emitting devices on diamond | |
TWI229421B (en) | Minimizing degradation of SiC bipolar semiconductor devices | |
CN111540684A (zh) | 一种金刚石基异质集成氮化镓薄膜与晶体管的微电子器件及其制备方法 | |
US20090078943A1 (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2007519262A5 (ja) | ||
JP2023525597A (ja) | 窒化物エピタキシャルウェーハ、その製造方法、および半導体デバイス | |
JP2009088223A (ja) | 炭化珪素半導体基板およびそれを用いた炭化珪素半導体装置 | |
CN104051242A (zh) | 用于制造电气碳化硅器件的碳化硅基板的方法 | |
WO2018150861A1 (ja) | 炭化ケイ素積層基板およびその製造方法 | |
CN110663097B (zh) | 半导体元件基板的制造方法 | |
JP2006273592A (ja) | ダイヤモンド基板及びその製造方法 | |
CN115312389A (zh) | 制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件 | |
JP4856350B2 (ja) | ダイオード | |
JP2004063860A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW201411702A (zh) | 薄層上之磊晶生長 | |
CN112614880A (zh) | 一种金刚石复合衬底氮化镓器件的制备方法及其器件 | |
JP2010226023A (ja) | 窒化物系化合物半導体層を支持基板上に有する基板生産物を製造する方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
JPWO2018055838A1 (ja) | 半導体素子の製造方法及び半導体基板 | |
CN106971943A (zh) | 氮化镓外延层生长在硅衬底上的纵向型器件的制造方法 | |
CN112635323A (zh) | 一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法 | |
WO2012050157A1 (ja) | ダイヤモンド電子素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060316 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 3785067 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120324 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130324 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130324 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140324 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |