JP2010245412A5 - - Google Patents

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  1. 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
    (a)第1の主面上に複数のデバイス領域を有する回路基板を、ダイ・ボンディング装置内に、導入する工程;
    (b)前記ダイ・ボンディング装置内において、各デバイス領域に、上層の半導体チップとその裏面の接着剤層を有する複数のチップ状積層体を、相互に位置をずらせて積層するように固定する工程;
    (c)前記工程(b)の後、前記ダイ・ボンディング装置内において、各チップ状積層体を第1の温度に加熱した状態で、各チップ状積層体の露出した表面に均一な静的ガス圧を作用させる工程。
JP2009094517A 2009-04-09 2009-04-09 半導体集積回路装置の製造方法 Pending JP2010245412A (ja)

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