JP2010251632A5 - - Google Patents
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Claims (1)
- 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第1の厚さを有する半導体ウエハの第1の主面上に、第1の金属膜を形成する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記半導体ウエハの第２の主面側に対して、バック・グラインディング処理を実行することにより、前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さとする工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記半導体ウエハの前記第２の主面上に、その周辺に沿って、第1の絶縁膜からなり、前記第２の主面の周辺に沿う円環状絶縁膜パターンを含む絶縁膜パターンを形成する工程；
（ｄ）前記絶縁膜パターンがある状態で、前記円環状絶縁膜パターンの開口部の厚さを前記第２の厚さよりも薄い第３の厚さとする工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記絶縁膜パターンがある状態で、前記半導体ウエハに対して、電気的テストを実行する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記絶縁膜パターンがある状態で、前記半導体ウエハの前記第２の主面を粘着シートに貼り付けることにより、前記粘着シートを介してダイシング・フレームに保持させる工程；
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、ダイシング・フレームに保持された状態で、前記半導体ウエハを個々のチップに分割する工程。
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