WO2012165551A1 - 粘着テープおよび半導体ウエハ加工方法 - Google Patents

粘着テープおよび半導体ウエハ加工方法 Download PDF

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    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive tape and a semiconductor wafer processing method. More specifically, the present invention relates to an adhesive tape or the like for protecting the outer peripheral edge of a semiconductor wafer during processing.
  • various types of processing for the purpose of circuit formation are performed on the surface of the semiconductor wafer.
  • this processing for example, as described in Patent Document 1, there are photoresist coating, pattern formation, plasma etching, and the like.
  • the semiconductor wafer processing process is intended to process the main surface of the semiconductor wafer.
  • the oxide film may be removed. If the oxide film at the outer peripheral edge portion is removed during plasma etching, silicon will be exposed at the edge portion, so that etching proceeds irregularly at the edge portion when etching is performed in a later process, Silicon may fall off. The dropped silicon becomes a foreign substance and becomes a factor of reducing the process yield.
  • an annular inorganic insulating film (such as a silicon nitride film) is provided in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer.
  • the main object of the present invention is to provide an adhesive tape for protecting the outer peripheral edge of a semiconductor wafer in a processing step and preventing the outer peripheral edge portion from being unexpectedly processed.
  • the present invention comprises a base material and an adhesive layer laminated on one side of the base material, and is wound around the outer peripheral edge of a disk-shaped adherend (especially a semiconductor wafer).
  • a disk-shaped adherend especially a semiconductor wafer.
  • an adhesive tape is provided which is adhered to the outer peripheral region having a predetermined width from the end edge, wherein the tensile force required for 5% stretching is 5 to 10 N / 10 mm.
  • the base material preferably comprises low density polyethylene (LDPE).
  • LDPE low density polyethylene
  • the adherend has a diameter of 6 to 12 inches and the width is 1 to 3 mm.
  • an adhesive tape having a tensile force of 5 to 10 N / 10 mm generated at the time of 5% stretching is wound around an outer peripheral edge of a semiconductor wafer, and is adhered to an outer peripheral region having a predetermined width from the end edge.
  • a semiconductor wafer processing method including the steps is provided.
  • tensile force was measured at room temperature in accordance with JIS Z-1702.
  • a dumbbell-shaped tape sample (length between marked lines: 40 mm, width: 10 mm) was pulled at a pulling speed of 300 mm / min, and the force required to stretch a predetermined ratio with respect to that before pulling was measured.
  • the tape sample was subjected to measurement in the state of a laminate of a base material and an adhesive layer.
  • an adhesive tape for protecting the outer peripheral edge of a semiconductor wafer in a processing process and preventing the outer peripheral edge portion from being unexpectedly processed.
  • the “outer peripheral edge” means an edge of a disk-shaped semiconductor wafer.
  • the “peripheral region having a predetermined width” means a certain region from the outer peripheral edge toward the inside of the disk surface in the case of a disk-shaped semiconductor wafer.
  • Adhesive tape (1) base material The structure of the adhesive tape which concerns on FIG. 1 at this invention is shown.
  • the pressure-sensitive adhesive tape 1 includes a base material 2, a pressure-sensitive adhesive layer 3 laminated on one side of the base material 2, and preferably a separator 4 laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • the material of the base material 2 is not particularly limited as long as a tensile force described later can be applied.
  • An ionomer resin obtained by crosslinking a copolymer or the like with a metal ion can be used.
  • (meth) acrylic acid means acrylic acid and methacrylic acid
  • (meth) acryloyl group means acryloyl group and methacryloyl group.
  • the substrate 2 may be a single layer or multilayer film or sheet made of the above-mentioned material, or may be a laminate of films made of different materials.
  • the material of the base material 2 is particularly preferably a resin mainly made of low density polyethylene (LDPE).
  • LDPE low density polyethylene
  • the thickness of the base material 2 is not particularly limited as long as the tensile force of the adhesive tape 1 falls within the range described later, but is preferably 5 to 150 ⁇ m.
  • the thickness of the substrate 2 is more preferably 10 to 100 ⁇ m, and particularly preferably 30 to 60 ⁇ m.
  • the thickness of the base material 2 is large, the tensile force required to sufficiently stretch the adhesive tape 1 and paste it without gaps increases, and the semiconductor wafer breaks. Moreover, when the thickness of the base material 2 is thin, when the adhesive tape 1 is peeled and removed from the semiconductor wafer, the adhesive tape may be broken and remain on the outer peripheral edge of the semiconductor wafer.
  • Pressure-sensitive adhesive layer As the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer 3, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, a polyvinyl ether-based pressure-sensitive adhesive, or the like can be used. Among these, an acrylic adhesive is preferable.
  • acrylic resin constituting the acrylic pressure-sensitive adhesive examples include a polymer of (meth) acrylic acid alkyl ester, a copolymer of (meth) acrylic acid alkyl ester and a monomer copolymerizable therewith. Can be mentioned.
  • Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, ( (Meth) isononyl acrylate and the like.
  • Examples of monomers copolymerizable with (meth) acrylic acid alkyl esters include (meth) acrylic acid such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, and hydroxyhexyl (meth) acrylate.
  • the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 a radiation-curing pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet rays or electron beams can be used. Furthermore, an adhesive that can be used for dicing and die bonding may be used. In addition, when using a radiation curable adhesive as an adhesive, it is preferable that the base material 2 has a radiation transmittance.
  • the radiation curable pressure-sensitive adhesive generally comprises a base polymer such as an acrylic resin that is a main component of the pressure-sensitive adhesive and a radiation curable component.
  • the radiation curing component is not particularly limited as long as it is a monomer, oligomer or polymer having a radical polymerizable double bond in the molecule and curable by radical polymerization.
  • Examples of radiation curable components include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and neopentyl.
  • Esterified products of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohols such as glycol di (meth) acrylate and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate; ester acrylate oligomers; 2-propenyl di-3-butenyl cyanurate, 2-hydroxyethyl
  • isocyanurates or isocyanurate compounds such as bis (2-acryloxyethyl) isocyanurate and tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate.
  • the radiation curable pressure-sensitive adhesive may contain a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator include benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether; aromatic ketones such as benzyl, benzoin, benzophenone and ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone; benzyldimethyl ketal and the like Aromatic ketals; polyvinylbenzophenone; thioxanthones such as chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, and diethylthioxanthone.
  • the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 may contain known additives such as a crosslinking agent, a tackifier, a filler, an anti-aging agent, and a colorant, if necessary.
  • the initial peel force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 on the semiconductor wafer at room temperature is preferably 1 to 6 N / 10 mm, and more preferably 3 to 5 N / 10 mm.
  • the bonding surface of the semiconductor wafer may be an oxide film or a photoresist formed on silicon, and the initial peel force is particularly preferably in the above range immediately after the adhesive tape 1 is bonded to the oxide film. .
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be appropriately determined depending on the type of pressure-sensitive adhesive, but is preferably 5 to 60 ⁇ m.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is more preferably 10 to 50 ⁇ m, and particularly preferably 20 to 40 ⁇ m.
  • the adhesive tape may fall off from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer during the application of the adhesive tape 1 or the processing of the semiconductor wafer.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is large, it is difficult to peel and remove the pressure-sensitive adhesive tape 1.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed by coating the separator 4 and transferring it to the substrate 2 or by directly applying the pressure-sensitive adhesive to the substrate 2. In consideration of the smoothness of the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 in contact with the wafer, transfer coating is more preferable. Moreover, the adhesive layer 3 can also utilize what can be obtained in the state in which the front and back of the layer which consists of adhesives were each laminated with the separator. In this case, the pressure-sensitive adhesive tape 1 in which the pressure-sensitive adhesive layer 3 is protected by the separator 4 is obtained by removing one of the separators on the front surface or the back surface to expose the pressure-sensitive adhesive, and attaching the exposed surface to the substrate 2. Obtainable.
  • the separator 4 is detachably laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • a synthetic resin film such as polyethylene, polypropylene, or polyethylene terephthalate, paper, or the like can be used.
  • Polyethylene terephthalate is desirable from the viewpoint of heat resistance during transfer coating and prevention of foreign matter.
  • the surface of the separator 4 may be subjected to a peeling treatment such as a silicone treatment, a long-chain alkyl treatment, a fluorine treatment or the like as necessary in order to enhance the peelability from the pressure-sensitive adhesive layer 3. From the viewpoint of imparting stable peelability to the pressure-sensitive adhesive layer, silicone treatment is preferred.
  • the thickness of the separator is preferably 10 to 75 ⁇ m, more preferably 25 to 50 ⁇ m.
  • the tensile force of the pressure-sensitive adhesive tape 1 is set to 5 to 10 N / 10 mm for 5% stretching when a tensile test is performed at 300 mm / min at room temperature.
  • the adhesive tape 1 can be stretched well even with a small force. For this reason, the semiconductor wafer can be sufficiently stretched so as not to generate a gap and wound around the outer peripheral edge of the wafer.
  • the pressure-sensitive adhesive tape 1 has a small change in stress with respect to a change in the amount of strain and a uniform stress distribution in the stretched state.
  • the stress distribution in the stretched state is uniform, after the adhesive tape 1 is wound, the tape is wrinkled when the stretched adhesive tape 1 is attached from the outer peripheral edge of the adherend to the outer peripheral region of a predetermined width. Can be prevented from occurring.
  • the tensile force of the adhesive tape 1 can be set within the above numerical range by appropriately selecting and changing the material and thickness of the substrate 2. For example, when a rigid and highly elastic material such as polyethylene terephthalate is used for the substrate 2, the tensile force can be reduced by reducing the thickness. On the other hand, when a soft and low-elastic material such as ionomer resin is used for the base material 2, the tensile force can be increased by increasing the thickness.
  • the width of the adhesive tape 1 is preferably 1 to 3 mm when the adherend is a general-purpose semiconductor wafer having a diameter of 6 to 12 inches.
  • the width of the adhesive tape 1 is small, the tape is easily detached from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer.
  • the width of the adhesive tape 1 is large, it is difficult to apply the tape to the outer peripheral edge of the semiconductor wafer without any gap.
  • a semiconductor wafer processing method includes a step of winding the above-mentioned adhesive tape 1 around an outer peripheral edge of a semiconductor wafer and sticking it from the end edge to an outer peripheral region having a predetermined width.
  • FIG. 2 shows the above steps of the semiconductor wafer processing method according to the present invention.
  • (A) is a schematic cross-sectional view
  • (B) is a schematic top view.
  • one end of the adhesive tape 1 is attached to a predetermined position of the outer peripheral edge 51 of the semiconductor wafer 5, and the adhesive tape 1 is wound around the outer periphery of the semiconductor wafer 5 over one or more rounds while being folded over the upper and lower surfaces.
  • the overlap of the winding start portion and the winding end portion is cut and processed so that the tape ends of the winding start and the winding end are attached to each other. Even when a gap is generated between the tape ends at the beginning and end of winding, the gap is preferably 0.5 mm or less, and more preferably 0.1 mm or less.
  • the adhesive tape 1 is stretched even with a small force, it can be wound around the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 5 in a sufficiently stretched state.
  • the adhesive tape 1 is preferably wound around the outer peripheral edge 51 as a single continuous tape. However, several pieces of fragmented tape are bonded to the outer peripheral edge 51 and connected and wound. Also good.
  • the adhesive tape 1 is attached to the outer peripheral area (applied area) having a predetermined width w from the outer peripheral edge 51.
  • the width w is preferably 1 to 3 mm when the diameter of the semiconductor wafer 5 is 6 to 12 inches.
  • the area where the adhesive tape 1 is attached has a larger diameter on the outer peripheral side and a smaller diameter in the direction of the center of the semiconductor wafer 5. Since the adhesive tape 1 is sufficiently stretched and attached to the outer peripheral area of the semiconductor wafer 5 while being folded into the upper and lower surfaces of the semiconductor wafer 5, the adhesive tape 1 attached is stretched on the outer peripheral side of the attaching area. The state is maintained, and the attached adhesive tape 1 is appropriately shrunk due to elastic recovery on the inner peripheral side of the attaching region. For this reason, in the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive tape 1 can be attached to the outer peripheral region of the semiconductor wafer 5 without generating a gap or a wrinkle.
  • the outer peripheral edge portion can be prevented from being unexpectedly processed.
  • the oxide film on the outer peripheral edge portion of the semiconductor wafer 5 is removed and silicon is prevented from being exposed, and the generation of foreign matters due to the removal of silicon and the reduction in process yield due to foreign matters can be prevented.
  • the adhesive tape 1 is peeled off from the semiconductor wafer 5.
  • the method for removing the adhesive tape 4 is not particularly limited, and a known method can be used as appropriate.
  • Example 1 An acrylic ester copolymer base polymer and a polyisocyanate curing agent (Coronate L, Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) were dissolved in toluene / ethyl acetate to prepare an adhesive.
  • a copolymer containing 2-ethylhexyl acrylate, methyl acrylate, acrylic acid and 2-hydroxyethyl acrylate as components was used.
  • the prepared pressure-sensitive adhesive is applied to a separator (E-7002, Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 38 ⁇ m and laminated on a propylene-based copolymer film (Sun Allomer, X500F) having a thickness of 80 ⁇ m to have a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 ⁇ m.
  • An adhesive tape was obtained.
  • the tensile force of the obtained adhesive tape was measured according to JIS Z-1702. Using an automatic tensile testing machine, a dumbbell-shaped tape sample (length between marked lines: 40 mm, width: 10 mm) was pulled at a pulling speed of 300 mm / min, and the force required to stretch 5% with respect to that before pulling was measured. The tape sample was subjected to measurement with the separator peeled off. In addition, the adhesive force with respect to the silicon oxide film of the obtained adhesive tape was 4.5 N / 10mm.
  • the adhesive tape cut to a width of 3 mm was attached to the outer peripheral region of a wafer (6 inches) on which an oxide film was formed while being stretched with a pulling force of 1.2 N / 10 mm. After pasting, the presence or absence of wrinkles on the adhesive tape, the heat resistance, and the presence or absence of breakage during peeling were evaluated. The presence or absence of wrinkles was confirmed visually.
  • the heat resistance was evaluated by using as an index whether or not the wafer with the adhesive tape attached was heated at 100 ° C. for 5 minutes, and the tape was deformed by heat. Moreover, the presence or absence of the fracture
  • Example 2 A pressure-sensitive adhesive tape was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that an LDPE film having a thickness of 60 ⁇ m (Toraytec 7721, Toray Film Processing Co., Ltd.) was used.
  • an LDPE film having a thickness of 60 ⁇ m Toraytec 7721, Toray Film Processing Co., Ltd.
  • Example 3 A pressure-sensitive adhesive tape was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that an ethylene ionomer film having a thickness of 200 ⁇ m (Himiran 1855, Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.) was used.
  • Example 2 An adhesive tape was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene terephthalate film (E-5107, Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 25 ⁇ m was used as the substrate.
  • a polyethylene terephthalate film E-5107, Toyobo Co., Ltd.
  • the adhesive tapes of Examples 1 to 3 could be applied without causing wrinkles and could be peeled without causing breakage. Moreover, heat resistance was also favorable. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive tapes of Comparative Examples 1 and 2 were broken at the time of peeling and wrinkled at the time of application, and had insufficient heat resistance.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention can be attached to the outer peripheral region of the semiconductor wafer without causing gaps or wrinkles. For this reason, the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention is suitably used to protect the outer peripheral edge of the wafer in the semiconductor wafer processing step and prevent the outer peripheral edge from being unexpectedly processed.
  • Adhesive tape 2 Base material 3: Adhesive layer 4: Separator 5: Semiconductor wafer 51: Outer peripheral edge 52 of semiconductor wafer: Main surface of semiconductor wafer

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Abstract

　半導体ウエハの加工工程において半導体ウエハの外周端縁を保護し、外周端縁部分が予期せず加工されるのを防止するための粘着テープを提供することを課題とする。　基材と、基材の片面に積層された粘着剤層とからなり、半導体ウエハ５の外周端縁５１に巻装されて、前記端縁から所定幅ｗの外周領域に貼着される粘着テープ１であって、５％延伸に要する引っ張り力が５～１０Ｎ／１０ｍｍである粘着テープ１を提供する。

Description

粘着テープおよび半導体ウエハ加工方法
　本発明は、粘着テープおよび半導体ウエハ加工方法に関する。より詳しくは、加工の際に半導体ウエハの外周端縁を保護するための粘着テープ等に関する。
　半導体ウエハの加工工程では、半導体ウエハの表面に回路形成を目的とした各種加工が行われる。この加工としては、例えば特許文献１に記載されるように、フォトレジストの塗工、パターン形成、プラズマエッチングなどがある。
　半導体ウエハの加工工程は半導体ウエハの主表面を加工することを目的としている。しかし、例えばプラズマエッチングでは、フォトレジストが塗工されていない半導体ウエハの外周端縁部分までもが加工され、酸化膜が除去されてしまう場合がある。プラズマエッチングの際に外周端縁部分の酸化膜が除去されてしまうと端縁部分にシリコンが露出することとなるため、後工程でエッチングを行う際に端縁部分でエッチングが不規則に進み、シリコンの脱落を生じる場合がある。脱落したシリコンは異物となって、工程歩留まりを低下させる要因となる。このような問題に対し、例えば引用文献２では、ウエハの外周部近傍に円環状の無機絶縁膜（窒化シリコン膜等）を設けている。
特開２００８－１５３４２５号公報 特開２０１０－２５１６３２号公報
　本発明は、加工工程において半導体ウエハの外周端縁を保護し、外周端縁部分が予期せず加工されるのを防止するための粘着テープを提供することを主な目的とする。
　上記課題解決のため、本発明は、基材と、該基材の片面に積層された粘着剤層とからなり、円板状の被着体（特に半導体ウエハ）の外周端縁に巻装されて、前記端縁から所定幅の外周領域に貼着される粘着テープであって、５％延伸に要する引っ張り力が５～１０Ｎ／１０ｍｍである粘着テープを提供する。引っ張り力を上記数値範囲に設定することにより、小さい力でもよく伸び、被着体の外周端縁に十分に引き伸ばした状態で巻装可能な粘着テープとできる。
　この粘着テープは、基材が低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）を含んでなることが好ましい。
　また、この粘着テープは、前記被着体の直径が６～１２インチであり、前記幅が１～３ｍｍであることが好ましい。
　加えて、本発明は、５％延伸時に発生する引っ張り力が５～１０Ｎ／１０ｍｍである粘着テープを半導体ウエハの外周端縁に巻装し、前記端縁から所定幅の外周領域に貼着する工程を含む半導体ウエハ加工方法を提供する。
　本発明において、「引っ張り力」は、ＪＩＳ　Ｚ－１７０２に準じ、室温下で測定した。自動引っ張り試験機を用いて、ダンベル形状のテープサンプル（標線間長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ）を引っ張り速度３００ｍｍ／分で引っ張り、引っ張り前に対して所定比率延伸するのに要する力を測定した。テープサンプルは、基材と粘着剤層の積層体の状態で測定に供した。
　本発明により、加工工程において半導体ウエハの外周端縁を保護し、外周端縁部分が予期せず加工されるのを防止するための粘着テープが提供される。
本発明に係る粘着シートの構成を説明するための図である。 本発明に係る半導体ウエハ加工方法の手順を説明するための図である。
　以下、本発明を実施するための好適な形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本発明の範囲が狭く解釈されることはない。
　なお、本発明において、「外周端縁」とは、円板状の半導体ウエハの縁部を意味するものである。また、「所定幅の外周領域」とは、円板状の半導体ウエハの場合、外周端縁から円板面の内側に向かう一定の領域を意味するものである。
１．粘着テープ
（１）基材
　図１に、本発明に係る粘着テープの構成を示す。粘着テープ１は、基材２と、基材２の片面に積層された粘着剤層３と、好ましくは粘着剤層３に積層されたセパレータ４と、からなる。
　基材２の材料は、後述する引っ張り力を付与し得る限りにおいて特に限定されず、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸－アクリル酸エステル共重合体、エチレン－エチルアクリレート共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、プロピレン系共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン－（メタ）アクリル酸－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等を金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂などを用いることができる。また、これらの樹脂の混合物あるいは共重合体を用いることもできる。
　なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸およびメタクリル酸を、（メタ）アクリロイル基とはアクリロイル基およびメタアクリロイル基を意味するものとする。
　基材２は、上記材料からなる単層あるいは多層のフィルムあるいはシートであってよく、異なる材料からなるフィルム等を積層したものであってもよい。
　基材２の材料は、特に主として低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）からなる樹脂が好適である。他の材料に比較して柔軟なＬＤＰＥを採用することにより、粘着テープ１が低い引っ張り力でもよく伸び、半導体ウエハの外周端縁に巻装する際に十分に引き伸ばした状態で巻装でき、かつ破断なくテープを剥離できる。
　基材２の厚さは、粘着テープ１の引っ張り力が後述する範囲となる限りにおいて特に限定されないが、５～１５０μｍが好ましい。基材２の厚さは、より好ましくは１０～１００μｍであり、特に好ましくは３０～６０μｍである。
　基材２の厚さが厚いと粘着テープ１を十分延伸させて隙間なく貼り付けるために要する引っ張り力が大きくなり、半導体ウエハが割れてしまう。また、基材２の厚さが薄いと粘着テープ１を半導体ウエハから剥離除去する際に、粘着テープが破断して半導体ウエハの外周端縁に残留してしまう可能性がある。
（２）粘着剤層
　粘着剤層３を形成する粘着剤は、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤などを用いることができる。このうち、アクリル系粘着剤が好ましい。
　アクリル系粘着剤を構成するアクリル系樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの重合体、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な単量体との共重合体などが挙げられる。
　（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソノニルなどが挙げられる。
　（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシルなどの（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）アクリル酸Ｎ－ヒドロキシメチルアミド、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ－ブチルアミノエチルメタクリレートなどの（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどが挙げられる。
　粘着剤層３を形成する粘着剤としては、紫外線または電子線などにより硬化する放射線硬化型粘着剤を用いることもできる。さらに、ダイシング・ダイボンド兼用可能な粘着剤を用いてもよい。なお、粘着剤として放射線硬化型粘着剤を用いる場合には、基材２は放射線透過性を有することが好ましい。
　放射線硬化型粘着剤は、一般には、粘着剤の主成分となるアクリル系樹脂などのベース重合体と放射線硬化成分とからなる。放射線硬化成分は、分子中にラジカル重合性二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能な単量体、オリゴマー又は重合体であれば、特に限定されない。放射線硬化成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレ－ト、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；エステルアクリレートオリゴマー；２－プロペニルジ－３－ブテニルシアヌレート、２－ヒドロキシエチルビス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレートなどのイソシアヌレート又はイソシアヌレート化合物などが挙げられる。
　放射線硬化型粘着剤には、光重合開始剤を含有させてもよい。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどの芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類などが挙げられる。
　粘着剤層３を形成する粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、充填剤、老化防止剤、着色剤などの公知の添加剤を含有させてもよい。
　粘着剤層３の半導体ウエハに対する室温での初期剥離力は、１～６Ｎ／１０ｍｍが好ましく、３～５Ｎ／１０ｍｍがより好ましい。半導体ウエハの貼付表面はシリコン上に成膜された酸化膜やフォトレジストである場合があり、初期剥離力は粘着テープ１を酸化膜に貼り付けた直後の値が上記範囲であることが特に好ましい。
　粘着剤層３の剥離力が高すぎると粘着テープ１を半導体ウエハの外周端縁から剥離除去し難くなり、粘着テープの破断、粘着剤残留又は半導体ウエハの破損が発生しやすくなる。
　粘着剤層３の厚さは、粘着剤の種類により適宜に決定することができるが、５～６０μｍが好ましい。粘着剤層３の厚さは、より好ましくは１０～５０μｍであり、特に好ましくは２０～４０μｍである。
　粘着剤層の厚さが薄いと、粘着テープ１の貼り付けあるいは半導体ウエハの加工中に、粘着テープが半導体ウエハの外周端縁から脱落する可能性がある。一方、粘着剤層の厚さが厚いと、粘着テープ１を剥離除去しにくくなる。
　粘着剤層３は、セパレータ４に塗工して基材２に転写する転写塗工、または基材２に粘着剤を直接塗工することによって形成できる。ウエハに接する粘着剤層３表面の平滑性を考慮すると転写塗工がより好ましい。また、粘着剤層３は、粘着剤からなる層の表裏がそれぞれセパレータでラミネートされた状態で入手できるものを利用することもできる。この場合には、表面または裏面の一方のセパレータを除去して粘着剤を露出し、この露出面を基材２に貼り付けることにより、粘着剤層３がセパレータ４で保護された粘着テープ１を得ることができる。
（３）セパレータ
　セパレータ４は、粘着剤層３上には剥離可能に積層される。セパレータ４は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂フィルム、紙などを用いることができる。転写塗工時の耐熱性と異物抑止性の観点から、ポリエチレンテレフタレートが望ましい。
　セパレータ４の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じて、シリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理などの剥離処理が施されていてもよい。粘着剤層に安定した剥離性を付与する観点から、シリコーン処理が好ましい。セパレータの厚みは、１０～７５μｍが好ましく、２５～５０μｍがより好ましい。
（４）引っ張り力
　粘着テープ１の引っ張り力は、室温にて３００ｍｍ／分で引っ張り試験を行ったときの５％延伸に要する力が５～１０Ｎ／１０ｍｍに設定される。引っ張り力を上記数値範囲に設定することにより、粘着テープ１が小さい力でもよく伸びるようになる。このため、半導体ウエハを割ることなく、かつ隙間が発生しないように十分に引き伸ばして、ウエハの外周端縁に巻装できる。
　さらに、粘着テープ１は、歪み量の変化に対する応力の変化が少なく、引き伸ばした状態での応力分布が均一となることが好ましい。引き伸ばした状態での応力分布が均一であると、粘着テープ１の巻装後、引き伸ばされた粘着テープ１を被着体の外周端縁から所定幅の外周領域に貼着する際にテープにシワが発生するのを抑制できる。
　粘着テープ１の引っ張り力は、基材２の材料および厚さを適宜選択および変更することによって上記数値範囲内に設定できる。例えばポリエチレンテレフタレートなどの剛直で弾性が高い材料を基材２に用いる場合、厚さを薄くすることで引っ張り力を小さくできる。一方、アイオノマ樹脂などの軟質で弾性が低い材料を基材２に用いる場合、厚さを厚くすることで引っ張り力を大きくできる。
（５）幅
　粘着テープ１の幅は、被着体を直径６～１２インチの汎用の半導体ウエハとする場合、１～３ｍｍが好ましい。粘着テープ１の幅が小さいと、半導体ウエハの外周端縁からテープがはずれやすくなる。粘着テープ１の幅が大きいと、半導体ウエハの外周端縁にテープを隙間無く貼り付けることが困難になる。
２．半導体加工方法
　本発明に係る半導体ウエハ加工方法は、上述の粘着テープ１を半導体ウエハの外周端縁に巻装し、前記端縁から所定幅の外周領域に貼着する工程を含む。図２に、本発明に係る半導体ウエハ加工方法の上記工程を示す。（Ａ）は断面模式図であり、（Ｂ）は上面模式図である。
　まず、粘着テープ１の一端を半導体ウエハ５の外周端縁５１の所定位置に貼りつけ、粘着テープ１を半導体ウエハ５の上面および下面に折り込みながら外周に沿って一周以上にわたって巻き付ける。次に、巻き始め部分と巻き終わり部分の重なりを裁断し、巻き始めと巻き終わりのテープ端同士が付き合うように加工する。
　巻き始めと巻き終わりのテープ端間に隙間が生じる場合にも、該隙間は０．５ｍｍ以下となるようにすることが望ましく、０．１ｍｍ以下にすることがさらに望ましい。
　この際、粘着テープ１が小さい力でもよく伸びるため、十分に引き伸ばした状態で半導体ウエハ５の外周端縁に巻装できる。なお、粘着テープ１は一本の連続したテープとして外周端縁５１に巻装されることが好ましいが、断片化された数本のテープを外周端縁５１に貼り合わせて繋いで巻装してもよい。
　粘着テープ１は外周端縁５１から所定幅ｗの外周領域（貼り付け領域）に貼着される。幅ｗは、半導体ウエハ５の直径６～１２インチである場合、１～３ｍｍとなることが好ましい。
　粘着テープ１の貼り付け領域は外周側ほど径が大きく、半導体ウエハ５の中心方向に従って径が小さくなっている。粘着テープ１は十分に引き伸ばした状態で半導体ウエハ５の上面および下面に折り込まれながらウエハ外周領域に貼着されるため、貼り付け領域のうち外周側では貼り付けられた粘着テープ１が引き伸ばされた状態を維持し、貼り付け領域のうち内周側では貼り付けられた粘着テープ１が弾性回復により適度に縮む。
　このため、本発明に係る粘着テープでは、粘着テープ１では、隙間やシワを生じることなく半導体ウエハ５の外周領域に貼り付けることが可能である。
　次いで、粘着テープ１を貼着し外周端縁を保護した半導体ウエハ５の主表面５２にフォトレジストの塗工、パターン形成、プラズマエッチングなどの回路形成を目的とした各種加工を行う。
　この際、外周端縁が粘着テープ１で被覆され保護されていることで、外周端縁部分が予期せず加工されるのを防止できる。例えばプラズマエッチングの工程において半導体ウエハ５の外周端縁部分の酸化膜が除去されシリコンが露出するのを防ぎ、シリコンの脱落による異物の発生や異物による工程歩留まりの低下を防止できる。
　最後に、加工終了後に、半導体ウエハ５から粘着テープ１を剥離除去する。粘着テープ４を除去する方法は、特に制限されず、周知の方法を適宜用いることができる。
＜実施例１＞
　アクリル酸エステル共重合体ベースポリマーと、ポリイソシアネート硬化剤（コロネートＬ、日本ポリウレタン工業株式会社）をトルエン・酢酸エチルに溶解し、粘着剤を調製した。アクリル酸エステル共重合体には、アクリル酸２エチルヘキシル、アクリル酸メチル、アクリル酸およびアクリル酸２ヒドロキシエチルを成分とするものを用いた。
　調製した粘着剤を、厚み３８μｍのセパレータ（Ｅ－７００２、東洋紡績）に塗工し、厚み８０μｍのプロピレン系共重合体フィルム（サンアロマー、Ｘ５００Ｆ）にラミネートして、厚み３０μｍの粘着剤層を有する粘着テープを得た。
　得られた粘着テープについて、ＪＩＳ　Ｚ－１７０２に準じて引っ張り力を測定した。自動引っ張り試験機を用いて、ダンベル形状のテープサンプル（標線間長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ）を引っ張り速度３００ｍｍ／分で引っ張り、引っ張り前に対して５％延伸するのに要する力を測定した。テープサンプルは、セパレータを剥離した状態で測定に供した。なお、得られた粘着テープのシリコン酸化膜に対する粘着力は４．５Ｎ／１０ｍｍであった。
　３ｍｍ幅に裁断した粘着テープを１．２N／１０ｍｍの引っ張り力で引き伸ばしながら酸化膜を形成したウエハ（６インチ）の外周領域に貼り付けた。貼り付け後、粘着テープのしわの有無、耐熱性、剥離時の破断の有無を評価した。しわの有無は目視により確認した。耐熱性は、粘着テープを貼り付けたウエハを１００℃で５分間加熱し、熱によるテープの収縮変形が生じるか否かを指標として評価した。また、粘着テープをウエハから手で剥離したときのテープの破断の有無を確認した。
＜実施例２＞
　基材を厚み６０μｍのＬＤＰＥ系フィルム（トレテック７７２１、東レフィルム加工株式会社）を用いたこと以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造し、評価を行った。
＜実施例３＞
　基材を厚み２００μｍのエチレン系アイオノマーフィルム（ハイミラン１８５５、三井デュポンポリケミカル株式会社）を用いたこと以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造し、評価を行った。
＜比較例１＞
　基材を厚み８０μｍのエチレン系アイオノマーフィルム（ハイミラン１８５５、三井デュポンポリケミカル株式会社）を用いたこと以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造し、評価を行った。
＜比較例２＞
　基材を厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｅ－５１０７、東洋紡績株式会社）を用いたこと以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造し、評価を行った。
　上記実施例１ないし３比較例１及び２に係る粘着テープについての評価結果を「表１」に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表に示されるように、実施例１～３の粘着テープでは、しわを生じることなく貼り付けを行うことができ、かつ破断を生じることなく剥離できた。また、耐熱性も良好であった。一方、比較例１，２の粘着テープでは、剥離時の破断や貼り付け時のしわが生じ、耐熱性も不十分であった。
　本発明に係る粘着シートは、半導体ウエハの外周領域に隙間やシワを生じることなく貼り付けることが可能である。このため、本発明に係る粘着シートは、半導体ウエハの加工工程においてウエハの外周端縁を保護して、外周端縁部分が予期せず加工されるのを防止するために好適に用いられる。
１：粘着テープ
２：基材
３：粘着剤層
４：セパレータ
５：半導体ウエハ
５１：半導体ウエハの外周端縁
５２：半導体ウエハの主表面

Claims (7)

  1. 　基材と、該基材の片面に積層された粘着剤層とからなり、
    円板状の被着体の外周端縁に巻装されて、前記端縁から所定幅の外周領域に貼着される粘着テープであって、５％延伸に要する引っ張り力が５～１０Ｎ／１０ｍｍである粘着テープ。
  2. 　前記基材が、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）を含んでなる請求項１記載の粘着テープ。
  3. 　前記被着体の直径が６～１２インチであり、前記幅が１～３ｍｍである請求項１又は２記載の粘着テープ。
  4. 　前記被着体が、半導体ウエハである請求項３記載の粘着テープ。
  5. 　基材と、該基材の片面に積層された粘着剤層とからなり、５％延伸に要する引っ張り力が５～１０Ｎ／１０ｍｍである粘着テープを半導体ウエハの外周端縁に巻装し、前記端縁から所定幅の外周領域に貼着する工程を含む半導体ウエハ加工方法。
  6. 　前記基材が、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）を含んでなる請求項５記載の粘着テープ。
  7. 　前記半導体ウエハの直径が６～１２インチであり、前記幅が１～３ｍｍである請求項５または６記載の粘着テープ。
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