TWI641541B - 間隔件 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供一種間隔件。 該間隔件之特徵在於，其係於將半導體晶圓上下積層而收納之半導體晶圓搬送容器中，以避免所積層之半導體晶圓彼此接觸，而且避免該半導體晶圓與半導體晶圓搬送容器之內側頂面或內側底面接觸之方式，介置於上下相鄰之二個半導體晶圓之間，而且介置於半導體晶圓與該容器之內側頂面或內側底面之間；且 該間隔件包含平坦之圓環體，且遍及其外周緣部而形成有具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面之環狀凸部，且，該環狀凸部係於其適當數量之部位形成缺口部，且與該缺口部鄰接設置有較間隔件基準面更朝斜上方或更朝斜下方延伸之緩衝功能片。

Description

間隔件
本發明係關於一種間隔件，其係於在半導體晶圓搬送容器中將半導體晶圓上下積層收納而搬送時，即使不使用緩衝材料等亦可避免由搬送中之振動、衝擊等引起之半導體晶圓之損傷。
於半導體晶圓之搬送一般使用堆疊式(橫置)搬送容器與縱置容器之2種。 於迄今為止之搬送形態之堆疊式(橫置)搬送容器中，於容器內之最上段與最下段設置緩衝材料等，使半導體晶圓與層間紙(合成樹脂製片材或無塵紙等)交替介置於該緩衝物間，而抑制由輸送中之振動、衝擊等引起之半導體晶圓之損傷(例如，參照專利文獻1)。 但，若如上述使用緩衝材料等，則擔心產生來自該緩衝材料等之灰塵或外部氣體等。 又，於以上述搬送容器搬送影像感測器表面之蓋玻片或具有3DS-IC構造之晶圓之情形時，該等晶圓因於其表面形成有微凸塊(微小之金屬突起)或露出TSV端子而具有非常纖細之構造，故亦存在因上述晶圓之表面與層間紙等之接觸而造成晶圓污染或損傷之風險之問題。 提出有可避免由上述晶圓之表面與層間紙等之接觸造成之晶圓之污染、損傷等風險之非接觸式之間隔件(例如，參照專利文獻2)。又，於縱置容器中，半導體晶圓之電路形成面可確保非接觸狀態，但於背面研磨後之薄晶圓之狀態下，於關閉容器蓋時，產生施加至半導體晶圓之負荷，同時因容器之振動等而產生半導體晶圓破損之危險性增加之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平09-129719號公報 [專利文獻2]中國實用新案公告第201023813號說明書
[發明所欲解決之問題] 雖專利文獻2所記載之間隔件可避免由晶圓之表面與層間紙等之接觸造成之晶圓之污染、損傷等風險，但為抑制由輸送中之振動、衝擊等引起之半導體晶圓之損傷，依然需要於容器內之最上段與最下段設置緩衝材料等，因此，產生來自該緩衝材料等之灰塵或外部氣體等之問題依然無法解決。 本發明之課題在於提供一種間隔件，其可解決上述問題，即於在半導體晶圓搬送容器中將半導體晶圓上下積層收納而搬送時，即使不使用緩衝材料等亦可避免由搬送中之振動、衝擊等引起之半導體晶圓之損傷。 [解決問題之技術手段] 本發明人等為解決上述課題而進行深入研究之結果，發現於在半導體晶圓搬送容器中將半導體晶圓上下積層收納而搬送時，若將間隔件設置於半導體晶圓間及被積層收納之半導體晶圓之上下，則即使不使用緩衝材料等亦可避免由搬送中之振動、衝擊等引起之半導體晶圓之損傷，且該間隔件包含平坦之圓環體，遍及其外周緣部，形成有具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面之環狀凸部，且，於該環狀凸部之適當數量之部位形成缺口部，且鄰接於該缺口部而設置有較間隔件基準面更朝斜上方或更朝斜下方延伸之緩衝功能片，而完成本發明。 因此，本發明係關於下述： [1]一種間隔件，其特徵在於，其係於將半導體晶圓上下積層而收納之半導體晶圓搬送容器中，以避免所積層之半導體晶圓彼此接觸，而且避免該半導體晶圓與半導體晶圓搬送容器之內側頂面或內側底面接觸之方式，介置於上下相鄰之二個半導體晶圓之間，而且介置於半導體晶圓與該容器之內側頂面或內側底面之間；且 該間隔件包含平坦之圓環體，且遍及其外周緣部而形成有具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面之環狀凸部，且，該環狀凸部係於其適當數量之部位形成缺口部，且與該缺口部鄰接設置有較間隔件基準面更朝斜上方或更朝斜下方延伸之緩衝功能片。 [2]如上述[1]之間隔件，其中包含上述環狀凸部之部分具有大致T字形或大致L字形之剖面部。 [3]一種半導體晶圓之收納容器，其包含半導體晶圓搬送容器之本體、與如上述[1]或[2]之間隔件。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種間隔件，其係於在半導體晶圓搬送容器中將半導體晶圓上下積層收納而搬送時，即使不使用緩衝材料等亦可避免由搬送中之振動、衝擊等引起之半導體晶圓之損傷。 又，本發明之間隔件之平坦之圓環體之面可成為吸附墊之吸附面，藉此，可發揮容易藉由自動化移載裝置進行間隔件之收納、取出之效果。 又，形成於本發明之間隔件之缺口部亦可作為對形成於半導體晶圓間之空間之通氣口而發揮功能，藉此，可發揮避免因形成於半導體晶圓間之空間密閉貼附而導致較難使用自動化移載裝置僅取出間隔件或僅取出半導體晶圓之情形之效果。 又，包含環狀凸部之部分具有大致T字形之剖面部之本發明之間隔件，即使於搬送兩面形成有電路之半導體晶圓之情形時亦可確保電路之非接觸狀態，藉此，發揮可避免半導體晶圓之污染或損傷等之優良效果。
本發明係關於一種間隔件，其特徵在於：於將半導體晶圓上下積層而收納之半導體晶圓搬送容器中，介置於上下相鄰之二個半導體晶圓之間，而且介置於半導體晶圓與該容器之內側頂面或內側底面之間，以避免所積層之半導體晶圓彼此接觸，而且避免該半導體晶圓與半導體晶圓搬送容器之內側頂面或內側底面接觸；且 該間隔件包含平坦之圓環體，且遍及其外周緣部，形成有具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面之環狀凸部，且，該環狀凸部係於其適當數量之部位形成缺口部，且鄰接於該缺口部而設置有較間隔件基準面更朝斜上方或更朝斜下方延伸之緩衝功能片。 本發明之間隔件可藉由以射出成形、真空成形、壓空成形等形成合成樹脂而製造。 作為上述合成樹脂，可舉出聚丙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、ABS系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚縮醛系樹脂、聚苯醚系樹脂、聚醚腈系樹脂、聚苯硫醚系樹脂、聚鄰苯二甲醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚醚醯亞胺系樹脂、液晶聚合物系樹脂及聚醚醚酮系樹脂等，較佳為聚丙烯系樹脂及聚碳酸酯系樹脂等。 又，亦可藉由使上述合成樹脂中含有導電性填料，或對成形後之間隔件表面實施導電處理，而將該間隔件之表面電阻值設為101 至1012 Ω。 作為上述導電性填料，可舉出碳黑、石墨碳、石墨、碳纖維、金屬粉末、金屬纖維、金屬氧化物之粉末、金屬塗佈之無機質微粉末、有機質微粉末及纖維等。 作為上述導電處理，可舉出於成形後之間隔件表面直接重合導電性聚合物而形成導電性之膜，或於間隔件表面塗佈包含導電性聚合物與黏合劑樹脂之塗料等。 較佳為由表面電阻值為101 至1012 Ω之合成樹脂形成之間隔件。 本發明之間隔件包含平坦之圓環體，且遍及其外周緣部，形成有具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面之環狀凸部。 包含上述環狀凸部之部分可具有大致T字形或大致L字形之剖面部。 此處，所謂具有大致T字形之剖面部係指具有晶圓支持面之環狀凸部形成於間隔件之上下兩面，作為結果，剖面形狀成為大致T字形，所謂具有大致L字形之剖面部係指具有晶圓支持面之環狀凸部僅形成於間隔件之上表面，作為結果，剖面形狀成為大致L字形。 於兩面形成有電路之半導體晶圓之搬送中，由於可維持兩面之電路之非接觸狀態，故較佳為使用具有大致T字形之剖面部之間隔件。 此處，具有大致T字形或大致L字形之剖面部之本發明之間隔件之直徑實質上與半導體晶圓之直徑相同，因此，設置於本發明之間隔件之外周緣部之環狀凸部之晶圓支持面僅與半導體晶圓之周緣部接觸。 又，本發明之間隔件亦可包含具有與上述大致T字形或大致L字形不同之剖面部之態樣。 例如，作為間隔件，若採用具有較半導體晶圓之直徑略大之直徑者，則該間隔件之具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面之環狀凸部形成於較該間隔件之外周緣部略靠內側，作為結果，環狀凸部形成於間隔件之上下兩面之情形時，該間隔件之剖面形狀為大致十字形，環狀凸部僅形成於間隔件之上表面之情形時，該間隔件之剖面形狀為大致⊥型，但此種態樣亦包含於本發明之間隔件。 於上述情形時，間隔件之直徑具體而言可舉出較半導體晶圓之直徑小1至5 mm之範圍者。 於本發明之間隔件中較佳為，包含上述環狀凸部之部分為大致T字形或大致L字形之剖面部之間隔件。 又，環狀凸部係於其適當數量之部位形成缺口部，且鄰接於該缺口部而設置較間隔件基準面更朝斜上方或更朝斜下方延伸之緩衝功能片，此處，所謂間隔件基準面係指平坦之圓環體所成之面，具體而言，於將平坦之圓環體沿水平方向切成兩個等圓時所形成之面。 雖缺口部之形狀及緩衝功能片之形狀並未特別限定，但緩衝功能片係以其之較間隔件基準面更朝斜上方或更朝斜下方延伸之前端超過環狀凸部之高度、即自形成於環狀凸部之晶圓支持面超出之方式設定，且，缺口部係為維持緩衝功能片之前端超過環狀凸部之高度之形狀而去除無用之部分而形成。 緩衝功能片係如上述般，其前端超過環狀凸部之高度、即自形成於環狀凸部之晶圓支持面超出，藉此於收納半導體晶圓時，首先接觸該半導體晶圓之外周緣部，然後，因半導體晶圓之重量而彈性變形，而成為與晶圓支持面大致相同之高度，但當振動、衝擊等施加向上之力因而半導體晶圓上浮時，藉由其復原力而維持與半導體晶圓之接觸，當施加向下之力因而半導體晶圓下沉時，進行彈性變形而吸收衝擊，藉此展現緩衝功能。 緩衝功能片之形狀若為可如上述般展現緩衝功能者，則並未特別限定，具體而言，可舉出例如板狀、棒狀之形狀。 又，緩衝功能片之前端較佳為超過環狀凸部之高度0.2 mm至1.0 mm之範圍，即自形成於環狀凸部之晶圓支持面超出0.2 mm至1.0 mm。 另，間隔件中之具有大致T字形或大致十字形之剖面形狀，即具有晶圓支持面之環狀凸部形成於間隔件之上下兩面之間隔件中，較佳為較間隔件基準面更朝斜上方延伸之緩衝功能片之前端超過形成於間隔件之上表面之環狀凸部之高度0.2 mm至1.0 mm之範圍，較間隔件基準面更朝斜下方延伸之緩衝功能片之前端超過形成於間隔件之下表面之環狀凸部之高度0.2 mm至1.0 mm之範圍。 另一方面，間隔件中之具有大致L字形或大致⊥型之剖面形狀，即具有晶圓支持面之環狀凸部僅形成於間隔件之上表面之間隔件中，較佳為較間隔件基準面更朝斜上方延伸之緩衝功能片之前端超過形成於間隔件之上表面之環狀凸部之高度0.2 mm至1.0 mm之範圍，較間隔件基準面更朝斜下方延伸之緩衝功能片之前端自間隔件之平坦之圓環體之下表面朝下方超出0.2 mm至1.0 mm之範圍。 設置於環狀凸部之緩衝功能片之形成部位為4個部位以上，較佳為6至12個部位，更佳為6至10個部位。 另，緩衝功能片可於上述形成部位設置1個，但亦可設置2個以上。 上述緩衝功能片之形成部位較佳為於環狀凸部等間隔地形成，又，較佳為較間隔件基準面更朝斜上方延伸之緩衝功能片與更朝斜下方延伸之緩衝功能片以交替排列之方式配置。 另，因缺口部係鄰接於緩衝功能片而形成者，故其形成部位之數量係與緩衝功能片之形成部位之數量相同。 使用圖式說明本發明之間隔件之實施態樣。 圖1係顯示本發明之間隔件之1態樣即態樣1之圖。 態樣1係如俯視圖(A)及切割部位a-a之剖面形狀(B)所示，包含平坦之圓環體2，且遍及其外周緣部3，於間隔件之上下兩面形成具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面7之環狀凸部6，將剖面形狀設為大致T字形，且，該環狀凸部6係以等間隔於8個部位形成L字形之缺口部4，且鄰接於該缺口部而設置有較間隔件基準面9更朝斜上方或斜下方延伸之棒狀之緩衝功能片5。 如側視圖(C)及側視圖之1部分(緩衝功能片)之放大圖即(D1)至(D3)所示，態樣1係較間隔件基準面9更朝斜上方延伸之緩衝功能片與更朝斜下方延伸之緩衝功能片以交替排列之方式配置。 形成於間隔件之上表面之環狀凸部6之晶圓支持面7與形成於間隔件之下表面之環狀凸部6之晶圓支持面7之間之垂直距離b為1.5 mm至3.5 mm之範圍，較佳為2.0 mm至3.0 mm之範圍。 環狀凸部之高度c及d相等，為0.2 mm至1 mm之範圍，較佳為0.3 mm至0.9 mm之範圍。 晶圓支持面7之寬度e為1 mm至3 mm之範圍，較佳為1.5 mm至2.5 mm之範圍。 平坦之圓環體2之寬度f為7 mm至11 mm之範圍，較佳為8 mm至10 mm之範圍。 平坦之圓環體2之厚度g較外周緣部之厚度薄，為0.8 mm至2 mm之範圍，較佳為1 mm至1.5 mm之範圍。 於圖2示出自斜上方觀察圖1之(D2)所示之部分之圖。 此處，形成有L字形之缺口部4，且鄰接於該缺口部而設置有較間隔件基準面9更朝斜上方延伸之棒狀之緩衝功能片5。棒狀之緩衝功能片5之長度為5 mm至15 mm之範圍，較佳為7 mm至13 mm之範圍。 另，棒狀之緩衝功能片5之寬度i係與晶圓支持面7之寬度e相等，棒狀之緩衝功能片5之高度j係與上下之晶圓支持面7間之垂直距離b相等。 緩衝功能片5之前端超過環狀凸部之高度之距離h為0.2 mm至1.0 mm之範圍，較佳為0.2 mm至0.5 mm之範圍。 又，缺口部4所形成之L字形之寬度(相當於L字之字符粗細)為0.7 mm至1.3 mm之範圍，較佳為0.8至1.2 mm之範圍。 於圖3示出本發明之間隔件之另一態樣即態樣10。 態樣10係如俯視圖(A)及切割部位a'-a'之剖面形狀(B)所示，包含平坦之圓環體2，且遍及其外周緣部3，僅於間隔件之上表面形成具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面7之環狀凸部6，將剖面形狀設為大致L字形，且，該環狀凸部6係以等間隔於8個部位形成L字形之缺口部4，且鄰接於該缺口部而設置有較間隔件基準面9更朝斜上方或斜下方延伸之棒狀之緩衝功能片5。 如側視圖(C)及側視圖之1部分(緩衝功能片)之放大圖即(D1)至(D3)所示，態樣10係較間隔件基準面9更朝斜上方延伸之緩衝功能片與更朝斜下方延伸之緩衝功能片以交替排列之方式配置。 形成於間隔件之上表面之環狀凸部6之晶圓支持面7與間隔件之平坦之圓環體2之下表面之間之垂直距離b為1.0 mm至3.0 mm之範圍，較佳為1.5 mm至2.5 mm之範圍。 環狀凸部之高度c為0.2 mm至1 mm之範圍，較佳為0.3 mm至0. 9mm之範圍。 晶圓支持面7之寬度e為1 mm至3 mm之範圍，較佳為1.5 mm至2.5 mm之範圍。 平坦之圓環體2之寬度f為7 mm至11 mm之範圍，較佳為8 mm至10 mm之範圍。 平坦之圓環體2之厚度g較外周緣部之厚度薄，為0.8 mm至2 mm之範圍，較佳為1 mm至1.5 mm之範圍。 棒狀之緩衝功能片5之長度為5 mm至15 mm之範圍，較佳為7 mm至13 mm之範圍。 另，棒狀之緩衝功能片5之寬度係與晶圓支持面7之寬度e相等，棒狀之緩衝功能片5之高度等於晶圓支持面7與間隔件之平坦之圓環體2之下表面之間之垂直距離b。 緩衝功能片5之前端超過環狀凸部之高度之距離為0.2 mm至1.0 mm之範圍，較佳為0.2 mm至0.5 mm之範圍。 再者，缺口部4所形成之L字形之寬度(相當於L字之字符粗細)為0.7 mm至1.3 mm之範圍，較佳為0.8至1.2 mm之範圍。 於圖4示出本發明之間隔件之另一態樣即態樣11。 態樣11係如局部俯視圖(A)及切割部位a''-a''之剖面形狀(C)所示，包含平坦之圓環體2，且遍及其外周緣部3，於間隔件之上下兩面形成具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面7之環狀凸部6，將剖面形狀設為大致T字形，且，該環狀凸部6係以等間隔於8個部位形成T字形之缺口部4，且鄰接於該缺口部而設置有較間隔件基準面9更朝斜上方或斜下方延伸之棒狀之緩衝功能片5。 如緩衝功能片之形成部位之放大圖即(B1)及(B2)所示，態樣11係於緩衝功能片之形成部位之每1個部位形成2個棒狀之緩衝功能片5，該2個棒狀之緩衝功能片5係如(B1)所示，兩者均較間隔件基準面9更朝斜上方延伸，或如(B2)所示，兩者均更朝斜下方延伸，且，(B1)之構成與(B2)之構成係以交替排列之方式配置。 形成於間隔件之上表面之環狀凸部6之晶圓支持面7與形成於間隔件之下表面之環狀凸部6之晶圓支持面7之間之垂直距離b、環狀凸部之高度c及d、晶圓支持面7之寬度e、平坦之圓環體2之寬度f、平坦之圓環體2之厚度g之範圍及較佳之範圍係與態樣1相同。 態樣11係形成有T字形之缺口部4，且鄰接於該缺口部而設置有較間隔件基準面9更朝斜上方延伸之2個棒狀之緩衝功能片5，或設置有較間隔件基準面9更朝斜下方延伸之2個棒狀之緩衝功能片5。棒狀之緩衝功能片5之長度為5 mm至15 mm之範圍，較佳為7 mm至13 mm之範圍。 另，棒狀之緩衝功能片5之寬度係與晶圓支持面7之寬度e相等，棒狀之緩衝功能片5之高度係與上下之晶圓支持面7間之垂直距離b相等。 緩衝功能片5之前端超過環狀凸部之高度之距離為0.2 mm至1.0 mm之範圍，較佳為0.2 mm至0.5 mm之範圍。 又，缺口部4所形成之T字形之寬度(相當於T字之字符粗細)為0.7 mm至1.3 mm之範圍，較佳為0.8至1.2 mm之範圍。 於圖5示出本發明之間隔件之另一態樣即態樣12。 態樣12係如局部俯視圖(A)及切割部位a'''-a'''之剖面形狀(C)所示，包含平坦之圓環體2，且遍及其外周緣部3，於間隔件之上下兩面形成具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面7之環狀凸部6，將剖面形狀設為大致T字形，且，該環狀凸部6係以等間隔於8個部位形成T字形之缺口部4，且鄰接於該缺口部而設置有較間隔件基準面9更朝斜上方或斜下方延伸之棒狀之緩衝功能片5。 如緩衝功能片之形成部位之放大圖即(B1)及(B2)所示，態樣12係於緩衝功能片之形成部位之每1個部位形成2個棒狀之緩衝功能片5，該2個棒狀之緩衝功能片5係如(B1)所示，一者較間隔件基準面9更朝斜下方延伸且另一者朝斜上方延伸，或如(B2)所示，與(B1)相反，一者較間隔件基準面9更朝斜上方延伸且另一者朝斜下方延伸，且，(B1)之構成與(B2)之構成係以交替排列之方式配置。 形成於間隔件之上表面之環狀凸部6之晶圓支持面7與形成於間隔件之下表面之環狀凸部6之晶圓支持面7之間之垂直距離b、環狀凸部之高度c及d、晶圓支持面7之寬度e、平坦之圓環體2之寬度f、平坦之圓環體2之厚度g之範圍及較佳之範圍係與態樣1相同。 態樣12係形成T字形之缺口部4，且與該缺口部鄰接而設置一者較間隔件基準面9更朝斜下方延伸且另一者更朝斜上方延伸之2個棒狀之緩衝功能片5，或與此相反，設置一者較間隔件基準面9更朝斜上方延伸且另一者更朝斜下方延伸之2個棒狀之緩衝功能片5。棒狀之緩衝功能片5之長度為0.5 mm至1.5 mm之範圍，較佳為0.7 mm至1.3 mm之範圍。 另，棒狀之緩衝功能片5之寬度係與晶圓支持面7之寬度e相等，棒狀之緩衝功能片5之高度係與上下之晶圓支持面7間之垂直距離b相等。 緩衝功能片5之前端超過環狀凸部之高度之距離為0.2 mm至1.0 mm之範圍，較佳為0.2 mm至0.5 mm之範圍。 又，缺口部4所形成之T字形之寬度(相當於T字之字粗細)為0.7 mm至1.3 mm之範圍，較佳為0.8至1.2 mm之範圍。 於圖6示出本發明之間隔件之另一態樣即態樣13。 態樣13係如局部俯視圖(A)及切割部位a''''-a''''之剖面形狀(C)所示，包含平坦之圓環體2，且遍及其外周緣部3，於間隔件之上下兩面形成具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面7之環狀凸部6，將剖面形狀設為大致T字形，且，該環狀凸部6係於8個部位以等間隔形成2個直線狀之缺口部4，且與該缺口部鄰接而設置有較間隔件基準面9更朝斜上方或斜下方延伸之板狀之緩衝功能片5。 如緩衝功能片之形成部位之放大圖即(B1)及(B2)所示，態樣13係(B1)所示之較間隔件基準面9更朝斜上方延伸之板狀之緩衝功能片與(B2)所示之朝斜下方延伸之板狀之緩衝功能片以交替排列之方式配置。 形成於間隔件之上表面之環狀凸部6之晶圓支持面7與形成於間隔件之下表面之環狀凸部6之晶圓支持面7之間之垂直距離b、環狀凸部之高度c及d、晶圓支持面7之寬度e、平坦之圓環體2之寬度f、平坦之圓環體2之厚度g之範圍及較佳之範圍係與態樣1相同。 態樣13係形成有2個直線狀之缺口部4，且鄰接於該缺口部而設置較間隔件基準面9更朝斜上方延伸或更朝斜下方延伸之板狀之緩衝功能片5。板狀之緩衝功能片5之寬度為5 mm至15 mm之範圍，較佳為7 mm至13 mm之範圍，板狀之緩衝功能片5之長度為2 mm至10 mm之範圍，較佳為3 mm至8 mm之範圍。 另，板狀之緩衝功能片5之厚度係與平坦之圓環體2之厚度g相等。 緩衝功能片5之前端超過環狀凸部之高度之距離為0.2 mm至1.0 mm之範圍，較佳為0.2 mm至0.5 mm之範圍。 又，2個直線狀之缺口部4之長度係與板狀之緩衝功能片5之長度相等，其寬度(相當於直線之粗細)為0.7 mm至1.3 mm之範圍，較佳為0.8至1.2 mm之範圍。 於圖7示出將本發明之間隔件之1態樣即態樣1之間隔件與半導體晶圓8交替積層時之緩衝功能之概念圖。 態樣1之緩衝功能片5係因其前端超過環狀凸部之高度，即自形成於環狀凸部之晶圓支持面超出，故於收納半導體晶圓8時，如(D)所示，緩衝功能片5之前端首先接觸半導體晶圓8之外周緣部，然後，如(E)所示，因半導體晶圓8之重量而彈性變形，而處於與晶圓支持面大致相同之高度，但因振動、衝擊等施加向上之力而使半導體晶圓8上浮時，藉由其復原力成為(D)之狀態而維持與半導體晶圓8之接觸，且，施加向下之力而使半導體晶圓8下沉時，進行彈性變形吸收衝擊而成為(E)之狀態，藉此而顯示緩衝功能。 本發明亦關於一種包含半導體晶圓搬送容器之本體、與上述間隔件之半導體晶圓之收納容器。 於圖8示出本發明之半導體晶圓之收納容器之1態樣。 如圖8所示，本發明之半導體晶圓之收納容器係例如於半導體晶圓搬送容器(蓋)14及半導體晶圓搬送容器(本體)15之間，將半導體晶圓8與介置於該半導體晶圓8之間之間隔件16共同上下積層。 上述間隔件16具體而言，可為上述態樣1、態樣10、態樣11、態樣12及態樣13之間隔件。 [實施例] 接著，藉由實施例而更詳細地說明本發明，但本發明並非限定於實施例。 實施例1 使用聚碳酸酯樹脂(帝人(股份)製PANLITE L-1225L)，藉由一體成形而製造具有圖1之態樣1所示之形狀且具有以下尺寸之間隔件。 直徑：300 mm(與半導體晶圓之直徑相同) 上下之晶圓支持面間之垂直距離b：2.43 mm 晶圓支持面之寬度e：2 mm 平坦之圓環體之寬度f：9 mm 平坦之圓環體之厚度g：1.23 mm 環狀凸部之高度c、d：0.6 mm 棒狀之緩衝功能片5之長度：10 mm 棒狀之緩衝功能片5之寬度i：2 mm 棒狀之緩衝功能片5之高度j：2.43 mm 緩衝功能片5之前端超過環狀凸部之高度之距離h：0.3 mm 缺口部4所形成之L字形之寬度(L字之粗細)：1.0 mm 另，實施例1之間隔件係如圖1所示，形成有L字形之缺口部4，且鄰接於該缺口部而設置棒狀之緩衝功能片5，該緩衝功能片5係較間隔件基準面9更朝斜上方延伸者與更朝斜下方延伸者以交替排列之方式等間隔地配置8個部位。 試驗例1：振動試驗 將直徑300 mm、厚度0.75 mm之半導體晶圓與於實施例1中製造之間隔件，依以下之條件1至3所記載之條件收納至容器內收納高度為86.5 mm之晶圓收納容器，耳聽使用振動試驗裝置(EMIC(股份)製之F-1000AM08M：加振方向為垂直、頻率為3 Hz、加速度為±1.2G)使該收納容器上下振動時之聲音而進行評價。 另，作為比較，除未形成緩衝功能片及缺口部以外，使用具有與實施例1之間隔件相同之尺寸之間隔件(比較例1)進行與上述相同之評價。 [條件1] 晶圓數量：8片，間隔件數量：33片(所使用之間隔件中之9片用作與晶圓之接觸用，剩餘24片用作間隙填補用) [條件2] 晶圓數量：21片，間隔件數量：28片(所使用之間隔件中之22片用作與晶圓之接觸用，剩餘6片用作間隙填補用) [條件3] 晶圓數量：25片，間隔件數量：27片(所使用之間隔件中之26片用作與晶圓之接觸用，剩餘1片用作間隙填補用) 將結果匯總於表1。另，評價基準係如以下所述。 ○：無異音。 ×：有異音。 [表1] ※另，於依條件1至條件3所記載之各條件下將實施例1之間隔件收納至收納容器內之情形時，於該容器內之所收納之最上段之間隔件與半導體晶圓搬送容器之內側頂面(半導體晶圓搬送容器之蓋之內側頂面)之間未產生間隙。 另一方面，於依條件1至條件3所記載之各條件下將比較例1之間隔件收納至收納容器內之情形時，於該容器內之所收納之最上段之間隔件與半導體晶圓搬送容器之內側頂面(半導體晶圓搬送容器之蓋之內側頂面)之間產生間隙。
1‧‧‧間隔件(態樣1)
2‧‧‧平坦之圓環體
3‧‧‧外周緣部
4‧‧‧缺口部
5‧‧‧緩衝功能片
6‧‧‧環狀凸部
7‧‧‧晶圓支持面
8‧‧‧半導體晶圓
9‧‧‧間隔件基準面
10‧‧‧間隔件(態樣10)
11‧‧‧間隔件(態樣11)
12‧‧‧間隔件(態樣12)
13‧‧‧間隔件(態樣13)
14‧‧‧半導體晶圓搬送容器(蓋)
15‧‧‧半導體晶圓搬送容器(本體)
16‧‧‧間隔件
b‧‧‧垂直距離
c‧‧‧高度
d‧‧‧高度
e‧‧‧寬度
f‧‧‧寬度
g‧‧‧厚度
h‧‧‧距離
i‧‧‧寬度
j‧‧‧高度
圖1係顯示本發明之間隔件之1態樣即態樣1之圖，(A)顯示俯視圖，(B)顯示剖面形狀(切割部位a-a)，(C)顯示側視圖，(D1)至(D3)顯示側視圖之1部分(緩衝功能片)之放大圖。 圖2係自斜上方觀察圖1之(D2)所示之部分之圖。 圖3係顯示本發明之間隔件之1態樣即態樣10之圖，(A)顯示俯視圖，(B)顯示剖面形狀(切割部位a'-a')，(C)顯示側視圖，(D1)至(D3)顯示側視圖之1部分(緩衝功能片)之放大圖。 圖4係顯示本發明之間隔件之1態樣即態樣11之圖，(A)顯示上表面之局部圖，(C)顯示剖面形狀(切割部位a''-a'')，(B1)及(B2)顯示側視圖之1部分(緩衝功能片)之放大圖。 圖5係顯示本發明之間隔件之1態樣即態樣12之圖，(A)顯示上表面之局部圖，(C)顯示剖面形狀(切割部位a'''-a''')，(B1)及(B2)顯示側視圖之1部分(緩衝功能片)之放大圖。 圖6係顯示本發明之間隔件之1態樣即態樣13之圖，(A)顯示上表面之局部圖，(C)顯示剖面形狀(切割部位a''''-a'''')，(B1)及(B2)顯示側視圖之1部分(緩衝功能片)之放大圖。 圖7(D)、(E)係說明將本發明之間隔件與半導體晶圓交替積層時之緩衝功能之概念圖。 圖8係將半導體晶圓與本發明之間隔件積層而收納至半導體晶圓搬送容器中時之概念圖。

Claims (3)

  1. 一種間隔件，其特徵在於，其係於將半導體晶圓上下積層而收納之半導體晶圓搬送容器中，以避免所積層之半導體晶圓彼此接觸，而且避免該半導體晶圓與半導體晶圓搬送容器之內側頂面或內側底面接觸之方式，介置於上下相鄰之二個半導體晶圓之間，而且介置於半導體晶圓與該容器之內側頂面或內側底面之間；且 該間隔件包含平坦之圓環體，且遍及其外周緣部而形成有具有與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓支持面之環狀凸部，且，該環狀凸部係於其適當數量之部位形成缺口部，且與該缺口部鄰接設置有較間隔件基準面更朝斜上方或更朝斜下方延伸之緩衝功能片。
  2. 如請求項1之間隔件，其中包含上述環狀凸部之部分具有大致T字形或大致L字形之剖面部。
  3. 一種半導體晶圓之收納容器，其包含半導體晶圓搬送容器之本體、及請求項1或2之間隔件。
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