TWI673837B - 半導體晶圓容器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體晶圓容器。 本發明之半導體晶圓容器係將2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而收納1個半導體晶圓者，且 前述外殼除其本體外並具有晶圓保持機構及外壁形成機構； 前述晶圓保持機構係用於將晶圓之上下表面以實質上非接觸地加以收容且固定保持者，且具有：自下側以線接觸與半導體晶圓之外周緣接觸且形成於外殼之上表面之傾斜面；自上側以面接觸與半導體晶圓之外周緣接觸且形成於外殼之下表面之晶圓接觸面；及形成於外殼之上下兩表面之各自中央部且可收容晶圓之上半部分或下半部分之淺底之空隙部； 前述外壁形成機構具有當2個外殼在上下方向重合而收納半導體晶圓時，以在所收容之半導體晶圓之外側形成封閉之外壁之方式形成於外殼之下表面之外周緣的垂下部。

Description

半導體晶圓容器
本發明係關於一種能夠將晶圓之上下表面以實質上非接觸地加以收容的藉由使2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而形成之半導體晶圓容器。
當對測試/封裝等之步驟輸送半導體晶圓時，一般而言使用將複數個晶圓疊積之堆疊式(橫向置放)搬送容器、及形成有複數個縱向地支持晶圓之周緣部之支持槽之縱向置放搬送容器。 惟，在半導體晶圓之開發及其導入時之製造中，為了與各種最終產品之規格及要求性能對應或為了進行小批量生產，而以使用僅收納一個該晶圓之個別容器(單個裝運器)之情形居多。 作為用於如以上之目的之晶圓之個別容器業界提出設置為無須區別底部與蓋部者(例如參照專利文獻1)。 專利文獻1所記載之個別容器係將一對外殼區分使用於底部及蓋部，在使該一對外殼之開口彼此對向之狀態下，將半導體晶圓夾於一對片材間而將其收納的容器。 在專利文獻1之說明書中敘述有：在外殼之板面，在內部設置形成晶圓之收納空間之內側立起部及在其周圍設置容器之外側立起部而形成衝擊吸收用之空間，而保護晶圓免受對容器施加之衝擊之害。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本再表2004/087535公報
[發明所欲解決之問題] 專利文獻1所記載之容器由於僅著眼於保護晶圓免受外部衝擊之害，故所收納之晶圓表面之保護不充分，具體而言，在該文獻所記載之容器所採用之以夾入層間紙而保護晶圓之構成中，無法對應圖像感測器表面之罩玻璃或具有3DS-IC構造之晶圓之表面保護。且由於該等晶圓表面因微凸塊之形成或TSV端子之露出等而具有非常纖細之構造，故在保管及搬送時為了防止污染或瑕疵附著而必須避免與構件之接觸。 由於與晶圓直接接觸之構件(層間紙或容器本身)擦刮晶圓，而因瑕疵或破裂等所致之破損、產生灰塵且因化學成分所致之對晶圓之污染被視為問題，故亦必須以非接觸狀態保持晶圓，而有必須使用在量產步驟中使用之可收納複數個晶圓之縱向置放容器的狀況。然而，在該縱向置放容器中，由於容器體積變大之關係，亦有保管空間及輸送成本之問題，且有在薄化晶圓中因其保持力而破損之問題。 本發明之課題在於提供一種可解決上述之問題之能夠將晶圓之上下表面以實質上非接觸地加以收容的藉由使2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而形成之半導體晶圓容器。 [解決問題之技術手段] 本發明人等為瞭解決上述之問題而深入研究之結果為發現：若在使2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而收納1個半導體晶圓之半導體晶圓容器中，在構成該容器之外殼之上表面形成自下側以線接觸與半導體晶圓之外周緣接觸之傾斜面，在外殼之下表面形成自上側以面接觸與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓接觸面，在外殼之上下兩表面之各自中央部形成可收容晶圓之上半部分或下半部分之淺底之空隙部，且在外殼之下表面之外周緣形成當2個外殼在上下方向重合而收納半導體晶圓時在所收容之半導體晶圓之外側形成封閉之外壁的垂下部，則該半導體晶圓容器在使2個外殼在上下方向重合而收納半導體晶圓時，能夠與上下表面以實質上非接觸地進行半導體晶圓收容，藉此，即便於在兩面形成有電路之半導體晶圓中仍能夠防止保管及搬送時之污染或瑕疵附著，且能夠防止汙物或塵埃之侵入/附著，而完成本發明。 因而，本發明係關於以下之內容。 ［1］一種半導體晶圓容器，其係將2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而收納1個半導體晶圓者，且 前述外殼除其本體外並具有晶圓保持機構及外壁形成機構； 前述晶圓保持機構係用於將晶圓之上下表面以實質上非接觸地加以收容且固定保持者，且具有：自下側以線接觸與半導體晶圓之外周緣接觸且形成於外殼之上表面之傾斜面；自上側以面接觸與半導體晶圓之外周緣接觸且形成於外殼之下表面之晶圓接觸面；及形成於外殼之上下兩表面之各自中央部且可收容晶圓之上半部分或下半部分之淺底之空隙部； 前述外壁形成機構具有當2個外殼在上下方向重合而收納半導體晶圓時，以在所收容之半導體晶圓之外側形成封閉之外壁之方式形成於外殼之下表面之外周緣的垂下部。 ［2］如前述［1］之半導體晶圓容器，其中前述外殼更具有定位機構，該定位機構係將可彼此卡合之突起部與突起部孔，以在外殼之表面上相對於通過外殼之中心之線為線對稱位置，且當2個外殼在上下方向重合時一外殼之突起部能夠與另一外殼之突起部孔卡合之配置而設置。 ［3］如前述［2］之半導體晶圓容器，其中前述半導體晶圓容器具有當2個外殼在上下方向重合且使其上方之外殼上下反轉並重合時、相對於收容於容器內之晶圓為面對稱之外形，且將前述突起部與前述突起部孔，以分別於外殼之上下表面側，且當該上方之外殼上下反轉並重合時一外殼之突起部能夠與另一外殼之突起部孔卡合之配置而設置。 ［4］如前述［1］至［3］中任一項之半導體晶圓容器，其中前述傾斜面在外殼之上表面以等間隔形成4處。 ［5］如前述［1］至［4］中任一項之半導體晶圓容器，其中前述晶圓接觸面之與半導體晶圓外周緣之接觸寬度為0.5 mm至1.5 mm之範圍。 [發明之效果] 根據本發明提供一種能夠將晶圓之上下表面以實質上非接觸地加以收容，藉此即便於在兩面形成有電路之半導體晶圓中仍能夠防止保管及搬送時之污染或瑕疵附著，且能夠防止汙物或塵埃之侵入/附著的藉由使2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而形成之半導體晶圓容器。 本發明之半導體晶圓容器由於在保管及搬送時能夠保護因微凸塊之形成或TSV端子之露出等而具有非常纖細之構造之半導體晶圓表面、例如圖像感測器表面之罩玻璃或具有3DS-IC構造之晶圓之表面，故可有利地使用。 又，本發明之半導體晶圓容器之較佳之態樣係具有作為定位機構之突起部與突起部孔，再者，將該突起部與突起部孔，以分別於外殼之上下表面側，且當該上方之外殼上下反轉並重合時一外殼之突起部能夠與另一外殼之突起部孔卡合之配置而設置。 上述之半導體晶圓容器具有以下特點，即：無需直接使晶圓自容器移動，僅將上方之外殼上下反轉並重合，一外殼之突起部與另一外殼之突起部孔卡合而能夠固定晶圓，藉此能夠觀察形成於晶圓之正反兩面之電路形成面。 其結果為，上述之半導體晶圓容器可經常確保非接觸狀態且藉由自動化設備對容器本身之處置而實施晶圓之正反兩面之檢查觀察。
本發明係關於一種半導體晶圓容器，其係將2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而收納1個半導體晶圓者，且 前述外殼除其本體外並具有晶圓保持機構及外壁形成機構； 前述晶圓保持機構係用於將晶圓之上下表面以實質上非接觸地加以收容且固定保持者，且具有：自下側以線接觸與半導體晶圓之外周緣接觸且形成於外殼之上表面之傾斜面；自上側以面接觸與半導體晶圓之外周緣接觸且形成於外殼之下表面之晶圓接觸面；及形成於外殼之上下兩表面之各自中央部且可收容晶圓之上半部分或下半部分之淺底之空隙部； 前述外壁形成機構具有當2個外殼在上下方向重合而收納半導體晶圓時，以在所收容之半導體晶圓之外側形成封閉之外壁之方式形成於外殼之下表面之外周緣的垂下部。 構成本發明之半導體晶圓容器之外殼可藉由以射出成形、真空成形、及壓空成形等將熱塑性樹脂一體成形而製造。 作為上述之熱塑性樹脂，可舉出聚丙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、ABS系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚縮醛系樹脂、聚苯醚系樹脂、聚醚腈系樹脂、聚苯硫醚系樹脂、聚鄰苯二甲醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚醚醯亞胺系樹脂、液晶聚合物系樹脂及聚醚醚酮系樹脂等，較佳為聚丙烯系樹脂及聚碳酸酯系樹脂等。 又，構成本發明之半導體晶圓容器之外殼較佳為由經實施靜電對策之導電性(防靜電性)之熱塑性樹脂形成。作為導電性之熱塑性樹脂，可舉出添加有導電性填料之熱塑性樹脂及聚合物合金處理之熱塑性樹脂等。作為導電性填料，可舉出碳黑、石墨碳、石墨、碳纖維、金屬粉末、金屬纖維、金屬氧化物之粉末、塗佈金屬之無機質細粉末、有機質細粉末或纖維等。使表面由聚吡咯或聚苯胺等之導電性聚合物被覆在防靜電及透明性之點上有利。 作為本發明之半導體晶圓容器可收容之半導體晶圓之尺寸無特別限定，可舉出公稱5英吋、6英吋、8英吋、及12英吋等之尺寸，本發明之半導體晶圓容器形成為相應於半導體晶圓之尺寸之大小。 利用圖式說明本發明之半導體晶圓容器。 圖1顯示構成本發明之半導體晶圓容器之外殼之外觀圖。 如圖1中之1-A所示，外殼2之上表面為大致正方形，在該面上，自下側以線接觸與半導體晶圓之外周緣接觸之傾斜面3以等間隔形成有4處，在外殼2之中央部形成有隆起部13，肋狀突條12自隆起部13朝外殼2之周圍延伸。又，在外殼2之上表面之4個角隅形成有突起部5及突起部孔6。 如圖1中之1-B所示，外殼2之下表面亦為大致正方形，在該面上形成有：當2個外殼2在上下方向重合時形成半導體晶圓容器之外壁之垂下部16、放射狀之肋狀突條14、及同心狀之肋狀突條15，在外殼2之下表面之4個角隅形成有突起部7及突起部孔8。 又，如圖1-B之部分放大圖1-C所示，在外殼2之下表面形成有自上側以面接觸與半導體晶圓之外周緣接觸之晶圓接觸面4。 圖2顯示使2個外殼2在上下方向重合而收納半導體晶圓9時之本發明之半導體晶圓容器之組裝圖。 如圖2所示，本發明之半導體晶圓容器藉由夾著半導體晶圓9並使2個外殼2在上下方向重合而收納半導體晶圓9。 在圖3中之3-A顯示沿圖2所示之A-A´切斷時之剖面形狀。如圖3-A所示，半導體晶圓9被夾於自下側以線接觸與半導體晶圓9之外周緣接觸之傾斜面3與自上側以面接觸與半導體晶圓9之外周緣接觸之晶圓接觸面4之間，藉此，形成有可收容半導體晶圓9之上半部分之淺底之空隙部10及可收容半導體晶圓9之下半部分之淺底之空隙部11，其結果為半導體晶圓9實質上與上下表面非接觸地被收容，且被固定保持。 又，如圖3-A之部分放大圖3-D所示，半導體晶圓9之外周緣自上側以面接觸與晶圓接觸面4接觸，晶圓接觸面4之與半導體晶圓外周緣之接觸寬度a較佳者為在0.5 mm至1.5 mm之範圍內。又，可收容半導體晶圓9之上半部分之淺底之空隙部10的上側之外殼2與半導體晶圓9之間之距離b較佳者為在1.0 mm至2.0 mm之範圍內。可收容晶圓之下半部分之淺底之空隙部11的下側之外殼2與半導體晶圓9之間之距離c較佳者為在4.0 mm至5.0 mm之範圍內，形成有隆起部13之部位之距離較佳者為在2.0 mm至3.0 mm之範圍內。 又，在外殼2之下表面之外周緣形成有垂下部16，當2個外殼在上下方向重合時在所收容之半導體晶圓之外側形成封閉之外壁。 在圖3中之3-B中顯示沿圖2所示之B-B´切斷時之剖面形狀。由圖3-B所示之剖面形狀可明確得知，在B-B´所示之切斷位置，雖然形成有自下側以線接觸與半導體晶圓9之外周緣接觸之傾斜面3，但未形成自上側以面接觸與半導體晶圓9之外周緣接觸之晶圓接觸面4。 在圖3中之3-C中顯示沿圖2所示之C-C´切斷時之剖面形狀。由圖3-C所示之剖面形狀可明確得知，在C-C´所示之切斷位置，雖然形成有自上側以面接觸與半導體晶圓9之外周緣接觸之晶圓接觸面4，但未形成自下側以線接觸與半導體晶圓9之外周緣接觸之傾斜面3。 如圖3中之3-B及3-C所示，傾斜面3及晶圓接觸面4任一者均存在缺損部分，而非遍及半導體晶圓9之外周緣之整體形成。如上述之缺損部分可成為自容器取放半導體晶圓9時之自動移載裝置之臂之插入口或作業操作員之處置之固持口。 本發明之半導體晶圓容器可以具有作為定位機構之突起部與突起部孔，再者，將該突起部與突起部孔，以分別於外殼之上下表面側，且當該上方之外殼上下反轉並重合時一外殼之突起部能夠與另一外殼之突起部孔卡合之配置而設置。 圖4顯示使2個外殼中之上方之外殼上下反轉並在上下方向重合而收納半導體晶圓時之本發明之半導體晶圓容器之組裝圖。 此處，半導體晶圓9被夾於上下反轉之上方之外殼2與未上下反轉之下方之外殼2之間而被收納。 在圖5中之圖5-A中顯示沿圖4所示之D-D´切斷時之剖面形狀。如圖5-A所示，半導體晶圓9被夾於形成於下方之外殼2之傾斜面3與形成於上方之外殼2之傾斜面3之間，藉此，半導體晶圓9藉由與傾斜面3之線接觸而其兩面被固定。在此情形下，在半導體晶圓9之上方及下方形成有淺底之空隙部11。而且，藉此，能夠觀察形成於半導體晶圓9之正反兩面之電路形成面。此外，由於上述之半導體晶圓9之保持/固定係僅藉由使半導體晶圓9之兩面之外緣部之1部分與傾斜面3之線接觸而進行，故若設想搬送半導體晶圓9，則不一定充分。 此外，在上述之重合之情形下，形成於外殼2之下表面之外周緣之垂下部16不形成外壁。 在圖5中之圖5-B顯示沿圖4所示之E-E´切斷時之剖面形狀。由圖5-B所示之剖面形狀可明確得知，E-E´所示之切斷位置之剖面形狀係與E-E´所示之切斷位置之剖面形狀相同地，將半導體晶圓9夾於形成於下方之外殼2之傾斜面3與形成於上方之外殼2之傾斜面3之間而固定。 在圖5中之圖5-C顯示沿圖4所示之F-F´切斷時之剖面形狀。由圖5-C所示之剖面形狀可明確得知，在F-F´所示之切斷位置，在上方及下方之兩個外殼2未形成以線接觸與半導體晶圓9之外周緣接觸之傾斜面3。 圖4所示之重合可經常確保非接觸狀態且藉由自動化設備對容器本身之處置而實施晶圓之正反兩面之檢查觀察。此外，若設想搬送半導體晶圓9，則該重合未形成可充分避免因瑕疵或破裂等所致之破損之構成。 本發明之半導體晶圓容器作為定位機構，可以將可彼此卡合之突起部與突起部孔，以在外殼之表面上相對於通過外殼之中心之線為線對稱位置，且當2個外殼在上下方向重合時一外殼之突起部能夠與另一外殼之突起部孔卡合之配置而設置。 圖6係構成本發明之半導體晶圓容器之外殼之部分剖面圖，顯示沿存在有突起部5及突起部孔6之G-G´之位置切斷時之剖面形狀。 而且，圖6中之圖6-A顯示沿G-G´切斷1個外殼2時之剖面形狀，圖6-B顯示沿G-G´切斷在上下方向重合之2個外殼2時之剖面形狀，圖6-C顯示沿G-G´切斷將上方之外殼上下反轉並重合之2個外殼2時之剖面形狀。 如圖6-A所示，在形成有突起部5之部位之背側形成有突起部孔8，在形成有突起部孔6之部位之背側形成有突起部7。 利用圖7中之7-A說明圖6-B所示之使2個外殼2在上下方向重合時之卡合狀態。具體而言，如圖7-A所示，當2個外殼2以相同朝向上下重合時，上方之外殼2之突起部孔8與下方之外殼2之突起部5卡合，藉此完成定位。 又，利用圖7中之圖7-B說明圖6-C所示之僅使2個外殼2中之上方之外殼2上下反轉並在上下方向重合時之卡合狀態。具體而言，如圖7-B所示，當僅將2個外殼2中之上方之外殼2上下反轉且在上下方向重合時，上方之外殼2之突起部孔6與下方之外殼2之突起部5卡合，且上方之外殼2之突起部5與下方之外殼2之突起部孔6卡合，藉此完成定位。 本發明之半導體晶圓容器較佳為具備以2個外殼在搬送中不分離之方式將該2個外殼結合、而且在搬送後能夠容易地卸下之固定件。 作為上述固定件，只要為達成上述之目的者即可，並無特別限定。 本發明之晶圓容器由於具備上述之構成，而能夠將晶圓之上下表面以實質上非接觸地加以收容，藉此提供一種即便對於兩面形成有電路之半導體晶圓，仍能夠防止保管及搬送時之污染或瑕疵附著，且能夠防止汙物或塵埃之侵入/附著之、藉由將2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而形成之半導體晶圓容器。 本發明之半導體晶圓容器由於在保管及搬送時能夠保護因微凸塊之形成或TSV端子之露出等而具有非常纖細之構造之半導體晶圓表面、例如圖像感測器表面之覆蓋玻璃或具有3DS-IC構造之晶圓之表面，故可有利地使用。 又，本發明之半導體晶圓容器具有以下特點，即：藉由僅將2個外殼中之上方之外殼上下反轉並重合而收容半導體晶圓，而能夠觀察形成於晶圓之正反兩面之電路形成面。 又，由於本發明之半導體晶圓容器係將2個同一形狀之外殼在同一方向上下重合者，故可將該容器堆疊，而且藉由使用其而能夠同時保管/搬送複數個半導體晶圓。 [實施例] 其次，利用實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於實施例。 實施例1 使用在聚碳酸酯樹脂100重量份添加防靜電劑15重量份之防靜電性塑膠之顆粒並利用射出成形而形成了具有圖1所示之外觀之透明之外殼。外殼具有能夠收容直徑300 mm之半導體晶圓之1邊32 cm之大致正方形的板狀之形狀，大致遍及整體地具有2 mm之厚度(以在板面不產生變形之方式形成有肋狀突條12(寬度2 mm、高度(厚度)2 mm)、隆起部13(高度(厚度)2 mm且直徑21 cm之圓盤狀之隆起)、放射狀之肋狀突條14(寬度2 mm、高度(厚度)2 mm)、及同心狀之肋狀突條15(寬度2 mm、高度(厚度)2 mm)等)。 當上述形成之2個外殼在同一方向上下重合且收容直徑300 mm之半導體晶圓時，晶圓接觸面4之與半導體晶圓外周緣之接觸寬度a平均為1.0 mm，可收容半導體晶圓之上半部分之淺底之空隙部10的上側之外殼與半導體晶圓之間之距離b為1.5 mm，可收容晶圓之下半部分之淺底之空隙部11的下側之外殼與半導體晶圓之間之距離c為4.0 mm，形成有隆起部13之部位之距離為2.0 mm。 又，所獲得之容器為透明而能夠透視晶圓之收納狀況，在垂直方向、及水準方向上作為晶圓之收納容器具有可充分耐受之強度，有防塵效果，且即便在長期間之使用後亦幾乎不產生扭曲。又，容器即便層積2層以上仍能夠穩定地疊積，在操作中在對容器之角隅施加稍許之衝擊之程度下，不會對內部之晶圓造成損傷。 其次，若嘗試僅使上述形成之2個外殼中之上方之外殼上下反轉並上下重合且收容直徑300 mm之半導體晶圓，則能夠一面以非接觸狀態保持半導體晶圓，一面進行半導體晶圓之正反兩面之檢查觀察。
2‧‧‧外殼
3‧‧‧傾斜面
4‧‧‧晶圓接觸面
5‧‧‧突起部
6‧‧‧突起部孔
7‧‧‧突起部
8‧‧‧突起部孔
9‧‧‧半導體晶圓
10‧‧‧空隙部
11‧‧‧空隙部
12‧‧‧肋狀突條
13‧‧‧隆起部
14‧‧‧肋狀突條
15‧‧‧肋狀突條
16‧‧‧垂下部
a‧‧‧寬度
b‧‧‧距離
c‧‧‧距離
圖1係構成本發明之半導體晶圓容器之外殼之外觀圖；圖1-A顯示俯視圖；圖1-B顯示仰視圖；圖1-C顯示仰視圖之部分放大圖。 圖2顯示使2個外殼在上下方向重合而收納半導體晶圓時之本發明之半導體晶圓容器之組裝圖。 圖3係本發明之半導體晶圓容器之部分剖面圖；圖3-A顯示沿圖2所示之A-A´切斷時之剖面形狀；圖3-B顯示沿圖2所示之B-B´切斷時之剖面形狀；圖3-C顯示沿圖2所示之C-C´切斷時之剖面形狀。 圖4顯示在本發明之半導體晶圓容器中將上方之外殼上下反轉並重合而收納半導體晶圓時之組裝圖。 圖5係將上方之外殼上下反轉並重合而收納半導體晶圓時之本發明之半導體晶圓容器之部分剖面圖；圖5-A顯示沿圖4所示之D-D´切斷時之剖面形狀；圖5-B顯示沿圖4所示之E-E´切斷時之剖面形狀；圖5-C顯示沿圖4所示之F-F´切斷時之剖面形狀。 圖6係本發明之半導體晶圓容器之部分剖面圖；圖6-A顯示沿G-G´切斷1個外殼時之剖面形狀；圖6-B顯示沿G-G´切斷在上下方向重合之2個外殼時之剖面形狀；圖6-C顯示沿G-G´切斷將上方之外殼上下反轉並重合之2個外殼時之剖面形狀。 圖7係說明本發明之半導體晶圓容器之突起部與突起部孔卡合時之卡合狀態之圖；圖7-A顯示使2個外殼在上下方向重合時之突起部與突起部孔之卡合狀態；圖7-B顯示將上方之外殼上下反轉並重合時之突起部與突起部孔之卡合狀態。

Claims (5)

  1. 一種半導體晶圓容器，其係將2個大致平面且同一形狀之外殼在上下方向重合而收納1個半導體晶圓者，且前述外殼除其本體外並具有晶圓保持機構及外壁形成機構；前述晶圓保持機構係用於將晶圓之上下表面以實質上非接觸地加以收容且固定保持者，且具有：自下側以線接觸與半導體晶圓之外周緣接觸且形成於外殼之上表面之傾斜面；自上側以面接觸與半導體晶圓之外周緣接觸且形成於外殼之下表面之晶圓接觸面；及形成於外殼之上下兩表面之各自中央部且可收容晶圓之上半部分或下半部分之淺底之空隙部；前述外壁形成機構具有當2個外殼在上下方向重合而收納半導體晶圓時，以在所收容之半導體晶圓之外側形成封閉之外壁之方式形成於外殼之下表面之外周緣的垂下部，其中前述外殼更具有定位機構，該定位機構係將可彼此卡合之突起部與突起部孔，以在外殼之表面上相對於通過外殼之中心之線為線對稱位置，且當2個外殼在上下方向重合時一外殼之突起部能夠與另一外殼之突起部孔卡合之配置而設置。
  2. 如請求項1之半導體晶圓容器，其中前述半導體晶圓容器具有當2個外殼在上下方向重合且將其上方之外殼上下反轉並重合時、相對於收容於容器內之晶圓為面對稱之外形，且將前述突起部與前述突起部孔，以分別於外殼之上下表面側，且當該上方之外殼上下反轉並重合時一外殼之突起部能夠與另一外殼之突起部孔卡合之配置而設置。
  3. 如請求項1或2之半導體晶圓容器，其中前述傾斜面在外殼之上表面以等間隔形成4處。
  4. 如請求項1或2之半導體晶圓容器，其中前述晶圓接觸面之與半導體晶圓外周緣之接觸寬度為0.5mm至1.5mm之範圍。
  5. 如請求項3之半導體晶圓容器，其中前述晶圓接觸面之與半導體晶圓外周緣之接觸寬度為0.5mm至1.5mm之範圍。
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