JP5007179B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体ウエハの裏面を薄仕上げ加工し、薄仕上げ加工した半導体ウエハの裏面に対して、不純物イオン打ち込み処理、イオン打ち込み不純物層の活性化処理、および裏面金属電極膜成膜処理等の半導体素子機能を付加する工程に適用して有効な技術に関するものである。

半導体装置の製造方法として、半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）の第１主面（以下、半導体素子形成面と記す）に半導体素子を形成する工程と、ウエハの半導体素子形成面と反対側の第２主面（以下、裏面と記す）に不純物イオンを注入する処理（その後の活性化処理も含む）と、裏面金属電極膜成膜を形成する工程と、ウエハを個々の半導体チップ（以下、単にチップと記す）に分断するダイシング工程とを備える半導体装置の製造方法がある。

最近、モータ用インバータ、ＡＣサーボ、無停電電源、およびストロボ電源スイッチ等の用途として多用されている絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor；ＩＧＢＴ）は、低損失化、高速化および低コスト化が要求されている。

これらの要求を満たすことを目的として、エピタキシャル成長膜層を用いないＦＺ（floating zone melting）結晶を用い、耐圧６００Ｖ程度を狙ったウエハ厚さ１００μｍ程度以下のノンパンチスルー型ＩＧＢＴの製造方法が特開２００２−１５１６９２号公報（特許文献１）に開示されている。

また、メモリー系３次元（多段）実装チップ用ウエハとするために、厚さ１００μｍ以下を狙ったウエハ製造方法が、特開２００６−８６４７９号公報（特許文献２）に開示されている。
特開２００２−１５１６９２号公報 特開２００６−８６４７９号公報

前記特許文献１に開示された技術は、１００μｍ厚以下に薄仕上げ加工した裏面金属電極膜付きウエハの反り量低減手段として、ウエハ表面周辺部、若しくは、半導体素子分離領域に金属や樹脂の薄膜を成膜し、この成膜した薄膜のウエハに作用する残留内部応力（ウエハと薄膜との熱膨張係数差により生じる内部応力）と、裏面金属電極膜のウエハに作用する残留内部応力（ウエハと裏面金属電極膜との熱膨張係数差により生じる内部応力）を相殺させ、ウエハ反り量を低減する方法である。

このような特許文献１に開示されたウエハの反り量を低減する方法では、裏面金属電極膜成膜前のウエハの薄仕上げ状態で、ウエハ表面周辺部、若しくは、半導体素子分離領域に金属膜や樹脂膜の残留内部応力のみが作用しウエハが反ってしまうことになる。

また、前記特許文献２に開示された技術は、１００μｍ厚以下に薄仕上げ加工したウエハの反り量（ウエハの割れ）を低減する方法として、１００μｍ厚以下に薄仕上げ加工したウエハの周辺部にリング状の保持材（補強材）を貼り付ける。このリング状保持材により薄仕上げ加工したウエハを補強しながら、三次元実装のための貫通電極加工処理を行なうものである。

この特許文献２に開示された技術は、１００μｍ厚以下に薄仕上げ加工した半導体ウエハ周辺部にリング状の保持材（補強材）を貼付け、ウエハの反り量低減やウエハ割れを防止する一方で、リング状保持材を貼り付ける以前のウエハの薄仕上げ工程時においては、ウエハの反り量低減やウエハ割れの防止は困難である。

さらに、薄仕上げ加工したウエハの周辺部にリング状保持材を貼付けた状態で、ノンパンチスルー型ＩＧＢＴの製造を行なうと、ウエハ周辺部に貼付けたリング状保持材下の領域では半導体素子を形成できなくなってしまい、ウエハ１枚当たりから取得できるチップ取得数が減少してしまう。

本発明の目的は、ウエハに割れや欠けを発生させることなく、ウエハを薄仕上げ加工できる技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、ウエハの主面に半導体素子を形成し、薄仕上げ加工したウエハの反り量を低減し、割れや欠けを発生させることなく、ウエハの裏面への不純物イオンの打ち込み、打ち込んだ不純物イオンの活性化、および裏面金属電極膜の形成ができる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明による半導体装置の製造方法は、
半導体ウエハの第１の主面に半導体素子を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記半導体ウエハの前記第１の主面に、収縮変形する剥離可能な支持体を貼付する第２の工程と、
前記支持体が前記半導体ウエハの前記第１の主面に貼付された状況下において、前記半導体ウエハを前記第１の主面とは反対の第２の主面から薄型化する第３の工程と、
前記第３の工程後、前記半導体ウエハの前記第２の主面に前記半導体素子と電気的に接続する電極を付加する処理を行なう第４の工程と、
前記第４の工程後、前記第２の工程にて前記半導体ウエハの前記第１の主面に貼付した前記支持体を剥離する第５の工程とを有し、
前記支持体を収縮変形させて前記半導体ウエハの反り量を第１の量以下にする。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

（１）加熱により熱収縮する支持体（紫外線硬化型粘着テープおよび感圧型粘着テープ等）で、半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）を保護しつつ半導体ウエハの反りを矯正した状況下で、半導体ウエハの薄仕上げ加工（半導体ウエハの裏面研削加工および半導体ウエハの裏面研削加工で生じた歪層の除去）、半導体ウエハの裏面（第２の主面）への電極機能付加処理（半導体ウエハ裏面への不純物イオンの導入処理、半導体ウエハの裏面へ導入した不純物イオンの活性化処理、および半導体ウエハの裏面への裏面金属電極膜の成膜処理等）を行なうことができる。

この結果、半導体ウエハの薄仕上げ加工時に生じる半導体ウエハの反りを矯正し、例えばその量を３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下にできる。さらに、相乗効果として、半導体ウエハの搬送等のハンドリング時において、半導体ウエハの反りに伴う半導体ウエハ割れや欠けの発生を防止できる。

（２）加熱により熱収縮変形する支持体を半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）に貼付した状態では、半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）を凹型形状に反らせる表面保護膜およびＵＢＭ（Under Bump Metal）めっき膜等の電極膜の成膜（第１のウエハ処理）は行わないことから、支持体への加熱による熱収縮変形によって支持体が貼付された半導体ウエハの反りを、例えば３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下に矯正できる。

（３）本発明によれば、半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）に貼付する支持体として紫外線硬化型粘着テープを用い、紫外線未照射状態の紫外線硬化型粘着剤層の機械的弾性率が低い（柔らかい）状態で、素子形成面の絶縁膜や導電膜の表面段差部（例えば、段差量１０μｍ〜１５μｍ程度）に紫外線硬化型粘着剤層が十分に充填（埋め込み）される。それにより、半導体ウエハの裏面（第２の主面）研削加工時の研削水浸入や、半導体ウエハの裏面研削加工により生じた歪層をスピンウエットエッチングにより除去する際の薬液浸入が防止できる。

（４）半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）に貼り付けた紫外線硬化型粘着テープの紫外線硬化型粘着剤層に紫外線を照射して硬化する工程を、半導体ウエハの裏面（第２の主面）研削加工工程前後、若しくはその裏面研削加工により生じた歪層の除去処理後（半導体ウエハの裏面への不純物イオン導入工程前）に行なう。

この結果、紫外線硬化型粘着剤層内の未重合成分が架橋重合し、３×１０^−４Ｐａ〜４×１０^−５Ｐａ程度の高真空下でも、紫外線硬化型粘着剤層からのガスの発生量が少なくなり、半導体ウエハの裏面への不純物イオンの導入処理（４×１０^−５Ｐａ程度）や、半導体ウエハの裏面への裏面金属電極膜の成膜処理（３×１０^−４Ｐａ程度）において、紫外線硬化型粘着剤層からのガスの発生に起因する半導体ウエハの裏面への不純物イオン注入特性不良の発生や、半導体ウエハの裏面への裏面金属電極膜の成膜工程における成膜特性不良の発生を防ぐことができる。

（５）上記（３）および（４）の相乗効果として、半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）に貼り付けた紫外線硬化型粘着テープの紫外線硬化型粘着剤層が、素子形成面の絶縁膜や導電膜の表面段差部に十分に埋め込まれ、紫外線硬化型粘着剤層からのガスの発生量が少ないことから、半導体ウエハの裏面（第２の主面）への不純物イオンの導入処理や半導体ウエハの裏面への裏面金属電極膜の成膜時に、その絶縁膜や導電膜の表面段差部に閉じ込められた空隙部が膨張してしまうことを防ぐことができる。すなわち、その空隙部の膨張に伴う負荷により、薄型化した半導体ウエハに割れや欠けが発生してしまうことを防ぐことができる。

（６）半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）に支持体を貼り付けた状態で、薄仕上げ加工した半導体ウエハ、若しくは薄仕上げ加工した後に半導体ウエハの裏面（第２の主面）への不純物イオン導入処理や裏面金属電極膜の成膜処理が施された半導体ウエハをダイシングテープ等のチップ分離用粘着テープに貼付（半導体ウエハマウント）し、半導体ウエハをチップ分離用粘着テープによって機械的に補強した状態で支持体を剥離することから、支持体剥離に伴う半導体ウエハの割れや欠けを防ぐことができる。

（７）半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）に支持体を貼付した状態で、薄仕上げ加工が施され、裏面金属電極膜が成膜された半導体ウエハの裏面（第２の主面）にカバー粘着テープを貼付した状態で、半導体ウエハの素子形成面から支持体を剥離し、その後に半導体ウエハの素子形成面に表面保護膜およびＵＢＭめっき膜等の電極膜の成膜（第１のウエハ処理）を行うので、半導体ウエハの割れや欠けを防ぐことができる。

（８）半導体ウエハの素子形成面（第１の主面）に感圧型粘着テープ（支持体）を貼付した状態で、薄仕上げ加工が施され、裏面金属電極膜が成膜された半導体ウエハの裏面（第２の主面）に、ダイシングテープ等のチップ分離用粘着テープを貼付した状態で、半導体ウエハの素子形成面から感圧型粘着テープを剥離するので、感圧型粘着テープ剥離に伴う半導体ウエハの割れや欠けを防ぐことができる。

（９）上記（１）〜（８）の相乗効果として、半導体ウエハに割れや欠けを生じさせることなく、高品質な約１００μｍ厚以下のＩＧＢＴ、パワーＭＩＳＦＥＴおよびバイポーラトランジスタ等のチップを製造することができる。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、実施例等において構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、材料等について言及するときは、特にそうでない旨明記したとき、または、原理的または状況的にそうでないときを除き、特定した材料は主要な材料であって、副次的要素、添加物、付加要素等を排除するものではない。たとえば、シリコン部材は特に明示した場合等を除き、純粋なシリコンの場合だけでなく、添加不純物、シリコンを主要な要素とする２元、３元等の合金（たとえばＳｉＧｅ）等を含むものとする。

また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

また、本実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするために部分的にハッチングを付す場合がある。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置は、例えば直径約１５０ｍｍのＮ⁻型ＦＺ結晶Ｓｉ（シリコン）ウエハを約８０μｍ厚に薄仕上げすることで製造されたチップからなるノンパンチスルー型ＩＧＢＴである。このような本実施の形態１の半導体装置の製造工程について、以下に説明する。

図１は、耐圧６００Ｖクラスの高速スイッチング特性を有するプラズマディスプレイ用ノンパンチスルー型ＩＧＢＴの製造工程の処理フロー図を示し、図２〜図１２は、各工程時におけるウエハの処理形態等を示している。

本実施の形態１のノンパンチスルー型ＩＧＢＴの製造工程は、まず、図２に示すように、ｎ⁻型Ｓｉからなるウエハ１の主面（素子形成面（第１の主面））１Ａからウエハ１の内部に不純物を導入および拡散させることによってノンパンチスルー型ＩＧＢＴの素子（半導体素子）を形成する。次いで、ウエハ１の主面１Ａ上に絶縁膜および導電膜の形成およびパターニングを行う（工程（第１の工程）Ｐ１）。

上記工程Ｐ１においては、ウエハ１の主面１Ａ上に形成した絶縁膜や導電膜の残留応力が打ち消し合い、後の工程でウエハ１を厚さ８０μｍ程度にまで薄く加工した後で、ウエハ１の反りがなくなるか、ウエハ１の主面１Ａの凸形状反り量が少なくとも３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下となるようにそれら絶縁膜および導電膜の膜厚を調整する。ここでは、ウエハ１の反り量を３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下という具体値を提示したが、この数値に限定されるものではなく、ウエハ１の処理に用いられる各装置が許容するウエハ１の反り量に合わせるものである。

次に、ウエハ１の主面１Ａに紫外線硬化型粘着テープ２を貼付する（工程（第２の工程）Ｐ２）。この紫外線硬化型粘着テープ（支持体）２は、例えばＰＥＴ（Polyethyleneterephthalate；ポリエチレンテレフタレート）製の基材２Ａと、アクリル樹脂系紫外線硬化型粘着剤からなる紫外線硬化型粘着剤層２Ｂとから形成されており、紫外線硬化型粘着剤層２Ｂがウエハ１の主面１Ａに接する。この時、ウエハ１の主面１Ａ上に形成した絶縁膜や導電膜の表面段差部には、紫外線硬化型粘着剤層２Ｂが埋め込まれることになるので、後の工程で用いる研削水や薬液等がこの段差部から浸入してしまうことを防止できる。また、紫外線硬化型粘着剤層２Ｂがウエハ１の主面１Ａ上に形成した絶縁膜や導電膜の表面段差部を十分に埋め込むので、以降で行う熱を伴う工程であるウエハ１の裏面への不純物イオン導入工程や、裏面金属電極膜の成膜工程において、その絶縁膜や導電膜の表面段差部に閉じ込められた空隙部が膨張してしまうことを防ぐことができる。すなわち、その空隙部の膨張に伴う負荷により、薄型化したウエハ１に割れや欠けが発生してしまうことを防ぐことができる。

次に、図３に示すように、紫外線硬化型粘着テープ２のテープ基材２Ａ側（ウエハ１の主面１Ａ側）から紫外線を照射し、紫外線硬化型粘着剤層２Ｂを硬化する（工程Ｐ３）。

次に、図４に示すように、ウエハ１の主面１Ａに貼付された紫外線硬化型粘着テープ２をウエハ吸着回転ステージ３に吸着し、ウエハ吸着回転ステージ３および回転研削砥石４を回転しながらウエハ１の裏面（第２の主面）１Ｂを研削し、ウエハ１を薄型化する（工程（第３の工程）Ｐ４）。前述したように、ウエハ１の主面１Ａ上に形成した絶縁膜や導電膜の表面段差部には、紫外線硬化型粘着剤層２Ｂが埋め込まれているので、研削の際に用いる研削水がこの段差部から浸入してしまうことを防止できる。

次に、図５に示すように、ウエハ１の主面１Ａに貼付された紫外線硬化型粘着テープ２をウエハ吸着回転ステージ５に吸着し、ウエハ吸着回転ステージ５を回転させながら滴下ノズル６を揺動させ、滴下ノズル６からウエハ１の裏面１Ｂに対してエッチング液７を滴下する。それにより、上記研削加工（図４参照）によりウエハ１の裏面１Ｂに生じた歪層（図示は省略）をエッチング除去する（工程Ｐ５）。前述したように、ウエハ１の主面１Ａ上に形成した絶縁膜や導電膜の表面段差部には、紫外線硬化型粘着剤層２Ｂが埋め込まれているので、エッチング液７がこの段差部から浸入してしまうことを防止できる。

ここまでの工程が完了すると、ウエハ１が薄くなったことにより、ウエハ１の主面１Ａに形成した導電膜および絶縁膜の残留応力がウエハ１に作用し、ウエハ１は主面１Ａが凸形状となるように反りやすくなる。前述したように、本実施の形態１においては、ウエハ１の主面１Ａの凸形状反り量が少なくとも３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下となるようにそれら絶縁膜および導電膜の膜厚を調整しているが、それでもウエハ１が主面１Ａ側に凸形状で反ってしまっている場合には、図６に示す紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１への加熱温度とそのウエハ１の反り量との相関図を基に、紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１に加熱処理を施す。それにより、紫外線硬化型粘着テープ２を熱収縮させてウエハ１の主面１Ａ側に凸形状に反った反り量を打ち消す力を作用させ、紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１の反り量を所定量３ｍｍ程度（第１の量）以下、好ましくは１ｍｍ程度（第１の量）以下に抑える（工程Ｐ６）。ここでは、ウエハ１の反り量を３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下という具体値を提示したが、この数値に限定されるものではなく、ウエハ１の処理に用いられる各装置が許容するウエハ１の反り量に合わせるものである。

例えば、ウエハ１が主面１Ａ側に凸形状で約５ｍｍ反っている場合には、図６に示す紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１への加熱温度とそのウエハ１の反り量との相関図を基に、紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１を約１００℃で１分間程度加熱して紫外線硬化型粘着テープ２を熱収縮させ、ウエハ１を主面１Ａ側に凹形状に反るようにウエハ１の反り量を矯正するものである。

次に、図７に示すように、例えば約４×１０^−５Ｐａの高真空下において、ウエハ静電チャックステージ８で紫外線硬化型粘着テープ２を吸着することでウエハ１を保持した状況下で、ウエハ１の裏面１ＢにＰ（リン）等の不純物イオンを導入し、不純物イオン注入層９を形成する（工程Ｐ７）。

ところで、図３を用いて前述した紫外線硬化型粘着テープ２の紫外線硬化型粘着剤層２Ｂを硬化する工程（工程Ｐ３）は、この不純物イオン注入層９を形成する工程Ｐ７の前であればどの時点で行ってもよいが、前述したウエハ１の裏面１Ｂを研削する工程Ｐ４の前に行うのが好ましい。紫外線硬化型粘着剤層２Ｂを硬化することによって紫外線硬化型粘着剤層２Ｂ内の未重合成分が架橋重合するので、ウエハ１の裏面１Ｂに不純物イオンを導入して不純物イオン注入層９を形成する際の高真空下においても紫外線硬化型粘着剤層２Ｂからのガスの発生量を減少することができる。その結果、紫外線硬化型粘着剤層２Ｂからのガスの発生に起因するウエハ１の裏面１Ｂへの不純物イオン注入特性不良の発生や、後の工程であるウエハ１の裏面１Ｂへの裏面金属電極膜の成膜工程における成膜特性不良の発生を防ぐことができる。

次に、図８に示すように、ウエハ吸着ステージ１０で紫外線硬化型粘着テープ２を吸着することでウエハ１を保持した状況下で、ウエハ１の裏面１Ｂの全面に例えば１．５Ｊ×５００ｎｓ程度のパルスレーザ１１を照射（局所的高温レーザアニール）し、上記不純物イオン注入層９を活性化する。これにより、ウエハ１の裏面１ＢにＮ型バッファ層１２（図１０参照）を形成する（工程Ｐ８）。

次に、上記工程Ｐ７と同様の工程により、ウエハ１の裏面１ＢにＢ（ホウ素）等の不純物イオンを導入する（工程Ｐ９）。続いて、上記工程Ｐ８と同様の工程により、そのＢ等の不純物イオン導入層を活性化する。これにより、ウエハ１の裏面１ＢにＰ型コレクタ層１３（図１０参照）を形成する（工程Ｐ１０）。

次に、図９に示すように、例えば約３×１０^−４Ｐａの高真空下のスパッタ室１４内に配置された静電チャック機能付アノード電極１５に紫外線硬化型粘着テープ２を吸着させることでウエハ１を保持し、カソード電極１６上のＮｉ（ニッケル）ターゲット１７から飛び出すＮｉ粒子をウエハ１の裏面１Ｂに堆積することで、Ｐ型コレクタ層１３上にＮｉスパッタ膜を成膜する。さらに同様の方法でＴｉ（チタン）膜、Ｎｉ膜、およびＡｕ（金）膜等を順次成膜し、裏面金属電極膜１８（図１０も参照）を形成する（工程（第４の工程）Ｐ１１）。この時、紫外線硬化型粘着剤層２Ｂは予め硬化されて紫外線硬化型粘着剤層２Ｂ内の未重合成分は架橋重合しているので、裏面金属電極膜１８を形成する際の高真空下においても紫外線硬化型粘着剤層２Ｂからのガスの発生量を減少することができる。その結果、裏面金属電極膜１８の成膜工程における成膜特性不良の発生を防ぐことができる。

なお、図１０中に示されるＰ型エミッタ層１９は、前述の工程Ｐ１で形成されたものである。

上記裏面金属電極膜１８形成工程（工程Ｐ１１）後、裏面金属電極膜１８の残留応力がウエハ１に作用し、ウエハ１が主面１Ａ側に凸形状で反ってしまっている場合には、前述の工程Ｐ６と同様の工程により、図６に示した紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１への加熱温度とそのウエハ１の反り量との相関図を基に、紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１に加熱処理を施す。それにより、紫外線硬化型粘着テープ２を熱収縮させてウエハ１の主面１Ａ側に凸形状に反った反り量を打ち消す力を作用させ、紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１の反り量を３ｍｍ程度以下、好ましくは、１ｍｍ程度以下に抑える（工程Ｐ１２）。ここでは、ウエハ１の反り量を３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下という具体値を提示したが、この数値に限定されるものではなく、ウエハ１の処理に用いられる各装置が許容するウエハ１の反り量に合わせるものである。

例えば、ウエハ１が主面１Ａ側に凸形状で約４ｍｍ反っている場合には、図６に示す紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１への加熱温度とそのウエハ１の反り量との相関図を基に、紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１を約９０℃で１分間程度加熱して紫外線硬化型粘着テープ２を熱収縮させ、ウエハ１を主面１Ａ側に凹形状に反るようにウエハ１の反り量を矯正するものである。

次に、図１１に示すように、上記工程Ｐ１２で反りが矯正されたウエハ１の裏面１Ｂ（裏面金属電極膜１８）をダイシングフレーム２０付きダイシングテープ２１に貼付する（工程Ｐ１３）。

次に、図１２に示すように、ダイシングフレーム２０付きダイシングテープ２１に貼付された紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１から、紫外線硬化型粘着テープ２を剥離し、本実施の形態１の半導体装置を製造する（工程（第５の工程）Ｐ１４）。この紫外線硬化型粘着テープ２のウエハ１の主面１Ａからの剥離は、例えば強粘着テープ（図示は省略）を用いたピール剥離により行うことができる。このように、ウエハ１の裏面１Ｂをダイシングテープ２１に貼付し、ウエハ１をダイシングテープ２１によって機械的に補強した後で紫外線硬化型粘着テープ２を剥離することにより、紫外線硬化型粘着テープ２の剥離時の負荷によって薄型化したウエハ１に割れや欠けが生じてしまうことを防ぐことができる。

前述したように、上記の本実施の形態１によれば、ウエハ１の裏面１Ｂの研削前に主面１Ａ側に紫外線硬化型粘着テープ２を貼付し、素子形成面（主面１Ａ）を保護しつつ、（ｉ）ウエハ１の裏面１Ｂの研削により生じた歪層除去処理（工程Ｐ５）、（ｉｉ）ウエハ１の裏面１Ｂへの不純物イオン導入処理（工程Ｐ７、Ｐ９）、（ｉｉｉ）ウエハ１の裏面１Ｂに導入した不純物の活性化処理（工程Ｐ８、Ｐ１０）、および（ｉｖ）ウエハ１の裏面１Ｂへの裏面金属電極膜１８の成膜処理（工程Ｐ１１）を一連処理で実施することが可能となる。この一連の処理の間は、紫外線硬化型粘着テープ２を貼付した状態でウエハ１を搬送することになるので、ウエハ１の搬送中およびウエハ処理中に衝突したり、負荷が加わることによってウエハ１に割れや欠けが生じたりすることを防ぐことができる。

また、上記の本実施の形態１によれば、紫外線硬化型粘着テープ２の貼付後、各工程の前後にて必要に応じて紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１を加熱（紫外線硬化型粘着テープ２を熱収縮）することにより、ウエハ１の反りを矯正でき、上記一連処理中の紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ１の反り量を所望の数値以下に抑えることが可能となる。

（実施の形態２）
本実施の形態２の半導体装置は、例えばノート型パソコン等における携帯情報機器用パワーマネージメントスイッチ等に用いられるパワーＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）である。

図１３は、本実施の形態２のパワーＭＩＳＦＥＴの製造工程の処理フロー図を示し、図１４〜図１７は、各工程時におけるウエハの処理形態等を示している。

図１３に示すように、本実施の形態２のパワーＭＩＳＦＥＴの製造工程のうち、工程Ｐ１５〜Ｐ２２は、前記実施の形態１のノンパンチスルー型ＩＧＢＴの製造工程における工程Ｐ１〜Ｐ１２とほぼ同様であるが、ウエハの裏面の研削工程（工程（第３の工程）Ｐ４、Ｐ１７）が前記実施の形態１では紫外線硬化型粘着テープへの紫外線照射工程（工程Ｐ３）の後であるのに対し、本実施の形態２では紫外線硬化型粘着テープへの紫外線照射工程（工程Ｐ１８）の前である。しかし、前記実施の形態１でも説明したように、この紫外線硬化型粘着テープへ紫外線を照射して硬化させる工程は、前記実施の形態１における不純物イオン注入層９を形成する工程Ｐ７（真空中処理）の前であればどの時点で行ってもよいので、不純物イオン注入層９を形成しない本実施の形態２では、真空中形態であるウエハの裏面に裏面金属電極膜を成膜する工程Ｐ２１の前であればどの時点で行ってもよい。

ここで、前記実施の形態１の半導体装置と本実施の形態２の半導体装置との差異は下記の通りである。
（１）前記実施の形態１では、ウエハ１の主面１Ａに形成されたＡｌ（アルミニウム）等の配線膜上に、ウエハ１の表面（主面１Ａ）を凹形状に大きく反らせる引張り残留応力が蓄積される、ＵＢＭ（Under bump Metal）めっき膜（無電解Ｎｉめっき膜（約１μｍ〜５μｍ厚）および無電解Ａｕめっき膜（約０．０５μｍ〜０．２μｍ厚）を有していないのに対し、本実施の形態２では、ウエハの主面に形成された配線膜上にＵＢＭめっき膜を有する。
（２）前記実施の形態１では、ウエハ１の裏面１Ｂへの不純物イオン導入処理とウエハ１の裏面１Ｂへ導入した不純物の活性化処理とを有するのに対し、本実施の形態２では、ウエハの裏面への不純物イオン導入処理とウエハの裏面へ導入した不純物の活性化処理とを有していない。

上記（１）および（２）に記した前記実施の形態１との差異を含む本実施の形態２の半導体装置の製造工程について、以下に説明する。

本実施の形態２の半導体装置は、特に限定されないが、例えば直径２００ｍｍ程度のＮ型ＣＺ結晶Ｓｉウエハを約５０μｍ厚に薄仕上げすることで製造されたチップからなるパワーＭＩＳＦＥＴである。チップ内の細部の図示は省略するが、本実施の形態２のパワーＭＩＳＦＥＴは、表面電極としてＮｉめっき膜とＡｕめっき膜とから形成されるＵＢＭめっき膜を用いている。ＵＢＭめっき膜は引張り残留応力が大きく、ウエハの主面を凹型形状に大きく反らせる要因を有している。

一方、ウエハの裏面に成膜されるＮｉ膜、Ｔｉ膜、Ｎｉ膜およびＡｕ膜の積層膜で形成される裏面金属電極膜は、ウエハの裏面に対して引張り残留応力が大きく、ウエハの主面が凸型形状（ウエハの裏面を凹型形状）に大きく反らせる要因を有している。

このような前提条件から、本実施の形態２においては、ＵＢＭめっき膜はウエハの表面（主面）への素子形成工程（工程（第１の工程）Ｐ１５）で成膜せずに、ウエハの裏面に裏面金属電極膜を成膜する工程（工程（第４の工程）Ｐ２１）後に成膜する。本実施の形態２においては、ＵＢＭめっき膜成膜工程前のウエハの主面の凹形状反り量は、３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下としておくことを例示するが、この数値に限定されるものではなく、ウエハの処理に用いられる各装置が許容するウエハの反り量に合わせるものである。

前記実施の形態１でも説明した紫外線硬化型粘着テープの熱収縮によるウエハの反りの矯正（本実施の形態２においては工程Ｐ２２）後、図１４に示すように、主面には前記実施の形態１で説明した紫外線硬化型粘着テープ２が貼付され、裏面（第２の主面）には裏面金属電極膜１８が形成されたウエハ３１の裏面に対して、カバー粘着テープ（支持体）３２を貼付する（工程（第６の工程）Ｐ２３）。このカバー粘着テープ３２は、テープ基材３２Ａおよび不活性ガスがシェル状に封じ込められた熱発泡型粘着剤層３２Ｂから形成された熱発泡型粘着テープであり、貼付後、所定の発泡温度（例えば１３５℃）での加熱により自然剥離するものである。このようなカバー粘着テープ３２は、加圧ローラによるテープ貼付け方法や、真空加圧テープ貼付け方法等により、ウエハ３１の裏面に貼付することができる。

次に、図１５に示すように、紫外線硬化型粘着テープ２付きウエハ３１から紫外線硬化型粘着テープ２を剥離する（工程（第５の工程）Ｐ２４）。この紫外線硬化型粘着テープ２のウエハ３１の主面からの剥離は、例えばテープ剥離用吸着テーブル３３にカバー粘着テープ３２を吸着させることによってウエハ３１を保持した状況下で、強粘着テープ（図示は省略）を用いたピール剥離により行うことができる。このように、ウエハ３１の裏面をカバー粘着テープ３２に貼付し、ウエハ３１をカバー粘着テープ３２によって機械的に補強した後で紫外線硬化型粘着テープ２を剥離することにより、紫外線硬化型粘着テープ２の剥離時の負荷によって薄型化したウエハ３１に割れや欠けが生じてしまうことを防ぐことができる。

次に、図１６に示すように、裏面に上記カバー粘着テープ３２が貼付されたウエハ３１の主面（第１の主面）に、前述のＵＢＭめっき膜３４を成膜（第１のウエハ処理）する（工程（第７の工程）Ｐ２５）。このＵＢＭめっき膜３４の成膜工程は、めっき槽３５内の無電解Ｎｉめっき液３６に、カバー粘着テープ３２が貼付されたウエハ３１を浸漬し、ウエハ３１の主面に形成された配線膜（図示は省略）上にＮｉめっき膜を成膜する。続いて、このＮｉめっき膜の成膜と同様の方法にて、Ｎｉめっき膜上にＡｕめっき膜を成膜し、これらＮｉめっき膜およびＡｕめっき膜の積層膜からなるＵＢＭめっき膜３４を形成する。

前述したように、ＵＢＭめっき膜３４は引張り残留応力が大きく、ウエハ３１の主面を凹型形状に大きく反らせる要因を有している。ここで、ウエハ３１に主面が凹型形状となる反りが生じている場合には、カバー粘着テープ３２が貼付されたウエハ３１に加熱処理（例えば１００℃で３０秒加熱）を施す。それにより、カバー粘着テープ３２を熱収縮させてウエハ３１の主面側に凹形状に反った反り量を打ち消す力を作用させ、カバー粘着テープ３２付きウエハ３１の反り量を３ｍｍ程度（第２の量）以下、好ましくは１ｍｍ程度（第２の量）以下に抑える。ここでは、ウエハ３１の反り量を３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下という具体値を提示したが、この数値に限定されるものではなく、ウエハ３１の処理に用いられる各装置が許容するウエハ３１の反り量に合わせるものである。

次に、図１７に示すように、ＵＢＭめっき膜３４が形成されたウエハ３１の主面をダイシングフレーム２０付きダイシングテープ２１に貼付する（工程Ｐ２６）。次いで、加熱ブロック３７によりダイシングテープ２１側からウエハ３１を約１３５℃で加熱することにより、カバー粘着テープ３２の熱発泡型粘着剤層３２Ｂを熱発泡させることにより、ウエハ３１からカバー粘着テープ３２を剥離し、本実施の形態２の半導体装置を製造する（工程Ｐ２７）。

なお、上記ＵＢＭめっき膜３４上にはんだバンプ電極を形成する場合には、ダイシングテープ２１よりウエハ３１を剥離した後にそのはんだバンプ電極を形成する。

以上のように、本実施の形態２は、パワーＭＩＳＦＥＴの製造工程において、直径約２００ｍｍのウエハ３１を約５０μｍ厚にまで薄型化した後に、ウエハ３１を主面側に凹型形状に大きく反らせる膜応力を有するＵＢＭめっき膜３４を、ウエハ３１を主面側に凸型形状に大きく反らせる膜応力を有する裏面金属電極膜１８の成膜後に成膜するものである。

前述したように、本実施の形態２によれば、ウエハ３１の裏面の研削前に主面側に紫外線硬化型粘着テープ２を貼付し、素子形成面（主面）を保護しつつ、（ｉ）ウエハ３１の裏面の研削加工（工程Ｐ１７）、（ｉｉ）ウエハ３１の裏面の研削により生じた歪層除去処理（工程Ｐ１９）、および（ｉｉｉ）ウエハ３１の裏面への裏面金属電極膜１８の成膜処理（工程Ｐ２１）を一連処理で実施することができる。さらに、それに加えて、ウエハ３１の裏面への裏面金属電極膜１８の成膜処理（工程Ｐ２１）後において、ウエハ３１の裏面にカバー粘着テープ３２を貼付した状態で、（ｉｖ）ウエハ３１の主面に貼付した紫外線硬化型粘着テープ２の剥離（工程Ｐ２４）、（ｖ）ウエハ３１の主面へのＵＢＭめっき膜３４の成膜（工程Ｐ２５）、および（ｖｉ）ＵＢＭめっき膜３４が形成されたウエハ３１のダイシングテープ２１への貼付（工程Ｐ２６）およびカバー粘着テープ３２の剥離（工程Ｐ２７）を一連処理で実施することができる。

また、本実施の形態２によれば、紫外線硬化型粘着テープ２またはカバー粘着テープ３２の貼付後、各工程の前後にて必要に応じて紫外線硬化型粘着テープ２またはカバー粘着テープ３２付きウエハ３１を加熱（紫外線硬化型粘着テープ２またはカバー粘着テープ３２を熱収縮）することにより、ウエハ３１の反りを矯正でき、上記一連処理中の紫外線硬化型粘着テープ２またはカバー粘着テープ３２付きウエハ３１の反り量を所望の数値以下に抑えることが可能となる。

（実施の形態３）
本実施の形態３の半導体装置は、例えば高周波増幅用小信号バイポーラトランジスタである。

図１８は、本実施の形態３の小信号バイポーラトランジスタの製造工程の処理フロー（工程Ｐ２８〜Ｐ３５）を示している。

前記実施の形態１、２の半導体装置およびその製造工程と本実施の形態３の半導体装置およびその製造工程との主な差異は下記の通りである。
（１）本実施の形態３（小信号バイポーラトランジスタ）の半導体素子パターンの段差量（深さ）は３μｍ程度と浅いのに対し、前記実施の形態１（ノンパンチスルー型ＩＧＢＴ）および前記実施の形態２（パワーＭＩＳＦＥＴ）の半導体素子パターンの段差量（深さ）は１０μｍ〜１５μｍ程度と深い。
（２）本実施の形態３（小信号バイポーラトランジスタ）の半導体素子パターン段差量（深さ）は３μｍ程度と浅いことから、剥離可能な収縮変形する粘着テープとしては、紫外線照射前の紫外線硬化型粘着剤層より機械的弾性率の大きい（硬い）、感圧型粘着剤層を有する感圧型粘着テープを用いた。

上記（１）および（２）に記した前記実施の形態１、２との差異を含む本実施の形態３の半導体装置の製造工程について、以下に説明する。

本実施の形態３の半導体装置は、特に限定されないが、例えば直径１５０ｍｍ程度のＳｉウエハを約８０μｍ厚に薄仕上げすることで製造されたチップからなる小信号バイポーラトランジスタである。チップ内の細部の図示は省略するが、本実施の形態３の小信号バイポーラトランジスタは、主面側の表面保護膜としてプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で成膜された窒化シリコン膜を用いている。このプラズマＣＶＤ法で成膜された窒化シリコン膜は圧縮残留応力が大きく、約８０μｍ厚に薄仕上げされた直径１５０ｍｍ程度のウエハの主面（素子形成面）を凸型形状に５ｍｍ以上に大きく反らせる要因を有している。

本実施の形態３では、低段差パターンの半導体素子（バイポーラトランジスタ素子）を形成（工程（第１の工程）Ｐ２８）後、ウエハ４１の主面（素子形成面（第１の主面））４１Ａに感圧型粘着テープ（支持体）４２を貼付する（工程（第２の工程）Ｐ２９）。この感圧型粘着テープ４２は、テープ基材４２Ａと加圧により粘着する感圧型粘着剤層４２Ｂとから形成されており、感圧型粘着剤層４２Ｂがウエハ４１の主面４１Ａに接する（図１９参照）。

その後、前記実施の形態１で説明した工程Ｐ４、Ｐ５と同様の工程によってウエハ４１の裏面（第２の主面）を研削してウエハ４１を約８０μｍ厚に薄型化した後、その研削加工によりウエハ４１の裏面に生じた歪層（図示は省略）をエッチング除去する（工程（第３の工程）Ｐ３０および工程Ｐ３１）。

ここまでの工程が完了すると、前記実施の形態１でも説明したように、ウエハ４１が薄くなったことにより、ウエハ４１の主面４１Ａに形成した導電膜および絶縁膜（たとえばプラズマＣＶＤ法で成膜した窒化シリコン膜）の残留応力がウエハ４１に作用し、ウエハ４１は主面４１Ａが凸形状となるように反りやすくなる。そこで、本実施の形態３においても、感圧型粘着テープ４２付きウエハ４１に所定の加熱処理を施すことで感圧型粘着テープ４２を熱収縮させ、ウエハ４１の主面側に凸形状に反った反り量を打ち消す力を作用させ、感圧型粘着テープ４２付きウエハ４１の反りを抑える（工程Ｐ３２）。この時、感圧型粘着テープ４２付きウエハ４１の反り量は３ｍｍ程度（第１の量）以下、好ましくは、１ｍｍ程度（第１の量）以下に抑える。ここでは、ウエハ４１の反り量を３ｍｍ程度以下、好ましくは１ｍｍ程度以下という具体値を提示したが、この数値に限定されるものではなく、ウエハ４１の処理に用いられる各装置が許容するウエハ４１の反り量に合わせるものである。

その後、前記実施の形態１で説明した工程Ｐ１１と同様の裏面金属電極膜の成膜工程（工程（第４の工程）Ｐ３３）、前記実施の形態１で説明した工程Ｐ１３と同様のウエハ４１のダイシングテープへの貼付工程（工程Ｐ３４）、およびウエハ４１からの感圧型粘着テープ４２の剥離工程（工程（第５の工程）Ｐ３５）等を経て、本実施の形態３の半導体装置を製造する。このように、ウエハ４１の裏面をダイシングテープに貼付し、ウエハ４１をダイシングテープによって機械的に補強した後で感圧型粘着テープ４２を剥離することにより、感圧型粘着テープ４２の剥離時の負荷によって薄型化したウエハ４１に割れや欠けが生じてしまうことを防ぐことができる。

上記の本実施の形態３によれば、ウエハ４１の裏面の研削前に主面４１Ａ側に感圧型粘着テープ４２を貼付し（工程Ｐ２９）、低段差パターンの半導体素子が形成された素子形成面（主面４１Ａ）を保護しつつ、（ｉ）ウエハ４１の裏面研削加工（工程Ｐ３０）、（ｉｉ）ウエハ４１の裏面の研削により生じた歪層除去処理（工程Ｐ３１）、（ｉｉｉ）感圧型粘着テープ４２を加熱しウエハ４１の反りの矯正処理（工程Ｐ３２）、（ｉｖ）ウエハ４１の裏面への裏面金属電極膜の成膜処理（工程Ｐ３３）、ウエハ４１のダイシングテープへの貼付処理（工程Ｐ３４）、およびウエハ４１からの感圧型粘着テープ４２の剥離処理（工程Ｐ３５）を一連処理で実施することが可能となる。

また、上記の本実施の形態３によれば、約８０μｍ厚に薄仕上げされたウエハ４１において、主面４１Ａ上にプラズマＣＶＤ法等で成膜された窒化シリコン膜等からの残留応力に起因して発生する反り（主面４１Ａ側に凸型形状）を矯正することができる。それにより、本実施の形態３によれば、ウエハ４１に生じた反りを矯正した状況下でウエハ４１の裏面への裏面金属電極膜の成膜処理（工程Ｐ３３）、ウエハ４１のダイシングテープへの貼付処理（工程Ｐ３４）、およびウエハ４１からの感圧型粘着テープ４２の剥離処理（工程Ｐ３５）を行うことが可能となる。

また、上記の本実施の形態３では、ウエハ４１の裏面への裏面金属電極膜の成膜処理（工程Ｐ３３）は、ウエハ４１の裏面側からＴｉ膜、Ｎｉ膜およびＡｕ膜を順次積層することで行う。このようなＴｉ膜、Ｎｉ膜およびＡｕ膜の積層膜からなる裏面金属電極膜は、ウエハ４１の裏面に作用する残留応力値が小さいので、裏面金属電極膜の形成後のウエハ４１の反りへの影響は少ないものである。その結果、感圧型粘着テープ４２付きウエハ４１の反り量を３ｍｍ程度以下、好ましくは、１ｍｍ程度以下に抑えながら、感圧型粘着テープ４２付きウエハ４１をダイシングテープに貼付することが可能となる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施の形態では、ウエハの薄型化はウエハの裏面を研削することで行う場合について説明したが、研削以外にも研磨、ウエットエッチング（科学的エッチング）およびドライエッチング（物理化学的エッチング）等の手段うちの選択された１つ以上の手段を用いて行ってもよい。

また、前記実施の形態では、ウエハの裏面に不純物イオンを導入し、その導入した不純物イオンを活性化し、さらにスパッタリング法でウエハの裏面に裏面金属電極膜を成膜することで、ウエハの主面に形成された半導体素子と電気的に接続する電極をウエハの裏面に形成する場合について説明したが、このウエハ裏面の電極は、不純物イオン注入、その不純物イオンの活性化、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ、めっき、およびコーティングのうちの選択された１つ以上の方法により形成することができる。

また、前記実施の形態では、加熱により熱収縮するウエハの支持体（紫外線硬化型粘着テープおよび感圧型粘着テープ等）を加熱し、熱収縮変形させて、ウエハの反り量を所定量（第１の量）以下にする工程を個別に設けて説明した。これに限定されるものでなく、ウエハの主面に形成された半導体素子と電気的に接続する電極をウエハの裏面に形成する処理（不純物イオンの導入処理、導入した不純物イオンの活性化処理、および裏面金属電極膜の成膜処理等）工程中に、前記ウエハの反りを矯正するための支持体を熱収縮変形させる加熱処理を併用してもよい。

本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハの薄型化処理等のウエハに反りを生じさせる要因となる工程を含む半導体装置の製造工程に広く適用することができる。

本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造フロー図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造工程中において、ウエハに紫外線硬化型粘着テープを貼付した状態を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造工程中において、ウエハに貼付した紫外線硬化型粘着テープへの紫外線照射を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造工程中におけるウエハの裏面研削工程を示す要部断面図である。 図４に示したウエハの裏面研削工程で生じた歪層の除去処理を示す要部断面図である。 紫外線硬化型粘着テープ付きウエハへの加熱温度とそのウエハの反り量との関係を示す説明図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造工程中におけるウエハの裏面への不純物イオン注入処理工程を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造工程中におけるウエハ裏面に注入された不純物イオンを活性化するレーザ処理工程を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造工程中におけるウエハ裏面への金属電極膜形成工程を示す要部断面図である。 ノンパンチスルー型ＩＧＢＴ素子の要部断面摸式図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造工程中におけるダイシングテープへのウエハのマウント状態を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置であるＩＧＢＴの製造工程中におけるウエハに貼付した紫外線硬化型粘着テープの剥離処理を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置であるパワーＭＩＳＦＥＴの製造フロー図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置であるパワーＭＩＳＦＥＴの製造工程中において、ウエハ裏面にカバー粘着テープを貼付した状態を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置であるパワーＭＩＳＦＥＴの製造工程中におけるウエハに貼付した紫外線硬化型粘着テープの剥離処理を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置であるパワーＭＩＳＦＥＴの製造工程中におけるウエハの主面へのめっき処理を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置であるパワーＭＩＳＦＥＴの製造工程中におけるウエハ裏面に貼付したカバー粘着テープの剥離処理を示す要部断面図である。 本発明の実施の形態３の半導体装置である高周波増幅用小信号バイポーラトランジスタの製造フロー図である。 本発明の実施の形態３の半導体装置である高周波増幅用小信号バイポーラトランジスタの製造工程中において、ウエハに感圧型粘着テープを貼付した状態を示す要部断面図である。

符号の説明

１ ウエハ
１Ａ 主面（第１の主面）
１Ｂ 裏面（第２の主面）
２ 紫外線硬化型粘着テープ（支持体）
２Ａ 基材
２Ｂ 紫外線硬化型粘着剤層
３ ウエハ吸着回転ステージ
４ 回転研削砥石
５ ウエハ吸着回転ステージ
６ 滴下ノズル
７ エッチング液
８ ウエハ静電チャックステージ
９ 不純物イオン注入層
１０ ウエハ吸着ステージ
１１ パルスレーザ
１２ Ｎ型バッファ層
１３ Ｐ型コレクタ層
１４ スパッタ室
１５ 静電チャック機能付アノード電極
１６ カソード電極
１７ Ｎｉターゲット
１８ 裏面金属電極膜
１９ Ｐ型エミッタ層
２０ ダイシングフレーム
２１ ダイシングテープ
３１ ウエハ
３２ カバー粘着テープ（支持体）
３２Ａ テープ基材
３２Ｂ 熱発泡型粘着剤層
３３ テープ剥離用吸着テーブル
３４ ＵＢＭめっき膜
３５ めっき槽
３６ めっき液
３７ 加熱ブロック
４１ ウエハ
４１Ａ 主面（第１の主面）
４２ 感圧型粘着テープ（支持体）
４２Ａ テープ基材
４２Ｂ 感圧型粘着剤層
Ｐ１、Ｐ１５、Ｐ２８ 工程（第１の工程）
Ｐ２、Ｐ１６、Ｐ２９ 工程（第２の工程）
Ｐ４、Ｐ１７、Ｐ３０ 工程（第３の工程）
Ｐ１１、Ｐ２１、Ｐ３３ 工程（第４の工程）
Ｐ１４、Ｐ２４、Ｐ３５ 工程（第５の工程）
Ｐ２３ 工程（第６の工程）
Ｐ２５ 工程（第７の工程）
Ｐ３、Ｐ５〜Ｐ１０、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１８〜Ｐ２０、Ｐ２２、Ｐ２６、Ｐ２７、Ｐ３１、Ｐ３２、Ｐ３４ 工程

Claims (11)

1. 半導体ウエハの第１の主面に半導体素子を形成する第１の工程と、
   前記第１の工程後、前記半導体ウエハの前記第１の主面に、収縮変形する剥離可能な支持体を貼付する第２の工程と、
   前記支持体が前記半導体ウエハの前記第１の主面に貼付された状況下において、前記半導体ウエハを前記第１の主面とは反対の第２の主面から薄型化する第３の工程と、
   前記第３の工程後、前記半導体ウエハの前記第２の主面に前記半導体素子と電気的に接続する電極を付加する処理を行なう第４の工程と、
   前記第４の工程後、前記第２の工程にて前記半導体ウエハの前記第１の主面に貼付した前記支持体を剥離する第５の工程とを有し、
   前記第３の工程の後であって、前記第５の工程の前に、加熱により前記支持体を収縮変形させて前記半導体ウエハの反り量を第１の量以下にする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、さらに
   前記第５の工程前に、前記半導体ウエハの前記第２の主面にさらなる支持体を貼付する第６の工程と、
   前記第６の工程後に、加熱により前記さらなる支持体を収縮変形させて、前記半導体ウエハの反り量を第２の量以下にする第１のウエハ処理を行う第７の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、さらに
   前記第５の工程前に、前記半導体ウエハの前記第２の主面にさらなる支持体を貼付する第６の工程を有し、
   前記第５の工程は、前記さらなる支持体が貼付された状態で前記支持体を剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記支持体は、紫外線照射により硬化する粘着剤層を有する紫外線硬化型粘着テープであり、
   前記第３の工程前、前記第３の工程中、若しくは前記第３の工程後であって、前記加熱による前記支持体の収縮変形の前に、前記支持体に紫外線を照射し、前記紫外線硬化型粘着剤層を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記支持体は、圧力が加えられることにより粘着する粘着剤層を有する感圧型粘着テープであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第３の工程では、研削、研磨、化学的エッチング、および物理化学的エッチングのうちの選択された１つ以上の方法により、前記半導体ウエハの前記第２の主面から薄型化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第４の工程では、不純物イオン注入、前記不純物イオンの活性化、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ、めっき、およびコーティングのうちの選択された１つ以上の方法により、前記半導体ウエハの前記第２の主面に前記半導体素子と電気的に接続する前記電極を付加する処理を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第３の工程の後、加熱により前記支持体を熱収縮させることにより、前記支持体を収縮変形させて前記半導体ウエハの反り量を前記第１の量以下とした状況下で、前記第４の工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第４の工程の前において、加熱により前記支持体を熱収縮させることにより、前記支持体を収縮変形させて前記半導体ウエハの反り量を前記第１の量以下とした状況下で、前記第４の工程を実施する、
   若しくは、前記第４の工程の後において、加熱により前記支持体を熱収縮させることにより、前記支持体を収縮変形させて前記半導体ウエハの反り量を前記第１の量以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 半導体ウエハの第１の主面に半導体素子を形成する第１の工程と、
    前記第１の工程後、前記半導体ウエハの前記第１の主面に、収縮変形する剥離可能な支持体を貼付する第２の工程と、
    前記支持体が前記半導体ウエハの前記第１の主面に貼付された状況下において、前記半導体ウエハを前記第１の主面とは反対の第２の主面から薄型化する第３の工程と、
    前記第３の工程後、加熱により熱収縮させることにより、前記支持体を収縮変形させて前記半導体ウエハの反り量を第１の量以下にする第４の工程と、
    前記第４の工程後、前記第２の工程にて前記半導体ウエハの前記第１の主面に貼付した前記支持体を剥離する第５の工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、さらに
    前記第４の工程と前記第５の工程との間に、前記半導体ウエハの前記第２の主面にさらなる支持体を貼付する第６の工程とを有し、
    前記第５の工程は、前記さらなる支持体が貼付された状態で前記支持体を剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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