KR101749013B1

KR101749013B1 - 마스킹 테이프 및 웨이퍼의 표면 처리 방법

Info

Publication number: KR101749013B1
Application number: KR1020167019521A
Authority: KR
Inventors: 유이치 스미이; 다이헤이 스기타; 히로시 무라야마
Original assignee: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date: 2009-03-18
Filing date: 2010-03-08
Publication date: 2017-06-19
Also published as: KR20110134877A; KR101758389B1; JP5543897B2; JP2011026603A; JP4653859B2; JP2011026615A; WO2010106938A1; JP5953337B2; KR20160088955A; JP2014210923A; JPWO2010106938A1

Abstract

본 발명은 상온에 있어서의 점착력이 우수하고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하며, 또한, 사용 후에는 용이하게 박리할 수 있는 마스킹 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하며, 또한, 사용 후에는 용이하게 박리할 수 있는 마스킹 테이프로서, 상기 점착제층은 적어도, 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르에서 유래되는 세그먼트와, 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트와, 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트를 갖고, 유리 전이 온도가 -5 ∼ 15 ℃ 인 공중합체를 함유하는 마스킹 테이프이다.

Description

마스킹 테이프 및 웨이퍼의 표면 처리 방법{MASKING TAPE AND METHOD FOR PROCESSING WAFER SURFACE}

본 발명은 상온에 있어서의 점착력이 우수하고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하며, 또한, 사용 후에는 용이하게 박리할 수 있는 마스킹 테이프에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 도금시에 웨이퍼의 표면을 간편하고 또한 확실하게 보호할 수 있는 웨이퍼의 표면 처리 방법에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼의 제조에 있어서는, 알루미늄 패드와 배선 와이어의 밀착성 향상, 땜납 볼을 탑재할 때의 밀착성 향상, 땜납 확산 방지 등의 목적에서, 웨이퍼의 편면에 니켈이나 금 등으로 이루어지는 금속막 (배리어 메탈) 을 형성한다. 이와 같은 배리어 메탈은, 스퍼터 등의 드라이 처리법에 의해 형성되고 있었다.

최근, 반도체 디바이스에 대하여 보다 높은 신뢰성이 요구되게 되었기 때문에, 배리어 메탈을 두껍게 할 것이 요구되게 되었다. 그러나, 종래의 드라이 처리법에 의해 두꺼운 배리어 메탈을 형성하기 위해서는, 비용면이나 작업 효율면에서 문제가 있었다. 그래서, 보다 간편하게 두꺼운 배리어 메탈을 형성할 수 있는 웨트 처리법이 검토되게 되었다.

대표적인 웨트 처리법으로는, 무전해 도금법이나 전해 도금법 등의 도금법을 들 수 있다. 도금법에 의하면, 비교적 두꺼운 배리어 메탈을 용이하게 형성할 수 있다. 그러나, 도금법에서는 웨이퍼의 전체를 도금욕에 침지하는 공정이 필수가 된다. 이 침지 공정에 의해, 웨이퍼의 타방의 면이 도금액으로 오염되어 버리거나, 경우에 따라서는 웨이퍼의 타방의 면에까지 도금이 실시되어 버리는 경우가 있어, 수율 저하의 원인이 되고 있었다.

도금액과의 접촉을 방지하고자 하는 면을 보호하는 방법으로는, 레지스트법이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 등). 즉, 도금 공정 전에, 미리 웨이퍼의 편면에 액상 레지스트를 스핀 코트 등에 의해 피복하고, 그 레지스트를 경화시켜 둠으로써, 웨이퍼의 편면을 확실하게 보호할 수 있다. 그러나, 도금 처리 후에 레지스트를 완전하게 제거하기 위해서는, 용제 등을 사용한 번잡한 레지스트 제거 공정이 필요해진다는 문제가 있었다.

일본 공개특허공보 평5-206064호

이에 대하여 본 발명자는, 마스킹 테이프에 의해 웨이퍼의 편면을 보호하는 것을 생각하였다. 마스킹 테이프를 사용하면, 번거로운 조작을 실시하지 않고 용이하게 웨이퍼의 편면을 보호하는 것을 기대할 수 있다. 그러나, 도금법에 의해 두꺼운 배리어 메탈을 형성하기 위해서는, 80 ∼ 100 ℃ 의 비교적 고온의 도금액에 웨이퍼를 침지할 필요가 있다. 리드 프레임의 도금 보호용으로서 사용되고 있는 종래 공지된 마스킹 테이프를 전용해도, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서는 점착력이 현저하게 저하되어, 도금 공정 중에 박리되어 버린다. 특히 균일한 도금을 실시하기 위해서는, 웨이퍼를 도금욕에 침지한 상태에서 교반을 실시할 필요가 있는데, 그 교반에 의해 더욱 마스킹 테이프의 박리가 발생하기 쉬워진다. 이와 같은 과제에 대하여, 마스킹 테이프의 점착제층의 유리 전이 온도를 높게 조정하여 고온 접착력을 향상시키는 것도 생각되었지만, 이 경우에는, 상온에 있어서의 점착력이 저하되어 버려 정확하게 마스킹하는 것이 곤란해진다는 문제가 발생하였다. 또한, 도금 공정 후에는 웨이퍼를 파손하지 않도록 용이하게 박리할 수 있을 것도 요구된다.

본 발명은 상온에 있어서의 점착력이 우수하고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하며, 또한, 사용 후에는 용이하게 박리할 수 있는 마스킹 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 도금시에 웨이퍼의 표면을 간편하고 또한 확실하게 보호할 수 있는 웨이퍼의 표면 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하며, 또한, 사용 후에는 용이하게 박리할 수 있는 마스킹 테이프로서, 상기 점착제층은, 적어도, 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르에서 유래되는 세그먼트와, 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트와, 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트를 갖고, 유리 전이 온도가 -5 ∼ 15 ℃ 인 공중합체를 함유하는 마스킹 테이프이다.

이하에 본 발명을 상세히 서술한다.

본 발명자는 마스킹 테이프의 점착제층을 검토하여, 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르에서 유래되는 세그먼트를 주성분으로 하고, 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트를 공중합함으로써 유리 전이 온도를 일정한 범위로 조정한 공중합체를 함유하는 점착제층을 사용하는 마스킹 테이프는, 상온에 있어서의 점착력과, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에 있어서의 점착력을 양립시킬 수 있는 것을 알아내었다. 또한, 그 공중합체에 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트를 공중합시킴으로써, 자외선 등을 조사하는 것만으로 용이하게 박리할 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

본 발명의 마스킹 테이프는 기재와 그 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어진다.

상기 기재는 특별히 한정되지 않지만, 광을 투과 또는 통과하는 것인 것이 바람직하고, 예를 들어, 아크릴, 올레핀, 폴리카보네이트, 염화비닐, ABS, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 나일론, 우레탄, 폴리이미드 등의 투명한 수지로 이루어지는 시트, 망상의 구조를 갖는 시트, 구멍이 뚫린 시트 등을 들 수 있다.

상기 기재는, 폭 10 ㎜, 길이 15 ㎝ 의 샘플을, 80 ℃, 척킹 거리 10 ㎝ 의 조건하에서 인장 시험기로 인장 시험을 실시하였을 때에, 신장률 20 ％ 시의 인장 강도가 60 N 이하인 기재 (이하, 「유연 기재」라고도 한다) 가 바람직하다. 이와 같은 유연 기재를 사용한 경우에는, 마스킹 테이프를 첩착(貼着)한 웨이퍼를 80 ℃ 정도의 도금욕 중에서 도금 처리한 경우에도, 마스킹 테이프의 박리가 잘 일어나지 않는다.

본 발명자는 80 ℃ 정도의 고온수 중에서 웨이퍼로부터 마스킹 테이프가 박리되는 양태에 대하여 검토하였다. 그 결과, 80 ℃ 정도의 도금욕 중에 침지하였을 때에 웨이퍼와 마스킹 테이프 사이에 발생하는 응력에 원인이 있는 것을 알아내었다. 즉, 마스킹 테이프를 첩착한 웨이퍼를 80 ℃ 정도의 도금욕 중에 침지하면, 급격한 온도 변화에 수반하여 부재가 팽창하려고 한다. 마스킹 테이프의 기재, 점착제층과 웨이퍼는, 각각 열팽창 계수가 상이하기 때문에 온도 변화시의 팽창률이 상이하다. 이 팽창률의 상위에 의해 각 계면에 응력이 발생한다. 또한, 특히 균일한 도금을 실시하기 위해서는, 웨이퍼를 도금욕에 침지한 상태에서 교반을 실시할 필요가 있지만, 그 교반에 의해 웨이퍼로부터 돌출된 마스킹 테이프 부분에 수류가 닿아, 마스킹 테이프와 웨이퍼 사이에 박리 응력이 발생한다.

본 발명자는, 예의 검토한 결과, 일정 조건하에서 인장 시험을 실시하였을 때의 인장 강도가 일정값 이하인 기재를 마스킹 테이프의 기재로서 사용함으로써, 80 ℃ 정도의 도금욕 중에 침지하였을 때에 웨이퍼와 마스킹 테이프 사이에 발생하는 응력을 완화시켜 박리를 억제할 수 있음을 알아내었다. 이것은 상기 조건을 만족하는 유연 기재를 사용함으로써, 팽창률의 상위에 의해 발생한 응력을 완화시킬 수 있음과 함께, 교반시에 웨이퍼로부터 돌출된 마스킹 테이프 부분에 수류가 닿아도 발생하는 박리 압력이 작아지기 때문이라고 생각된다.

상기 유연 기재의 인장 강도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 폭 10 ㎜, 길이 15 ㎝ 의 샘플을, 80 ℃, 척킹 거리 10 ㎝ 의 조건하에서 인장 시험기로 인장 시험을 실시하였을 때에, 신장률 20 ％ 시의 인장 강도가 0.1 N 이상인 것이 바람직하다. 상기 조건에서의 인장 강도가 0.1 N 미만이면, 실질적으로 기재로서의 형상을 유지하는 것이 곤란해진다.

상기 유연 기재는, 기재를 구성하는 재료와 기재의 두께를 선택함으로써, 상기 조건에서의 인장 강도를 60 N 이하로 조정할 수 있다.

상기 유연 기재를 구성하는 재료는 특별히 한정되지 않지만, 유연하고 비교적 두꺼워도 소기의 인장 강도를 달성할 수 있다는 점에서, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 (EVA), 폴리이미드, 염화비닐 등을 들 수 있다.

상기 유연 기재의 두께는 재질에 따라, 상기 조건에서의 인장 강도가 60 N 이하가 되도록 적절히 조정하면 된다.

기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하는 마스킹 테이프로서, 상기 기재는, 폭 10 ㎜, 길이 15 ㎝ 의 샘플을, 80 ℃, 척킹 거리 10 ㎝ 의 조건하에서 인장 시험기로 인장 시험을 실시하였을 때에, 신장률 20 ％ 시의 인장 강도가 60 N 이하인 마스킹 테이프도 또한 본 발명의 하나이다.

상기 기재는, JIS K 7126 에 준한 방법에 의해 측정한 산소 투과율이 9 cc/㎡/hr/atm 이하인 기재 (이하, 「저산소 투과율 기재」라고도 한다) 가 바람직하다. 이와 같은 저산소 투과율 기재를 사용한 경우에는, 마스킹 테이프를 첩착한 웨이퍼를 80 ℃ 정도의 도금욕 중에서 도금 처리한 경우에도, 마스킹 테이프의 박리가 잘 일어나지 않는 것에 추가하여, 도금 처리를 실시하여 얻은 반도체 웨이퍼의 전기적인 불량의 발생을 방지할 수 있다.

본 발명자는, 80 ℃ 정도의 고온수 중에서 웨이퍼로부터 마스킹 테이프가 박리되는 원인의 하나가, 도금액이 기재를 투과하여 점착제층에 이르러, 웨이퍼에 대한 밀착성을 저하시키는 것에 있음을 알아내었다. 또한, 마스킹 테이프에 의해 웨이퍼의 편면을 보호한 상태에서 도금을 실시하여 얻어진 반도체 웨이퍼를 실제로 디바이스로서 사용한 경우, 쇼트 등의 전기적인 불량이 발생하는 경우가 있다. 본 발명자들이 이 전기적인 불량 발생의 원인을 검토한 결과, 테이프의 벗겨짐 등에 의해 도금액이 스며드는 것 뿐만 아니라, 도금액에 함유되는 미량의 음이온, 특히 염소 이온이 마스킹 테이프나 레지스트를 투과하여, 보호면에 형성된 전극용 금속막에 부착되는 것이 원인인 것을 알아내었다.

그리고 더욱 검토한 결과, 마스킹 테이프의 기재의 산소 투과율을 일정 이하로 함으로써, 고온수 중에서의 박리를 방지하며, 또한, 염소 이온의 투과에 의한 전기적인 불량의 발생을 방지할 수 있음을 알아내었다.

상기 저산소 투과율 기재의 산소 투과율이 9 cc/㎡/hr/atm 을 초과하면, 염소 이온 등의 투과를 억제할 수 없게 되어, 얻어진 반도체 웨이퍼의 전기적인 불량의 발생을 방지할 수 없다. 상기 저산소 투과율 기재의 산소 투과율은 9 cc/㎡/hr/atm 이하인 것이 바람직하다. 상기 저산소 투과율 기재의 산소 투과율이 9 cc/㎡/hr/atm 이하이면, 일반적인 무전해 도금의 조건에서는, 충분히 반도체 웨이퍼의 전기적인 불량의 발생을 방지할 수 있다.

또한, 현재의 일반적인 무전해 도금의 조건은 70 ∼ 90 ℃, 30 ∼ 90 분간 정도이지만, 향후 디바이스에 의해 높은 신뢰성을 부여하기 위해서, 보다 엄격한 조건에서 무전해 도금을 실시하고, 보다 두꺼운 도금을 실시하게 될 것이 예측된다. 따라서, 상기 저산소 투과율 기재의 산소 투과율의 보다 바람직한 상한은 1 cc/㎡/hr/atm 이다. 상기 저산소 투과율 기재의 산소 투과율이 1 cc/㎡/hr/atm 이하이면, 보다 엄격한 조건에서 무전해 도금을 실시한 경우라도, 염소 이온 등의 투과를 확실하게 방지하여 반도체 웨이퍼의 전기적인 불량의 발생을 방지할 수 있고, 무전해 도금 중의 마스킹 테이프의 박리를 방지할 수 있다.

상기 저산소 투과율 기재는, 상기 산소 투과율을 만족하는 것이면, 단층으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수의 층으로 이루어지는 것이어도 된다.

단층으로 이루어지는 저산소 투과율 기재는, 예를 들어, 고연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등을 들 수 있다. 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름은, 본래 비교적 산소 투과율이 낮은 것이지만, 고연신 처리를 실시함으로써 산소 투과율을 9 cc/㎡/hr/atm 이하로 할 수 있다.

복수의 층으로 이루어지는 저산소 투과율 기재는, 예를 들어, 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 올레핀계 수지로 이루어지는 필름에, 산소의 투과를 방해하는 층을 적층한 필름 등을 들 수 있다. 구체적으로는 예를 들어, 올레핀계 수지로 이루어지는 필름에 고연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층한 적층 필름이나, 올레핀계 수지로 이루어지는 필름에 금속막이나 실리카막을 증착한 증착 필름 등을 들 수 있다.

상기 증착 필름에 있어서, 증착층의 두께의 바람직한 하한은 5 ㎚, 바람직한 상한은 300 ㎚ 이다. 증착층의 두께가 5 ㎚ 미만이면, 충분히 산소 투과율을 저하시킬 수 없는 경우가 있고, 300 ㎚ 를 초과하면, 기재가 딱딱해지고, 박리되기 쉬워지는 경우가 있다. 상기 증착 필름의 증착층의 두께의 보다 바람직한 하한은 50 ㎚, 보다 바람직한 상한은 200 ㎚ 이다.

무전해 도금법 또는 전해 도금법에 의한 도금시에 비도금면을 보호하기 위한 마스킹 테이프로서, 기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지고, 상기 기재는, JIS K 7126 에 준한 방법에 의해 측정한 산소 투과율이 9 cc/㎡/hr/atm 이하인 마스킹 테이프도 또한 본 발명의 하나이다.

상기 점착제층은 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르에서 유래되는 세그먼트와, 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트와, 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트를 갖는 공중합체 (이하, 간단히 「공중합체」라고도 한다) 를 함유한다.

상기 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르로 이루어지는 세그먼트는, 상기 공중합체의 베이스가 되는 것이다. 상기 점착제층을 구성하는 공중합체가 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르로 이루어지는 세그먼트를 가짐으로써, 본 발명의 마스킹 테이프는 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에 있어서의 높은 점착력을 발휘할 수 있다.

상기 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르는, 예를 들어 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트가 바람직하다.

상기 공중합체에 있어서의 상기 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르로 이루어지는 세그먼트의 함유량의 바람직한 하한은 40 중량％, 바람직한 상한은 90 중량％ 이다. 상기 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르로 이루어지는 세그먼트의 함유량이 40 중량％ 미만이면, 80 ∼ 90 ℃ 의 고온에 있어서의 점착제의 충분한 응집력이 얻어지지 않는 경우가 있고, 90 중량％ 를 초과하면, 점착제로서의 응력 완화력이 감소하여, 접착력을 저해하는 경우가 있다. 상기 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르로 이루어지는 세그먼트의 함유량의 보다 바람직한 하한은 50 중량％, 보다 바람직한 상한은 80 중량％ 이다.

상기 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트는, 상기 공중합체의 유리 전이 온도를 조정하는 역할을 갖는다. 상기 공중합체에 있어서의 상기 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르의 단독 중합체에서는, 유리 전이 온도가 -20 ℃ 를 하회하여, 고온에 있어서의 필요한 탄성률 조정을 할 수 없다. 상기 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 모노머를 공중합함으로써, 상기 공중합체의 유리 전이 온도를 조정할 수 있다.

상기 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 모노머는, 예를 들어, 메틸메타크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 아크릴로니트릴, 아크릴산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메틸메타크릴레이트나 아크릴로니트릴이 바람직하다.

상기 공중합체에 있어서의 상기 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트의 함유량은, 상기 공중합체의 유리 전이 온도가 -5 ∼ 15 ℃ 가 되도록 적절히 조정하면 된다. 일반적으로는, 상기 공중합체에 있어서의 상기 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트의 함유량의 바람직한 하한은 10 중량％, 바람직한 상한은 40 중량％ 이다. 상기 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트의 함유량이 10 중량％ 미만이면, 충분한 고온에서의 응집력이 얻어지지 않는 경우가 있고, 40 중량％ 를 초과하면, 점착력이 현저하게 저하되는 경우가 있다. 상기 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ∼ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트의 함유량의 보다 바람직한 하한은 15 중량％, 보다 바람직한 상한은 35 중량％ 이다.

상기 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트는, 상기 공중합체에 광 경화성을 부여하는 역할을 갖는다. 상기 점착제층을 구성하는 공중합체가 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트를 가짐으로써, 도금 공정 후에 본 발명의 마스킹 테이프에 광을 조사하면, 상기 점착제층이 경화된다. 경화된 점착제층은 탄성률이 현저하게 상승하여 점착력의 대부분을 상실하기 때문에, 용이하게 박리할 수 있다.

상기 공중합체에 상기 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트를 삽입하는 방법은, 예를 들어, 분자 내에 관능기를 가진 아크릴 모노머를 공중합한 후에, 그 관능기와 반응하는 관능기와 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 화합물 (이하, 관능기 함유 불포화 화합물이라고 한다) 과 반응시키는 방법 등을 들 수 있다.

상기 분자 내에 관능기를 가진 아크릴 모노머는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산 등의 카르복실기 함유 모노머나, 아크릴산하이드록시에틸, 메타크릴산하이드록시에틸 등의 하이드록실기 함유 모노머나, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 모노머나, 아크릴산이소시아네이트에틸, 메타크릴산이소시아네이트에틸 등의 이소시아네이트기 함유 모노머나, 아크릴산아미노에틸, 메타크릴산아미노에틸 등의 아미노기 함유 모노머 등을 들 수 있다.

상기 관능기 함유 불포화 화합물은, 예를 들어, 상기 분자 내에 관능기를 가진 아크릴 모노머의 관능기가 카르복실기인 경우에는 에폭시기 함유 모노머나 이소시아네이트기 함유 모노머를 들 수 있고, 동 관능기가 하이드록실기인 경우에는 이소시아네이트기 함유 모노머를 들 수 있으며, 동 관능기가 에폭시기인 경우에는 카르복실기 함유 모노머나 아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머를 들 수 있고, 동 관능기가 아미노기인 경우에는 에폭시기 함유 모노머를 들 수 있다.

상기 공중합체에 있어서의 상기 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트의 함유량의 바람직한 하한은 0.1 meq/g, 바람직한 상한은 2 meq/g 이다. 상기 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트에서 유래되는 세그먼트의 함유량이 0.1 meq/g 미만이면, 충분한 광 경화성을 부여할 수 없어, 광을 조사해도 마스킹 테이프를 박리할 수 없는 경우가 있고, 2 meq/g 을 초과하면, 경화 후의 점착제가 무르게 되는 경우가 있다. 상기 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.2 meq/g, 보다 바람직한 상한은 1.5 meq/g 이다.

상기 공중합체는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위 내에서, 공중합 가능한 그 밖의 모노머에서 유래되는 세그먼트를 함유해도 된다. 상기 공중합 가능한 그 밖의 모노머는, 탄소수 6 이상의 측사슬를 갖는 아크릴 모노머, 예를 들어 2-에틸헥실아크릴레이트나 이소옥틸아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트 등을 들 수 있다.

상기 점착제층은, 광을 조사함으로써 기체를 발생하는 기체 발생제를 함유하는 것이 바람직하다. 이와 같은 기체 발생제를 함유하는 상기 점착제층에 광을 조사하면, 상기 공중합체가 가교 경화되어 점착제층 전체의 탄성률이 상승하고, 이와 같은 딱딱한 점착제층 중에서 발생한 기체는 점착제층으로부터 접착 계면으로 방출되어 접착면의 적어도 일부를 박리하기 때문에, 보다 용이하게 마스킹 테이프를 박리할 수 있다.

상기 기체 발생제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 아지드 화합물, 아조 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 내열성이 우수한 아지드 화합물이 바람직하다.

상기 아지드 화합물로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 3-아지드메틸-3-메틸옥세탄, 테레프탈아지드, p-tert-부틸벤즈아지드, 3-아지드메틸-3-메틸옥세탄을 개환 중합함으로써 얻어지는 글리시딜아지드 폴리머 (GAP) 등의 아지드기를 갖는 폴리머 등을 들 수 있다.

상기 점착제층은 광 중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.

상기 광 중합 개시제는, 예를 들어, 250 ∼ 800 ㎚ 파장의 광을 조사함으로써 활성화되는 것을 들 수 있다. 이와 같은 광 중합 개시제로는, 예를 들어, 메톡시아세토페논 등의 아세토페논 유도체 화합물이나, 벤조인프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물이나, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디에틸케탈 등의 케탈 유도체 화합물이나, 포스핀옥사이드 유도체 화합물이나, 비스(η5-시클로펜타디에닐)티타노센 유도체 화합물, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, α-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시메틸페닐프로판 등의 광 라디칼 중합 개시제를 들 수 있다. 이들 광 중합 개시제는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.

상기 점착제층은 다관능 올리고머 또는 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 다관능 올리고머 또는 모노머는, 상기 공중합체에 광을 조사하였을 때의 경화성을 향상시키는 역할을 갖는다.

상기 다관능 올리고머 또는 모노머로는, 분자량이 1 만 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 가열 또는 광의 조사에 의한 점착제층의 삼차원 망형상화가 효율적으로 이루어지도록, 그 분자량이 5,000 이하이며 또한 분자 내의 라디칼 중합성의 불포화 결합의 수가 2 ∼ 20 개인 것이다. 이와 같은 보다 바람직한 다관능 올리고머 또는 모노머는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 또는 상기 동일한 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 그 밖에, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 시판되는 올리고에스테르아크릴레이트, 상기 동일한 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들 다관능 올리고머 또는 모노머는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.

상기 점착제층은, 점착제로서의 응집력의 조절을 도모할 목적에서 이소시아네이트 화합물, 멜라민 화합물, 에폭시 화합물 등의 일반적인 점착제에 배합되는 각종 다관능성 화합물을 적절히 배합해도 된다. 또한, 대전 방지제, 가소제, 수지, 계면 활성제, 왁스, 미립자 충전제 등의 공지된 첨가제를 첨가할 수도 있다. 또한, 점착제의 안정성을 높이기 위해서 열안정제, 산화 방지제를 배합해도 된다.

본 발명의 마스킹 테이프를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 기재 상에 상기 공중합체를 함유하는 점착제를 닥터 나이프나 스핀 코터 등을 사용하여 도포하는 등의 종래 공지된 방법을 사용할 수 있다.

본 발명의 마스킹 테이프는, 상기 기재의 일방의 면에 상기 공중합체를 함유하는 점착제층이 형성되어 있기 때문에, 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이 1 N/인치 이상이며, 또한, 박리시의 박리력이 0.5 N/인치 이하로 할 수 있다.

이와 같은 성능을 갖는 본 발명의 마스킹 테이프는, 상온에 있어서의 점착력이 우수하고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하며, 또한, 사용 후에는 용이하게 박리할 수 있다. 따라서, 본 발명의 마스킹 테이프를 사용하면, 도금시에 웨이퍼의 표면을 간편하고 또한 확실하게 보호할 수 있는 웨이퍼의 표면 처리 방법을 제공할 수 있다.

편면에 회로가 형성된 웨이퍼의 그 회로가 형성되어 있지 않은 측에 마스킹 테이프를 첩부(貼付)하는 공정과, 마스킹 테이프가 첩부된 웨이퍼에, 전해 도금법 또는 무전해 도금법에 의해 도금을 실시하는 공정과, 도금 후의 웨이퍼로부터 마스킹 테이프를 박리하는 공정을 갖는 웨이퍼의 표면 처리 방법으로서, 상기 마스킹 테이프는, 기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지고, 상기 점착제층은, 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이 1 N/인치 이상이며, 또한, 박리시의 박리력이 0.5 N/인치 이하인 웨이퍼의 표면 처리 방법도 또한 본 발명의 하나이다.

본 발명의 웨이퍼의 표면 처리 방법은, 편면에 회로가 형성된 웨이퍼의 그 회로가 형성되어 있지 않은 측에 마스킹 테이프를 첩부하는 공정을 갖는다.

상기 마스킹 테이프는, 기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지고, 상기 점착제층은, 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이 1 N/인치 이상이며, 또한, 박리시의 박리력이 0.5 N/인치 이하이다. 이와 같은 성능을 갖는 마스킹 테이프를 사용함으로써, 80 ∼ 100 ℃ 의 비교적 고온의 도금액에 웨이퍼를 침지하는 공정을 갖는 도금 처리를 실시한 경우라도, 마스킹 테이프가 웨이퍼로부터 박리되는 경우가 없어 확실하게 웨이퍼의 표면을 보호할 수 있으며, 또한, 도금 처리 후에는 불필요해진 마스킹 테이프를 용이하게 박리할 수 있다.

상기 마스킹 테이프의 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이 1 N/인치 미만이면, 도금 처리시에 마스킹 테이프가 박리되어 버려, 확실한 보호를 할 수 없다. 상기 도금 처리 온도에 있어서의 점착력은 1.5 N/인치 이상인 것이 바람직하다.

또한, 본 명세서에 있어서 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이란, 전해 도금법 또는 무전해 도금법에 의해 도금을 실시하는 공정에 있어서의 도금욕의 온도 (통상, 80 ∼ 100 ℃) 와 동일한 온도에 있어서, 180°필 측정법 (JIS Z 0237) 에 준한 방법에 의해 측정한 Si 웨이퍼로부터의 박리력을 의미한다.

상기 마스킹 테이프의 박리시의 박리력이 0.5 N/인치를 초과하면, 웨이퍼로부터 마스킹 테이프를 박리하기 곤란하거나, 박리시에 웨이퍼를 파손시켜 버리거나 한다. 상기 박리시의 박리력은 0.2 N/인치 이하인 것이 바람직하다.

또한, 본 명세서에 있어서 박리시의 박리력이란, 후술하는 마스킹 테이프의 점착력을 저하시키는 자극을 준 후에, 상온 (통상, 박리를 실시하는 온도, 23 ℃ 정도) 에 있어서, 180°필 측정법 (JIS Z 0237) 에 준한 방법에 의해 측정한 Si 웨이퍼로부터의 박리력을 의미한다.

본 발명의 웨이퍼의 표면 처리 방법에 사용하는 마스킹 테이프는, 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이 1 N/인치 이상이며, 또한, 박리시의 박리력이 0.5 N/인치 이하인 것이면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 본 발명의 마스킹 테이프가 바람직하다.

웨이퍼에 마스킹 테이프를 첩부할 때에는, 그 웨이퍼로부터의 마스킹 테이프의 돌출 부분의 폭이 2 ㎜ 이하이도록 첩부하는 것이 바람직하다. 돌출 부분의 폭이 작을수록, 도금욕에 침지한 상태에서 교반을 실시하였을 때에 수류가 닿는 부분이 작아져, 발생하는 박리 압력도 작아진다.

본 발명의 웨이퍼의 표면 처리 방법에서는, 이어서, 마스킹 테이프가 첩부된 웨이퍼에, 전해 도금법 또는 무전해 도금법에 의해 도금하는 공정을 실시한다. 상기 도금 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 들 수 있다.

통상적인 도금 방법에서는, 80 ∼ 100 ℃ 의 비교적 고온의 도금액에 웨이퍼를 침지하지만, 상기 마스킹 테이프의 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이 1 N/인치 이상이기 때문에, 마스킹 테이프가 박리되지 않고 확실한 보호를 할 수 있다.

본 발명의 웨이퍼의 표면 처리 방법에서는, 이어서, 도금 후의 웨이퍼로부터 마스킹 테이프를 박리하는 공정을 실시한다. 상기 마스킹 테이프의 박리시의 박리력이 0.5 N/인치 이하이기 때문에, 웨이퍼를 파손시키거나 하지 않고 용이하게 박리를 실시할 수 있다. 또한, 상기 마스킹 테이프가 상기 자극을 줌으로써 점착력을 저하시키는 연구를 실시한 점착제로 이루어지는 점착제층을 갖는 것인 경우에는, 박리에 앞서 그 자극을 준다.

본 발명에 의하면, 상온에 있어서의 점착력이 우수하고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하며, 또한, 사용 후에는 용이하게 박리할 수 있는 마스킹 테이프를 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 도금시에 웨이퍼의 표면을 간편하고 또한 확실하게 보호할 수 있는 웨이퍼의 표면 처리 방법을 제공할 수 있다.

이하에 실시예를 들어 본 발명의 양태를 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

(1) 점착제의 조제

하기 화합물을 아세트산에틸에 용해시키고, 자외선을 조사하여 중합을 실시하여, 중량 평균 분자량 50 만의 공중합체로 이루어지는 광 경화성 점착제의 아세트산에틸 용액을 얻었다.

에틸아크릴레이트 75 중량부

메틸메타크릴레이트 20 중량부

아크릴산 3 중량부

2-하이드록시에틸아크릴레이트 2 중량부

광 중합 개시제 1 중량부

(이르가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)

라우릴메르캅탄 0.01 중량부

(2) 점착제층용 조성물 용액의 조제

얻어진 광 경화성 점착제의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트 3.5 중량부를 첨가하여 반응시키고, 또한, 반응 후의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 광 중합 개시제 (이르가큐어 651) 5 중량부, 폴리이소시아네이트 0.5 중량부를 혼합하여 점착제층용 조성물 용액을 조제하였다.

(3) 마스킹 테이프의 제조

얻어진 점착제층용 조성물 용액을, 편면에 코로나 처리를 실시한 두께 75 ㎛ 의 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름의 코로나 처리 상에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛ 가 되도록 닥터 나이프로 도포하고 110 ℃, 5 분간 가열하여 도포 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타냈다. 이어서, 점착제층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 첩부하였다. 그 후, 40 ℃, 3 일간 가만히 정지시켜 양생을 실시하여 마스킹 테이프를 얻었다.

(실시예 2)

(1) 점착제의 조제

부틸아크릴레이트 65 중량부

아크릴로니트릴 30 중량부

아크릴산 3 중량부

2-하이드록시에틸아크릴레이트 2 중량부

광 중합 개시제 1 중량부

(이르가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)

라우릴메르캅탄 0.01 중량부

상기 광 경화성 점착제의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트 3.5 중량부를 첨가하여 반응시키고, 또한, 반응 후의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 글리시딜아지드 폴리머 (GAP5003, 닛폰 유지사 제조) 를 10 중량부, 광 중합 개시제 (이르가큐어 651) 5 중량부, 폴리이소시아네이트 1.0 중량부를 혼합하여, 기체 발생 점착제층용 점착제의 아세트산에틸 용액을 조제하였다.

얻어진 기체 발생 점착제층용 점착제의 아세트산에틸 용액을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 마스킹 테이프를 얻었다.

(실시예 3)

(1) 점착제의 조제

에틸아크릴레이트 77 중량부

메틸메타크릴레이트 19 중량부

아크릴산 2 중량부

2-하이드록시에틸아크릴레이트 2 중량부

광 중합 개시제 1 중량부

(이르가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)

라우릴메르캅탄 0.01 중량부

(실시예 4)

실시예 3 에서 얻어진 광 경화성 점착제의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트 3.5 중량부를 첨가하여 반응시키고, 또한, 반응 후의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 글리시딜아지드 폴리머 (GAP5003, 니치유사 제조) 를 10 중량부, 광 중합 개시제 (이르가큐어 651) 2 중량부, 폴리이소시아네이트 1.0 중량부를 혼합하여, 기체 발생 점착제층용 점착제의 아세트산에틸 용액을 조제하였다.

얻어진 기체 발생 점착제층용 점착제의 아세트산에틸 용액을 사용한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 마스킹 테이프를 얻었다.

(실시예 5)

실시예 3 에서 얻어진 광 경화성 점착제의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트 3.5 중량부를 첨가하여 반응시키고, 또한, 반응 후의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 열 발포 미립자 (아드반셀 EMH403, 세키스이 화학 공업사 제조) 를 10 중량부, 폴리이소시아네이트 1.0 중량부를 혼합하여, 열 발포형 점착제층용 점착제의 아세트산에틸 용액을 조제하였다.

(비교예 1)

리드 프레임의 도금 보호용으로서 시판되고 있는 마스킹 테이프 (세키스이 화학 공업사 제조, $6364F) 를 준비하였다.

(비교예 2)

(1) 점착제의 조제

에틸아크릴레이트 73 중량부

메틸메타크릴레이트 15 중량부

아크릴산 10 중량부

2-하이드록시에틸아크릴레이트 2 중량부

광 중합 개시제 1 중량부

(이르가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)

라우릴메르캅탄 0.01 중량부

그 후 실시예 3 과 동일하게 점착제 조성물 용액을 조제한 후, 마스킹 테이프를 제조하였다.

(비교예 3)

(1) 점착제의 조제

에틸아크릴레이트 45 중량부

2-에틸헥실아크릴레이트 45 중량부

메틸메타크릴레이트 6 중량부

아크릴산 2 중량부

2-하이드록시에틸아크릴레이트 2 중량부

광 중합 개시제 1 중량부

(이르가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)

라우릴메르캅탄 0.01 중량부

(평가)

실시예 및 비교예에서 제조한 마스킹 테이프에 대하여, 이하의 방법에 의해 평가를 실시하였다.

결과를 표 1 에 나타냈다.

(1) 초기 접착력의 평가

실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 테이프를 25 ㎜ × 100 ㎜ 로 커트한 후, Si 웨이퍼에 첩합(貼合)하였다. 23 ℃ × 20 분 방치 후, JIS Z 0237 에 규정된 180°필 측정법에 준한 방법에 의해 초기 접착력을 측정하였다.

(2) 90 ℃ 에 있어서의 접착력의 평가

실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 테이프를 25 ㎜ × 100 ㎜ 로 커트한 후, Si 웨이퍼에 첩합하였다. 23 ℃ × 20 분 방치 후, 웨이퍼에 마스킹 테이프를 첩부한 상태에서 90 ℃ 로 가열하고, 그 상태에서 JIS Z 0237 에 규정된 180°필 측정법에 준한 방법에 의해 접착력을 측정하였다.

(3) 도금욕 침지 시험

실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 테이프를 커트한 후, 직경 150 ㎜ 의 Si 웨이퍼의 편면에 첩합한 후, 23 ℃ 에서 20 분 가만히 정지시켰다. 그 후, 90 ℃ 로 보온한 무전해 Ni 도금 용액 (pH 5) 에 60 분간 침지하였다. 침지 후, 웨이퍼 단부와 테이프 사이를 육안으로 관찰하여, 도금액의 스며듦의 유무를 평가하였다.

도금 처리를 실시한 후, 마스킹 테이프를 첩착한 웨이퍼를 꺼내어, 상온에서 1 시간 건조하였다. 건조 후, 실시예, 비교예에서 얻어진 마스킹 테이프에 대해서는, 웨이퍼에 마스킹 테이프를 첩부한 상태에서, 실시예 1, 2, 3, 4, 비교예 2, 3 에서 얻어진 마스킹 테이프를 첩부한 것은 마스킹 테이프의 기재측으로부터 2000 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하였다. 실시예 5 에서 얻어진 마스킹 테이프에 대해서는, 웨이퍼에 마스킹 테이프를 첩부한 상태에서, 130 ℃ 에서 5 분간 가열하였다. 자외선 조사 후에, 마스킹 테이프를 박리하고, 웨이퍼의 표면을 육안으로 관찰하여, 점착제 잔여물의 유무를 평가하였다. 비교예 1 에서 얻어진 마스킹 테이프에 대해서는, 자외선 조사를 실시하지 않고, 마스킹 테이프를 박리하고, 웨이퍼의 표면을 육안으로 관찰하여, 점착제 잔여물의 유무를 평가하였다.

(실험예 1)

(1) 점착제의 조제

하기 화합물을 아세트산에틸에 용해시키고, 자외선을 조사하여 중합을 실시하여, 중량 평균 분자량 30 만의 공중합체로 이루어지는 광 경화성 점착제의 아세트산에틸 용액을 얻었다.

에틸아크릴레이트 75 중량부

메틸메타크릴레이트 20 중량부

아크릴산 3 중량부

2-하이드록시에틸아크릴레이트 2 중량부

광 중합 개시제 1 중량부

(이르가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)

라우릴메르캅탄 0.01 중량부

(2) 점착제층용 조성물 용액의 조제

(3) 마스킹 테이프의 제조

기재로서, 편면에 코로나 처리를 실시한 두께 38 ㎛ 의 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (폭 10 ㎜, 길이 15 ㎝ 의 샘플을, 80 ℃, 척킹 거리 10 ㎝ 의 조건하에서 인장 시험기로 인장 시험을 실시하였을 때에, 신장률 20 ％ 시의 인장 강도가 60 N), 편면에 코로나 처리를 실시한 두께 50 ㎛ 의 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (폭 10 ㎜, 길이 15 ㎝ 의 샘플을, 80 ℃, 척킹 거리 10 ㎝ 의 조건하에서 인장 시험기로 인장 시험을 실시하였을 때에, 신장률 20 ％ 시의 인장 강도가 200 N), 편면에 코로나 처리를 실시한 두께 75 ㎛ 의 투명한 폴리프로필렌 필름 (폭 10 ㎜, 길이 15 ㎝ 의 샘플을, 80 ℃, 척킹 거리 10 ㎝ 의 조건하에서 인장 시험기로 인장 시험을 실시하였을 때에, 신장률 20 ％ 시의 인장 강도가 25 N) 의 3 종류를 준비하였다.

얻어진 점착제층용 조성물 용액을, 각 기재의 코로나 처리 상에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛ 가 되도록 닥터 나이프로 도포하고 110 ℃, 5 분간 가열하여 도포 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타냈다. 이어서, 점착제층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 첩부하였다. 그 후, 40 ℃, 3 일간 가만히 정지시켜 양생을 실시하여 마스킹 테이프를 얻었다.

(4) 평가

얻어진 마스킹 테이프를 일정한 크기로 절단한 후에, 이형 처리가 실시된 PET 필름을 벗겨, 직경 20 ㎝, 두께 200 ㎛ 의 실리콘 웨이퍼의 편면에 첩착하였다. 이 때, 웨이퍼로부터의 마스킹 테이프의 돌출 부분의 폭이 0, 0.5, 1, 2 및 5 ㎜ 가 되도록 하였다.

마스킹 테이프를 첩착한 웨이퍼의 전체를 80 ℃ 의 도금욕 중에 침지하여, 300 rpm 의 교반 속도로 60 분간 교반하였다. 교반 종료 후에 웨이퍼를 꺼내어, 마스킹 테이프의 박리를 확인하였다.

이 실험을 각각의 마스킹 테이프, 돌출 부분의 폭에 대하여 10 회 실시하여, 마스킹 테이프의 박리가 발생한 수를 계수하였다.

결과를 표 2 에 나타냈다.

(실험예 2)

(1) 광 경화형 점착제의 조제

에틸아크릴레이트 75 중량부

메틸메타크릴레이트 20 중량부

아크릴산 3 중량부

2-하이드록시에틸아크릴레이트 2 중량부

광 중합 개시제 1 중량부

(이르가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)

라우릴메르캅탄 0.01 중량부

(2) 점착제층용 조성물 용액의 조제

(3) 마스킹 테이프의 제조

기재로서, 두께 50 ㎛ 의 고연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁사 제조, 테이진테트론 필름 SL) 의 편면에 코로나 처리를 실시한 것을 준비하였다. 이 고연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 대하여, JIS K 7126 에 준한 방법에 의해 산소 투과율을 측정한 결과, 7.0 cc/㎡/hr/atm 이었다.

상기 고연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 코로나 처리면에, 얻어진 점착제층용 조성물 용액을 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛ 가 되도록 닥터 나이프로 도포하고 110 ℃, 5 분간 가열하여 도포 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타냈다. 이어서, 점착제층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 첩부하였다. 그 후, 40 ℃, 3 일간 가만히 정지시켜 양생을 실시하여 마스킹 테이프를 얻었다.

기재로서, 「두께 12 ㎛ 의 실리카 증착 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (미츠비시 수지사 제조, 테크바리아 VX, 산소 투과율은 0.3 cc/㎡/hr/atm) 의 편면에 코로나 처리를 실시한 기재」, 「두께 12 ㎛ 의 알루미늄 증착 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (히타치 AIC 사 제조, 히타팍스 VM-PET, 산소 투과율은 0.1 cc/㎡/hr/atm)」, 「두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌 필름과 두께 12 ㎛ 의 고연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층 라미네이트한 기재 (산소 투과율은 9.0 cc/㎡/hr/atm) 의 편면에 코로나 처리를 한 기재」, 「두께 50 ㎛ 의 알루미늄 증착된 폴리에틸렌 필름 (산소 투과율은 0.2 cc/㎡/hr/atm) 의 편면에 코로나 처리를 한 기재」, 「두께 50 ㎛ 의 무연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 (토레 필름 가공사 제조, 토요후론, 산소 투과율은 15.0 cc/㎡/hr/atm) 의 편면에 코로나 처리를 한 기재」, 「두께 75 ㎛ 의 폴리에틸렌 필름 (산소 투과율은 250 cc/㎡/hr/atm) 의 편면에 코로나 처리한 기재」를 사용한 것 이외에는 동일한 방법에 의해 마스킹 테이프를 얻었다.

(평가)

얻어진 마스킹 테이프에 대하여, 이하의 방법에 의해 평가를 실시하였다. 결과를 표 3 에 나타냈다.

(1) 염소 이온의 부착량의 평가

두께 200 ㎛, 직경 150 ㎜ 의 Si 웨이퍼의 편면에, 실시예 및 비교예에서 제조한 마스킹 테이프를 첩합한 후, 23 ℃ 에서 20 분 가만히 정지시켰다. 그 후, 웨이퍼의 외주를 따라 마스킹 테이프를 절단하였다.

마스킹 테이프에 의해 보호된 웨이퍼의 도금을 실시하는 면을 80 ℃ 의 무전해 Ni 도금 용액 (ph 5) 에 60 분간 침지한 후, 마스킹 테이프의 기재측으로부터 2000 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하고, 마스킹 테이프를 박리하였다.

마스킹 테이프 박리 후의 웨이퍼 표면의 염소 이온의 부착량을, X 선 광전자 분석 장치 (퍼킨·엘머사 제조, PHI15400MC) 를 사용하여 측정하였다. 염소 이온의 부착량이 1 × 10¹¹ atm/㎠ 미만 (장치의 측정 한계 이하) 인 경우를 「○」, 1 × 10¹¹ atm/㎠ 이상인 경우를 「×」로 평가하였다.

(2) 도금액의 스며듦의 평가

마스킹 테이프에 의해 보호된 웨이퍼의 도금을 실시하는 면을 80 ℃ 의 무전해 Ni 도금 용액 (ph 5) 에 10 시간 침지하였다. 침지 후, 웨이퍼 단부와 테이프 사이를 육안으로 관찰하여, 도금액의 스며듦이 관찰되지 않은 경우를 「○」, 관찰된 경우를 「×」로 평가하였다.

산업상 이용가능성

본 발명에 의하면, 상온에 있어서의 점착력이 우수하고, 80 ∼ 100 ℃ 의 고온수 중에서도 높은 점착력을 발휘하며, 또한, 사용 후에는 용이하게 박리할 수 있는 마스킹 테이프를 제공할 수 있다.

본 발명에 의하면, 도금시에 웨이퍼의 표면을 간편하고 또한 확실하게 보호할 수 있는 웨이퍼의 표면 처리 방법을 제공할 수 있다.

Claims

기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지는 마스킹 테이프로서,
상기 점착제층은 적어도, 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르에서 유래되는 세그먼트와, 단독 중합체의 유리 전이 온도가 80 ~ 120 ℃ 인 아크릴 모노머에서 유래되는 세그먼트와, 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트를 갖고, 유리 전이 온도가 -5 ~ 15 ℃ 인 공중합체를 함유하고,
상기 공중합체에 있어서의 상기 알킬기의 탄소수가 5 이하인 아크릴산알킬에스테르에서 유래되는 세그먼트의 함유량이 40 중량% 이상, 상기 측사슬에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 세그먼트의 함유량이 0.1 meq/g 이상인 것을 특징으로 하는 마스킹 테이프.
제 1 항에 있어서,
점착제층은 광을 조사함으로써 기체를 발생시키는 기체 발생제를 특징으로 하는 마스킹 테이프.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
기재는 JIS K 7126 에 준한 방법에 의해 측정한 산소 투과율이 9 cc/m²/hr/atm 이하인 것을 특징으로 하는 마스킹 테이프.
편면에 회로가 형성된 웨이퍼의 그 회로가 형성되어 있지 않은 측에 마스킹 테이프를 첩부하는 공정과, 마스킹 테이프가 첩부된 웨이퍼에, 전해 도금법 또는 무전해 도금법에 의해 도금을 실시하는 공정과, 도금 후의 웨이퍼로부터, 마스킹 테이프를 박리하는 공정을 갖는 웨이퍼의 표면 처리 방법으로서,
상기 마스킹 테이프는 기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지고, 상기 점착제층은 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이 1 N/인치 이상이며, 또한, 박리시의 박리력이 0.5 N/인치 이하이고,
상기 마스킹 테이프는, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 마스킹 테이프인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 표면 처리 방법.
제 4 항에 있어서,
편면에 회로가 형성된 웨이퍼의 그 회로가 형성되어 있지 않은 측에 마스킹 테이프를 첩부하는 공정에 있어서, 상기 웨이퍼로부터의 마스킹 테이프의 돌출 부분의 폭을 2mm 이하로 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 표면 처리 방법.
편면에 회로가 형성된 웨이퍼의 그 회로가 형성되어 있지 않은 측에 마스킹 테이프를 첩부하는 공정과, 마스킹 테이프가 첩부된 웨이퍼에, 전해 도금법 또는 무전해 도금법에 의해 도금을 실시하는 공정과, 도금 후의 웨이퍼로부터, 마스킹 테이프를 박리하는 공정을 갖는 웨이퍼의 표면 처리 방법으로서,
상기 마스킹 테이프는 기재와 상기 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층으로 이루어지고, 상기 점착제층은 도금 처리 온도에 있어서의 점착력이 1 N/인치 이상이며, 또한, 박리시의 박리력이 0.5 N/인치 이하이고,
상기 마스킹 테이프는, 제 3 항에 기재된 마스킹 테이프인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 표면 처리 방법.
제 6 항에 있어서,
편면에 회로가 형성된 웨이퍼의 그 회로가 형성되어 있지 않은 측에 마스킹 테이프를 첩부하는 공정에 있어서, 상기 웨이퍼로부터의 마스킹 테이프의 돌출 부분의 폭을 2mm 이하로 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 표면 처리 방법.