WO2022250132A1 - 電子装置の製造方法 - Google Patents

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WO2022250132A1
WO2022250132A1 PCT/JP2022/021688 JP2022021688W WO2022250132A1 WO 2022250132 A1 WO2022250132 A1 WO 2022250132A1 JP 2022021688 W JP2022021688 W JP 2022021688W WO 2022250132 A1 WO2022250132 A1 WO 2022250132A1
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adhesive
electronic device
film
manufacturing
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浩登 安井
宏嘉 栗原
仁 木下
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三井化学東セロ株式会社
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    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing an electronic device.
  • an adhesive film is sometimes attached to the circuit forming surface of the wafer in order to fix the wafer and prevent damage to the wafer.
  • an adhesive film a film obtained by laminating an adhesive resin layer on a base film is generally used.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-75560
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-72546
  • Patent Document 1 describes a surface protective sheet having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, which satisfies the following requirements (a) to (d).
  • Young's modulus of the substrate is 450 MPa or more
  • Storage modulus of the adhesive layer at 25°C is 0.10 MPa or more
  • Storage modulus of the adhesive layer at 50°C is 0
  • the adhesive layer has a thickness of 30 ⁇ m or more. It is described that the infiltration of water (sludge infiltration) from the gap to the surface to be protected of the work can be suppressed, and the contamination of the surface to be protected of the work can be prevented.
  • Patent Document 2 discloses a base resin film and a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer formed on at least one side of the base resin film, and the base resin film has a tensile modulus of 1 to 10 GPa.
  • a protective adhesive tape is described.
  • Patent Document 2 according to such an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer, kerf shift of singulated semiconductor chips is suppressed in the backside grinding process of a semiconductor wafer to which a pre-dicing method or a pre-stealth method is applied. It also states that the semiconductor wafer can be processed without being damaged or contaminated.
  • the grooves are usually cut with a blade, the grooves are likely to have minute chippings, which is considered to be one of the causes of adhesive residue.
  • adhesive residue is likely to occur at the chip end.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances.
  • One of the objects of the present invention is to suppress "adhesive residue" when peeling off the adhesive film from the wafer (or singulated chips) after the back grinding process in the manufacture of electronic devices.
  • the present inventors have studied improvements from various viewpoints. As a result, the invention provided below was completed and the above problems were solved.
  • the present invention is as follows.
  • a step (A) of preparing a structure comprising a wafer having a circuit-forming surface and an adhesive film bonded to the circuit-forming surface side of the wafer; a step (B) of back-grinding the surface of the wafer opposite to the circuit-formed surface; a step (C) of irradiating the adhesive film with ultraviolet rays and then removing the adhesive film from the wafer;
  • a method for manufacturing an electronic device comprising at least The adhesive film comprises a substrate layer and an adhesive resin layer made of an ultraviolet curable adhesive resin material provided on one side of the substrate layer, Regarding the ultraviolet curable adhesive resin material, when the viscoelastic properties are measured by the following procedures (i) and (ii), the storage elastic modulus at 5 ° C.
  • the adhesive resin layer of the adhesive film and a mirror-polished silicon wafer are bonded together, irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm at 1080 mJ/cm 2 , and then peeled off at a peeling angle of 180° and a peeling speed of 300 mm/min.
  • F1 A method for manufacturing an electronic device in which F1/F0 is 0.02 to 0.60. 3. 1. or 2.
  • a method for manufacturing an electronic device is polyolefin, polyester, polyamide, polyacrylate, polymethacrylate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyimide, polyetherimide, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyacrylonitrile, polycarbonate, polystyrene. , ionomer, polysulfone, polyethersulfone, polyetheretherketone and polyphenylene ether. 7. 1. ⁇ 6.
  • a method for manufacturing an electronic device is At least one step (A1) selected from the step of half-cutting the wafer (A1-1) and the step of irradiating the wafer with a laser to form a modified layer on the wafer (A1-2); , After the step (A1), a step (A2) of attaching the adhesive film for back grinding to the circuit forming surface side of the wafer;
  • a method of manufacturing an electronic device comprising:
  • X to Y in the explanation of the numerical range means X or more and Y or less unless otherwise specified.
  • “1 to 5% by mass” means “1% by mass or more and 5% by mass or less”.
  • alkyl group includes not only alkyl groups without substituents (unsubstituted alkyl groups) but also alkyl groups with substituents (substituted alkyl groups).
  • (meth)acryl used herein represents a concept that includes both acryl and methacryl. The same applies to similar notations such as "(meth)acrylate”.
  • organic group as used herein means an atomic group obtained by removing one or more hydrogen atoms from an organic compound, unless otherwise specified.
  • a "monovalent organic group” represents an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an arbitrary organic compound.
  • electronic device refers to elements to which electronic engineering technology is applied, such as semiconductor chips, semiconductor elements, printed wiring boards, electric circuit display devices, information communication terminals, light-emitting diodes, physical batteries, and chemical batteries. , devices, final products, etc.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of the adhesive film (adhesive film 50) used in this embodiment.
  • Adhesive film 50 is used to protect the surface of the wafer.
  • the adhesive film 50 includes a substrate layer 10 and an ultraviolet-curable adhesive resin layer 20 (made of an ultraviolet-curable adhesive resin material) provided on one side of the substrate layer 10. configured adhesive resin layer).
  • the storage elastic modulus at 5 ° C. is E' (5 ° C.)
  • E' (100°C) is the storage modulus at 100°C
  • E' (5°C) is 2.0 ⁇ 10 6 to 2.0 ⁇ 10 9 Pa, preferably 2.5 ⁇ 10 7 to 6 .5 ⁇ 10 8 Pa
  • E′ (100° C.) is 1.0 ⁇ 10 6 to 3.0 ⁇ 10 7 Pa, preferably 3.0 ⁇ 10 6 to 2.0 ⁇ 10 7 Pa.
  • the storage elastic modulus (E' (5°C)) at 5°C of the ultraviolet curable adhesive resin material is 2.0 ⁇ 10 6 Pa or more, preferably 5.0 ⁇ 10 6 Pa or more, more preferably 1 0 ⁇ 10 7 Pa or more, more preferably 2.0 ⁇ 10 7 Pa or more, more preferably 2.5 ⁇ 10 7 Pa or more, and 2.0 ⁇ 10 9 Pa or less, preferably 1.0 ⁇ 10 9 Pa or less, more preferably 8.0 ⁇ 10 8 Pa or less, still more preferably 6.5 ⁇ 10 8 Pa or less, and even more preferably 5.0 ⁇ 10 8 Pa or less.
  • the storage elastic modulus (E'(100°C)) at 100°C of the ultraviolet curable adhesive resin material is 1.0 ⁇ 10 6 Pa or more, preferably 3.0 ⁇ 10 6 Pa or more, more preferably 4.0. ⁇ 10 6 Pa or more, more preferably 5.0 ⁇ 10 6 Pa or more, and 3.0 ⁇ 10 7 Pa or less, preferably 2.5 ⁇ 10 7 Pa or less, more preferably 2.0 ⁇ 10 7 Pa or less.
  • a film with a thickness of 0.2 mm is formed using an ultraviolet curable adhesive resin material, and the film is exposed to ultraviolet rays with a dominant wavelength of 365 nm using a high pressure mercury lamp in an environment of 25 ° C. , the irradiation intensity is 100 W/cm 2 , and the UV dose is 1080 mJ/cm 2 for UV curing to obtain a cured film.
  • the dynamic viscoelasticity of the cured film is measured at a frequency of 1 Hz and in a tensile mode within a temperature range of -50 to 200°C.
  • the film formed using the UV-curable adhesive resin material is in a state of being bonded to, for example, a release film when the UV irradiation is performed in (i) above.
  • a release film when the UV irradiation is performed in (i) above.
  • An ultraviolet curable adhesive resin material having a thickness of 0.2 mm and having the same composition as the adhesive resin layer 20 is prepared.
  • the ultraviolet curable adhesive resin material is sandwiched between silicone release treated surfaces of a colorless transparent polyethylene terephthalate film (separator) on both sides of which silicone release treatment is applied.
  • Examples of the colorless and transparent polyethylene terephthalate film (separator) subjected to silicone release treatment include SP-PET T15 and T18 manufactured by Mitsui Chemicals Tohcello, and Purex A31 and A41 manufactured by Toyobo.
  • the obtained sample three-layer configuration of separator/adhesive resin layer 20/separator
  • UV irradiation at a UV dose of 1080 mJ/cm 2 for UV curing is irradiated with ultraviolet rays having a dominant wavelength of 365 nm using a high-pressure mercury lamp at an irradiation intensity of 100 W/cm 2 in an environment of 25 ° C. , UV irradiation at a UV dose of 1080 mJ/cm 2 for UV curing.
  • the UV-curable adhesive resin material that constitutes the adhesive resin layer 20 satisfies the above regulation of storage elastic modulus.
  • the relationship between the regulation of the storage elastic modulus and the suppression of adhesive residue can be explained as follows. For the avoidance of doubt, the following description does not limit the invention.
  • the viscoelastic behavior in the low frequency range (that is, in the high temperature range) reflects the state of cross-linking of the cured film of the adhesive resin layer.
  • the peeling of the adhesive film after curing is usually performed at room temperature, but the storage elastic modulus at a low temperature of about 5 ° C. and the storage elastic modulus at a high temperature of about 100 ° C. are closely related to the peeling mode. It is presumed that More specifically, it is as follows.
  • E ' (5 ° C.) is too high, the toughness of the adhesive material is significantly impaired, and adhesive residue is likely to be left due to breakage of the adhesive layer. It is presumed that the adhesive residue is likely to occur because the interaction with the adherend is too large and the peeling is difficult.
  • the storage modulus at 100° C. 100° C. is a sufficiently high temperature relative to the glass transition temperature of the adhesive, and the non-crystalline adhesive is considered to be in a completely amorphous state. Therefore, E' (100°C) is considered to indicate the crosslink density of the adhesive. If E′ (100° C.) is too high, it is presumed that the toughness of the adhesive material is remarkably impaired, and the adhesive material is brittle and easily broken, resulting in adhesive residue. In addition, it is presumed that when E′ (100° C.) is too low, the interaction between the adhesive material and the adherend is high, and the peeling is difficult, resulting in adhesive residue.
  • both E' (5 ° C.) and E' (100 ° C.) are within appropriate numerical ranges, respectively, from the viewpoint of toughness at the time of peeling and cross-linking density, the performance balance of the adhesive is particularly It is thought that it means that it is good. That is, both E' (5 ° C.) and E' (100 ° C.) are produced by using an adhesive film (especially an adhesive resin layer) having appropriate values, respectively, by using the pre-dicing method. It is thought that adhesive residue is less likely to occur in the first stealth method.
  • the adhesive film 50 that satisfies the above regulation of storage elastic modulus can be manufactured by appropriately selecting materials, appropriate blending of each material, manufacturing conditions, and the like. Details of these will be discussed from time to time below.
  • Adhesive film The layers constituting the adhesive film 50 will be specifically described below in the item "1. Adhesive film”.
  • the base material layer 10 is a layer provided for the purpose of improving properties such as handleability, mechanical properties, and heat resistance of the adhesive film 50 .
  • the base material layer 10 is not particularly limited as long as it has a mechanical strength capable of withstanding the external force applied when processing the wafer, and examples thereof include a resin film.
  • Examples of the resin constituting the base material layer 10 include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly(4-methyl-1-pentene) and poly(1-butene); polyester; nylon-6, nylon-66, polyamides such as polymetaxylene adipamide; (meth)acrylic resins such as polyacrylate and polymethacrylate; polyvinyl chloride; polyvinylidene chloride; polyimide; Polyacrylonitrile; polycarbonate; polystyrene; ionomer; polysulfone; polyethersulfone; polyetheretherketone; Among these, from the viewpoint of improving mechanical properties and transparency, one or two selected from the group consisting of polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyamide, polyimide, ethylene-vinyl acetate copolymer and polybutylene terephthalate More than one species is preferable, and one or more selected from polyethylene terephthalate and polyethylene
  • the substrate layer 10 may be a single layer or two or more layers.
  • the form of the resin film used for providing the base material layer 10 may be a stretched film or a film stretched uniaxially or biaxially. From the viewpoint of improving the mechanical strength of the base material layer 10, the film is preferably uniaxially or biaxially stretched.
  • the substrate layer 10 is preferably annealed in advance from the viewpoint of suppressing warpage of the wafer after grinding.
  • the substrate layer 10 may be subjected to surface treatment in order to improve adhesion with other layers. Specifically, corona treatment, plasma treatment, undercoat treatment, primer coat treatment, or the like may be performed.
  • the thickness of the substrate layer 10 is preferably 20 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less, more preferably 30 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, and even more preferably 50 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the adhesive film 50 includes an ultraviolet curable adhesive resin layer 20 .
  • the adhesive resin layer 20 is a layer provided on one side of the substrate layer 10, and is a layer that contacts and adheres to the circuit-forming surface of the wafer when the adhesive film 50 is attached to the circuit-forming surface of the wafer. is.
  • the adhesive resin layer 20 is formed using an appropriate UV-curable adhesive resin material. Specifically, the adhesive resin layer 20 is formed using an ultraviolet curable adhesive resin material whose adhesive strength is reduced by ultraviolet rays. When the adhesive resin layer 20 is irradiated with ultraviolet rays, it cures (cross-links, etc.) and its adhesive strength is reduced, so that the wafer (or chip obtained by dividing the wafer into pieces) can be easily peeled off from the adhesive film 50 .
  • the ultraviolet curable adhesive resin material preferably contains a (meth)acrylic resin known in the fields of pressure sensitive adhesives and adhesives.
  • (Meth)acrylic resins include, for example, homopolymers of (meth)acrylic acid ester compounds, copolymers of (meth)acrylic acid ester compounds and comonomers, and the like.
  • Examples of (meth)acrylic acid ester compounds that are raw material monomers include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxy Propyl (meth)acrylate, dimethylaminoethyl (meth)acrylate, glycidyl (meth)acrylate and the like. These (meth)acrylic acid ester compounds may be used singly or in combination of two or more.
  • Examples of comonomers constituting the (meth)acrylic copolymer include vinyl acetate, (meth)acrylonitrile, styrene, (meth)acrylic acid, itaconic acid, (meth)acrylamide, methylol (meth)acryl amides, maleic anhydride, and the like. When these comonomers are used, they may be used singly or in combination of two or more.
  • the UV-curable adhesive resin material preferably contains a (meth)acrylic resin having a polymerizable carbon-carbon double bond at the side chain and/or terminal, and a photoinitiator, and is further crosslinked as necessary. Including drugs, etc.
  • the UV-curable adhesive resin material may further contain a low-molecular-weight compound (polyfunctional (meth)acrylate compound, etc.) having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in one molecule.
  • a (meth)acrylic resin having a polymerizable carbon-carbon double bond in a side chain and/or terminal is specifically obtained as follows. First, a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group (P) are copolymerized. Next, a functional group (P) contained in this copolymer and a monomer having a functional group (Q) capable of undergoing addition reaction, condensation reaction, etc. with the functional group (P) are combined with each other, leaving the double bond in the monomer A polymerizable carbon-carbon double bond is introduced into the copolymer molecule by reacting in situ.
  • Examples of monomers having an ethylenic double bond include alkyl acrylates such as methyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, and ethyl (meth)acrylate, and One or two or more of methacrylic acid alkyl ester monomers, vinyl esters such as vinyl acetate, (meth)acrylonitrile, (meth)acrylamide, and monomers having an ethylenic double bond such as styrene are used.
  • alkyl acrylates such as methyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, and ethyl (meth)acrylate
  • methacrylic acid alkyl ester monomers vinyl esters such as vinyl acetate, (meth)acrylonitrile, (meth)acrylamide
  • monomers having an ethylenic double bond such as
  • copolymerizable monomers having a functional group (P) examples include (meth)acrylic acid, maleic acid, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, glycidyl (meth)acrylate, N-methylol (meth)acrylamide, (meth) acryloyloxyethyl isocyanate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the ratio of the monomer having an ethylenic double bond and the copolymerizable monomer having a functional group (P) is 70 to 99% by mass of the monomer having an ethylenic double bond, and the copolymer having a functional group (P) preferably 1 to 30% by mass of the reactive monomer.
  • the monomer having an ethylenic double bond accounts for 80 to 95% by mass
  • the copolymerizable monomer having a functional group (P) accounts for 5 to 20% by mass.
  • the monomer having the functional group (Q) include monomers similar to the copolymerizable monomer having the functional group (P).
  • a combination such as a carboxyl group and an epoxy group, a carboxyl group and an aziridinyl group, a hydroxyl group and an isocyanate group, etc., in which an addition reaction easily occurs is desirable.
  • any reaction such as a condensation reaction between a carboxylic acid group and a hydroxyl group can be applied as long as the reaction can easily introduce a polymerizable carbon-carbon double bond.
  • a polymerization initiator can be used when copolymerizing a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group (P).
  • examples of polymerization initiators include radical polymerization initiators such as benzoyl peroxide-based polymerization initiators and t-butylperoxy-2-ethylhexanoate.
  • Low molecular weight compounds having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in one molecule include, for example, tripropylene glycol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, penta Polyfunctional (meth)acrylate compounds such as erythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, etc. etc.
  • the amount of the low molecular weight compound having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylic resin, More preferably, it is 5 to 18 parts by mass. In addition, the amount of the low-molecular-weight compound having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is preferably 0.1 parts by mass or more, with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylic resin.
  • a photoinitiator usually generates chemical species (such as radicals) that polymerize polymerizable carbon-carbon double bonds when irradiated with ultraviolet rays.
  • photoinitiators include benzoin, isopropylbenzoin ether, isobutylbenzoin ether, benzophenone, Michler ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, acetophenone diethyl ketal, benzyl dimethyl ketal, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2 -hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-4'-morpholinobutyrophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl
  • a photoinitiator may use only 1 type and may use 2 or more types.
  • the amount of the photoinitiator added is preferably 0.1 to 15 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, and still more preferably 4 to 100 parts by mass of the (meth)acrylic resin. 10 parts by mass.
  • the amount of the photoinitiator added is preferably 0.1 parts by mass or more, more preferably 1 part by mass or more, still more preferably 3 parts by mass or more, and further preferably 100 parts by mass of the (meth)acrylic resin.
  • It is preferably 4 parts by mass or more, more preferably 5 parts by mass or more, and is preferably 15 parts by mass or less, more preferably 12 parts by mass or less, still more preferably 10 parts by mass or less, further preferably 8 parts by mass or less. be.
  • the ultraviolet curable adhesive resin material may contain a cross-linking agent.
  • cross-linking agents include epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, tetramethylolmethane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, trimethylolpropane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), N,N'-hexamethylene-1,6-bis( 1-aziridine carboxamide), isocyanate compounds such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and polyisocyanate. Only one type of cross-linking agent may be used, or two or more types may be used.
  • the amount of the cross-linking agent in the UV-curable adhesive resin material is 100 mass of (meth)acrylic resin from the viewpoint of improving the balance between the heat resistance and adhesion of the adhesive resin layer 20. It is preferably 0.1 to 15 parts by mass, more preferably 0.5 to 5 parts by mass.
  • the content of the cross-linking agent in the ultraviolet-curable adhesive resin material is, from the viewpoint of improving the balance between the heat resistance and adhesion of the adhesive resin layer 20, the (meth)acrylic resin With respect to 100 parts by mass, preferably 0.1 parts by mass or more, more preferably 0.2 parts by mass or more, still more preferably 0.5 parts by mass or more, still more preferably 0.7 parts by mass or more, and preferably is 15 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, even more preferably 5 parts by mass or less, and even more preferably 3 parts by mass or less.
  • the adhesive resin layer 20 can be formed, for example, by applying an ultraviolet curable adhesive resin material on one surface of the base material layer 10 . That is, an ultraviolet curable adhesive resin material prepared by dissolving or dispersing each of the above components in an appropriate solvent (typically an organic solvent) is coated on one surface of the base material layer 10 to form an adhesive layer.
  • a flexible resin layer 20 may be provided.
  • the coating method conventionally known coating methods such as roll coater method, reverse roll coater method, gravure roll method, bar coater method, comma coater method and die coater method can be employed.
  • the drying conditions are not particularly limited, it is generally preferable to dry in a temperature range of 80 to 200° C. for 10 seconds to 10 minutes.
  • the pressure-sensitive adhesive coating solution may be heated at 40-80° C. for about 5-300 hours after drying.
  • the UV-curable adhesive resin material is applied to the surface of an easily peelable base material (separator) to form an adhesive resin layer 20, and (ii) thereafter, the formed adhesive resin layer is attached to one surface of the base material layer 10.
  • the UV-curable adhesive resin material is applied to the surface of an easily peelable base material (separator) to form an adhesive resin layer 20
  • the formed adhesive resin layer is attached to one surface of the base material layer 10.
  • a method can also be mentioned.
  • the thickness of the adhesive resin layer 20 is preferably 5 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and still more preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less. Sufficient adhesiveness can be obtained by appropriately increasing the thickness of the adhesive resin layer 20 . In addition, since the adhesive resin layer 20 is not too thick, the handleability of the adhesive film 50 is improved.
  • the thickness of the adhesive resin layer 20 is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 10 ⁇ m or more, still more preferably 20 ⁇ m or more, and preferably 300 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less, and still more preferably 50 ⁇ m or less.
  • the adhesive film 50 may include other layers as long as the effect of suppressing adhesive residue is not impaired.
  • there may be another layer such as an uneven absorbent resin layer, an adhesive layer, or an antistatic layer between each layer.
  • an uneven absorbent resin layer By providing the unevenness-absorbing resin layer, the ability of the adhesive film 50 to absorb unevenness can be improved.
  • the adhesive layer By providing the adhesive layer, the adhesion between each layer can be improved.
  • the antistatic property of the adhesive film 50 can be improved by providing an antistatic layer.
  • the exposed surface of the adhesive resin layer 20 may be protected with an appropriate protective film (easy peeling film) such as a release film.
  • the thickness of the entire adhesive film 50 is preferably 50 ⁇ m or more and 600 ⁇ m or less, more preferably 50 ⁇ m or more and 400 ⁇ m or less, and still more preferably 50 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, from the balance of mechanical properties and handleability.
  • the adhesive resin layer 20 is formed using an ultraviolet curable adhesive resin material whose adhesive strength is reduced by ultraviolet rays.
  • the extent to which the adhesive strength is reduced by ultraviolet rays is preferably quantified as follows.
  • F1/F0 is preferably 0.01 to 0.60, more preferably 0.01 to 0.20, and still more preferably 0.02 to 0.20.
  • F1/F0 is preferably 0.01 or more, more preferably 0.015 or more, more preferably 0.02 or more, and preferably 0.60 or less, more preferably 0.30 or less, and further It is preferably 0.20 or less, more preferably 0.15 or less, further preferably 0.12 or less.
  • F1/F0 By setting F1/F0 to an appropriate value, displacement of the wafer during the backgrinding process can be suppressed, and the adhesive film 50 can be easily peeled off after the backgrinding process.
  • the value of F0 itself is, for example, 3 to 20N/25mm, specifically 3 to 16N/25mm.
  • the value of F1 itself is, for example, 10 N/25 mm or less, specifically 1 N/25 mm or less, more specifically 0.5 N/25 mm or less.
  • F1 may be zero, F1 is generally 0.005 N/25 mm or more, specifically 0.01 N/25 mm or more.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing an electronic device using the adhesive film 50 .
  • a method of manufacturing an electronic device generally includes at least the following three steps.
  • C) Step of removing the adhesive film 50 from the wafer 30 after irradiating the adhesive film 50 with ultraviolet rays In such a series of steps, as the adhesive film 50, The adhesive film described in the section ⁇ Adhesive film> above is used.
  • the electronic device manufacturing method of the present embodiment is characterized in that the adhesive film 50 is used as a so-called back grind tape when grinding the back surface of the wafer 30 .
  • Each step of the method for manufacturing an electronic device will be described below.
  • Step (A) First, a structure 100 including a wafer 30 having a circuit forming surface 30A and an adhesive film 50 bonded to the circuit forming surface 30A side of the wafer 30 is prepared.
  • a structure 100 is produced, for example, by peeling off the release film from the adhesive resin layer 20 of the adhesive film 50 to expose the surface of the adhesive resin layer 20, and then placing the wafer 30 on the adhesive resin layer 20. can be produced by adhering the circuit forming surface 30A.
  • the conditions for attaching the circuit forming surface 30A of the wafer 30 to the adhesive film 50 are not particularly limited. It can be 0.5 to 20 mm/sec.
  • the step (A) includes at least one selected from a step (A1-1) of half-cutting the wafer 30 and a step (A1-2) of irradiating the wafer 30 with a laser to form a modified layer on the wafer 30. and a step (A2) of attaching the adhesive film 50 for back grinding to the circuit forming surface 30A side of the wafer 30 after the step (A1).
  • the adhesive film 50 can be suitably used in the electronic device manufacturing process using the pre-dicing method, the pre-stealth method, or the like. Therefore, a manufacturing method in which the above step (A1-1) as a pre-dicing method or the above step (A1-2) as a pre-stealth method is performed is preferable.
  • step (A2) the adhesive film 50 can be heated and attached to the circuit forming surface 30A of the wafer 30.
  • the heating temperature is not particularly limited, it is, for example, 60 to 80.degree.
  • the operation of attaching the adhesive film 50 to the wafer 30 may be performed manually, but in general, it can be performed by a device called an automatic attaching machine equipped with a roll-shaped adhesive film.
  • the wafer 30 to be attached to the adhesive film 50 is not particularly limited, but the wafer 30 having the circuit forming surface 30A is preferable.
  • Examples include semiconductor wafers, epoxy mold wafers, epoxy mold panels, etc., preferably semiconductor wafers and epoxy mold wafers.
  • semiconductor wafers include silicon wafers, sapphire wafers, germanium wafers, germanium-arsenic wafers, gallium-phosphorus wafers, gallium-arsenic-aluminum wafers, gallium-arsenic wafers, lithium tantalate wafers, and silicon wafers.
  • Epoxy mold wafers include wafers manufactured by an eWLB (Embedded Wafer Level Ball Grid Array) process, which is one of the methods for manufacturing fan-out WLPs.
  • the semiconductor wafer and epoxy mold wafer having a circuit forming surface are not particularly limited, and examples thereof include those on which circuits such as wiring, capacitors, diodes or transistors are formed. Also, the circuit forming surface may be plasma-treated.
  • the circuit formation surface 30A of the wafer 30 may be an uneven surface by having, for example, bump electrodes or the like.
  • the bump electrode is joined to an electrode formed on the mounting surface to provide an electrical connection between the electronic device and the mounting surface (a mounting surface such as a printed circuit board). It forms a connection.
  • Examples of bump electrodes include ball bumps, printed bumps, stud bumps, plated bumps, pillar bumps, and the like. That is, the bump electrodes are usually convex electrodes. These bump electrodes may be used singly or in combination of two or more.
  • the height and diameter of the bump electrode are not particularly limited, they are preferably 10 to 400 ⁇ m, more preferably 50 to 300 ⁇ m, respectively.
  • the bump pitch at that time is not particularly limited, it is preferably 20 to 600 ⁇ m, more preferably 100 to 500 ⁇ m.
  • the type of metal forming the bump electrode is not particularly limited, and examples thereof include solder, silver, gold, copper, tin, lead, bismuth, and alloys thereof. It is preferably used for These metal species may be used singly or in combination of two or more.
  • Step (B) the surface of the wafer 30 opposite to the circuit forming surface 30A (also referred to as the back surface) is back ground.
  • “Backgrinding” means thinning the wafer 30 to a predetermined thickness without damaging it.
  • the structure 100 is fixed to a chuck table or the like of a grinding machine, and the back surface (circuit non-formed surface) of the wafer 30 is ground.
  • the wafer 30 is ground until the thickness is less than or equal to the desired thickness.
  • the thickness of the wafer 30 before grinding is appropriately determined according to the diameter and type of the wafer 30, and the thickness of the wafer 30 after grinding is determined appropriately according to the size of chips to be obtained, the type of circuit, and the like. Further, when the wafer 30 is half-cut or a modified layer is formed by laser irradiation, the wafer 30 is singulated into chips 31 by the step (B) as shown in FIG. .
  • the back surface grinding method is not particularly limited, and a known grinding method can be adopted. Grinding can be performed while cooling the wafer 30 and the whetstone with water. If necessary, a dry polishing process, which is a grinding method that does not use grinding water, can be performed at the end of the grinding process. After finishing the back surface grinding, chemical etching is performed as necessary. Chemical etching is performed by using an etchant selected from the group consisting of an acidic aqueous solution consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, etc. alone or a mixed solution, an alkaline aqueous solution such as a potassium hydroxide aqueous solution, a sodium hydroxide aqueous solution, etc.
  • an etchant selected from the group consisting of an acidic aqueous solution consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, etc. alone or a mixed solution, an alkaline aqueous solution such as
  • the wafer 30 is immersed with the adhesive film 50 adhered thereon. Etching is performed for the purpose of removing strain generated on the back surface of the wafer 30, further thinning the wafer 30, removing oxide films and the like, pretreatment when electrodes are formed on the back surface, and the like.
  • the etchant is appropriately selected according to the above purposes.
  • Step (C) Next, the adhesive film 50 is removed from the wafer 30 after the adhesive film 50 is irradiated with ultraviolet rays.
  • the adhesive film 50 is irradiated with ultraviolet rays at a dose of, for example, 200 mJ/cm 2 or more and 2000 mJ/cm 2 or less, thereby curing the adhesive resin layer 20 with ultraviolet rays and forming the adhesive resin layer 20. and then remove the adhesive film 50 from the wafer 30 .
  • Ultraviolet irradiation can be performed using, for example, ultraviolet rays with a dominant wavelength of 365 nm using a high-pressure mercury lamp.
  • the irradiation intensity of ultraviolet rays is, for example, 50 mW/cm 2 or more and 500 mW/cm 2 or less.
  • the wafer 30 Before removing the adhesive film from the wafer 30, the wafer 30 may be mounted on a dicing tape or a dicing tape with a die attach film together with the ring frame.
  • the operation of removing the adhesive film 50 from the wafer 30 may be performed manually, but generally can be performed by a device called an automatic peeler.
  • the surface of the wafer 30 after peeling off the adhesive film 50 may be cleaned if necessary.
  • the cleaning method include wet cleaning such as water cleaning and solvent cleaning, and dry cleaning such as plasma cleaning. In the case of wet cleaning, ultrasonic cleaning may be used together.
  • the cleaning method can be appropriately selected depending on the contamination status of the surface of the wafer 30 .
  • a step of mounting the obtained chip 31 on a circuit board may be further performed. These steps can be performed based on publicly known information.
  • Base material layer 1 polyethylene terephthalate film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name: E7180, thickness: 50 ⁇ m, single-sided corona-treated product)
  • Base layer 2 Laminated film (total thickness: 110 ⁇ m) composed of low-density polyethylene film/polyethylene terephthalate film/low-density polyethylene film produced as follows. It was obtained by laminating a low-density polyethylene film (density: 0.925 kg/m 3 , thickness: 30 ⁇ m) on both sides of a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, product name: Lumirror S10, thickness: 50 ⁇ m). One side of the obtained laminated film was subjected to corona treatment.
  • Base layer 3 Laminated film (total thickness: 145 ⁇ m) composed of polyethylene terephthalate film/ethylene-vinyl acetate copolymer film/acrylic film produced as follows. Polyethylene terephthalate film (manufactured by Toyobo, product name: E7180, thickness: 50 ⁇ m) and ethylene-vinyl acetate copolymer (manufactured by Mitsui-Dow Polychemicals, MFR: 2.5 g/10 min) film (thickness: 70 ⁇ m) was laminated by performing corona treatment on the side of the ethylene/vinyl acetate copolymer film to be bonded to the polyethylene terephthalate film.
  • Polyethylene terephthalate film manufactured by Toyobo, product name: E7180, thickness: 50 ⁇ m
  • ethylene-vinyl acetate copolymer manufactured by Mitsui-Dow Polychemicals, MFR: 2.5 g/10 min
  • the side of the ethylene-vinyl acetate copolymer film opposite to the polyethylene terephthalate film was also subjected to corona discharge treatment.
  • the release surface of the release-treated polyethylene terephthalate film (separator) is coated with the acrylic resin coating solution for the base material layer shown below so as to have a dry thickness of 20 ⁇ m and dried.
  • a laminated film composed of film/ethylene-vinyl acetate copolymer film was laminated with the ethylene-vinyl acetate copolymer film interposed therebetween, and aged (40° C., 3 days). After that, the separator was peeled off.
  • a substrate layer 3 was obtained as described above.
  • (Meth)acrylic resin solution) (Meth) acrylic resin solution 1: 49 parts by mass of ethyl acrylate, 20 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 21 parts by mass of methyl acrylate, 10 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 0.5 parts by mass of a benzoyl peroxide polymerization initiator as a polymerization initiator (solid in terms of minutes) was reacted in a mixed solvent of 65 parts by mass of toluene and 50 parts by mass of ethyl acetate at 80° C. for 10 hours.
  • (Meth) acrylic resin solution 2 77 parts by mass of n-butyl acrylate, 16 parts by mass of methyl methacrylate, 16 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 0.3 parts by mass of t-butyl peroxy-2-ethylhexanoate as a polymerization initiator, The mixture was reacted at 85° C. for 10 hours in a mixed solvent of 20 parts by mass of toluene and 80 parts by mass of ethyl acetate.
  • (Meth) acrylic resin solution 3 30 parts by mass of ethyl acrylate, 11 parts by mass of methyl acrylate, 26 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 7 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 0.8 parts by mass of a benzoyl peroxide polymerization initiator as a polymerization initiator parts (in terms of solid content) were reacted in a mixed solvent of 7 parts by mass of toluene and 50 parts by mass of ethyl acetate at 80° C. for 9 hours. After completion of the reaction, the obtained solution was cooled, and 25 parts by mass of toluene was added to the cooled solution. As described above, a (meth)acrylic resin solution 3 was obtained.
  • crosslinking agent Isocyanate-based cross-linking agent (manufactured by Mitsui Chemicals, trade name: Orester P49-75S)
  • UV-curable adhesive resin material coating liquid for forming adhesive resin layer
  • Each material described in the column of "UV-curable adhesive resin material (coating solution for forming adhesive resin layer)" in Table 1 is uniformly mixed to obtain an ultraviolet-curable adhesive resin material (adhesive resin layer forming). was obtained.
  • the ultraviolet curable adhesive resin material (coating liquid for forming an adhesive resin layer) shown in Table 1 was coated with a silicone release-treated polyethylene terephthalate film (separator) (SP-PET T18 manufactured by Mitsui Chemicals Tohcello Co., Ltd. It was applied to a thickness of 31 ⁇ m)). Next, it was dried at 120° C. for 3 minutes to form an adhesive resin layer having a thickness of 30 to 40 ⁇ m.
  • a laminate sample having a structure of separator/adhesive resin layer having a thickness of 0.2 mm/separator was obtained.
  • the obtained laminate sample was heated in an oven at 40° C. for 3 days for aging.
  • the obtained laminate sample (separator/adhesive resin layer/separator structure) was irradiated with ultraviolet rays having a main wavelength of 365 nm using a high-pressure mercury lamp at an intensity of 100 W/cm 2 and an ultraviolet dose of 1080 mJ in an environment of 25 ° C. /cm 2 for UV curing.
  • the viscoelasticity was measured using a solid viscoelasticity measuring device (RSA3, manufactured by TA Instruments).
  • the cured laminate sample was cut to a width of 10 mm and a length of 50 mm, and the separators on both sides of the cured laminate sample were removed to obtain measurement samples. After that, the measurement sample was set in the apparatus so that the chuck interval was 20 mm. Then, dynamic viscoelasticity was measured in a temperature range of -50 to 200°C at a frequency of 1 Hz and in a tensile mode.
  • the storage elastic modulus at 5°C was E' (5°C), and the storage elastic modulus at 100°C was E' (100°C).
  • the UV-curable adhesive resin material (coating solution for forming an adhesive resin layer) shown in Table 1 was applied to a polyethylene terephthalate film (separator) that had been subjected to a silicone release treatment. Then, it was dried at 120° C. for 3 minutes to form an adhesive resin layer having a thickness of 20 ⁇ m.
  • the formed adhesive resin layer was attached to the substrate layer to form a laminate. Specifically, when the substrate layer 1 or 2 was used as the substrate layer, it was attached to the corona-treated surface. When the base material layer 3 was used as the base material layer, the separator was peeled off and attached to the acrylic film layer side. The resulting laminate was heated in an oven at 40° C. for 3 days for aging. As described above, an adhesive film for back grinding was obtained.
  • Adhesive strength evaluation Measurement of adhesive strength before and after UV irradiation
  • i Preparation of adherend wafer for adhesive strength measurement: The mirror surface of a silicon mirror wafer (4-inch single-sided mirror wafer manufactured by SUMCO) was cleaned with ozone using a UV ozone cleaning device (UV-208 manufactured by Technovision) (ozone treatment time: 60 seconds). Thereafter, the mirror surface of the wafer was wiped off with ethanol to obtain an adherend wafer.
  • UV ozone cleaning device UV-208 manufactured by Technovision
  • Evaluation wafer 1 Using a dicing saw, the mirror surface of a mirror wafer (KST World, 8-inch mirror wafer, diameter: 200 ⁇ 0.5 mm, thickness: 725 ⁇ 50 ⁇ m, single-sided mirror) is half-cut and evaluated. Wafer 1 was obtained. (Blade: ZH05-SD3500-N1-70-DD, chip size: 5 mm ⁇ 8 mm, depth of cut: 58 ⁇ m, blade rotation speed: 30000 rpm). When the evaluation wafer 1 was observed with an optical microscope, the kerf width was 35 ⁇ m.
  • Evaluation wafer 2 Using a dicing saw, the mirror surface of a mirror wafer (KST World, 8-inch mirror wafer, diameter: 200 ⁇ 0.5 mm, thickness: 725 ⁇ 50 ⁇ m, single-sided mirror). Cutting was performed (blade: Z09-SD2000-Y1 58 ⁇ 0.25A ⁇ 40 ⁇ 45E-L, chip size: 5 mm ⁇ 8 mm, depth of cut: 15 ⁇ m, blade rotation speed: 30000 rpm). Observation with an optical microscope revealed that the kerf width was 60 ⁇ m.
  • a second-stage half-cut is performed (blade: ZH05-SD3500-N1-70-DD, chip size: 5 mm ⁇ 8 mm, cutting depth: 58 ⁇ m, blade rotation speed: 30000 rpm) to obtain evaluation wafer 2. rice field.
  • the adhesive film was irradiated with ultraviolet rays having a dominant wavelength of 365 nm at an irradiation intensity of 100 mW/cm 2 using a high-pressure mercury lamp in an environment of 25° C. with an ultraviolet dose of 1080 mJ/cm 2 . .
  • the peeling of the adhesive film was performed by the following procedures.
  • a separately prepared dicing tape (used as a mounting tape) is applied to the 8-inch wafer ring frame and the above-mentioned individual via the adhesive surface of the dicing tape. It was pasted on the wafer side of the separated wafer.
  • a tape peeler HR3000III, manufactured by Nitto Denko
  • the adhesive film for pre-dicing evaluation was peeled off from the wafer notch portion with a peeling tape (PET38REL, manufactured by Lasting System). Then, device peelability was evaluated.
  • “OK” indicates that the pre-dicing evaluation adhesive film could be peeled off from the wafer at one time.
  • the storage elastic modulus E' 5°C of the cured film at 5°C was 2.0 ⁇ 10 6 to 2.0 ⁇ 10 9 Pa.
  • the storage elastic modulus E′ at 100° C. (100° C.) of 1.0 ⁇ 10 6 to 3.0 ⁇ 10 7 Pa is an adhesive comprising an adhesive resin layer composed of an ultraviolet curable adhesive resin material
  • the generation of adhesive residue after the pre-dicing method was suppressed.
  • an adhesive film provided with an adhesive resin layer composed of an ultraviolet curable adhesive resin material having E′ (100° C.) outside the range of 1.0 ⁇ 10 6 to 3.0 ⁇ 10 7 Pa is used.
  • adhesive residue occurred after the pre-dicing method was performed (Comparative Examples 1 and 2).

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Abstract

回路形成面を有するウエハと、ウエハの回路形成面側に貼り合わされた粘着性フィルムと、を備える構造体を準備する工程と、ウエハの回路形成面側とは反対側の面をバックグラインドする工程と、粘着性フィルムに紫外線を照射し、その後、ウエハから粘着性フィルムを除去する工程と、を備える電子装置の製造方法であって、粘着性フィルムは、基材層と、基材層の一方の面側に設けられた、紫外線硬化性粘着性樹脂材料により構成された粘着性樹脂層と、を備え、紫外線硬化性粘着性樹脂材料について、紫外線による硬化後の５℃における貯蔵弾性率Ｅ'（５℃）は２．０×１０６～２．０×１０９Ｐａであり、１００℃における貯蔵弾性率Ｅ'（１００℃）は１．０×１０６～３．０×１０７Ｐａである電子装置の製造方法。

Description

電子装置の製造方法
　本発明は、電子装置の製造方法に関する。
　電子装置の製造工程の中で、ウエハを研削する工程においては、ウエハを固定したり、ウエハの損傷を防止したりするために、ウエハの回路形成面に粘着性フィルムが貼り付けられることがある。
　このような粘着性フィルムとしては、一般的に、基材フィルムに粘着性樹脂層を積層させたフィルムが用いられている。
　高密度実装技術の進歩に伴い、半導体ウエハ等の薄盤化の要求があり、例えば５０μｍ以下の厚さまでウエハを薄研削加工することが求められている。
　このような薄研削加工の一つとして、ウエハの研削加工の前に、ウエハの片面に所定の深さの溝を形成し、次いで研削を行うことでウエハを個片化する先ダイシング法がある。また、研削加工の前に、ウエハ内部にレーザーを照射することで改質領域を形成し、次いで研削を行うことでウエハを個片化する先ステルス法がある。
　このような先ダイシング法や先ステルス法への適用に適した粘着性フィルムに関する技術として、例えば、特許文献１（特開２０１４－７５５６０号公報）および特許文献２（特開２０１６－７２５４６号公報）に記載の技術が挙げられる。
　特許文献１には、基材上に粘着剤層を有する表面保護シートであって、下記要件（ａ）～（ｄ）を満たす表面保護シートが記載されている。
（ａ）基材のヤング率が、４５０ＭＰａ以上である
（ｂ）粘着剤層の２５℃における貯蔵弾性率が、０．１０ＭＰａ以上である
（ｃ）粘着剤層の５０℃における貯蔵弾性率が０．２０ＭＰａ以下である
（ｄ）粘着剤層の厚さが、３０μｍ以上である
　特許文献１には、このような表面保護シートは、ワークの裏面研削工程の際に、ワークが割断され形成される間隙からワークの被保護表面に、水の浸入（スラッジ浸入）を抑制して、ワークの被保護表面の汚染を防止し得ると記載されている。
　特許文献２には、基材樹脂フィルムと、基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成された放射線硬化性の粘着剤層とを有し、基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１～１０ＧＰａである剛性層を少なくとも１層有し、上記粘着剤層を放射線硬化させた後における剥離角度３０°での剥離力が、０．１～３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープが記載されている。
　特許文献２には、このような半導体ウエハ表面保護用粘着テープによれば、先ダイシング法または先ステルス法を適用した半導体ウエハの裏面研削工程において、個片化された半導体チップのカーフシフトを抑制するとともに、半導体ウエハを破損や汚染することなく加工することができると記載されている。
特開２０１４－７５５６０号公報 特開２０１６－７２５４６号公報
　本発明者らの検討によれば、例えば、電子装置の製造プロセスおいて、バックグラインド工程後にウエハから粘着性フィルムを剥離する際に、ウエハ側のダイシング・ストリート（スクライブ・ライン）上に糊残りが生じやすいことが明らかになった。特に、先ダイシング法や先ステルス法等を用いた電子装置の製造プロセスおいて、バックグラインド工程後にウエハ（個片化されたチップ）から粘着性フィルムを剥離する際に、ウエハ側に糊残りが生じやすいことが明らかになった。
　具体的には、先ダイシング法においては、一方の面に溝が設けられたウエハの、その一方の面に粘着性フィルムを貼り付けるため、その溝および／または溝近傍に糊残りが生じやすい。特に、溝は、通常、ブレードを用いて切り込むため、溝には微小な欠けが生じやすく、糊残り発生の一因となっていると考えられる。
　先ステルス法においても、個片化されたウエハ（チップ）から粘着性フィルムを剥離する際に、チップ端部において、糊残りが生じやすいと考えられる。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものである。本発明の目的の１つは、電子装置の製造において、バックグラインド工程後にウエハ（または個片化されたチップ）から粘着性フィルムを剥離する際の「糊残り」を抑制することである。
　本発明者らは、様々な観点から改良を検討した。その結果、以下に提供される発明を完成させ、上記課題を解決した。
　本発明は、以下の通りである。
１．
　回路形成面を有するウエハと、前記ウエハの前記回路形成面側に貼り合わされた粘着性フィルムと、を備える構造体を準備する工程（Ａ）と、
　前記ウエハの前記回路形成面側とは反対側の面をバックグラインドする工程（Ｂ）と、
　前記粘着性フィルムに紫外線を照射し、その後、前記ウエハから前記粘着性フィルムを除去する工程（Ｃ）と、
を少なくとも備える電子装置の製造方法であって、
　前記粘着性フィルムは、基材層と、前記基材層の一方の面側に設けられた、紫外線硬化性粘着性樹脂材料により構成された粘着性樹脂層と、を備え、
　前記紫外線硬化性粘着性樹脂材料について、以下の手順（ｉ）および（ｉｉ）により粘弾性特性を測定したときの、５℃における貯蔵弾性率をＥ'（５℃）、１００℃における貯蔵弾性率をＥ'（１００℃）としたとき、
　Ｅ'（５℃）は２．０×１０６～２．０×１０９Ｐａであり、
　Ｅ'（１００℃）は１．０×１０６～３．０×１０７Ｐａである電子装置の製造方法。
［手順］
（ｉ）前記紫外線硬化性粘着性樹脂材料を用いて膜厚０．２ｍｍの膜を形成し、その膜に対して、２５℃の環境下で、高圧水銀ランプを用いて、主波長３６５ｎｍの紫外線を、照射強度１００Ｗ／ｃｍ２で、紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２で照射して紫外線硬化させ、硬化膜を得る。
（ｉｉ）前記硬化膜について、周波数１Ｈｚ、引張モードで、温度－５０～２００℃の範囲で動的粘弾性を測定する。
２．
　１．に記載の電子装置の製造方法であって、
　前記粘着性フィルムの前記粘着性樹脂層と、鏡面研磨されたシリコンウエハと、を貼り合わせ、１時間放置後、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分の条件で剥離試験を行ったときの剥離強度をＦ０とし、
　当該粘着性フィルムの前記粘着性樹脂層と、鏡面研磨されたシリコンウエハと、を貼り合わせ、波長３６５ｎｍの紫外線を１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射し、その後、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分の条件で剥離試験を行ったときの剥離強度をＦ１としたとき、
　Ｆ１／Ｆ０が０．０２～０．６０である電子装置の製造方法。
３．
　１．または２．に記載の電子装置の製造方法であって、
　前記粘着性樹脂層は、側鎖および／または末端に重合性炭素－炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系樹脂と、光開始剤と、を含む電子装置の製造方法。
４．
　１．～３．のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法であって、
　前記ウエハは、ハーフカットされている、または改質層が形成されている電子装置の製造方法。
５．
　１．～４．のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法であって、
　前記粘着性樹脂層の厚みが５μｍ以上３００μｍ以下である電子装置の製造方法。
６．
　１．～５．のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法であって、
　前記基材層を構成する樹脂がポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アイオノマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトンおよびポリフェニレンエーテルから選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
７．
　１．～６．のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法であって、
　前記工程（Ａ）は、
　　前記ウエハをハーフカットする工程（Ａ１－１）および前記ウエハに対してレーザーを照射し、前記ウエハに改質層を形成する工程（Ａ１－２）から選択される少なくとも一種の工程（Ａ１）と、
　　前記工程（Ａ１）の後に、前記ウエハの前記回路形成面側に前記バックグラインド用粘着性フィルムを貼り付ける工程（Ａ２）と、
を含む電子装置の製造方法。
　本発明の電子装置の製造方法により、バックグラインド工程後において、ウエハ（または個片化されたチップ）から粘着性フィルムを剥離する際の糊残りを抑制することが可能となる。
粘着性フィルムの構造の一例を模式的に示した図（断面図）である。 電子装置の製造方法の一例を模式的に示した図（断面図）である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明する。
　すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　煩雑さを避けるため、（ｉ）同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その１つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合や、（ｉｉ）特に図２以降において、図１と同様の構成要素に改めては符号を付さない場合がある。
　すべての図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応しない。
　本明細書中、数値範囲の説明における「Ｘ～Ｙ」との表記は、特に断らない限り、Ｘ以上Ｙ以下のことを表す。例えば、「１～５質量％」とは「１質量％以上５質量％以下」を意味する。
　本明細書における基（原子団）の表記において、置換か無置換かを記していない表記は、置換基を有しないものと置換基を有するものの両方を包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
　本明細書における「（メタ）アクリル」との表記は、アクリルとメタクリルの両方を包含する概念を表す。「（メタ）アクリレート」等の類似の表記についても同様である。
　本明細書における「有機基」の語は、特に断りが無い限り、有機化合物から１つ以上の水素原子を除いた原子団のことを意味する。例えば、「１価の有機基」とは、任意の有機化合物から１つの水素原子を除いた原子団のことを表す。
　本明細書における「電子装置」の語は、半導体チップ、半導体素子、プリント配線基板、電気回路ディスプレイ装置、情報通信端末、発光ダイオード、物理電池、化学電池など、電子工学の技術が適用された素子、デバイス、最終製品等を包含する意味で用いられる。
　図１は、本実施形態において用いられる粘着性フィルム（粘着性フィルム５０）の構造の一例を模式的に示した断面図である。
　粘着性フィルム５０は、ウエハの表面を保護するために用いられる。
　図１に示すように、粘着性フィルム５０は、基材層１０と、基材層１０の一方の面側に設けられた紫外線硬化型の粘着性樹脂層２０（紫外線硬化性粘着性樹脂材料により構成された粘着性樹脂層）と、を備える。
　粘着性樹脂層２０を構成する紫外線硬化性粘着性樹脂材料について、以下の手順（ｉ）および（ｉｉ）により粘弾性特性を測定したときの、５℃における貯蔵弾性率をＥ'（５℃）、１００℃における貯蔵弾性率をＥ'（１００℃）としたとき、Ｅ'（５℃）は２．０×１０６～２．０×１０９Ｐａ、好ましくは２．５×１０７～６．５×１０８Ｐａであり、Ｅ'（１００℃）は１．０×１０６～３．０×１０７Ｐａ、好ましくは３．０×１０６～２．０×１０７Ｐａである。
　また、紫外線硬化性粘着性樹脂材料の５℃における貯蔵弾性率（Ｅ'（５℃））は、２．０×１０６Ｐａ以上、好ましくは５．０×１０６Ｐａ以上、より好ましくは１．０×１０７Ｐａ以上、さらに好ましくは２．０×１０７Ｐａ以上、さらに好ましくは２．５×１０７Ｐａ以上であり、そして、２．０×１０９Ｐａ以下、好ましくは１．０×１０９Ｐａ以下、より好ましくは８．０×１０８Ｐａ以下、さらに好ましくは６．５×１０８Ｐａ以下、さらに好ましくは５．０×１０８Ｐａ以下である。紫外線硬化性粘着性樹脂材料の１００℃における貯蔵弾性率（Ｅ'（１００℃））は、１．０×１０６Ｐａ以上、好ましくは３．０×１０６Ｐａ以上、より好ましくは４．０×１０６Ｐａ以上、さらに好ましくは５．０×１０６Ｐａ以上であり、そして、３．０×１０７Ｐａ以下、好ましくは２．５×１０７Ｐａ以下、より好ましくは２．０×１０７Ｐａ以下である。
［手順］
（ｉ）紫外線硬化性粘着性樹脂材料を用いて膜厚０．２ｍｍの膜を形成し、その膜に対して、２５℃の環境下で、高圧水銀ランプを用いて、主波長３６５ｎｍの紫外線を、照射強度１００Ｗ／ｃｍ２で、紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２で照射して紫外線硬化させ、硬化膜を得る。
（ｉｉ）上記硬化膜について、周波数１Ｈｚ、引張モードで、温度－５０～２００℃の範囲で動的粘弾性を測定する。
　ちなみに、酸素による重合阻害を抑えるため、上記（ｉ）における紫外線照射の際、紫外線硬化性粘着性樹脂材料を用いて形成された膜は、例えば、離型フィルムに貼り合わせられた状態である。具体的には以下の通りである。
・粘着性樹脂層２０と同じ組成の、厚さ０．２ｍｍの紫外線硬化性粘着性樹脂材料を用意する。
・上記紫外線硬化性粘着性樹脂材料は、両側をシリコーン離型処理された無色透明ポリエチレンテレフタレートフィルム（セパレータ）のシリコーン離型処理面同士に挟まれた状態とする。
シリコーン離型処理された無色透明ポリエチレンテレフタレートフィルム（セパレータ）としては、三井化学東セロ社製ＳＰ－ＰＥＴ　Ｔ１５、Ｔ１８や、東洋紡社製ピューレックスＡ３１、Ａ４１等が挙げられる。
・得られたサンプル（セパレータ／粘着性樹脂層２０／セパレータの３層構成）を、２５℃の環境下で、高圧水銀ランプを用いて、主波長３６５ｎｍの紫外線を、照射強度１００Ｗ／ｃｍ２で、紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２で照射して紫外線硬化させる。
・紫外線硬化の後、両側のセパレータを剥がして測定用サンプルとする。測定用サンプルのサイズは、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍとする。
・固体粘弾性測定装置を用いて、チャック間が２０ｍｍになるように装置にセットし、周波数１Ｈｚ、引張モードで、温度－５０～２００℃の範囲で粘弾性を測定する。固体粘弾性測定装置の例としては、ＴＡインスツルメント社製、ＲＳＡ３などが挙げられる。
　粘着性フィルム５０の特徴の１つは、粘着性樹脂層２０を構成する紫外線硬化性粘着性樹脂材料が、上記の貯蔵弾性率の規定を満たすことである。
　上記の貯蔵弾性率の規定と糊残りの抑制との関係については、以下のように説明することができる。念のため述べておくと、以下記載により本発明は限定されない。
　ポリマーの粘弾性に関して、周波数変化は温度変化とよく似ており、周波数を高めることと温度を下げることは、同様の効果を示すことが知られている（時間－温度換算則）。
　粘着性フィルムの剥離の際には、粘着性樹脂層の硬化膜が瞬間的に大きく変形する。よって、周波数のより大きな領域（すなわち、より低温領域）での粘弾性挙動が、実際の剥離の態様とよく対応すると考えられる。つまり、硬化後の粘着性フィルムの剥離は通常室温で行われるが、周波数の大きな領域（すなわち、低温領域）での粘弾性挙動が、実際の剥離の挙動とよく対応すると考えられる。また、発明者らの過去の知見などから、周波数の小さな領域（つまり、高温領域）での粘弾性挙動は、粘着性樹脂層の硬化膜の架橋の状態を反映すると考えられる。
　つまり、硬化後の粘着性フィルムの剥離は通常室温で行われるが、５℃程度の低温における貯蔵弾性率と、１００℃程度の高温における貯蔵弾性率が、剥離の態様と密接に関係しているのではないかと推定される。より具体的には、以下の通りである。
　５℃における貯蔵弾性率に関して：周波数変化は温度変化とよく似ており、周波数を高めることと温度を下げることは、同様の効果を示すことが知られている（時間－温度換算則）。テープ剥離の際には、粘着材が瞬間的に大きく変形することが知られており、周波数のより大きな領域（すなわち、より低温領域）での粘弾性挙動が実際の剥離モードに近いと考えられる。従って、テープ剥離は通常は室温で行われるが、より低温である５℃での貯蔵弾性率が、テープが実際に剥離される際の粘着材の挙動をよく表現しているものと推定される。Ｅ'（５℃）が高すぎる場合は、粘着材の靭性が著しく損なわれるために、粘着層破断によるのり残りがしやすく、また、Ｅ'（５℃）が低すぎる場合は、粘着材と被着材との相互作用が大きすぎて剥離がしづらいために、糊残りが生じやすくなるものとの推定される。
　１００℃における貯蔵弾性率に関して：１００℃という温度は粘着材のガラス転移温度に対して、十分に高い温度であり、非晶性の粘着材は完全にアモルファス状態であると考えられる。従って、Ｅ'（１００℃）は粘着材の架橋密度を示していると考えられる。Ｅ'（１００℃）が高すぎる場合には、粘着材の靭性が著しく損なわれており、粘着材が脆く破断しやすいため、のり残りしやすいと推定される。また、Ｅ'（１００℃）が低すぎるものについては、粘着材と被着材との相互作用が高く、剥離がしづらいために、糊残りが生じたものとの推定される。
　そして、Ｅ'（５℃）とＥ'（１００℃）の両方が、それぞれ適当な数値範囲内にあるということは、剥離時の靭性と、架橋密度という観点で、粘着剤の性能バランスが特に良好であることを意味すると考えられる。つまり、Ｅ'（５℃）とＥ'（１００℃）の両方が、それぞれ適当な数値となる粘着性フィルム（特に粘着性樹脂層）を用いて電子装置を製造することで、特に先ダイシング法や先ステルス法において糊残りが生じにくくなると考えられる。
　上記の貯蔵弾性率の規定を満たす粘着性フィルム５０は、素材の適切な選択、各素材の適切な配合、製造条件などを適切に選択することによって製造することができる。これらの詳細については以下で随時説明する。
　以下「１．粘着性フィルム」の項目にて、粘着性フィルム５０を構成する各層などについて具体的に説明する。
１．粘着性フィルム
（基材層）
　基材層１０は、粘着性フィルム５０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
　基材層１０は、ウエハを加工する際に加わる外力に耐えうる機械的強度があれば特に限定されず、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
　基材層１０を構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４－メチル－１－ペンテン）、ポリ（１－ブテン）等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ナイロン－６、ナイロン－６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート、ポリメタアクリレート等の（メタ）アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；ポリイミド；ポリエーテルイミド；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリエーテルエーテルケトン；ポリフェニレンエーテル等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
　これらの中でも、機械物性および透明性を良好にする観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体およびポリブチレンテレフタレートからなる群より選択される一種または二種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートから選択される一種または二種以上がより好ましい。
　基材層１０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
　また、基材層１０を設けるために使用する樹脂フィルムの形態は、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよい。基材層１０の機械的強度を向上させる観点からは、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであることが好ましい。
　基材層１０は、研削後のウエハの反りを抑制する観点から、予めアニール処理されているものが好ましい。基材層１０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
　基材層１０の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、２０μｍ以上２５０μｍ以下が好ましく、３０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以上１５０μｍ以下がさらに好ましい。
（粘着性樹脂層）
　粘着性フィルム５０は紫外線硬化型の粘着性樹脂層２０を備える。
　粘着性樹脂層２０は、基材層１０の一方の面側に設けられる層であり、粘着性フィルム５０をウエハの回路形成面に貼り付ける際に、その回路形成面に接触して粘着する層である。
　粘着性樹脂層２０は、適当な紫外線硬化性粘着性樹脂材料を用いて形成される。具体的には、粘着性樹脂層２０は、紫外線により粘着力が低下する紫外線硬化性粘着性樹脂材料を用いて形成される。
　粘着性樹脂層２０に紫外線を照射すると、硬化（架橋など）して粘着力が減少するため、粘着性フィルム５０からウエハ（またはウエハが個片化されたチップ）を剥離し易くなる。
　紫外線硬化性粘着性樹脂材料は、粘着剤・接着剤などの分野で知られている（メタ）アクリル系樹脂を含むことが好ましい。
　（メタ）アクリル系樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル化合物の単独重合体、（メタ）アクリル酸エステル化合物とコモノマーとの共重合体等が挙げられる。原料モノマーである（メタ）アクリル酸エステル化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステル化合物は一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
　また、（メタ）アクリル系共重合体を構成するコモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、（メタ）アクリルニトリル、スチレン、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、（メタ）アクリルアマイド、メチロール（メタ）アクリルアマイド、無水マレイン酸等が挙げられる。これらのコモノマーを用いる場合は、一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
　紫外線硬化性粘着性樹脂材料は、好ましくは、側鎖および／または末端に重合性炭素－炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系樹脂と、光開始剤とを含み、さらに必要に応じて架橋剤などを含む。紫外線硬化性粘着性樹脂材料は、さらに、１分子内に重合性炭素－炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物（多官能（メタ）アクリレート化合物等）をさらに含んでもよい。
　側鎖および／または末端に重合性炭素－炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系樹脂は、具体的には次のようにして得られる。まず、エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーを共重合させる。次いで、この共重合体に含まれる官能基（Ｐ）と、官能基（Ｐ）と付加反応、縮合反応等を起こしうる官能基（Ｑ）を有するモノマーとを、モノマー中の二重結合を残したまま反応させ、共重合体分子中に重合性炭素－炭素二重結合を導入する。
　エチレン性二重結合を有するモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸－２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル等のアクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルモノマー、酢酸ビニルの如きビニルエステル、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリルアミド、スチレン等のエチレン性二重結合を有するモノマーの中から、１種又は２種以上が用いられる。
　官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸グリシジル、Ｎーメチロール（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等が挙げられる。これらは１種でもよく、２種以上組み合わせて使用してもよい。
　エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーの割合は、エチレン性二重結合を有するモノマーが７０～９９質量％であり、官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーが１～３０質量％であることが好ましい。さらに好ましくは、エチレン性二重結合を有するモノマーが８０～９５質量％であり、官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーが５～２０質量％である。
　官能基（Ｑ）を有するモノマーとしては、例えば、上記官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーと同様のモノマーを挙げることができる。
　エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーとの共重合体に、重合性炭素－炭素二重結合を導入する際に反応させる官能基（Ｐ）と官能基（Ｑ）の組み合わせとして、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジニル基、水酸基とイソシアネート基等、容易に付加反応が起こる組み合わせが望ましい。また、付加反応に限らずカルボン酸基と水酸基との縮合反応等、重合性炭素－炭素二重結合が容易に導入できる反応であれば如何なる反応も適用可能である。
　エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーを共重合させる際は、重合開始剤を用いることができる。重合開始剤としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド系重合開始剤、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート等のラジカル重合開始剤が挙げられる。
　１分子中に重合性炭素－炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としては、例えば、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物等が挙げられる。これらを用いる場合、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。分子中に重合性炭素－炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物の添加量は、上記（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１～２０質量部であり、より好ましくは５～１８質量部である。
　また、分子中に重合性炭素－炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物の添加量は、上記（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは１質量部以上、さらに好ましくは３質量部以上、さらに好ましくは５質量部以上であり、そして、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは１８質量部以下、さらに好ましくは１５質量部以下、さらに好ましくは１３質量部以下である。
　光開始剤は、通常、紫外線を照射されることにより、重合性炭素－炭素二重結合を重合させる化学種（ラジカルなど）を発生させるものである。
　光開始剤としては、例えば、ベンゾイン、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、アセトフェノンジエチルケタール、ベンジルジメチルケタール、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－４'－モルフォリノブチロフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリン－４－イル－フェニル）ブタン－１－オン等が挙げられる。
　光開始剤は１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
　光開始剤の添加量は、上記（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１～１５質量部であり、より好ましくは１～１０質量部であり、さらに好ましくは４～１０質量部である。
　また、光開始剤の添加量は、上記（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは１質量部以上、さらに好ましくは３質量部以上、さらに好ましくは４質量部以上、さらに好ましくは５質量部以上であり、そして、好ましくは１５質量部以下、より好ましくは１２質量部以下、さらに好ましくは１０質量部以下、さらに好ましくは８質量部以下である。
　紫外線硬化性粘着性樹脂材料は架橋剤を含んでもよい。
　架橋剤としては、例えば、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ'－ジフェニルメタン－４，４'－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'－ヘキサメチレン－１，６－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。
　架橋剤は１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
　架橋剤を用いる場合、その量は、通常、架橋剤中の官能基数が（メタ）アクリル系樹脂中の官能基数よりも多くならない程度の範囲が好ましい。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。
　架橋剤を用いる場合、紫外線硬化性粘着性樹脂材料中の架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層２０の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対し、０．１質量部以上１５質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上５質量部以下であることが好ましい。
　また、架橋剤を用いる場合、紫外線硬化性粘着性樹脂材料中の架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層２０の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対し、好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは０．２質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上、さらに好ましくは０．７質量部以上であり、そして、好ましくは１５質量部以下、より好ましくは１０質量部以下、さらに好ましくは５質量部以下、さらに好ましくは３質量部以下である。
　粘着性樹脂層２０は、例えば、基材層１０の一方の面上に、紫外線硬化性粘着性樹脂材料を塗布することにより形成することができる。すなわち、上記各成分を適当な溶剤（典型的には有機溶剤）に溶解または分散させて調製した紫外線硬化性粘着性樹脂材料を、基材層１０の一方の面上に塗布するなどして粘着性樹脂層２０を設けることができる。
　塗布方法としては、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等の従来公知の塗布方法を採用することができる。乾燥条件は特に制限はないが、一般的には、８０～２００℃の温度範囲において、１０秒～１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは、８０～１７０℃において、１５秒～５分間乾燥する。架橋剤と（メタ）アクリル系樹脂との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０～８０℃において５～３００時間程度加熱してもよい。
　基材層１０の一方の面上に紫外線硬化性粘着性樹脂材料を塗布するのとは別の方法として、後掲の実施例に示すように、（ｉ）まず、紫外線硬化性粘着性樹脂材料を、易剥離性の基材（セパレータ）の表面に塗布して粘着性樹脂層２０を形成し、（ｉｉ）その後、形成された粘着性樹脂層を基材層１０の一方の面に貼り合わせる方法を挙げることもできる。
　粘着性樹脂層２０の厚みは、好ましくは５μｍ以上３００μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下であり、さらに好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下である。粘着性樹脂層２０の厚みが適度に大きいことにより、十二分な粘着性が得られる。また、粘着性樹脂層２０が厚すぎないことにより、粘着性フィルム５０の取扱い性が向上する。
　また、粘着性樹脂層２０の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上、そして、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下である。
（その他の層）
　粘着性フィルム５０は、糊残りの抑制効果を損なわない範囲で、その他の層を備えていてもよい。例えば、各層の間に凹凸吸収性樹脂層や接着層、帯電防止層等の他の層があってもよい。凹凸吸収性樹脂層を設けることで、粘着性フィルム５０の凹凸吸収性を向上させることができる。接着層を設けることで、各層の間の接着性を向上させることができる。また、帯電防止層を設ければ、粘着性フィルム５０の帯電防止性を向上させることができる。
　また、使用前における劣化や異物付着を抑制する観点から、粘着性樹脂層２０の露出面は、離型フィルムなどの適当な保護フィルム（易剥離性のフィルム）で保護されていてもよい。
（全体厚み）
　粘着性フィルム５０全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは５０μｍ以上６００μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以上４００μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以上３００μｍ以下である。
（紫外線露光による粘着力の低下）
　前述のように、粘着性フィルム５０において、粘着性樹脂層２０は、紫外線により粘着力が低下する紫外線硬化性粘着性樹脂材料を用いて形成される。
　紫外線により粘着力が低下する程度については、好ましくは以下のように定量化される。
・粘着性フィルム５０の粘着性樹脂層２０と、鏡面研磨されたシリコンウエハと、を貼り合わせ、１時間放置後、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分の条件で剥離試験を行ったときの剥離強度をＦ０とする。
・粘着性フィルム５０の粘着性樹脂層２０と、鏡面研磨されたシリコンウエハと、を貼り合わせ、波長３６５ｎｍの紫外線を１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射した後、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分の条件で剥離試験を行ったときの剥離強度をＦ１とする。
・Ｆ１／Ｆ０は、好ましくは０．０１～０．６０、より好ましくは０．０１～０．２０、さらに好ましくは０．０２～０．２０である。
　また、Ｆ１／Ｆ０は、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０１５以上、より好ましくは０．０２以上であり、そして、好ましくは０．６０以下、より好ましくは０．３０以下、さらに好ましくは０．２０以下、さらに好ましくは０．１５以下、さらに好ましくは０．１２以下である。
　Ｆ１／Ｆ０が適当な値であることにより、バックグラインド工程の際のウエハの位置ずれが抑えられ、かつ、バックグラインド工程後においては粘着性フィルム５０の剥離が容易となる。
　ちなみに、Ｆ０そのものの値は、例えば３～２０Ｎ／２５ｍｍ、具体的には３～１６Ｎ／２５ｍｍである。
　また、Ｆ１そのものの値は、例えば１０Ｎ／２５ｍｍ以下、具体的には１Ｎ／２５ｍｍ以下、より具体的には０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。Ｆ１はゼロであってもよいが、Ｆ１は、通常０．００５Ｎ／２５ｍｍ以上、具体的には０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上である。
２．電子装置の製造方法
　図２は、粘着性フィルム５０を用いた電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。
　電子装置の製造方法は、通常、以下の３つの工程を少なくとも備えている。
（Ａ）回路形成面３０Ａを有するウエハ３０と、ウエハ３０の回路形成面３０Ａ側に貼り合わされた粘着性フィルム５０と、を備える構造体１００を準備する工程
（Ｂ）ウエハ３０の回路形成面３０Ａ側とは反対側の面をバックグラインドする工程
（Ｃ）粘着性フィルム５０に紫外線を照射した後にウエハ３０から粘着性フィルム５０を除去する工程
　このような一連の工程において、粘着性フィルム５０として、上記＜粘着性フィルム＞の項で説明した粘着性フィルムを使用する。本実施形態の電子装置の製造方法は、ウエハ３０の裏面を研削する際に、粘着性フィルム５０を、いわゆるバックグラインドテープとして用いることに特徴がある。
　以下、電子装置の製造方法の各工程について説明する。
（工程（Ａ））
　はじめに、回路形成面３０Ａを有するウエハ３０と、ウエハ３０の回路形成面３０Ａ側に貼り合わされた粘着性フィルム５０と、を備える構造体１００を準備する。
　このような構造体１００は、例えば、粘着性フィルム５０の粘着性樹脂層２０から離型フィルムを剥離し、粘着性樹脂層２０の表面を露出させ、その粘着性樹脂層２０上に、ウエハ３０の回路形成面３０Ａを貼り付けることにより作製することができる。
　ここで、粘着性フィルム５０にウエハ３０の回路形成面３０Ａを貼り付ける際の条件は特に限定されないが、例えば、温度は２０～８０℃、圧力は０．０５～０．５ＭＰａ、貼り付け速度は０．５～２０ｍｍ／秒とすることができる。
　工程（Ａ）は、ウエハ３０をハーフカットする工程（Ａ１－１）およびウエハ３０に対してレーザーを照射し、ウエハ３０に改質層を形成する工程（Ａ１－２）から選択される少なくとも一種の工程（Ａ１）と、工程（Ａ１）の後に、ウエハ３０の回路形成面３０Ａ側にバックグラインド用粘着性フィルム５０を貼り付ける工程（Ａ２）と、をさらに含むことが好ましい。
　既に説明したように、粘着性フィルム５０は、先ダイシング法や先ステルス法等を用いた電子装置の製造プロセスに、好適に用いることができる。そのため、先ダイシング法となる上記工程（Ａ１－１）や先ステルス法となる上記工程（Ａ１－２）を行う製造方法が好ましい。
　工程（Ａ２）では、ウエハ３０の回路形成面３０Ａに粘着性フィルム５０を加温して貼り付けることができる。これにより、粘着性樹脂層２０とウエハ３０との接着状態を長時間にわたって良好にすることができる。加温温度は特に限定されないが、例えば６０～８０℃である。
　粘着性フィルム５０をウエハ３０に貼り付ける操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の粘着性フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行うことができる。
　粘着性フィルム５０に貼り付けるウエハ３０としては特に限定されないが、回路形成面３０Ａを有するウエハ３０であることが好ましい。例えば、半導体ウエハ、エポキシモールドウエハ、エポキシモールドパネル等が挙げられ、好ましくは半導体ウエハおよびエポキシモールドウエハである。
　また、半導体ウエハとしては、例えば、シリコンウエハ、サファイアウエハ、ゲルマニウムウエハ、ゲルマニウム－ヒ素ウエハ、ガリウム－リンウエハ、ガリウム－ヒ素－アルミニウムウエハ、ガリウム－ヒ素ウエハ、タンタル酸リチウムウエハ等が挙げられ、シリコンウエハに好適に用いられる。エポキシモールドウエハとしては、ファンアウト型ＷＬＰの作製方法のひとつであるｅＷＬＢ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）プロセスによって作製されたウエハが挙げられる。
　回路形成面を有する半導体ウエハおよびエポキシモールドウエハは特に限定されず、例えば、表面に配線、キャパシタ、ダイオードまたはトランジスタ等の回路が形成されたものが挙げられる。また、回路形成面にプラズマ処理がされていてもよい。
　ウエハ３０の回路形成面３０Ａは、例えば、バンプ電極等を有することにより、凹凸面となっていてもよい。
　バンプ電極は、例えば、電子装置を実装面に実装する際に、実装面に形成された電極に対して接合されて、電子装置と実装面（プリント基板等の実装面）との間の電気的接続を形成するものである。
　バンプ電極としては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプ、ピラーバンプ等が挙げられる。すなわち、バンプ電極は、通常凸電極である。これらのバンプ電極は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　バンプ電極の高さおよび径は特に限定されないが、それぞれ、好ましくは１０～４００μｍ、より好ましくは５０～３００μｍである。その際のバンプピッチにおいても特に限定されないが、好ましくは２０～６００μｍ、より好ましくは１００～５００μｍである。
　バンプ電極を構成する金属種は特に限定されず、例えば、はんだ、銀、金、銅、錫、鉛、ビスマス及びこれらの合金等が挙げられるが、粘着性フィルム５０はバンプ電極がはんだバンプの場合に好適に用いられる。これらの金属種は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
（工程（Ｂ））
　次に、ウエハ３０の回路形成面３０Ａ側とは反対側の面（裏面とも呼ぶ）をバックグラインドする。
　「バックグラインドする」とは、ウエハ３０を破損することなく、所定の厚みまで薄化加工することを意味する。
　例えば、研削機のチャックテーブル等に構造体１００を固定し、ウエハ３０の裏面（回路非形成面）を研削する。
　このような裏面研削操作において、ウエハ３０は、厚みが所望の厚み以下になるまで研削される。研削する前のウエハ３０の厚みは、ウエハ３０の直径、種類等により適宜決められ、研削後のウエハ３０の厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等により適宜決められる。
　また、ウエハ３０がハーフカットされている、またはレーザー照射により改質層が形成されている場合、図２に示すように工程（Ｂ）によって、ウエハ３０は個片化されて、チップ３１となる。
　裏面研削方式は特に限定されず、公知の研削方式を採用することができる。研削は、水をウエハ３０と砥石にかけて冷却しながら行うことができる。必要に応じて、研削工程の最後に研削水を用いない研削方式であるドライポリッシュ工程を行うことができる。
　裏面研削終了後、必要に応じてケミカルエッチングが行われる。ケミカルエッチングは、弗化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸等の単独若しくは混合液からなる酸性水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液からなる群から選ばれたエッチング液に、粘着性フィルム５０を貼着した状態でウエハ３０を浸漬する等の方法により行われる。エッチングは、ウエハ３０の裏面に生じた歪みの除去、ウエハ３０のさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
（工程（Ｃ））
　次いで、粘着性フィルム５０に紫外線を照射した後にウエハ３０から粘着性フィルム５０を除去する。工程（Ｃ）では、粘着性フィルム５０に対し、例えば、２００ｍＪ／ｃｍ２以上２０００ｍＪ／ｃｍ２以下の線量の紫外線を照射することによって、粘着性樹脂層２０を紫外線硬化させて粘着性樹脂層２０の粘着力を低下させ、その後、ウエハ３０から粘着性フィルム５０を除去する。
　紫外線照射は、例えば、高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を用いておこなうことができる。
　紫外線の照射強度は、例えば、５０ｍＷ／ｃｍ２以上５００ｍＷ／ｃｍ２以下である。
　ウエハ３０から粘着性フィルムを除去する前に、リングフレームとともに、ダイシングテープ、またはダイアタッチフィルム付きダイシングテープ上にウエハ３０をマウントしてもよい。ウエハ３０から粘着性フィルム５０を除去する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には自動剥がし機と称される装置により行うことができる。
　粘着性フィルム５０を剥離した後のウエハ３０の表面は、必要に応じて洗浄されてもよい。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。洗浄方法は、ウエハ３０の表面の汚染状況により適宜選択することができる。
（その他の工程）
　工程（Ａ）～工程（Ｃ）を行った後、得られたチップ３１を回路基板に実装する工程等をさらに行ってもよい。これらの工程は、公知の情報に基づいておこなうことができる。
　以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
　本発明の実施態様を、実施例および比較例に基づき詳細に説明する。念のため述べておくと、本発明は実施例のみに限定されない。
　実施例において、指数表記を記号「Ｅ」で示す場合がある。例えば、１．３Ｅ＋０６との表記は、１．３×１０６を意味する。
＜原材料の準備＞
　以下の原材料を準備した。
（基材層）
　基材層１：ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製、製品名：Ｅ７１８０、厚み：５０μｍ、片面コロナ処理品）
　基材層２：以下のようにして製造した、低密度ポリエチレンフィルム／ポリエチレンテレフタレートフィルム／低密度ポリエチレンフィルムからなる積層フィルム（総厚み：１１０μｍ）
　ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、製品名：ルミラーＳ１０、厚み：５０μｍ）の両側に低密度ポリエチレンフィルム（密度：０．９２５ｋｇ／ｍ３、厚み：３０μｍ）をラミネートして得た。得られた積層フィルムの片側にはコロナ処理を実施した。
　基材層３：以下のようにして製造した、ポリエチレンテレフタレートフィルム／エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム／アクリルフィルムからなる積層フィルム（総厚み：１４５μｍ）
　ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製、製品名：Ｅ７１８０、厚み：５０μｍ）とエチレン・酢酸ビニル共重合体（三井・ダウポリケミカル株式会社製、ＭＦＲ：２．５ｇ／１０分）フィルム（厚み：７０μｍ）を、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルムのポリエチレンテレフタレートフィルムとの貼り合わせ面側にコロナ処理を施すことで積層した。さらに、エチレン－酢酸ビニル共重合体フィルムのポリエチレンテレフタレートフィルムの反対面側にもコロナ放電処理を施した。
　次に、離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（セパレータ）の離型面に、以下に示す基材層用のアクリル系樹脂塗布液をドライ厚み２０μｍになるようにコート・乾燥させ、上記のポリエチレンテレフタレートフィルム／エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルムからなる積層フィルムにエチレン・酢酸ビニル共重合体フィルムを介して貼り合わせ、熟成（４０℃、３日間）した。その後、セパレータを剥離した。
　以上のようにして基材層３を得た。
（基材層用のアクリル系樹脂塗布液）
　重合開始剤として４，４'－アゾビス－４－シアノバレリックアシッド（大塚化学社製、製品名：ＡＣＶＡ）を０．５質量部用い、アクリル酸ブチル７４質量部、メタクリル酸メチル１４質量部、メタクリル酸－２－ヒドロキシエチル９質量部、メタクリル酸２質量部、アクリルアミド１質量部、ポリオキシエチレンノニルプロペニルフェニルエーテル硫酸アンモニウムの水溶液（第一工業製薬社製、製品名：アクアロンＨＳ－１０２５）３質量部を、脱イオン水中で７０℃において９時間乳化重合させた。重合終了後、アンモニア水でｐＨ＝７に調整し、固形分濃度４２．５質量％のアクリルポリマー水系エマルジョンを得た。次に、このアクリルポリマー水系エマルジョン１００質量部に対し、アンモニア水を用いて、ｐＨ＝９以上に調整するとともに、アジリジン系架橋剤〔日本触媒化学工業製、ケミタイトＰＺ－３３〕０．７５質量部、およびジエチレングリコールモノブチルエーテル５質量部を配合した。
　以上のようにして、基材層用のアクリル系樹脂塗布液を得た。
（（メタ）アクリル系樹脂溶液）
（メタ）アクリル系樹脂溶液１：
　アクリル酸エチル４９質量部、アクリル酸－２－エチルヘキシル２０質量部、アクリル酸メチル２１質量部、メタクリル酸グリシジル１０質量部、および重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド系重合開始剤０．５質量部（固形分換算）を、トルエン６５質量部および酢酸エチル５０質量部の混合溶剤中で、８０℃で１０時間反応させた。反応終了後、得られた溶液を冷却し、冷却した溶液にキシレン２５質量部、アクリル酸５質量部、およびテトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド０．５質量部を加え、空気を吹き込みながら８５℃で３２時間反応させた。
　以上のようにして、（メタ）アクリル系樹脂溶液１を得た。
（メタ）アクリル系樹脂溶液２：
　アクリル酸ｎ－ブチル７７質量部、メタクリル酸メチル１６質量部、アクリル酸２－ヒドロキシエチル１６質量部、および重合開始剤としてｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート０．３質量部を、トルエン２０質量部および酢酸エチル８０質量部の混合溶剤中で、８５℃で１０時間反応させた。反応終了後、得られた溶液を冷却し、これにトルエン３０質量部、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工製、製品名：カレンズＭＯＩ）７質量部、およびジラウリル酸ジブチル錫０．０５質量部を加え、空気を吹き込みながら８５℃で１２時間反応させた。
　以上のようにして、（メタ）アクリル系樹脂溶液２を得た。
（メタ）アクリル系樹脂溶液３：
　アクリル酸エチル３０質量部、アクリル酸メチル１１質量部、アクリル酸－２－エチルヘキシル２６質量部、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル７質量部、および重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド系重合開始剤０．８質量部（固形分換算）を、トルエン７質量部および酢酸エチル５０質量部の混合溶剤中で、８０℃で９時間反応させた。反応終了後、得られた溶液を冷却し、冷却した溶液にトルエン２５質量部を加えた。
　以上のようにして、（メタ）アクリル系樹脂溶液３を得た。
（光開始剤）
　オムニラッド６５１（ＩＧＭ社製）：２，２－ジメトキシー２－フェニルアセトフェノン
　オムニラッド３６９（ＩＧＭ社製）：２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－４'－モルフォリノブチロフェノン
（多官能（メタ）アクリレート）
　アロニックスＭ４００（東亜合成社製）：ジペンタエリスリトールペンタアクリレートおよびジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物
（架橋剤）
　イソシアネート系架橋剤（三井化学社製、商品名：オレスターＰ４９－７５Ｓ）
＜紫外線硬化性粘着性樹脂材料（粘着性樹脂層形成用の塗布液）の調製＞
　表１の「紫外線硬化性粘着性樹脂材料（粘着性樹脂層形成用の塗布液）」の欄に記載の各材料を均一に混合して、紫外線硬化性粘着性樹脂材料（粘着性樹脂層形成用の塗布液）を得た。
＜紫外線硬化性粘着性樹脂材料の硬化膜の粘弾性測定＞
　まず、表１に記載の紫外線硬化性粘着性樹脂材料（粘着性樹脂層形成用の塗布液）を、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（セパレータ）（三井化学東セロ社製ＳＰ－ＰＥＴ　Ｔ１８（厚み３１μｍ））に塗布した。次に、１２０℃で３分間乾燥させて、厚み３０～４０μｍの粘着性樹脂層を形成した。得られた粘着性樹脂層を何層か重ね合わせることで、セパレータ／厚み０．２ｍｍの粘着性樹脂層／セパレータ構成の積層体サンプルを得た。得られた積層体サンプルをオーブンで４０℃、３日間加熱し、熟成させた。
　得られた積層体サンプル（セパレータ／粘着性樹脂層／セパレータ構成）を２５℃の環境下で、高圧水銀ランプを用いて、主波長３６５ｎｍの紫外線を、照射強度１００Ｗ／ｃｍ２で、紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２で照射して紫外線硬化させた。
　次に、固体粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製、ＲＳＡ３）を用いて、粘弾性を測定した。具体的には、硬化後積層体サンプルを幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍにカットし、硬化後積層体サンプルの両側のセパレータを取り除き、測定サンプルを得た。その後、その測定サンプルを、チャック間が２０ｍｍになるように装置にセットした。そして、周波数１Ｈｚ、引張モードで、温度－５０～２００℃の範囲で動的粘弾性を測定した。
　５℃における貯蔵弾性率をＥ'（５℃）、１００℃における貯蔵弾性率をＥ'（１００℃）とした。
＜粘着性フィルムの作製＞
　まず、表１に記載の紫外線硬化性粘着性樹脂材料（粘着性樹脂層形成用の塗布液）を、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（セパレータ）に塗布した。そして、１２０℃で３分間乾燥させて、厚み２０μｍの粘着性樹脂層を形成した。
　形成された粘着性樹脂層を、基材層に貼り合わせて積層体とした。具体的には、基材層として基材層１または２を用いた場合には、コロナ処理面に貼り合わせた。基材層として基材層３を用いた場合には、セパレータを剥がし、アクリルフィルム層側に貼り合わせた。
　得られた積層体をオーブンで４０℃、３日間加熱し、熟成させた。
　以上により、バックグラインド用粘着性フィルムを得た。
＜基礎物性の確認＞
（１）粘着力評価：紫外線照射前後での粘着力の測定
（ｉ）粘着力の測定のための被着体ウエハの準備：
　シリコンミラーウエハ（ＳＵＭＣＯ社製、４インチ片面ミラーウエハ）の鏡面を、ＵＶオゾン洗浄装置（テクノビジョン社製、ＵＶ－２０８）により、オゾン洗浄した（オゾン処理時間：６０秒）。その後、ウエハ鏡面をエタノールでふき取ったものを被着体ウエハとした。
（ｉｉ）紫外線照射前粘着力の測定：
　２３℃、５０％ＲＨの環境下、＜粘着性フィルムの作製＞で得られた粘着性フィルムを横幅５０ｍｍに切り、セパレータを剥がし、ハンドローラを用いて、粘着性フィルムをその粘着性樹脂層を介して、被着体ウエハ鏡面に貼り付けた。そして、１時間放置した。
　放置後、引張試験機（島津製作所、製品名：オートグラフＡＧＳ－Ｘ）を用いて、粘着性フィルムの一端を挟持し、剥離角度：１８０°、剥離速度：３００ｍｍ／分で被着体ウエハの表面から粘着性フィルムを剥離した。この際の応力を測定してＮ／２５ｍｍに換算し、粘着力を求めた。評価はＮ＝２で実施し、得られた２つの値を平均して剥離強度Ｆ０とした。
（ｉｉｉ）紫外線照射後粘着力の測定：
　２３℃、５０％ＲＨの環境下、粘着力評価用粘着性フィルムを横幅５０ｍｍに切り、セパレータを剥がし、ハンドローラを用いて、粘着性フィルムをその粘着性樹脂層を介して、被着体ウエハ鏡面に貼り付けた。そして、１時間放置した。
　放置後、２５℃の環境下で、高圧水銀ランプを用いて、主波長３６５ｎｍの紫外線を、照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で、粘着性フィルムに、紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射した。その後、引張試験機（島津製作所、製品名：オートグラフＡＧＳ－Ｘ）を用いて、粘着性フィルムの一端を挟持し、剥離角度：１８０°、剥離速度：３００ｍｍ／分で被着体ウエハの表面から粘着性フィルムを剥離した。この際の応力を測定してＮ／２５ｍｍに換算し、粘着力を求めた。評価はＮ＝２で実施し、得られた２つの値を平均して剥離強度Ｆ１とした。
　そして、得られたＦ１とＦ０の数値から、Ｆ１／Ｆ０を計算した。
（２）糊残り評価
　上記（ｉｉｉ）において、紫外線剥離後の被着体ウエハを目視により観察し、糊残りの有無を判断した。糊残りが確認できなった場合、表１に「無し」と記した。
＜先ダイシング法における各種評価＞
（１）評価ウエハの作製
評価ウエハ１：
　ダイシングソーを用いて、ミラーウエハ（ケイ・エス・ティ・ワールド社製、８インチミラーウエハ、直径：２００±０．５ｍｍ、厚さ：７２５±５０μｍ、片面ミラー）の鏡面をハーフカットし、評価ウエハ１を得た。（ブレード：ＺＨ０５－ＳＤ３５００－Ｎ１－７０－ＤＤ、チップサイズ：５ｍｍ×８ｍｍ、切込み深さ：５８μｍ、ブレード回転速度：３００００ｒｐｍ）。評価ウエハ１を光学顕微鏡で観察したところ、カーフ幅は３５μｍであった。
評価ウエハ２：
　ダイシングソーを用いて、ミラーウエハ（ケイ・エス・ティ・ワールド社製、８インチミラーウエハ、直径：２００±０．５ｍｍ、厚さ：７２５±５０μｍ、片面ミラー）の鏡面に１段階目のハーフカットを実施した（ブレード：Ｚ０９－ＳＤ２０００－Ｙ１　５８×０．２５Ａ×４０×４５Ｅ－Ｌ、チップサイズ：５ｍｍ×８ｍｍ、切込み深さ：１５μｍ、ブレード回転速度：３００００ｒｐｍ）。光学顕微鏡で観察したところ、カーフ幅は６０μｍであった。続いて、２段階目のハーフカットを実施し（ブレード：ＺＨ０５－ＳＤ３５００－Ｎ１－７０－ＤＤ、チップサイズ：５ｍｍ×８ｍｍ、切込み深さ：５８μｍ、ブレード回転速度：３００００ｒｐｍ）、評価ウエハ２を得た。
（２）先ダイシング法の実施、各種評価
　テープラミネータ（日東電工社製、ＤＲ３０００ＩＩ）を用いて、粘着性フィルムを上記評価ウエハ（評価ウエハ１または２）のハーフカットされた面に貼り付けた（２３℃、貼付速度：５ｍｍ／秒、貼付圧力：０．３６ＭＰａ）。
　続いて、グラインダ（ＤＩＳＣＯ社製、ＤＧＰ８７６０）を用いて、上記ウエハを裏面研削し（粗削りおよび精密削り、精密削り量：４０μｍ、ポリッシュなし、研削後厚み：３８μｍ）、個片化した。
　その後、ＵＶ照射および粘着性フィルムの剥離を行い、先ダイシング法後の装置剥離性および糊残りを評価した。
　ＵＶ照射について具体的には、２５℃の環境下で、高圧水銀ランプを用いて、主波長３６５ｎｍの紫外線を、照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で、粘着性フィルムに紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２を照射した。
　粘着性フィルムの剥離は、以下の手順で行った。まず、ウエハマウンター（日東電工社製、ＭＳＡ３００）を用いて、別途用意したダイシングテープ（マウント用テープとして利用）を、当該ダイシングテープの粘着面を介して、８インチウエハ用リングフレームおよび上述の個片化されたウエハのウエハ側に貼り付けた。続いて、テープ剥離機（日東電工社製、ＨＲ３０００ＩＩＩ）を用いて、剥離テープ（ラスティングシステム社製、ＰＥＴ３８ＲＥＬ）により、ウエハノッチ部から先ダイシング評価用粘着性フィルムを剥離した。
　そして、装置剥離性を評価した。表１においては、一度で先ダイシング評価用粘着性フィルムをウエハから剥離できた場合を「ＯＫ」と記載した。
　また、先ダイシング法実施後の個片化されたウエハ上の糊残りを、光学顕微鏡（オリンパス社製）を用いて観察・評価した。観察においては、特に、予め溝が設けられていた部分に、糸状の糊残りが無いかを観察した。表１においては、糊残りが確認されなかった場合を「ＯＫ」、糊残りがあったものを「有り」と記載した。
　各種情報をまとめて表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示されるとおり、先ダイシング法による電子装置の製造に際し、硬化膜としたときの５℃における貯蔵弾性率Ｅ'（５℃）が２．０×１０６～２．０×１０９Ｐａであり、１００℃における貯蔵弾性率Ｅ'（１００℃）が１．０×１０６～３．０×１０７Ｐａである紫外線硬化性粘着性樹脂材料により構成された粘着性樹脂層を備える粘着性フィルムを用いた評価では、先ダイシング法実施後の糊残りの発生が抑えられた。
　一方、Ｅ'（１００℃）が１．０×１０６～３．０×１０７Ｐａの範囲外である紫外線硬化性粘着性樹脂材料により構成された粘着性樹脂層を備える粘着性フィルムを用いた評価では、先ダイシング法実施後に糊残りが発生した（比較例１および２）。
　この出願は、２０２１年５月２８日に出願された日本出願特願２０２１－０９０４７６号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
１０　　　基材層
２０　　　粘着性樹脂層
３０　　　ウエハ
３０Ａ　　回路形成面
３１　　　チップ
５０　　　粘着性フィルム
１００　　構造体

Claims (7)

  1. 　回路形成面を有するウエハと、前記ウエハの前記回路形成面側に貼り合わされた粘着性フィルムと、を備える構造体を準備する工程（Ａ）と、
    　前記ウエハの前記回路形成面側とは反対側の面をバックグラインドする工程（Ｂ）と、
    　前記粘着性フィルムに紫外線を照射し、その後、前記ウエハから前記粘着性フィルムを除去する工程（Ｃ）と、
    を少なくとも備える電子装置の製造方法であって、
    　前記粘着性フィルムは、基材層と、前記基材層の一方の面側に設けられた、紫外線硬化性粘着性樹脂材料により構成された粘着性樹脂層と、を備え、
    　前記紫外線硬化性粘着性樹脂材料について、以下の手順（ｉ）および（ｉｉ）により粘弾性特性を測定したときの、５℃における貯蔵弾性率をＥ'（５℃）、１００℃における貯蔵弾性率をＥ'（１００℃）としたとき、
    　Ｅ'（５℃）は２．０×１０６～２．０×１０９Ｐａであり、
    　Ｅ'（１００℃）は１．０×１０６～３．０×１０７Ｐａである電子装置の製造方法。
    ［手順］
    （ｉ）前記紫外線硬化性粘着性樹脂材料を用いて膜厚０．２ｍｍの膜を形成し、その膜に対して、２５℃の環境下で、高圧水銀ランプを用いて、主波長３６５ｎｍの紫外線を、照射強度１００Ｗ／ｃｍ２で、紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２で照射して紫外線硬化させ、硬化膜を得る。
    （ｉｉ）前記硬化膜について、周波数１Ｈｚ、引張モードで、温度－５０～２００℃の範囲で動的粘弾性を測定する。
  2. 　請求項１に記載の電子装置の製造方法であって、
    　前記粘着性フィルムの前記粘着性樹脂層と、鏡面研磨されたシリコンウエハと、を貼り合わせ、１時間放置後、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分の条件で剥離試験を行ったときの剥離強度をＦ０とし、
    　当該粘着性フィルムの前記粘着性樹脂層と、鏡面研磨されたシリコンウエハと、を貼り合わせ、波長３６５ｎｍの紫外線を１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射し、その後、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分の条件で剥離試験を行ったときの剥離強度をＦ１としたとき、
    　Ｆ１／Ｆ０が０．０２～０．６０である電子装置の製造方法。
  3. 　請求項１または２に記載の電子装置の製造方法であって、
    　前記粘着性樹脂層は、側鎖および／または末端に重合性炭素－炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系樹脂と、光開始剤と、を含む電子装置の製造方法。
  4. 　請求項１～３のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法であって、
    　前記ウエハは、ハーフカットされている、または改質層が形成されている電子装置の製造方法。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法であって、
    　前記粘着性樹脂層の厚みが５μｍ以上３００μｍ以下である電子装置の製造方法。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法であって、
    　前記基材層を構成する樹脂がポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アイオノマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトンおよびポリフェニレンエーテルから選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
  7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法であって、
    　前記工程（Ａ）は、
    　　前記ウエハをハーフカットする工程（Ａ１－１）および前記ウエハに対してレーザーを照射し、前記ウエハに改質層を形成する工程（Ａ１－２）から選択される少なくとも一種の工程（Ａ１）と、
    　　前記工程（Ａ１）の後に、前記ウエハの前記回路形成面側に前記バックグラインド用粘着性フィルムを貼り付ける工程（Ａ２）と、
    を含む電子装置の製造方法。
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