JP2008159848A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハ30の表面側に半導体素子構造および上部層としての絶縁層16、表面電極17、保護膜18が形成されたものを用意し、上部層上に表面レジスト31を形成する。続いて、表面レジスト31にグラインドテープ40を貼り付け、半導体ウェハ30の裏面を薄膜化する。この後、表面レジスト31からグラインドテープ40を除去し、表面レジスト31の膜応力によって半導体ウェハ30の裏面が凸となるように半導体ウェハ30を反らせ、反った半導体ウェハ30の裏面側に裏面構造を形成する。
【選択図】図2
Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本発明で示される半導体装置は、FWD内蔵型FS−IGBT等の半導体素子が備えられてなる半導体装置である。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、半導体ウェハ30の反りを支持基板で矯正しつつ半導体装置を製造することが特徴となっている。
上記各実施形態では、半導体ウェハ30に各レジスト31、32としてポリレジストを形成しているが、樹脂等の他の保護膜を採用しても構わない。
Claims (5)
- 半導体ウェハ(30)の表面側に半導体素子構造および上部層(16、17、18)が形成されたものを用意し、前記上部層上に表面レジスト(31)を形成する工程と、
前記表面レジストにテープ部材(40)を貼り付けて当該テープ部材に前記半導体ウェハを固定し、前記半導体ウェハの裏面を薄膜化する工程と、
前記半導体ウェハの裏面を薄膜化した後、前記表面レジストから前記テープ部材を除去し、前記表面レジストの膜応力によって前記半導体ウェハの裏面が凸面となるように前記半導体ウェハを反らせる工程と、
前記反った半導体ウェハの裏面側に裏面構造を形成する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記裏面構造を形成する工程では、複数の貫通孔(51)が設けられたステージ(50)の設置面に対して前記半導体ウェハの裏面が凸となるように前記設置面に前記表面レジストを対向させ、前記貫通孔から前記ステージと前記半導体ウェハとの間の空気を吸引することで、前記反った半導体ウェハを前記ステージの設置面に密着させて平らにする工程が含まれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体ウェハ(30)の表面側に半導体素子構造および上部層(16、17、18)が形成されたものを用意し、前記上部層上に表面レジスト(31)を形成する工程と、
前記表面レジストに接着剤(61)を介して板状の支持基板(60)を貼り付けて当該支持基板に前記半導体ウェハを固定し、前記半導体ウェハの裏面を薄膜化する工程と、
前記支持基板が貼り付けられた前記半導体ウェハの裏面側に裏面構造を形成する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記裏面構造を形成する工程では、前記半導体ウェハの裏面に裏面レジスト(32)を形成する工程が含まれており、
前記裏面レジストを形成する工程では、前記上部層の最上層の面を基準とした前記表面レジストの厚さをaとし、前記裏面レジストの厚さをbとしたとき、a>bの条件を満たすように前記裏面レジストを形成することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記裏面構造を形成する工程では、前記裏面レジストを除去する工程が含まれており、
前記裏面レジストを除去する工程では、前記裏面レジストの除去と共に前記表面レジストを同時に除去することで前記表面レジストを前記裏面レジストの厚さだけ除去することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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