JP5181728B2 - 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造装置の第1実施例の構造を示す斜視図である。図1に示すように、実施の形態1にかかる半導体装置の製造装置は、ダイシングを行う際などにウェハを設置するダイシングステージである。なお、本明細書においては、一例として、リブ構造の第1ウェハ(例えば6インチウェハ)と、リブ構造の第2ウェハ(例えば8インチウェハ)と、裏面側にリブの形成されていない平坦な第3ウェハと、に適用する場合について説明する。第1ウェハにおいて、裏面側の凹部(リブの形成されていない中央部)の直径はamm(例えば130〜148mm)であり、リブ部と中央部との段差の高さはcμm(例えば0〜700μm)である。第2ウェハにおいて、裏面側の凹部の直径はbmm(例えば180〜198mm:a<b)であり、リブ部と中央部との段差の高さはcμmである。
つぎに、半導体装置の製造方法について説明する。図15は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について示すフローチャートである。実施の形態2においては、上述した実施の形態1において説明した半導体装置の製造装置をダイシング装置の備えるダイシングステージとして用いている。
2 溝
10 第1ステージ
20 第2ステージ
30 ウェハ
31 中央部
32 リブ
33 ダイシングテープ(粘着テープ)
34 ダイシングフレーム
Claims (10)
- 半導体ウェハのおもて面側の中央部にデバイスの表面構造を形成する表面構造形成工程と、
前記半導体ウェハの裏面側の中央部の厚さを外周端部よりも薄くして、当該半導体ウェハの裏面側に凹部を形成する薄層化工程と、
前記半導体ウェハの裏面側の全面に粘着テープを貼付する貼付工程と、
前記粘着テープが貼付された前記半導体ウェハの裏面側を、当該半導体ウェハの前記凹部の径および深さとそれぞれほぼ同じ径および高さの凸部を有する、中央部が外周端部より薄い凹部となっており、前記凹部の底面に真空吸着用の溝を有する基礎部と、該基礎部の凹部に着脱可能に設置され、半導体ウェハを裏面側から吸着して保持するステージ部とからなるダイシングステージに設置するウェハ設置工程と、
前記半導体ウェハのおもて面側から、当該半導体ウェハの前記凹部に対応する部分を切断しチップ状にする切断工程と、
前記チップ状に切断された前記半導体ウェハを前記粘着テープから剥離する剥離工程と、
を含み、
前記ウェハ設置工程の前に、
前記基礎部の凹部の高さとほぼ同じ高さの第1ステージ部と、前記第1ステージ部より高さが高く、前記第1ステージ部との高さの差が、裏面側の中央部が外周端部より薄く加工された前記半導体ウェハの裏面側の凹部とほぼ同じ高さであり、直径が当該半導体ウェハの裏面側の凹部の直径とほぼ同じ直径の第2ステージ部とを備え、当該第2ステージ部の凸部のみが、裏面側の中央部が外周端部より薄く加工された前記半導体ウェハの裏面側の凹部によって覆われる形状、または、
前記第2ステージ部と、当該第2ステージ部とほぼ同じ高さの第1ステージ部とを備え、当該第1ステージ部および第2ステージ部の全体が、裏面側の中央部が外周端部より薄く加工された前記半導体ウェハの裏面側の凹部によって覆われる形状になるように、
前記基礎部の凹部の高さとほぼ同じ高さの第1ステージ部と、前記第2ステージ部とほぼ同じ高さの第1ステージ部と、を前記半導体ウェハの前記凹部の径に合わせて交換することによって、前記基礎部に前記ダイシングステージのステージ部を着脱可能に設置するステージ設置工程を含み、
前記ウェハ設置工程においては、前記ステージ設置工程によって設置された前記ダイシングステージのステージ部に前記半導体ウェハを設置することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記切断工程においては、切れこみを、前記半導体ウェハの中央部の厚さよりも深く、かつ前記半導体ウェハの外周端部よりも浅く入れることによって、当該半導体ウェハを前記外周端部を残したまま切断しチップ状にすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記切断工程においては、前記ダイシングステージによって前記半導体ウェハを真空吸着しながら、当該半導体ウェハの前記凹部に対応する部分を切断しチップ状にすることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貼付工程においては、前記半導体ウェハの裏面側の全面に前記粘着テープを、真空雰囲気または減圧雰囲気で貼付することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 中央部が外周端部より薄い凹部となっており、前記凹部の底面に真空吸着用の溝を有する基礎部と、
前記基礎部の凹部に着脱可能に設置され、半導体ウェハを裏面側から吸着して保持するステージ部と、
を備え、
前記ステージ部は、
前記基礎部の凹部の高さとほぼ同じ高さの第1ステージ部と、前記第1ステージ部より高さが高く、前記第1ステージ部との高さの差が、裏面側の中央部が外周端部より薄く加工された前記半導体ウェハの裏面側の凹部とほぼ同じ高さであり、直径が当該半導体ウェハの裏面側の凹部の直径とほぼ同じ直径の第2ステージ部とを備え、当該第2ステージ部の凸部のみが、裏面側の中央部が外周端部より薄く加工された前記半導体ウェハの裏面側の凹部によって覆われる形状、または、
前記第2ステージ部と、当該第2ステージ部とほぼ同じ高さの第1ステージ部とを備え、当該第1ステージ部および第2ステージ部の全体が、裏面側の中央部が外周端部より薄く加工された前記半導体ウェハの裏面側の凹部によって覆われる形状になるように、
前記基礎部の凹部の高さとほぼ同じ高さの第1ステージ部と、前記第2ステージ部とほぼ同じ高さの第1ステージ部と、を前記半導体ウェハの前記凹部の径に合わせて交換することによって、前記基礎部に前記ダイシングステージのステージ部を着脱可能に設置されることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記第1ステージ部は、少なくとも1つ以上のリング状の部材からなることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記第2ステージ部は、円柱状であり、1つの円柱状の部材、もしくは、1つの円柱状の部材と、当該円柱状の部材とほぼ同じ高さの、少なくとも1つ以上のリング状の部材とからなることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記基礎部は、ステンレスからなることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
- 前記ステージ部は、セラミックからなることを特徴とする請求項5〜8のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
- 前記ステージ部は、ポーラス構造もしくは孔が設けられた構造であることを特徴とする請求項5〜9のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
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