JPS62158332A - 半導体基板の裏面研削方法 - Google Patents
半導体基板の裏面研削方法Info
- Publication number
- JPS62158332A JPS62158332A JP3586A JP3586A JPS62158332A JP S62158332 A JPS62158332 A JP S62158332A JP 3586 A JP3586 A JP 3586A JP 3586 A JP3586 A JP 3586A JP S62158332 A JPS62158332 A JP S62158332A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- adhesive
- thin film
- photo
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体基板を薄くするため、該基板の裏面
を研削する方法に関する。
を研削する方法に関する。
（従来の技術）
ＩＣナッグを搭載するＩＣカードや時計などが薄くなっ
てきているので、ＩＣチップ自体の厚みも薄くする必要
がある。そこで、素子形成後、半導体基板（半導体ウエ
ノ・）の裏面を研削して該基板を薄くすることが行われ
ており、−例としては、４インチの半導体ウニノーで、
厚さ５２５μｍを２２５〜３８０μｍとする。
てきているので、ＩＣチップ自体の厚みも薄くする必要
がある。そこで、素子形成後、半導体基板（半導体ウエ
ノ・）の裏面を研削して該基板を薄くすることが行われ
ており、−例としては、４インチの半導体ウニノーで、
厚さ５２５μｍを２２５〜３８０μｍとする。
半導体基板の裏面の研削は、裏面を上にして研削機のバ
キュームテーブルに半導体基板をセットして、同研削機
のダイヤモンド砥石などにより行われる。この時、研削
により発生したシリコンなどの研削屑が、半導体基板表
面に形成されている配線保護膜や配線金属を傷付けて良
品数や信頼性を低下させる恐れがある。
キュームテーブルに半導体基板をセットして、同研削機
のダイヤモンド砥石などにより行われる。この時、研削
により発生したシリコンなどの研削屑が、半導体基板表
面に形成されている配線保護膜や配線金属を傷付けて良
品数や信頼性を低下させる恐れがある。
そこで、半導体基板の表面に表面保護テープを貼着し、
その状態で裏面の研削を行う方法が考えられている。
その状態で裏面の研削を行う方法が考えられている。
第２図はその方法を示す工程断面図である。まず、半導
体基板１の表面に、片面に粘着剤が付着したポリエステ
ルなどからなる表面保護テープ２を貼シ付ける（第２図
（ａ））。次に、半導体基板１の裏面を上にして該基板
１を研削機の・ぐキュームテーブル３に真空吸着により
固定する（第２図（ｂ））。
体基板１の表面に、片面に粘着剤が付着したポリエステ
ルなどからなる表面保護テープ２を貼シ付ける（第２図
（ａ））。次に、半導体基板１の裏面を上にして該基板
１を研削機の・ぐキュームテーブル３に真空吸着により
固定する（第２図（ｂ））。
そして、同研削機のダイヤモンド砥石などにより半導体
基板１の裏面を所定の厚さまで研削する。
基板１の裏面を所定の厚さまで研削する。
その後、半導体基板１をバキュームテーブル３から取シ
外した後、表面に貼プ付けられている表面保護テープ２
をはがす。この時、表面保護テープ２の粘着剤４が半導
体基板１の表面に残る（第２図（Ｃ））。そこで、最後
に、この基板１表面に残った粘着剤４を発煙硝酸で除去
する（第２図（ｄ））。
外した後、表面に貼プ付けられている表面保護テープ２
をはがす。この時、表面保護テープ２の粘着剤４が半導
体基板１の表面に残る（第２図（Ｃ））。そこで、最後
に、この基板１表面に残った粘着剤４を発煙硝酸で除去
する（第２図（ｄ））。
この残った粘着剤４はアセトンでは除去できない。
このような方法によれば、シリコンなどの研削屑による
基板１表面の配線保護膜や配線金属の傷つきを、表面保
護テープ２によシ防止できる。
基板１表面の配線保護膜や配線金属の傷つきを、表面保
護テープ２によシ防止できる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかるＫ、この方法にも、次のような欠点がある。すな
わち、この方法では、半導体基板１の表面から表面保護
テープ２をはがしｔ時、この保護テープ２の粘着剤４が
半導体基板１の表面に残るという欠点があるのである。
わち、この方法では、半導体基板１の表面から表面保護
テープ２をはがしｔ時、この保護テープ２の粘着剤４が
半導体基板１の表面に残るという欠点があるのである。
この粘着剤４には不純物（Ｎａ”、 Ｋ”、 ＣＩ！−
）が含まれている友め、この粘着剤４が付着したままＩ
Ｃに組み立てると、信頼性が低下する。
）が含まれている友め、この粘着剤４が付着したままＩ
Ｃに組み立てると、信頼性が低下する。
また、この粘着剤４は発煙硝酸によシ除去可能であるが
、発煙硝酸は極めて毒性が強く作業者が危険にさらされ
る。さらに、発煙硝酸によりＡＩ！１ツドが変色するこ
とがある。
、発煙硝酸は極めて毒性が強く作業者が危険にさらされ
る。さらに、発煙硝酸によりＡＩ！１ツドが変色するこ
とがある。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は
、発煙硝酸を使用せずに半導体基板上の表面保護テープ
による残存粘着剤を除去できる半導体基板の裏面研削方
法を提供することにある。
、発煙硝酸を使用せずに半導体基板上の表面保護テープ
による残存粘着剤を除去できる半導体基板の裏面研削方
法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この発明では、半導体基板の裏面に薄膜を塗布形成し、
その薄膜を介在させて半導体基板の表面に表面保護テー
プを貼着する。
その薄膜を介在させて半導体基板の表面に表面保護テー
プを貼着する。
（作用）
このようにすると、半導体基板の裏面を研削した後、表
面の表面保護テープをはがすと、該表面保護テープの粘
着剤は、薄膜表面に残る。その残存粘着剤は、前記薄膜
を有機溶剤などにより除去することによシ、この薄膜と
ともに取シ除かれる。
面の表面保護テープをはがすと、該表面保護テープの粘
着剤は、薄膜表面に残る。その残存粘着剤は、前記薄膜
を有機溶剤などにより除去することによシ、この薄膜と
ともに取シ除かれる。
（実施例）
以下この発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
第１図（＆）に示す半導体基板１１は、素子形成を終了
した半導体基板である。この半導体基板１１の表面にホ
トレジストをスピンコーターなどによシ１〜５μｍの厚
さに均一に塗布することにより、薄膜としてのホトレジ
スト膜１２を前記基板１１表面に形成する（第１図（ｂ
））。次に、このホトレジスト膜１２を有する半導体基
板１１を１００〜２００℃の窒素または大気雰囲気のヘ
ーク炉中で１０〜６０分間ベークすることによシ、前記
ホトレジスト膜１２内に含有している揮発性溶剤を飛ば
し、ホトレジスト膜１２を固める。しかる後、片面に粘
着剤が付着したポリエステルなどからなる表面保護テー
プ１３を、前記ホトレジスト膜１２を介在させて半導体
基板１１の表面に貼り付ける（第１図（Ｃ））。次に、
半導体基板１１の裏面を上にしてＨａ板１１を研削機の
バキュームテーブル１４１／ｒ−ｉｉｒ 殉賜尊１ｒｒ
ｈ 田中半？ ／ ”１１１ ｒｙ’Ａ ／−１１Ｎ
）ｌイ同研削機のダイヤモンド砥石などによシ半導
体基板１１の裏面を所定の厚さまで研削する。この時、
半導体基板１１の表面側に表面保護テープ１３が貼り付
けられているので、研削屑によ多生導体基板１１の表面
を傷付けることはない。その後、半導体基板１１をバキ
ュームテーブル′１４かう取り外した後、表面に貼り付
けられている表面保護テープ１３をはがす。この時、表
面保護テープ１３の粘着剤１５は、半導体基板１１表面
に形成されたホトレジスト膜１２の表面に残る（第１図
（ｅ））。
した半導体基板である。この半導体基板１１の表面にホ
トレジストをスピンコーターなどによシ１〜５μｍの厚
さに均一に塗布することにより、薄膜としてのホトレジ
スト膜１２を前記基板１１表面に形成する（第１図（ｂ
））。次に、このホトレジスト膜１２を有する半導体基
板１１を１００〜２００℃の窒素または大気雰囲気のヘ
ーク炉中で１０〜６０分間ベークすることによシ、前記
ホトレジスト膜１２内に含有している揮発性溶剤を飛ば
し、ホトレジスト膜１２を固める。しかる後、片面に粘
着剤が付着したポリエステルなどからなる表面保護テー
プ１３を、前記ホトレジスト膜１２を介在させて半導体
基板１１の表面に貼り付ける（第１図（Ｃ））。次に、
半導体基板１１の裏面を上にしてＨａ板１１を研削機の
バキュームテーブル１４１／ｒ−ｉｉｒ 殉賜尊１ｒｒ
ｈ 田中半？ ／ ”１１１ ｒｙ’Ａ ／−１１Ｎ
）ｌイ同研削機のダイヤモンド砥石などによシ半導
体基板１１の裏面を所定の厚さまで研削する。この時、
半導体基板１１の表面側に表面保護テープ１３が貼り付
けられているので、研削屑によ多生導体基板１１の表面
を傷付けることはない。その後、半導体基板１１をバキ
ュームテーブル′１４かう取り外した後、表面に貼り付
けられている表面保護テープ１３をはがす。この時、表
面保護テープ１３の粘着剤１５は、半導体基板１１表面
に形成されたホトレジスト膜１２の表面に残る（第１図
（ｅ））。
最後に、ホトレジスト膜１２を有機溶剤によシ基板１１
上から除去する（第１図（ｆ））。すると、このホトレ
ジスト膜１２の表面に残っていた表面保護テープの粘着
剤１５も、このホトレジスト１１１１２とともに半導体
基板１１上から取シ除かれる。
上から除去する（第１図（ｆ））。すると、このホトレ
ジスト膜１２の表面に残っていた表面保護テープの粘着
剤１５も、このホトレジスト１１１１２とともに半導体
基板１１上から取シ除かれる。
なお、この一実施例では、薄膜としてホトレジスト膜を
使用したが、薄膜は、半導体基板表面と密着性がよく、
なおかつ半導体基板上から簡単に除去できる膜であれば
よく、ホトレジスト膜に限定されるものではない。
使用したが、薄膜は、半導体基板表面と密着性がよく、
なおかつ半導体基板上から簡単に除去できる膜であれば
よく、ホトレジスト膜に限定されるものではない。
（発明の効果）
以上詳述したように、この発明の方法によれば、薄膜を
有機溶剤などにより除去することにより、この薄膜とと
もに表面保護チーブの残存粘着剤を半導体基板上から取
シ除くことができる。そして、これにより発煙硝酸を使
用しないですむので、発煙硝酸による危険性、発煙硝酸
によるアルミノットの変色を無くすことができる。また
、半導体基板上から粘着剤を除去することができるので
、信頼性の高いＩ（ｌ得ることが可能となる。
有機溶剤などにより除去することにより、この薄膜とと
もに表面保護チーブの残存粘着剤を半導体基板上から取
シ除くことができる。そして、これにより発煙硝酸を使
用しないですむので、発煙硝酸による危険性、発煙硝酸
によるアルミノットの変色を無くすことができる。また
、半導体基板上から粘着剤を除去することができるので
、信頼性の高いＩ（ｌ得ることが可能となる。
第１図はこの発明の半導体基板の裏面研削方法の一実施
例を示す工程断面図、第２図は従来の方法を示す工程断
面図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・ホトレジスト膜、１
３・・・表面保護テープ。 （ａ） ＩＩ牛４べ未ｊＩ
−飢（ｆ） ＋ １本ｉ
ｉＨの一笑方ヒイ列のぽケ面ａ 第１図
例を示す工程断面図、第２図は従来の方法を示す工程断
面図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・ホトレジスト膜、１
３・・・表面保護テープ。 （ａ） ＩＩ牛４べ未ｊＩ
−飢（ｆ） ＋ １本ｉ
ｉＨの一笑方ヒイ列のぽケ面ａ 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体基板の表面に薄膜を塗布形成する工程と、 （ｂ）その薄膜を介在させて前記半導体基板の表面に表
面保護テープを貼着する工程と、 （ｃ）その後、前記半導体基板の裏面を研削する工程と
、 （ｄ）その後、前記表面保護テープをはがし、さらに前
記薄膜を除去する工程とを具備してなる半導体基板の裏
面研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3586A JPS62158332A (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 | 半導体基板の裏面研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3586A JPS62158332A (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 | 半導体基板の裏面研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158332A true JPS62158332A (ja) | 1987-07-14 |
Family
ID=11463081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3586A Pending JPS62158332A (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 | 半導体基板の裏面研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62158332A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4946714A (en) * | 1987-08-25 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor devices |
| JP2002182652A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-06-26 | Agilent Technol Inc | 音響共振器及びその製造方法 |
| JP2008159848A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-01-06 JP JP3586A patent/JPS62158332A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4946714A (en) * | 1987-08-25 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor devices |
| JP2002182652A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-06-26 | Agilent Technol Inc | 音響共振器及びその製造方法 |
| JP2008159848A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
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