JPS63160342A - 保護膜および保護テ−プの除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はパッシベーション膜が形成された半導体基板
に保護膜を塗布し、さらに保護テープを貼り付け、該半
導体基板を固定台に固定し、該半導体基板の裏面を研磨
した後の、該保護膜および該保護テープを除去する方法
に関するものである。

［従来の技術］ 半導体基板表面にパッシベーション膜を形成した後、半
導体ｌＩ機ａ面を研削する際には、該パッシベーション
膜を損傷から保護する必要がある。

図を用いて、従来の、該パッシベーション膜の保護膜・
保護テープによる保護の方法、半導体基板！１面の研磨
の方法、および該保護膜・該保護テープの除去の方法を
説明する。

第２八図ないし第２Ｅ図は、従来の、保［１を塗布する
工程−保護テープを貼り付ける工程−半導体基板裏面を
研磨する工程−保護膜・保護テープを除去する工程を示
した図である。

パッシベーション膜が形成された半導体基板１の上に、
ネガレジストからなる保１１Ｉ２を塗布する（第２Ａ図
）。

パッシベーション膜は、半導体基板１に形成された半導
体素子を結ぶアルミニウム配線を保護するための保護膜
であって、窒化硅素等のＣＶＤ膜からなっている。

次いで、該保護ｍ２の上に保護テープ３を貼り付ける〈
第２Ｂ図）。保護Ｂ！２の上にさらに保護テープ３を貼
りつけるのは、保護膜２のみでは十分にパッシベーショ
ン暎を保護することができないからである。

次いで、半導体Ｍ叛１を薯面４が上を向くようにして、
裏面研磨機の固定台の上に置き、固定する。そして、該
半導体！［１の裏面４を砥石で研磨する。この砥石で研
磨する時、半導体基板１の表面と固定台とは強く接触す
るので、半導体Ｊ３Ｆｉの表面は損傷を受けるおそれが
ある。それゆえ、半導体外板１の表面に保護膜２を塗布
し、保護テープを貼りつけて、該半導体基板１表面の損
（ｎを防止しているのである。裏面を研磨した後の状態
を第２Ｃ図に示す。

裏面４を研磨する理由は該半導体外板を用いた半導体装
ｎの電気的特性を高めることと、薄板化することにより
半導体装置をコンパクト化することにある。

裏面研磨が終了すると、保護テープ３をテープ剥がし機
で機械的に剥がｔ（第２Ｄ図〉。

モして、その後、保ＩＩ！膜２をトリクレンを用いて除
去し、裏面４が研磨された半導体基板１を得ている。（
第２Ｅ図）。

［発明が解決しようとする問題点コ 半導体基板１の裏面４の研磨が終了した後、従来は以上
のように保護テープ３をテープ剥がし機により機械的に
剥がし、保護膜！Ｉ２をトリクレンで溶かして除去して
いた。

しかし、テープ剥がし機で保護テープ３を機械的に剥が
すのはわずられしい作業であり、また保護膜２の除去に
使用されるトリクレンは有害なものであり、その使用継
続は公害問題に発展するおそれがある。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たものであり、保護テープを機械的に剥がす煩わしい作
業をなくしかつトリクレン等の有害な溶剤を使用しない
、保１１膜および保護テープの除去方法を提供すること
を目的とする。

Ｅ問題点を解決するための手段］ この発明は、パッシベーション膜が形成された半導体基
板に保護膜を塗布し、さらに保護テープを貼り付け、該
半導体基板を固定台に固定し、該半導体基板の裏面を研
磨した後の該保ＦｓＩｌ！および該保護テープを除去す
る方法に係るものである。

そして、前記問題点を解決するために該保護膜および該
保護テープをプラズマアッシング可能な材質とし、該保
護Ｓおよび該保護テープをプラズマアッシングすること
により除去することを特徴としている。

［作用コ パッシベーション膜上に形成する保護膜および保護テー
プをプラズマ７ツシング可能な材料とし、該保１ｇｌお
よび保護テープをプラズマアッシングにより一挙に除去
するので、テープ剥がし機を用いて機械的に保護テープ
を剥がすという作業がなくなり、トリクレンなどの有害
な溶剤を使用することもなくなる。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１八図ないし第１Ｄ図はこの発明に係る保護膜を塗布
する工程−保書テープを貼り付ける工程−半導体基板裏
面を研磨する工程−保護膜・保護テープを除去する工程
を示した図である。

バ・ソシベーシミン膜が形成された半導体基板１の上に
プラズマアッシング可能な保護膜２を被覆する（第１Ａ
図）。

プラズマアッシング可能な保護ｍ２として、感光基を有
しない有機レジンを用いる。感光基を有し、ないレジン
を用いるのは、感光基を有するレジンを用いると３次元
架橋し、プラズマアッシングが困！ぎとなるからである
。

次に、保ＷＩｍ２上にプラズマアッシング可能な保護テ
ープ３を貼り付ける（第１Ｂ図）。

保護テープ３の材質として、保護膜２と同様に感光基を
有しないレジンを用いる。

次いで、半導体基板１を４１が上を向（ようにして、裏
面研磨機の固定台の上に置き、固定する。そして、該半
導体基板１の裏面を砥石で研磨する。裏面を研磨した後
の状態を第１Ｃ図に示す。

これらの工程が終了した後、プラズマアッシング法によ
り保護膜２と促虐テープ３をアッシング除去する。

このように、プラズマアッシングによりｅｉ！ｍＦｌと
保護テープを一挙に除去するので、テープ剥がし傭で保
護テープを機械的に剥がし、トリクレンで保［１を除去
するという工程は不要となる。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明に係る保護膜および保護テープの
除去方法によれば、パッシベーション膜上に形成する保
護膜および保護テープをプラズマアッシング可能な材質
とし、該保護膜および該保護テープをプラズマアッシン
グすることにより一挙に灰化除去するので、テープ剥が
し纏で保護テープを１械的に剥がすという工程はなくな
り、またトリクレンなどの有害な溶剤を使用して保′ａ
ｊＷを除去するという操作は不要となる。

その結果、作業能率が上がり、また公害問題に発展する
というおそれは解消される。

【図面の簡単な説明】

第１八図ないし第１Ｄ図はこの発明の一実施例を示した
図であり、ｉ２Ａ図ないし第２Ｅ図は従来の保護膜を被
１する工程−保護テープを貼り付ける工程−半導体基板
裏面を研磨する工程−保護膜・保冷テープを除去する工
程を示した図である。 図において、１はパッシベーション膜が形成された半導
体基板、２は保ｒ！ｉ膜、３は保護テープ、４は半）１
体基板の３面である。 なお各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　パッシベーション膜が形成された半導体基板に保護膜
   を塗布し、さらに保護テープを貼り付け、該半導体基板
   を固定台に固定し、該半導体基板の裏面を研磨した後の
   該保護膜および該保護テープを除去する方法であって、 前記保護膜および前記保護テープをプラズマアッシング
   可能な材質とし、該保護膜および該保護テープをプラズ
   マアッシングすることにより除去することを特徴とする
   保護膜および保護テープの除去方法。