JP3865184B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に大口径のウェーハをグラインディング（研削）して薄型化する半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程において、表面に素子が形成されたウェーハは、その厚みを減少するためにグラインディング工程にかけられる。グラインディングは、ウェーハの素子が形成されていない面（背面）に対して行われる。
【０００２】
近年、半導体装置の生産性を向上するために大口径のウェーハが使用されてきている。また、ＩＣカード等への用途により薄型の半導体装置が要求されており、その分ウェーハの厚みを薄くしなくてはならない。更に、ウェーハの状態でバンプを形成してしまういわゆるバンプ付きウェーハが多くなってきている。しかし、ウェーハの大口径化、厚みの減少及びバンプ付きウェーハは、製造工程においてウェーハが割れる確率を増大させてしまう。
【０００３】
例えば、大口径のウェーハをグラインディングする際、ウェーハの厚みは２００μｍ程度が限界である。すなわち、ウェーハの厚みを２００μｍ以下までグラインディングすると、グラインディング時及びハンドリング時にウェーハの割れが多発する。また、バンプ付きウェーハにおいては、バンプが突起物として作用するため、グラインディング時にウェーハが割れる確率は更に増大してしまう。
【０００４】
したがって、大口径で且つ厚さの薄いウェーハであっても、ウェーハを破損させることなく且つ高いスループットでグラインディング及びダイシングを行なうことのできる技術が望まれている。
【０００５】
【従来の技術】
従来の半導体装置の製造方法について、図１乃至図６を用いて説明する。周知のように、半導体装置の製造工程は、グラインディング工程とダイシング工程とを含んでいる。グラインディング工程では、ウェーハの背面に対しグラインディング（バックグラインディング）が行なわれ、ウェーハは所定の厚さとされる。ダイシング工程では、ウェーハに対しダイシングが行なわれ、個々の半導体チップに分割される。
【０００６】
図１は、ダイシング工程とグラインディング工程とを実施する従来方法の一例を示す。図１に示される従来方法では、表面に回路が形成されたウェーハに保護テープを貼り付け（ステップＳ１０）、ウェーハの背面をグラインディングし（ステップＳ１２）、ウェーハを裏返してからダイシングテープに貼り付け（ステップＳ１４）、ウェーハを表面側からダイシングする（ステップＳ１６）。
【０００７】
図２は、図１に示す保護テープ貼り付け工程（ステップＳ１０）を説明するための図である。図３は、図１に示すグラインディング工程（ステップＳ１２）を説明するための図である。図４は、図１に示すダイシングテープ貼り付け工程（ステップＳ１４）を説明するための図である。図５は、図１に示すダイシング工程（ステップＳ１６）を説明するための図である。
【０００８】
グラインディングされるウェーハ１０の表面には、予め半導体用回路が形成されている。まず、図２に示されるように、ウェーハ１０の表面に形成されている回路を保護するために、ウェーハ１０の表面に保護テープ１２が貼られる。そして、ウェーハ１０は、保護テープ１２を介して真空チャックテーブル上に吸引固定される。保護テープ１２は樹脂により形成されており、その表面には紫外線（ＵＶ）硬化型の接着剤が塗布されている。ウェーハ１０は、保護テープ１２を介して真空チャックグテーブル上に固定された状態でグラインディングされる。
【０００９】
グラインディング工程では、図３に示すように、研削工具１８を用いてウェーハ１０の背面をグラインディングし、ウェーハ１０の厚さを所定の厚さまで減少させる。具体的には、回転する研削工具１８を研磨液を供給しつつ図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動させることによりグラインディングを行なう。これにより、所定の厚さを有したウェーハ１０が形成される。
【００１０】
上述のグラインディング工程が終了すると、保護テープ１２はウェーハ１０から剥がされる。そして、図４に示されるように、回路が形成された表面が上を向くように、ウェーハフレーム１４に張られたダイシングテープ２０に貼り付けられる。ダイシングテープ２０は樹脂により形成されており、その表面には接着剤が塗布されている。ウェーハ１０は、上述の接着剤によりダイシングテープ２０に貼り付けられた状態でダイシングされる。
【００１１】
ダイシング工程では、図５に示すように、ウェーハ１０は、ダイシングソー２２を用いてダイシングされる。ダイシングはウェーハ１０の表面に形成されているスクライブラインの画像をモニタしながら行われる。これにより、ウェーハ１０は複数個の半導体チップ１１に分割される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の方法では、ダイシング工程に先立ってグラインディングが行われるので、研削工具によりウェーハ１０の一部分に対して押圧力が加わることとなる。グラインディングによりウェーハ１０の厚さが減少して２００μｍ以下になると、ウェーハ１０自体の強度が減少するため、グラインディング時にウェーハの割れが発生する恐れがある。特に、ウェーハ１０の厚さを５０μｍまでグラインディングする場合は、割れが多発するという問題がある。また、バンプ付きウェーハの場合は、バンプが突起物となり、この突起物の上にウェーハ１０が位置してグラインディングされる状態となる。このため、ウェーハ１０に割れが生じる確率は更に高くなる。
【００１３】
また、上述の従来の方法では、所定の厚さまでウェーハ１０をグラインディングした後に、ウェーハ１０は保護テープ１２が剥がされて裏返される。すなわち、グラインディング工程が終了した時点では、ウェーハ１０はその背面が上を向いている。したがって、ウェーハ１０を表面側からダイシングするために、ウェーハ１０はその表面を上に向けてダイシングテープ２０に貼り付けられる。
【００１４】
ところが、ウェーハ１０はグラインディングされその厚みが減少しているので、保護テープ１２が剥がされると、図６に示すようにウェーハ１０に反りが発生してしまう。この反りの大きさは、ダイシングテープ２０からのウェーハ１０の最大離間距離（図中、矢印Ｈで示す）で表わすことができる。６インチウェーハを厚さ２００μｍまでグラインディングした場合には、約２ｃｍの反り（Ｈ＝２ｃｍ）が発生する。また、８インチウェーハを厚さ２００μｍまでグラインディングした場合には、約３ｃｍの反り（Ｈ＝３ｃｍ）が発生する。
【００１５】
このようにウェーハ１０に反りが発生すると、ウェーハ１０を適正にハンドリングすることが困難となるという問題がある。最悪の場合には、ハンドリング時にウェーハ１０の割れが多発するという問題が生じる。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、大口径化され且つ厚みの減少したウェーハを用いて半導体装置を製造する際に、製造歩留り及びスループットの向上を図り得る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述の課題は、次に述べる各手段を講じることにより解決することができる。
請求項１記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、
回路が形成された表面と該表面の反対側の背面とを有するウェーハを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記ウェーハの表面に、表面に第１の粘着剤が塗布された保護テープを貼り付ける保護テープ貼り付け工程と、
前記ウェーハより径の大きいウェーハフレームが周囲に設けられ、表面に第２の粘着剤が塗布されたダイシングテープに前記ウェーハを前記保護テープを介して貼り付けるフレーム取り付け工程と、
前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハの背面を研削する研削工程と、
前記研削工程が終了した後に、前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハをフルダイシングして前記半導体装置を形成するダイシング工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護テープは紫外線硬化型の前記第１の粘着剤により前記ウェーハに貼り付けられ、前記ダイシング工程終了後に前記第１の粘着剤に対して紫外線を照射する紫外線照射工程を更に含むことを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項３記載の発明は、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイシング工程では、前記ウェーハの背面から赤外線を照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識することを特徴とするものである。
また、請求項４記載の発明は、
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法において、
前記研削工程は、前記ウェーハフレームを真空チャックテーブルに吸引固定する固定工程を含み、前記チャックテーブルの大きさは前記ウェーハフレームより大きくしたことを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項５記載の発明は、
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイシング工程が終了した後に、吸引保持工具により前記半導体装置を保持しながら前記半導体装置を前記ダイシングテープを介して突き上げることにより、前記半導体装置を前記保護テープから取り外す取り外し工程を更に含むことを特徴とするものである。
【００２０】
上記の各手段は、次のように作用する。
請求項１の発明によれば、研削前のウェーハの回路が形成された表面を有するウェーハに保護テープが貼り付けられる。この保護テープは研削時に回路を保護する役目を果たすものである。また、保護テープは、研削時に研削工具からの押圧力を吸収するクッション材としても作用する。すなわち、フレーム取り付け工程において、ウェーハは保護テープを介してダイシングテープに貼り付けられる。続く研削工程において、研削工具がフレームの背面に押し付けられたとき、その押圧力をダイシングテープと共に吸収する。したがって、研削時にウェーハに作用する局所的な押圧力が保護テープとダイシングテープとにより吸収緩和され、研削時のウェーハの割れを効果的に防止することができる。
【００２１】
研削工程が終了すると、ウェーハがダイシングテープに貼り付けられた状態で、ダイシング工程が行われる。すなわち、ダイシングは、ウェーハの背面側から行われる。したがって、研削後の厚みの薄いウェーハからダイシングテープ及び保護テープを剥がすこと無くダイシングが行われる。したがって、厚みの薄いウェーハの反りに起因するウェーハの割れが生じることは無い。
【００２２】
上述のように、請求項１の発明によれば、研削工程時及び、研削工程とダイシング工程との間のハンドリングに起因するウェーハの割れを効果的に防止することができる。よって、高い製造歩留り及びスループットをもって半導体装置を製造することが可能となる。
請求項２の発明によれば、ダイシング工程が終了した後の保護テープの粘着剤に紫外線が照射される。粘着剤は紫外線硬化型であり、したがって、紫外線が照射されることにより、粘着力が弱まってダイシングされたウェーハを容易に剥がすことができる。
【００２３】
また、請求項３記載の発明によれば、ダイシング工程において、ウェーハの背面から赤外線を照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識することにより、ウェーハの回路が形成されていない面（すなわち背面）からダイシングを行なうことが可能となる。
一般にダイシング工程においては、ウェーハの回路形成面に回路パターンの形成と共に形成されたスクライブラインを基準としてダイシングが行なわれる。しかるに、研削を行なうのは回路形成面と反対側の背面であるため、直接ダイシングラインを画像認識してダイシングを行なうには、研削工程とダイシング工程との間でウェーハの上下を反転させる必要が生じる。
【００２４】
スクライブライン上にはアルミニウム等で形成されたマークが各所に存在しており、このマークを基準としてスクライブラインを認識することができる。赤外線は、ウェーハを透過するがアルミニウムのマークでは反射されるので、赤外線を利用してウェーハの背面からダイシング位置（スクライブライン）を画像認識することができる。これにより、研削工程とダイシング工程との間でウェーハの上下を反転させる必要がなくなり、研削工程とダイシング工程との間のウェーハのハンドリングに起因する割れを防止することができる。また、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００２５】
請求項４記載の発明によれば、ウェーハフレーム吸引固定するための真空チャックテーブルは、ウェーハフレームと同じ大きさとされる。これにより、ウェーハフレーム内に位置するウェーハは、その全面が真空チャックテーブルに支持されることとなる。したがって、ウェーハは、研削工程及びダイシング工程において安定して平面上に支持される。
【００２６】
更に、請求項５記載の発明によれば、ダイシング工程が終了した後に保護テープから剥がされるので、貼り付けられている面積は小さい。したがって、半導体装置を剥がすために必要な力は小さくてよい。加えて、吸引保持工具により半導体装置を保持しながら半導体装置をダイシングテープを介して突き上げることにより、ダイシングテープと保護テープとが部分的に湾曲し、これが半導体装置が保護テープから剥がれるきかけとなる。したがって、半導体装置を保護テープから容易に取り外すことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
図７は、本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を示す工程図である。尚、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェーハをダイシングするダイシング工程及びウェーハをグラインディングするグラインディング工程（研削工程）に特に関連するものであり、他の製造工程は従来と同様である。したがって、本実施例では、研削工程及びダイシング工程及びこれに関連する工程について説明し、他の製造工程の説明は省略するものとする。
【００２８】
本実施例に係る半導体装置の製造方法では、図７に示すように、保護テープ貼り付け工程（ステップＳ２０），フレーム取り付け工程（ステップＳ２２），研削工程（ステップＳ２４），ダイシング工程（ステップＳ２６）及びチップ取り外し工程（ステップＳ２８）を順次実施する。以下、上述の各工程を詳細に説明する。
【００２９】
図８は、保護テープ貼り付け工程（ステップＳ２０）及びフレーム取り付け工程（ステップＳ２２）を説明するための図である。ウェーハ３０には、予めその表面に半導体装置を形成する回路が形成されている。この表面と反対側の面、すなわち背面を研削してウェーハの厚さを減少するのためにウェーハ３０は研削工程にかけられる。保護テープ貼り付け工程（ステップＳ２０）及びフレーム取り付け工程（ステップＳ２２）は、研削工程（ステップＳ２４）の準備工程として実施される。なお、ウェーハ３０の材料は特に限定されるものではなく、シリコン，ガリウムヒ素等の各種半導体基板材料が使用される。またフェライト等の半導体以外の基板、またはリチウムタンタレイト（ＬｉＴａＯ3 ) 等の圧電基板を使用してもよい。
【００３０】
まず、保護テープ貼り付け工程（ステップＳ２０）において、ウェーハの表面（回路形成面）に保護テープ３２が貼り付けられる。この保護テープ３２は、例えばポリエチレンテープにより形成される。保護テープ３２にはあらかじめ粘着剤が塗布されており、この粘着剤により保護テープ３２はウェーハに貼り付けられる。ポリエチレンテープの厚さは約１５０μｍであり、粘着剤の厚みは３０〜４０μｍである。
【００３１】
次に、フレーム取り付け工程（ステップＳ２２）において、保護テープ３２が貼り付けられたウェーハ３０は、ウェーハフレーム３４に取り付けられたダイシングテープ３６に貼り付けられる。ダイシングテープ３６はあらかじめウェーハフレームに張り付けられており、ウェーハ３０を貼り付ける面には粘着剤が塗布されている。ダイシングテープ３６は、例えばポリエチレンテープにより形成されており、その上に粘着剤が塗布されている。テープの厚さは約７０μｍであり、粘着剤の厚さは約２０μｍである。この粘着剤により、ウェーハ３０は保護テープ３２を介してダイシングテープ３６に貼り付けられる。すなわち、ウェーハ３０に保護テープ３２が貼り付けられ、その保護テープ３２がダイシングテープ３６に貼り付けられる。したがって、この状態では、ウェーハ３０の表面（回路形成面）は保護テープ３２で保護され、ウェーハ３０の背面が上を向いている。上述のように、ウェーハ３０がウェーハフレーム３４に取り付けられた後、研削工程（ステップＳ２４）が実施される。
【００３２】
図９は、研削工程を説明するための図である。研削工程（ステップＳ２４）において、ウェーハ３０が取り付けられたウェーハフレーム３４は、真空チャックテーブル（図９中、一点鎖線で示す）上に載置される。真空チャックテーブルの大きさは、ウェーハフレーム３４より大きい寸法とされており、ダイシングテープ３２の全面が吸引作用により真空チャックテーブル上に固定される。したがって、ダイシングテープ３２に貼り付けられたウェーハ３０も、真空チャックテーブル上に固定される。したがって、ウェーハ３０は真空チャックテーブル上にその全面が支持されるため、平面上に安定して支持される。また、真空チャックテーブルがウェーハフレーム３４より大きいため、ウェーハフレーム３４も真空チャックテーブル上に安定して支持される。よって、真空チャックテーブル上に固定されたウェーハ３０を安定した状態でグラインディングすることができる。
【００３３】
ウェーハ３０が真空チャックテーブル上に固定された状態で研削が行われる。すなわち、研削工具３８（例えばダイヤモンドホイール）によりウェーハの背面を研削することにより、ウェーハ３０の厚さを減少させる。本実施例では、ウェーハの厚さを約６００μｍから約５０μｍまで減少させることができる。本実施例において、ウェーハ３０は、保護テープ３２及びダイシングテープ３６を介して真空チャックテーブル上に固定される。また、保護テープ３２及びダイシングテープ３６に塗布された粘着剤の層も、ウェーハ３０と真空チャックテーブルの間に介在する。したがって、これら保護テープ３２、ダイシングテープ３６及び粘着剤層がクッションの役割を果たし、研削工具３８による局所的な押圧力を分散し緩和する。これにより、従来は約２００μｍが限度であったウェーハ３０の厚さを、約５０μｍになるまで研削可能となる。
【００３４】
上述の研削工程（ステップＳ２４）が終了すると、次にダイシング工程（ステップＳ２６）が実施される。本実施例では、研削工程を終了したウェーハ３０はダイシング装置（図示せず）に搬送されるが、ウェーハフレーム３４に取り付られたままで搬送され、ダイシング装置の真空チャックテーブル上に載置される。また、研削装置の真空チャックテーブルに固定されたまま真空チャックテーブルごとダイシング装置に移動れてもよい。いずれにしろ、ウェーハ３０は保護テープ３２及びダイシングテープ３６に貼り付けられた状態のままでダイシング工程にかけられる。
【００３５】
図１０及び図１１はダイシング工程を説明するための図である。ダイシング工程（ステップＳ２６）では、先ずダイシング装置に設けられている赤外線カメラ４０を用い、ウェーハ３０のダイシング位置を確認する処理が実施される。一般にダイシング工程では、ウェーハ３０の回路形成面側に回路パターンの形成と同時に形成されたスクライブグラインを基準としてダイシングが行なわれる。
【００３６】
しかるに、グラインディング工程では回路形成面（表面）と反対側の面（背面）をグラインディングするため、ウェーハ３０の回路形成面側を下にしてウェーハフレーム３４に取り付ける必要がある。よって、直接ダイシングラインを画像認識してダイシングを行なうためには、研削工程とダイシング工程との間でウェーハ３０の貼り付け向きを上下反転させることとなる。これは、製造工程数を増やすだけでなく、ウェーハ３０がハンドリング中に割れてしまうという問題の原因にもなる。
【００３７】
本実施例では、赤外線を利用することにより、ウェーハ３０の背面からダイシング位置（スクライブグライン）を認識している。即ち、ウェーハ３０に対して赤外線を照射した場合、スクライブライン上に形成されているアルミ製のマークは赤外線を反射する。この反射された赤外線を赤外線カメラ４０で撮像することにより、ウェーハ３０の背面からスクライブラインを認識することが可能となる。よって、研削工程とダイシング工程との間でウェーハ３０の向きを上下反転させる必要がなくなり、ハンドリング時のウェーハ３０の割れの問題が解消され、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００３８】
上記のようにスクライブライン位置の認識が行なわれると、図１１に示すように、ダイシングソー４２が駆動されスクライブラインに沿って移動される。これにより、ウェーハ３０はダイシングされ、複数の半導体チップ３０Ａに分割される。このダイシング工程では、ウェーハ３０がダイシングソー４２により完全に分割される、いわゆるフルダイシングが行われる。
【００３９】
上述のダイシング工程（ステップＳ２６）が終了すると、続いてチップ取り外し工程（ステップＳ２８）が実施される。
図１２及び図１３は、チップ取り外し工程を説明するための図である。チップ取り外し工程（ステップＳ２８）では、先ず図１２に示すように、ダイシングテープ３６の背面側から紫外線（ＵＶ光）を照射する。この時に照射されるＵＶ光は、ウェーハ３０（半導体チップ３０Ａ）を保護テープ３２に貼り付けている紫外線硬化型粘着剤を硬化できる強いＵＶ光（例えば、２００mj/cm2以上）とされている。よって、このＵＶ光の照射を行なうことにより、紫外線硬化型粘着剤は硬化し、保護テープ３２とウェーハ３０（半導体チップ３０Ａ）との間の粘着力は低下する。
【００４０】
続いて、図１３に示すように、半導体チップ３０Ａを吸引保持工具（バキューム・ピックアップ）４４で保持しながら、突き上げ装置４６を用いて半導体チップ３０Ａを突き上げる。突き上げ装置４６は、ピン４６Ａ（プローブ）を有しており、このピン４６Ａをダイシングテープ３２の背面に押し付けられる。これにより、半導体チップ３０Ａの下にあるダイシングテープ３６及び保護テープ３２は局部的に湾曲し、半導体チップ３０Ａの一部が保護テープ３２から剥離する。そして、吸引保持工具４４が上方へ引き上げられて、半導体チップ３０Ａは保護テープ３２から完全に剥離する。保護テープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤は、紫外線硬化により粘着力が弱くなっているので、保護テープ３２はダイシングテープ３６に貼り付いたままとなる。したがって、保護テープ３２を半導体チップ３０Ａから剥がす工程は不要となる。保護テープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤として紫外線硬化型粘着剤を使用しない場合は、保護テープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤の粘着力を、ダイシングテープ３６と保護テープ３２との間の粘着剤の粘着力より弱く設定しておくことが好ましい。
【００４１】
上述のように取り外された半導体チップ３０Ａは吸引保持工具４４で保持されたまま、チップ収納容器まで搬送され収納される。
【００４２】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、研削時にウェーハに作用する局所的な押圧力が保護テープとダイシングテープとにより吸収緩和され、研削時のウェーハの割れを効果的に防止することができ、且つウェーハの厚さを従来より薄くまで研削することができる。また、研削工程が終了すると、ウェーハがダイシングテープに貼り付けられた状態のままで、ダイシング工程が行われるため、研削後の厚みの薄いウェーハからダイシングテープ及び保護テープを剥がすこと無くダイシングを行うことができる。このため、厚みの薄いウェーハの反りに起因するウェーハの割れが生じることは無い。したがって、研削工程時及び、研削工程とダイシング工程との間のハンドリングに起因するウェーハの割れを効果的に防止することができる。よって、高い製造歩留り及びスループットをもって半導体装置を製造することが可能となる。
【００４３】
請求項２の発明によれば、ダイシング工程が終了した後の保護テープの粘着剤に紫外線が照射されるため、紫外線硬化型の粘着剤の粘着力が弱まって、ダイシングされたウェーハ（半導体チップ）を容易に剥がすことができる。
また、請求項３記載の発明によれば、ダイシング工程において、ウェーハの背面から赤外線を照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識することにより、研削工程とダイシング工程との間でウェーハの上下を反転させる必要がなくなり、研削工程とダイシング工程との間のウェーハのハンドリングに起因する割れを防止することができる。また、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００４４】
請求項４記載の発明によれば、ウェーハフレームを吸引固定するための真空チャックテーブルは、ウェーハフレームより大きい寸法とされるため、ウェーハフレーム内に位置するウェーハは、その全面が真空チャックテーブルに支持されることとなる。したがって、ウェーハは研削工程及びダイシング工程において安定して平面上に支持される。
【００４５】
更に、請求項５記載の発明によれば、半導体チップをダイシングテープを介して突き上げることにより、ダイシングテープと保護テープとが部分的に湾曲し、これが半導体装置が保護テープから剥がれるきっかけとなる。したがって、半導体装置を保護テープから容易に取り外すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】図１に示す保護テープ貼り付け工程を説明するための図である。
【図３】図１に示すグラインディング工程を説明するための図である。
【図４】図１に示すダイシングテープ貼り付け工程を説明するための図である。
【図５】図１に示すダイシング工程を説明するための図である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明するための図である。
【図７】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図８】図７に示す保護テープ貼り付け工程及びフレーム取り付け工程を説明するための図である。
【図９】図７に示す研削工程を説明するための図である。
【図１０】図７に示すダイシング工程を説明するための図（その１）である。
【図１１】図７に示すダイシング工程を説明するための図（その２）である。
【図１２】図７に示すチップ取り外し工程を説明するための図（その１）である。
【図１３】図７に示すチップ取り外し工程を説明するための図（その２）である。
【符号の説明】
３０ ウェーハ
３０Ａ 半導体チップ
３２ 保護テープ
３４ ウェーハフレーム
３６ ダイシングテープ
３８ 研削工具
４０ 赤外線カメラ
４２ ダイシングソー
４４ 吸引保持工具
４６ 突き上げ装置
４６Ａ ピン
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に大口径のウェーハをグラインディング（研削）して薄型化する半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程において、表面に素子が形成されたウェーハは、その厚みを減少するためにグラインディング工程にかけられる。グラインディングは、ウェーハの素子が形成されていない面（背面）に対して行われる。
【０００２】
近年、半導体装置の生産性を向上するために大口径のウェーハが使用されてきている。また、ＩＣカード等への用途により薄型の半導体装置が要求されており、その分ウェーハの厚みを薄くしなくてはならない。更に、ウェーハの状態でバンプを形成してしまういわゆるバンプ付きウェーハが多くなってきている。しかし、ウェーハの大口径化、厚みの減少及びバンプ付きウェーハは、製造工程においてウェーハが割れる確率を増大させてしまう。
【０００３】
例えば、大口径のウェーハをグラインディングする際、ウェーハの厚みは２００μｍ程度が限界である。すなわち、ウェーハの厚みを２００μｍ以下までグラインディングすると、グラインディング時及びハンドリング時にウェーハの割れが多発する。また、バンプ付きウェーハにおいては、バンプが突起物として作用するため、グラインディング時にウェーハが割れる確率は更に増大してしまう。
【０００４】
したがって、大口径で且つ厚さの薄いウェーハであっても、ウェーハを破損させることなく且つ高いスループットでグラインディング及びダイシングを行なうことのできる技術が望まれている。
【０００５】
【従来の技術】
従来の半導体装置の製造方法について、図１乃至図６を用いて説明する。周知のように、半導体装置の製造工程は、グラインディング工程とダイシング工程とを含んでいる。グラインディング工程では、ウェーハの背面に対しグラインディング（バックグラインディング）が行なわれ、ウェーハは所定の厚さとされる。ダイシング工程では、ウェーハに対しダイシングが行なわれ、個々の半導体チップに分割される。
【０００６】
図１は、ダイシング工程とグラインディング工程とを実施する従来方法の一例を示す。図１に示される従来方法では、表面に回路が形成されたウェーハに保護テープを貼り付け（ステップＳ１０）、ウェーハの背面をグラインディングし（ステップＳ１２）、ウェーハを裏返してからダイシングテープに貼り付け（ステップＳ１４）、ウェーハを表面側からダイシングする（ステップＳ１６）。
【０００７】
図２は、図１に示す保護テープ貼り付け工程（ステップＳ１０）を説明するための図である。図３は、図１に示すグラインディング工程（ステップＳ１２）を説明するための図である。図４は、図１に示すダイシングテープ貼り付け工程（ステップＳ１４）を説明するための図である。図５は、図１に示すダイシング工程（ステップＳ１６）を説明するための図である。
【０００８】
グラインディングされるウェーハ１０の表面には、予め半導体用回路が形成されている。まず、図２に示されるように、ウェーハ１０の表面に形成されている回路を保護するために、ウェーハ１０の表面に保護テープ１２が貼られる。そして、ウェーハ１０は、保護テープ１２を介して真空チャックテーブル上に吸引固定される。保護テープ１２は樹脂により形成されており、その表面には紫外線（ＵＶ）硬化型の接着剤が塗布されている。ウェーハ１０は、保護テープ１２を介して真空チャックグテーブル上に固定された状態でグラインディングされる。
【０００９】
グラインディング工程では、図３に示すように、研削工具１８を用いてウェーハ１０の背面をグラインディングし、ウェーハ１０の厚さを所定の厚さまで減少させる。具体的には、回転する研削工具１８を研磨液を供給しつつ図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動させることによりグラインディングを行なう。これにより、所定の厚さを有したウェーハ１０が形成される。
【００１０】
上述のグラインディング工程が終了すると、保護テープ１２はウェーハ１０から剥がされる。そして、図４に示されるように、回路が形成された表面が上を向くように、ウェーハフレーム１４に張られたダイシングテープ２０に貼り付けられる。ダイシングテープ２０は樹脂により形成されており、その表面には接着剤が塗布されている。ウェーハ１０は、上述の接着剤によりダイシングテープ２０に貼り付けられた状態でダイシングされる。
【００１１】
ダイシング工程では、図５に示すように、ウェーハ１０は、ダイシングソー２２を用いてダイシングされる。ダイシングはウェーハ１０の表面に形成されているスクライブラインの画像をモニタしながら行われる。これにより、ウェーハ１０は複数個の半導体チップ１１に分割される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の方法では、ダイシング工程に先立ってグラインディングが行われるので、研削工具によりウェーハ１０の一部分に対して押圧力が加わることとなる。グラインディングによりウェーハ１０の厚さが減少して２００μｍ以下になると、ウェーハ１０自体の強度が減少するため、グラインディング時にウェーハの割れが発生する恐れがある。特に、ウェーハ１０の厚さを５０μｍまでグラインディングする場合は、割れが多発するという問題がある。また、バンプ付きウェーハの場合は、バンプが突起物となり、この突起物の上にウェーハ１０が位置してグラインディングされる状態となる。このため、ウェーハ１０に割れが生じる確率は更に高くなる。
【００１３】
また、上述の従来の方法では、所定の厚さまでウェーハ１０をグラインディングした後に、ウェーハ１０は保護テープ１２が剥がされて裏返される。すなわち、グラインディング工程が終了した時点では、ウェーハ１０はその背面が上を向いている。したがって、ウェーハ１０を表面側からダイシングするために、ウェーハ１０はその表面を上に向けてダイシングテープ２０に貼り付けられる。
【００１４】
ところが、ウェーハ１０はグラインディングされその厚みが減少しているので、保護テープ１２が剥がされると、図６に示すようにウェーハ１０に反りが発生してしまう。この反りの大きさは、ダイシングテープ２０からのウェーハ１０の最大離間距離（図中、矢印Ｈで示す）で表わすことができる。６インチウェーハを厚さ２００μｍまでグラインディングした場合には、約２ｃｍの反り（Ｈ＝２ｃｍ）が発生する。また、８インチウェーハを厚さ２００μｍまでグラインディングした場合には、約３ｃｍの反り（Ｈ＝３ｃｍ）が発生する。
【００１５】
このようにウェーハ１０に反りが発生すると、ウェーハ１０を適正にハンドリングすることが困難となるという問題がある。最悪の場合には、ハンドリング時にウェーハ１０の割れが多発するという問題が生じる。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、大口径化され且つ厚みの減少したウェーハを用いて半導体装置を製造する際に、製造歩留り及びスループットの向上を図り得る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述の課題は、次に述べる各手段を講じることにより解決することができる。
請求項１記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、
回路が形成された表面と該表面の反対側の背面とを有するウェーハを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記ウェーハの表面に、表面に第１の粘着剤が塗布された保護テープを貼り付ける保護テープ貼り付け工程と、
前記ウェーハより径の大きいウェーハフレームが周囲に設けられ、表面に第２の粘着剤が塗布されたダイシングテープに前記ウェーハを前記保護テープを介して貼り付けるフレーム取り付け工程と、
前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハの背面を研削する研削工程と、
前記研削工程が終了した後に、前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハをフルダイシングして前記半導体装置を形成するダイシング工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護テープは紫外線硬化型の前記第１の粘着剤により前記ウェーハに貼り付けられ、前記ダイシング工程終了後に前記第１の粘着剤に対して紫外線を照射する紫外線照射工程を更に含むことを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項３記載の発明は、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイシング工程では、前記ウェーハの背面から赤外線を照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識することを特徴とするものである。
また、請求項４記載の発明は、
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法において、
前記研削工程は、前記ウェーハフレームを真空チャックテーブルに吸引固定する固定工程を含み、前記チャックテーブルの大きさは前記ウェーハフレームより大きくしたことを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項５記載の発明は、
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイシング工程が終了した後に、吸引保持工具により前記半導体装置を保持しながら前記半導体装置を前記ダイシングテープを介して突き上げることにより、前記半導体装置を前記保護テープから取り外す取り外し工程を更に含むことを特徴とするものである。
【００２０】
上記の各手段は、次のように作用する。
請求項１の発明によれば、研削前のウェーハの回路が形成された表面を有するウェーハに保護テープが貼り付けられる。この保護テープは研削時に回路を保護する役目を果たすものである。また、保護テープは、研削時に研削工具からの押圧力を吸収するクッション材としても作用する。すなわち、フレーム取り付け工程において、ウェーハは保護テープを介してダイシングテープに貼り付けられる。続く研削工程において、研削工具がフレームの背面に押し付けられたとき、その押圧力をダイシングテープと共に吸収する。したがって、研削時にウェーハに作用する局所的な押圧力が保護テープとダイシングテープとにより吸収緩和され、研削時のウェーハの割れを効果的に防止することができる。
【００２１】
研削工程が終了すると、ウェーハがダイシングテープに貼り付けられた状態で、ダイシング工程が行われる。すなわち、ダイシングは、ウェーハの背面側から行われる。したがって、研削後の厚みの薄いウェーハからダイシングテープ及び保護テープを剥がすこと無くダイシングが行われる。したがって、厚みの薄いウェーハの反りに起因するウェーハの割れが生じることは無い。
【００２２】
上述のように、請求項１の発明によれば、研削工程時及び、研削工程とダイシング工程との間のハンドリングに起因するウェーハの割れを効果的に防止することができる。よって、高い製造歩留り及びスループットをもって半導体装置を製造することが可能となる。
請求項２の発明によれば、ダイシング工程が終了した後の保護テープの粘着剤に紫外線が照射される。粘着剤は紫外線硬化型であり、したがって、紫外線が照射されることにより、粘着力が弱まってダイシングされたウェーハを容易に剥がすことができる。
【００２３】
また、請求項３記載の発明によれば、ダイシング工程において、ウェーハの背面から赤外線を照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識することにより、ウェーハの回路が形成されていない面（すなわち背面）からダイシングを行なうことが可能となる。
一般にダイシング工程においては、ウェーハの回路形成面に回路パターンの形成と共に形成されたスクライブラインを基準としてダイシングが行なわれる。しかるに、研削を行なうのは回路形成面と反対側の背面であるため、直接ダイシングラインを画像認識してダイシングを行なうには、研削工程とダイシング工程との間でウェーハの上下を反転させる必要が生じる。
【００２４】
スクライブライン上にはアルミニウム等で形成されたマークが各所に存在しており、このマークを基準としてスクライブラインを認識することができる。赤外線は、ウェーハを透過するがアルミニウムのマークでは反射されるので、赤外線を利用してウェーハの背面からダイシング位置（スクライブライン）を画像認識することができる。これにより、研削工程とダイシング工程との間でウェーハの上下を反転させる必要がなくなり、研削工程とダイシング工程との間のウェーハのハンドリングに起因する割れを防止することができる。また、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００２５】
請求項４記載の発明によれば、ウェーハフレーム吸引固定するための真空チャックテーブルは、ウェーハフレームと同じ大きさとされる。これにより、ウェーハフレーム内に位置するウェーハは、その全面が真空チャックテーブルに支持されることとなる。したがって、ウェーハは、研削工程及びダイシング工程において安定して平面上に支持される。
【００２６】
更に、請求項５記載の発明によれば、ダイシング工程が終了した後に保護テープから剥がされるので、貼り付けられている面積は小さい。したがって、半導体装置を剥がすために必要な力は小さくてよい。加えて、吸引保持工具により半導体装置を保持しながら半導体装置をダイシングテープを介して突き上げることにより、ダイシングテープと保護テープとが部分的に湾曲し、これが半導体装置が保護テープから剥がれるきかけとなる。したがって、半導体装置を保護テープから容易に取り外すことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
図７は、本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を示す工程図である。尚、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェーハをダイシングするダイシング工程及びウェーハをグラインディングするグラインディング工程（研削工程）に特に関連するものであり、他の製造工程は従来と同様である。したがって、本実施例では、研削工程及びダイシング工程及びこれに関連する工程について説明し、他の製造工程の説明は省略するものとする。
【００２８】
本実施例に係る半導体装置の製造方法では、図７に示すように、保護テープ貼り付け工程（ステップＳ２０），フレーム取り付け工程（ステップＳ２２），研削工程（ステップＳ２４），ダイシング工程（ステップＳ２６）及びチップ取り外し工程（ステップＳ２８）を順次実施する。以下、上述の各工程を詳細に説明する。
【００２９】
図８は、保護テープ貼り付け工程（ステップＳ２０）及びフレーム取り付け工程（ステップＳ２２）を説明するための図である。ウェーハ３０には、予めその表面に半導体装置を形成する回路が形成されている。この表面と反対側の面、すなわち背面を研削してウェーハの厚さを減少するのためにウェーハ３０は研削工程にかけられる。保護テープ貼り付け工程（ステップＳ２０）及びフレーム取り付け工程（ステップＳ２２）は、研削工程（ステップＳ２４）の準備工程として実施される。なお、ウェーハ３０の材料は特に限定されるものではなく、シリコン，ガリウムヒ素等の各種半導体基板材料が使用される。またフェライト等の半導体以外の基板、またはリチウムタンタレイト（ＬｉＴａＯ3 ) 等の圧電基板を使用してもよい。
【００３０】
まず、保護テープ貼り付け工程（ステップＳ２０）において、ウェーハの表面（回路形成面）に保護テープ３２が貼り付けられる。この保護テープ３２は、例えばポリエチレンテープにより形成される。保護テープ３２にはあらかじめ粘着剤が塗布されており、この粘着剤により保護テープ３２はウェーハに貼り付けられる。ポリエチレンテープの厚さは約１５０μｍであり、粘着剤の厚みは３０〜４０μｍである。
【００３１】
次に、フレーム取り付け工程（ステップＳ２２）において、保護テープ３２が貼り付けられたウェーハ３０は、ウェーハフレーム３４に取り付けられたダイシングテープ３６に貼り付けられる。ダイシングテープ３６はあらかじめウェーハフレームに張り付けられており、ウェーハ３０を貼り付ける面には粘着剤が塗布されている。ダイシングテープ３６は、例えばポリエチレンテープにより形成されており、その上に粘着剤が塗布されている。テープの厚さは約７０μｍであり、粘着剤の厚さは約２０μｍである。この粘着剤により、ウェーハ３０は保護テープ３２を介してダイシングテープ３６に貼り付けられる。すなわち、ウェーハ３０に保護テープ３２が貼り付けられ、その保護テープ３２がダイシングテープ３６に貼り付けられる。したがって、この状態では、ウェーハ３０の表面（回路形成面）は保護テープ３２で保護され、ウェーハ３０の背面が上を向いている。上述のように、ウェーハ３０がウェーハフレーム３４に取り付けられた後、研削工程（ステップＳ２４）が実施される。
【００３２】
図９は、研削工程を説明するための図である。研削工程（ステップＳ２４）において、ウェーハ３０が取り付けられたウェーハフレーム３４は、真空チャックテーブル（図９中、一点鎖線で示す）上に載置される。真空チャックテーブルの大きさは、ウェーハフレーム３４より大きい寸法とされており、ダイシングテープ３２の全面が吸引作用により真空チャックテーブル上に固定される。したがって、ダイシングテープ３２に貼り付けられたウェーハ３０も、真空チャックテーブル上に固定される。したがって、ウェーハ３０は真空チャックテーブル上にその全面が支持されるため、平面上に安定して支持される。また、真空チャックテーブルがウェーハフレーム３４より大きいため、ウェーハフレーム３４も真空チャックテーブル上に安定して支持される。よって、真空チャックテーブル上に固定されたウェーハ３０を安定した状態でグラインディングすることができる。
【００３３】
ウェーハ３０が真空チャックテーブル上に固定された状態で研削が行われる。すなわち、研削工具３８（例えばダイヤモンドホイール）によりウェーハの背面を研削することにより、ウェーハ３０の厚さを減少させる。本実施例では、ウェーハの厚さを約６００μｍから約５０μｍまで減少させることができる。本実施例において、ウェーハ３０は、保護テープ３２及びダイシングテープ３６を介して真空チャックテーブル上に固定される。また、保護テープ３２及びダイシングテープ３６に塗布された粘着剤の層も、ウェーハ３０と真空チャックテーブルの間に介在する。したがって、これら保護テープ３２、ダイシングテープ３６及び粘着剤層がクッションの役割を果たし、研削工具３８による局所的な押圧力を分散し緩和する。これにより、従来は約２００μｍが限度であったウェーハ３０の厚さを、約５０μｍになるまで研削可能となる。
【００３４】
上述の研削工程（ステップＳ２４）が終了すると、次にダイシング工程（ステップＳ２６）が実施される。本実施例では、研削工程を終了したウェーハ３０はダイシング装置（図示せず）に搬送されるが、ウェーハフレーム３４に取り付られたままで搬送され、ダイシング装置の真空チャックテーブル上に載置される。また、研削装置の真空チャックテーブルに固定されたまま真空チャックテーブルごとダイシング装置に移動れてもよい。いずれにしろ、ウェーハ３０は保護テープ３２及びダイシングテープ３６に貼り付けられた状態のままでダイシング工程にかけられる。
【００３５】
図１０及び図１１はダイシング工程を説明するための図である。ダイシング工程（ステップＳ２６）では、先ずダイシング装置に設けられている赤外線カメラ４０を用い、ウェーハ３０のダイシング位置を確認する処理が実施される。一般にダイシング工程では、ウェーハ３０の回路形成面側に回路パターンの形成と同時に形成されたスクライブグラインを基準としてダイシングが行なわれる。
【００３６】
しかるに、グラインディング工程では回路形成面（表面）と反対側の面（背面）をグラインディングするため、ウェーハ３０の回路形成面側を下にしてウェーハフレーム３４に取り付ける必要がある。よって、直接ダイシングラインを画像認識してダイシングを行なうためには、研削工程とダイシング工程との間でウェーハ３０の貼り付け向きを上下反転させることとなる。これは、製造工程数を増やすだけでなく、ウェーハ３０がハンドリング中に割れてしまうという問題の原因にもなる。
【００３７】
本実施例では、赤外線を利用することにより、ウェーハ３０の背面からダイシング位置（スクライブグライン）を認識している。即ち、ウェーハ３０に対して赤外線を照射した場合、スクライブライン上に形成されているアルミ製のマークは赤外線を反射する。この反射された赤外線を赤外線カメラ４０で撮像することにより、ウェーハ３０の背面からスクライブラインを認識することが可能となる。よって、研削工程とダイシング工程との間でウェーハ３０の向きを上下反転させる必要がなくなり、ハンドリング時のウェーハ３０の割れの問題が解消され、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００３８】
上記のようにスクライブライン位置の認識が行なわれると、図１１に示すように、ダイシングソー４２が駆動されスクライブラインに沿って移動される。これにより、ウェーハ３０はダイシングされ、複数の半導体チップ３０Ａに分割される。このダイシング工程では、ウェーハ３０がダイシングソー４２により完全に分割される、いわゆるフルダイシングが行われる。
【００３９】
上述のダイシング工程（ステップＳ２６）が終了すると、続いてチップ取り外し工程（ステップＳ２８）が実施される。
図１２及び図１３は、チップ取り外し工程を説明するための図である。チップ取り外し工程（ステップＳ２８）では、先ず図１２に示すように、ダイシングテープ３６の背面側から紫外線（ＵＶ光）を照射する。この時に照射されるＵＶ光は、ウェーハ３０（半導体チップ３０Ａ）を保護テープ３２に貼り付けている紫外線硬化型粘着剤を硬化できる強いＵＶ光（例えば、２００mj/cm2以上）とされている。よって、このＵＶ光の照射を行なうことにより、紫外線硬化型粘着剤は硬化し、保護テープ３２とウェーハ３０（半導体チップ３０Ａ）との間の粘着力は低下する。
【００４０】
続いて、図１３に示すように、半導体チップ３０Ａを吸引保持工具（バキューム・ピックアップ）４４で保持しながら、突き上げ装置４６を用いて半導体チップ３０Ａを突き上げる。突き上げ装置４６は、ピン４６Ａ（プローブ）を有しており、このピン４６Ａをダイシングテープ３２の背面に押し付けられる。これにより、半導体チップ３０Ａの下にあるダイシングテープ３６及び保護テープ３２は局部的に湾曲し、半導体チップ３０Ａの一部が保護テープ３２から剥離する。そして、吸引保持工具４４が上方へ引き上げられて、半導体チップ３０Ａは保護テープ３２から完全に剥離する。保護テープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤は、紫外線硬化により粘着力が弱くなっているので、保護テープ３２はダイシングテープ３６に貼り付いたままとなる。したがって、保護テープ３２を半導体チップ３０Ａから剥がす工程は不要となる。保護テープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤として紫外線硬化型粘着剤を使用しない場合は、保護テープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤の粘着力を、ダイシングテープ３６と保護テープ３２との間の粘着剤の粘着力より弱く設定しておくことが好ましい。
【００４１】
上述のように取り外された半導体チップ３０Ａは吸引保持工具４４で保持されたまま、チップ収納容器まで搬送され収納される。
【００４２】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、研削時にウェーハに作用する局所的な押圧力が保護テープとダイシングテープとにより吸収緩和され、研削時のウェーハの割れを効果的に防止することができ、且つウェーハの厚さを従来より薄くまで研削することができる。また、研削工程が終了すると、ウェーハがダイシングテープに貼り付けられた状態のままで、ダイシング工程が行われるため、研削後の厚みの薄いウェーハからダイシングテープ及び保護テープを剥がすこと無くダイシングを行うことができる。このため、厚みの薄いウェーハの反りに起因するウェーハの割れが生じることは無い。したがって、研削工程時及び、研削工程とダイシング工程との間のハンドリングに起因するウェーハの割れを効果的に防止することができる。よって、高い製造歩留り及びスループットをもって半導体装置を製造することが可能となる。
【００４３】
請求項２の発明によれば、ダイシング工程が終了した後の保護テープの粘着剤に紫外線が照射されるため、紫外線硬化型の粘着剤の粘着力が弱まって、ダイシングされたウェーハ（半導体チップ）を容易に剥がすことができる。
また、請求項３記載の発明によれば、ダイシング工程において、ウェーハの背面から赤外線を照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識することにより、研削工程とダイシング工程との間でウェーハの上下を反転させる必要がなくなり、研削工程とダイシング工程との間のウェーハのハンドリングに起因する割れを防止することができる。また、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００４４】
請求項４記載の発明によれば、ウェーハフレームを吸引固定するための真空チャックテーブルは、ウェーハフレームより大きい寸法とされるため、ウェーハフレーム内に位置するウェーハは、その全面が真空チャックテーブルに支持されることとなる。したがって、ウェーハは研削工程及びダイシング工程において安定して平面上に支持される。
【００４５】
更に、請求項５記載の発明によれば、半導体チップをダイシングテープを介して突き上げることにより、ダイシングテープと保護テープとが部分的に湾曲し、これが半導体装置が保護テープから剥がれるきっかけとなる。したがって、半導体装置を保護テープから容易に取り外すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】図１に示す保護テープ貼り付け工程を説明するための図である。
【図３】図１に示すグラインディング工程を説明するための図である。
【図４】図１に示すダイシングテープ貼り付け工程を説明するための図である。
【図５】図１に示すダイシング工程を説明するための図である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明するための図である。
【図７】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図８】図７に示す保護テープ貼り付け工程及びフレーム取り付け工程を説明するための図である。
【図９】図７に示す研削工程を説明するための図である。
【図１０】図７に示すダイシング工程を説明するための図（その１）である。
【図１１】図７に示すダイシング工程を説明するための図（その２）である。
【図１２】図７に示すチップ取り外し工程を説明するための図（その１）である。
【図１３】図７に示すチップ取り外し工程を説明するための図（その２）である。
【符号の説明】
３０ ウェーハ
３０Ａ 半導体チップ
３２ 保護テープ
３４ ウェーハフレーム
３６ ダイシングテープ
３８ 研削工具
４０ 赤外線カメラ
４２ ダイシングソー
４４ 吸引保持工具
４６ 突き上げ装置
４６Ａ ピン
Claims (5)
- 回路が形成された表面と該表面の反対側の背面とを有するウェーハを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記ウェーハの表面に、表面に第１の粘着剤が塗布された保護テープを貼り付ける保護テープ貼り付け工程と、
前記ウェーハより径の大きいウェーハフレームが周囲に設けられ、表面に第２の粘着剤が塗布されたダイシングテープに前記ウェーハを前記保護テープを介して貼り付けるフレーム取り付け工程と、
前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハの背面を研削する研削工程と、
前記研削工程が終了した後に、前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハをフルダイシングして前記半導体装置を形成するダイシング工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護テープは紫外線硬化型の前記第１の粘着剤により前記ウェーハに貼り付けられ、前記ダイシング工程終了後に前記第１の粘着剤に対して紫外線を照射する紫外線照射工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイシング工程では、前記ウェーハの背面から赤外線を照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法において、
前記研削工程は、前記ウェーハフレームを真空チャックテーブルに吸引固定する固定工程を含み、前記チャックテーブルの大きさは前記ウェーハフレームより大きくしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイシング工程が終了した後に、吸引工具により前記半導体装置を保持しながら前記半導体装置を前記ダイシングテープを介して突き上げることにより、前記半導体装置を前記保護テープから取り外す取り外し工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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