JP5464192B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図1に、本実施形態に示すSiC半導体装置の製造方法により製造したプレーナ型MOSFET(縦型パワーMOSFET)の断面図を示す。本デバイスは、例えばインバータに適用すると好適なものである。図1に基づいて縦型パワーMOSFETの構造について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してレーザアニール方法を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してレーザアニール方法を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態のようにレーザアニール方法を従来に対して変更するのではなく、レーザアニール後のダイシング時の前処理を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、レーザ跡の影響をあまり受けないようにダイシングが行えるレーザアニール工程の一例を示したが、各実施形態相互間において適宜組み合わせたレーザアニール工程を行うようにしても良い。例えば、第1実施形態のよにダイシング領域にレーザ光照射が行われないようにしつつ、第2実施形態のようにスキャン方向をダイシング方向に対して傾斜させるようにしたり、第3実施形態のように交差する異なる二方向にスキャンするようにしたり、第4実施形態のようにダイシングテープを貼り付けたりすることを組み合わせて行うようにしても良い。
1a 主表面
1b 裏面
10 ソース電極(第2の電極)
11 ドレイン電極(第1の電極)
50 レーザ光
60 ダイシング
110 金属薄膜
111 合金層
112 ダイシングテープ
112a 接着層
Claims (7)
- 主表面(1a)および当該主表面の反対面である裏面(1b)を有する単結晶からなる半導体基板(1)と、該半導体基板(1)の裏面(1b)に対して形成されるオーミック電極からなる第1の電極(11)と、前記半導体基板(2)の主表面(1a)に形成される第2の電極(10)と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板(1)を用意し、当該半導体基板(1)の裏面(1b)に対して金属薄膜(110)を形成する金属薄膜形成工程と、
前記金属薄膜形成工程の後、前記金属薄膜(110)にレーザ光照射を行ってレーザアニールを行うことで、オーミック電極からなる前記第1の電極(11)を形成する電極形成工程と、
前記電極形成工程の後、ダイシング領域においてダイシングを行うことで前記第1の電極(11)が形成された前記半導体基板(1)をチップ単位に分割するダイシング工程と、を含み、
前記電極形成工程では、前記金属薄膜(110)へのレーザ光照射をチップ単位で行い、前記ダイシング領域にはレーザ光照射が行われないようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板(1)に対して縦型デバイスを形成し、前記第1の電極として前記縦型デバイスの電極(11)を形成する工程として前記金属薄膜形成工程と前記電極形成工程とを行い、
前記電極形成工程では、前記金属薄膜(110)へのレーザ光照射を前記縦型デバイスの前記電極(11)となる領域にのみ行い、前記ダイシング領域にはレーザ光照射が行われないようにすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 主表面(1a)および当該主表面の反対面である裏面(1b)を有する単結晶からなる半導体基板(1)と、該半導体基板(1)の裏面(1b)に対して形成されるオーミック電極からなる第1の電極(11)と、前記半導体基板(2)の主表面(1a)に形成される第2の電極(10)と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板(1)を用意し、当該半導体基板(1)の裏面(1b)に対して金属薄膜(110)を形成する金属薄膜形成工程と、
前記金属薄膜形成工程の後、前記金属薄膜(110)にレーザ光照射を行ってレーザアニールを行うことで、オーミック電極からなる前記第1の電極(11)を形成する電極形成工程と、
前記電極形成工程の後、ダイシング領域においてダイシングを行うことで前記第1の電極(11)が形成された前記半導体基板(1)をチップ単位に分割するダイシング工程と、を含み、
前記電極形成工程では、前記金属薄膜(110)へのレーザ光照射を前記ダイシング工程におけるダイシング方向に対して傾斜させて行い、
前記ダイシング工程では、前記レーザ光照射によるレーザ跡を跨ぐように前記ダイシングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記電極形成工程では、前記金属薄膜(110)へのレーザ光照射を前記ダイシング工程におけるダイシング方向に対して15〜75°傾斜させて行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 主表面(1a)および当該主表面の反対面である裏面(1b)を有する単結晶からなる半導体基板(1)と、該半導体基板(1)の裏面(1b)に対して形成されるオーミック電極からなる第1の電極(11)と、前記半導体基板(2)の主表面(1a)に形成される第2の電極(10)と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板(1)を用意し、当該半導体基板(1)の裏面(1b)に対して金属薄膜(110)を形成する金属薄膜形成工程と、
前記金属薄膜形成工程の後、前記金属薄膜(110)にレーザ光照射を行ってレーザアニールを行うことで、オーミック電極からなる前記第1の電極(11)を形成する電極形成工程と、
前記電極形成工程の後、ダイシング領域においてダイシングを行うことで前記第1の電極(11)が形成された前記半導体基板(1)をチップ単位に分割するダイシング工程と、を含み、
前記電極形成工程では、前記金属薄膜(110)へのレーザ光照射を少なくとも交差する二方向において行うことで、チップ内において交差する複数のレーザ跡を形成し、レーザ跡が形成されていない領域に残る凸部を分断することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 主表面(1a)および当該主表面の反対面である裏面(1b)を有する単結晶からなる半導体基板(1)と、該半導体基板(1)の裏面(1b)に対して形成されるオーミック電極からなる第1の電極(11)と、前記半導体基板(2)の主表面(1a)に形成される第2の電極(10)と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板(1)を用意し、当該半導体基板(1)の裏面(1b)に対して金属薄膜(110)を形成する金属薄膜形成工程と、
前記金属薄膜形成工程の後、前記金属薄膜(110)にレーザ光照射を行ってレーザアニールを行うことで、オーミック電極からなる前記第1の電極(11)を形成する電極形成工程と、
前記電極形成工程の後、ダイシング領域においてダイシングを行うことで前記第1の電極(11)が形成された前記半導体基板(1)をチップ単位に分割するダイシング工程と、を含み、
前記ダイシング工程では、前記ダイシング前に、前記第1の電極(11)に対して前記レーザ光照射によるレーザ跡とレーザ跡が形成されていない部分とによる凹凸の段差以上の厚みの接着層(112a)を有するダイシングテープ(112)を貼り付け、その後、前記ダイシングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板(1)として炭化珪素半導体基板を用いることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (3)
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WO2017026068A1 (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 新電元工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置 |
JP6904122B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2021-07-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
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Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6194290B1 (en) * | 1998-03-09 | 2001-02-27 | Intersil Corporation | Methods for making semiconductor devices by low temperature direct bonding |
US6365942B1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-04-02 | Fairchild Semiconductor Corporation | MOS-gated power device with doped polysilicon body and process for forming same |
US20050104072A1 (en) * | 2003-08-14 | 2005-05-19 | Slater David B.Jr. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
JP4525048B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2010-08-18 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4838982B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2011-12-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | レーザアニール方法およびレーザアニール装置 |
DE102005017814B4 (de) * | 2004-04-19 | 2016-08-11 | Denso Corporation | Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3910603B2 (ja) | 2004-06-07 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
EP2546865B1 (en) * | 2005-09-16 | 2023-12-06 | Wolfspeed, Inc. | Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon |
JP5560519B2 (ja) * | 2006-04-11 | 2014-07-30 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102006050360B4 (de) * | 2006-10-25 | 2014-05-15 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Kontakts auf SiC |
JP2008135611A (ja) | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9209281B2 (en) * | 2007-04-23 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Method of manufacturing a device by locally heating one or more metallization layers and by means of selective etching |
JP4483900B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2010-06-16 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2009054718A (ja) | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009135453A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器 |
JP5503876B2 (ja) * | 2008-01-24 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の製造方法 |
JP2010118573A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5436231B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2014-03-05 | 昭和電工株式会社 | 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに半導体装置 |
JP5431777B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-03-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4858791B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2012-01-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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