JP2008135611A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 182
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 85
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 13
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/0485—Ohmic electrodes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
【解決手段】基板1の裏面1b、特に裏面1bをSiCのa面とし、n+型基板1の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、基板1の裏面1bに研磨処理を行って裏面1bに微細な凹凸を形成する。そして、凹凸が形成された基板1の裏面1b上に金属薄膜110を形成し、基板1の裏面1b側にレーザ光を照射することでドレイン電極11を形成する。
【選択図】図2
Description
今井聖支、他1名,「29p−ZM−14、Niサリサイドプロセスを用いたn型およびp型SiC同時コンタクト」,第51回応用物理関係連合講演会講演予稿集,社団法人応用物理学会、2004年3月28日、第1分冊、p.437
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図1に、本実施形態に示すSiC半導体装置の製造方法により製造したプレーナ型MOSFET(縦型パワーMOSFET)の断面図を示す。本デバイスは、例えばインバータに適用すると好適なものである。図1に基づいて縦型パワーMOSFETの構造について説明する。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、基板1の主表面1aをSi面、裏面1bをC面として、上記の第1実施形態と同様にドレイン電極11を形成した。この際、研磨処理後の表面粗度Raを50nmとした。このような場合についても、低抵抗で良好なオーミック電極としてのドレイン電極11を得ることができる。
上記各実施形態では、パワーMOSFETを例に挙げて説明したが、これは単なる一例であり、他の素子構造を備えたものについても本発明を適用することが可能である。
Claims (5)
- 主表面(1a)および当該主表面の反対面である裏面(1b)を有し、単結晶炭化珪素からなる半導体基板(1)を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板を用意し、当該半導体基板の裏面を研磨することで当該裏面に凹凸を形成する研磨工程と、
前記研磨工程の後、前記半導体基板の裏面上に金属薄膜(110)を形成する金属薄膜形成工程と、
前記金属薄膜形成工程の後、前記金属薄膜にレーザ光(50)を照射することで第1の電極(11)を形成する電極形成工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記研磨工程では、前記半導体基板の裏面の粗度(Ra)が10nm以上、500nm以下となるように前記裏面を研磨することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板を用意する工程では、前記半導体基板の裏面が前記単結晶炭化珪素のa面であるものを用意することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板を用意する工程では、前記半導体基板の主表面側に素子構造が形成され、前記主表面に第2の電極(10)が形成されていると共に、前記裏面に前記第1の電極が形成され、前記第2の電極と前記第1の電極との間の前記素子構造に電流を流してなる縦型の半導体素子のうち、前記半導体基板に前記素子構造を形成すると共に、前記第2の電極を形成した後、前記半導体基板の裏面を研磨することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板を用意する工程では、前記第2の電極を形成した後に前記半導体基板の主表面側に当該第2の電極を覆う保護膜(40)を形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006321367A JP2008135611A (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006321367A JP2008135611A (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008135611A true JP2008135611A (ja) | 2008-06-12 |
Family
ID=39560247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006321367A Pending JP2008135611A (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008135611A (ja) |
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