JP2009054718A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンウェハ1に素子2を形成するときに、スクライブライン3を(110)方向、または、(110)と等価な方向に配置する。そして、シリコンウェハ1を研磨して150μm以下の厚さにする。これによって、素子2をダイシングする際に、劈開によってダイシングすることができる。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1にかかる半導体装置を形成する方位を示す説明図である。図1において、シリコンウェハ1は、たとえば、エピタキシャル成長以外の方法でバッファ層が形成された薄いシリコンウェハ1である。ここで、素子2が、たとえば、耐圧が600V程度のプレーナゲート構造を有するパンチスルー型IGBTの場合、シリコンウェハ1の厚さは、60μm程度である。また、シリコンウェハ1は、たとえば、(100)面を主面とするシリコンウェハ1とする。オリフラ(Orientation Flat)4は、(110)と等価な方向に配置される。
つぎに、トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法について説明する。図4は、トレンチゲート構造を有する半導体装置の構造を示す断面図である。図4においては、半導体装置は、たとえば、パンチスルー型IGBTである。図4に示すように実施の形態2にかかる半導体装置は、n-ドリフト層13に形成されたトレンチ20内に、ゲート電極17がゲート酸化膜16を介して設けられている。実施の形態2においては、トレンチ20は、トレンチ20の長手方向がスクライブラインと平行または垂直方向になるように形成される。
2 素子
3 スクライブライン
4 オリフラ
Claims (2)
- スクライブラインが(110)方向、または、(110)方向と等価な方向に伸びるように、シリコンウェハに複数の素子を形成する形成工程と、
素子形成後の前記シリコンウェハを研磨して150μm以下の厚さにする研磨工程と、
研磨後の前記シリコンウェハを前記スクライブラインに沿って劈開して各素子をチップ化する劈開工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記形成工程は、
前記シリコンウェハにトレンチを、該トレンチの長手方向が前記スクライブラインの伸びる方向と同一の方向、または、当該スクライブラインの伸びる方向と等価な方向となるように形成する工程と、
前記トレンチ内にCVD法によりゲート酸化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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