JP2009224511A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハ1のおもて面側の中央部に、デバイスの表面構造を形成する。このデバイスの表面構造の形成された領域が能動領域2である。そして、半導体ウェハ1の裏面側の中央部を、砥石を用いて研削する。このとき、半導体ウェハ1の裏面側の外周端部を、元の半導体ウェハ1の厚さのままにしておくことで、半導体ウェハ1の外周端部にリブ4を形成する。ついで、半導体ウェハ1の裏面側の全面(半導体ウェハ1の裏面側の中央部およびリブ4)にエッチングを行い、研削の際に砥石により形成された加工ダメージ層5を除去する。
【選択図】図4
Description
図1〜4は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。まず、図1に示すように、半導体ウェハ1のおもて面側の中央部に、デバイスの表面構造を形成する。このデバイスの表面構造の形成された領域が能動領域2である。
図6〜8は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウェハのおもて面側の中央部に能動領域を形成した後に、半導体ウェハの裏面側の全面を、前記リブ部の厚さを規定する所定の厚さに研削する。さらに、半導体ウェハの裏面側を、外周端部を残して中央部のみを裏面側に製造プロセスを行うための厚さ(以下、目標厚さとする)に研削する。そして、半導体ウェハの裏面側の全面をエッチングする。
2 能動領域
4 リブ
5 加工ダメージ層
Claims (5)
- 半導体ウェハのおもて面側の中央部にデバイスの表面構造を形成する表面構造形成工程と、
砥石を用いた研削によって、前記半導体ウェハの裏面側の中央部を外周端部よりも薄くして、当該半導体ウェハの裏面側の外周端部にリブ部を形成するリブ形成工程と、
前記半導体ウェハの裏面側の前記中央部および前記リブ部の表面を、前記砥石の砥粒の最大粒径と同じかそれ以上の深さまでエッチングにより除去するエッチング工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記表面構造形成工程と、前記リブ形成工程と、の間に、
前記半導体ウェハの裏面側の全面を、所定の厚さまで研削する研削工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記リブ形成工程においては、前記研削工程において用いられた砥石よりも砥粒の粒径の細かい砥石を用いることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リブ形成工程においては、砥粒の最大粒径が50μm以下の砥石を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記表面構造形成工程と、前記リブ形成工程または前記研削工程と、の間に、
前記半導体ウェハのデバイスの表面構造が形成されたおもて面側に、保護テープを貼付する貼付工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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