JP2004235626A - 半導体装置の製造装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004235626A JP2004235626A JP2004005549A JP2004005549A JP2004235626A JP 2004235626 A JP2004235626 A JP 2004235626A JP 2004005549 A JP2004005549 A JP 2004005549A JP 2004005549 A JP2004005549 A JP 2004005549A JP 2004235626 A JP2004235626 A JP 2004235626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor wafer
- semiconductor device
- manufacturing
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】半導体ウェーハ21における素子形成面21Aの裏面21B側に、ダメージ形成手段により個々の半導体素子に分割するための起点となるダメージ層24−1,24−2,24−3,…を形成する。このダメージ層を起点にして、分割手段で半導体ウェーハを個々の半導体素子に分割する。そして、この半導体ウェーハの裏面を、除去手段で少なくともダメージ層が存在しなくなる深さまで除去することを特徴とする。破棄される領域に形成したダメージ層を起点にしてウェーハを分割した後、裏面研削で除去してしまうので、形成された半導体素子には側面に切削条痕が残らずダメージを最小限にできる。
【選択図】図2
Description
図1乃至図5はそれぞれ、この発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、製造装置の一部及び製造工程の一部を順次示す図である。
図7乃至図11はそれぞれ、この発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、製造装置の一部及び製造工程の一部を順次示す図である。
図12乃至図16はそれぞれ、この発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、製造装置の一部及び製造工程の一部を順次示す図である。
図17及び図18はそれぞれ、この発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、製造装置の一部及び製造工程の一部を順次示す図である。
図19及び図20はそれぞれ、この発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、製造装置の一部を示す図である。
図21は、この発明の第6の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、製造装置並びに製造工程の一部を示す斜視図である。
図22乃至図27はそれぞれ、この発明の第7の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、製造装置の一部及び製造工程の一部を順次示す図である。
図28(a),(b)はそれぞれ、この発明の第8の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、(a)図は半導体ウェーハの平面図、(b)図は(a)図のX−X’線に沿った断面図である。
図29は、この発明の第9の実施の形態に係る半導体装置の製造装置及びその製造方法について説明するためのもので、製造工程の一部を示す斜視図である。
上述した第1乃至第3の実施の形態では、半導体ウェーハ21の素子形成面21Aにダイシングテープ22のみを貼り付けたが、ウェーハリングに装着したダイシングテープ22を貼り付けても良い。
第1乃至第3の実施の形態において、裏面研削した後、研削面をエッチング(ドライエッチング、ウェットエッチング、ガスエッチング、CMPなど)すれば、半導体素子の裏面研削時のキズやチッピングをより高い精度で除去できるので、半導体素子のピックアップ時の抗折強度を向上できる。
第1乃至第3の実施の形態において、裏面の研削量が少ない場合には、半導体ウェーハの裏面をエッチングのみで除去できる。
半導体ウェーハの分割方向は、ウェーハの裏面に対して垂直でも良いし、シリコン(Si)の結晶方向に合わせた角度でも良い。
半導体ウェーハの素子形成面側にダイシングテープを貼り付けた状態で溝24−1,24−2,24−3,…、キズや歪28−1,28−2,28−3,…、再結晶化層30−1,30−2,30−3,…、あるいは再結晶化層30A−1,30A−2,30A−3,…などのダメージ層を形成したが、ダイシングテープ22を用いずにダメージ層を形成し、半導体ウェーハ21を分割する前に素子形成面21Aに保護テープ22を貼り付け、ブレーキングで劈開したり、保護テープ22を伸張して分割することもできる。
半導体ウェーハ21の素子形成面21A側にダイシングテープ22を貼り付ける場合を例に取って説明したが、テープ以外の他の保護部材を貼り付けても良く、素子形成面21A側に接着用樹脂を塗り、この樹脂に保護板または保持板を貼り付けても構わない。
ダイシングテープ22をピックアップ用テープ26に貼り替え、個々の半導体素子21−1,21−2,21−3,…をピックアップする場合を例に取って説明したが、ダイシングテープ22から直接半導体素子を剥離してピックアップすることもできる。
Claims (5)
- 半導体ウェーハにおける素子形成面の裏面側に、個々の半導体素子に分割するための起点となるダメージ層を形成するダメージ形成手段と、
前記ダメージ層を起点にして前記半導体ウェーハを個々の半導体素子に分割する分割手段と、
前記半導体ウェーハの裏面を、少なくとも前記ダメージ層が存在しなくなる深さまで除去する除去手段と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記半導体ウェーハの素子形成面側に、保護部材を貼り付ける貼り付け手段を更に具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記ダメージ形成手段は、前記半導体ウェーハの裏面に切削溝を形成するダイヤモンドブレードを備えることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造装置。
- 半導体ウェーハにおける素子形成面の裏面側に、個々の半導体素子に分割するための起点となるダメージ層を形成する工程と、
前記ダメージ層を起点にして前記半導体ウェーハを個々の半導体素子に分割する工程と、
前記半導体ウェーハの裏面を、少なくとも前記ダメージ層が存在しなくなる深さまで除去する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ダメージ層を形成する工程の前に、前記半導体ウェーハの素子形成面側に、保護部材を貼り付ける工程を更に具備することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004005549A JP4542789B2 (ja) | 2003-01-10 | 2004-01-13 | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
US10/846,673 US20050023260A1 (en) | 2003-01-10 | 2004-05-17 | Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003004767 | 2003-01-10 | ||
JP2004005549A JP4542789B2 (ja) | 2003-01-10 | 2004-01-13 | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004235626A true JP2004235626A (ja) | 2004-08-19 |
JP4542789B2 JP4542789B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=32964691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004005549A Expired - Fee Related JP4542789B2 (ja) | 2003-01-10 | 2004-01-13 | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4542789B2 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006012902A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2006339382A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007049041A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2007134454A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007158459A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Kyocera Kinseki Corp | 結晶板の切断方法 |
EP2051297A2 (en) | 2007-10-15 | 2009-04-22 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Substrate dividing method |
EP2095419A1 (en) * | 2006-12-22 | 2009-09-02 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip shape alteration |
US7704857B2 (en) | 2007-12-18 | 2010-04-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2011055087A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | New Japan Radio Co Ltd | Memsマイクロフォンおよびその製造方法 |
WO2011086756A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP2011216914A (ja) * | 2011-07-27 | 2011-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP2012146840A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Seiko Epson Corp | シリコンデバイス、及びシリコンデバイスの製造方法 |
JP2013004584A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
JP2013004583A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
KR20150127538A (ko) * | 2014-05-07 | 2015-11-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 가공 방법 |
JP2016006903A (ja) * | 2015-08-28 | 2016-01-14 | 株式会社東京精密 | 半導体基板の割断方法 |
JP2016076694A (ja) * | 2014-10-02 | 2016-05-12 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2016192570A (ja) * | 2016-07-04 | 2016-11-10 | 株式会社東京精密 | 微小亀裂進展装置 |
JP2016225645A (ja) * | 2016-08-18 | 2016-12-28 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工装置 |
JP2016225657A (ja) * | 2016-09-21 | 2016-12-28 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法 |
JP2017022405A (ja) * | 2016-09-21 | 2017-01-26 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法 |
JP2017139471A (ja) * | 2017-02-16 | 2017-08-10 | 株式会社東京精密 | 抗折強度の高い薄型チップの形成方法及び形成システム |
JP2019161240A (ja) * | 2019-06-18 | 2019-09-19 | 株式会社東京精密 | レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204551A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000208446A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2002198326A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の分割方法 |
JP2003229384A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-01-13 JP JP2004005549A patent/JP4542789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204551A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000208446A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2002198326A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の分割方法 |
JP2003229384A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006012902A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
US7737001B2 (en) | 2005-06-01 | 2010-06-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor manufacturing method |
JP2006339382A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR101182083B1 (ko) | 2005-06-01 | 2012-09-11 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2007049041A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2007134454A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007158459A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Kyocera Kinseki Corp | 結晶板の切断方法 |
EP2095419A1 (en) * | 2006-12-22 | 2009-09-02 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip shape alteration |
EP2095419A4 (en) * | 2006-12-22 | 2011-03-16 | Ibm | FORM CHANGE OF A SEMICONDUCTOR CHIP |
EP2051297A3 (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Substrate dividing method |
EP2051297A2 (en) | 2007-10-15 | 2009-04-22 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Substrate dividing method |
US7704857B2 (en) | 2007-12-18 | 2010-04-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2011055087A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | New Japan Radio Co Ltd | Memsマイクロフォンおよびその製造方法 |
US8213475B2 (en) | 2010-01-18 | 2012-07-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device |
US8071405B2 (en) | 2010-01-18 | 2011-12-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device |
JP2011146653A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
WO2011086756A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP2012146840A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Seiko Epson Corp | シリコンデバイス、及びシリコンデバイスの製造方法 |
JP2013004584A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
JP2013004583A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
JP2011216914A (ja) * | 2011-07-27 | 2011-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP2015213135A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-11-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR20150127538A (ko) * | 2014-05-07 | 2015-11-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 가공 방법 |
KR102251260B1 (ko) * | 2014-05-07 | 2021-05-11 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 가공 방법 |
JP2016076694A (ja) * | 2014-10-02 | 2016-05-12 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2016006903A (ja) * | 2015-08-28 | 2016-01-14 | 株式会社東京精密 | 半導体基板の割断方法 |
JP2016192570A (ja) * | 2016-07-04 | 2016-11-10 | 株式会社東京精密 | 微小亀裂進展装置 |
JP2016225645A (ja) * | 2016-08-18 | 2016-12-28 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工装置 |
JP2016225657A (ja) * | 2016-09-21 | 2016-12-28 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法 |
JP2017022405A (ja) * | 2016-09-21 | 2017-01-26 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法 |
JP2017139471A (ja) * | 2017-02-16 | 2017-08-10 | 株式会社東京精密 | 抗折強度の高い薄型チップの形成方法及び形成システム |
JP2019161240A (ja) * | 2019-06-18 | 2019-09-19 | 株式会社東京精密 | レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4542789B2 (ja) | 2010-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004235626A (ja) | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 | |
JP6504750B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
US7135384B2 (en) | Semiconductor wafer dividing method and apparatus | |
US8969177B2 (en) | Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film | |
US9147599B2 (en) | Wafer support system and method for separating support substrate from solid-phase bonded wafer and method for manufacturing semiconductor device | |
KR20190140967A (ko) | 처리된 적층 다이들 | |
US6756562B1 (en) | Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
US7344957B2 (en) | SOI wafer with cooling channels and a method of manufacture thereof | |
US8148240B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor chips | |
JP2006253402A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI640036B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
JP6713212B2 (ja) | 半導体デバイスチップの製造方法 | |
TWI732949B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
TWI610357B (zh) | 晶圓加工方法 | |
JP4198966B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US10504716B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing method of the same | |
US20110183453A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP2005032903A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20050023260A1 (en) | Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP2010016188A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2018098296A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
TWI732950B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP6257979B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
US11024542B2 (en) | Manufacturing method of device chip | |
JP2009283802A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090521 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100628 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4542789 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |