JP2011055087A - Memsマイクロフォンおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MEMSマイクロフォンが、音圧によって振動し、振動電極を有するダイヤフラム膜と、音波が通過する複数の貫通孔を備え、振動電極とエアギャップを介して対向してコンデンサを形成する固定電極を有するバックプレート膜と、内側にエアギャップを有し、ダイヤフラム膜とバックプレート膜との間隔を保持するスペーサと、振動電極及び固定電極と接続される電極部と、振動電極と対向する位置にバックチェンバーとなる開口と、開口の側面にダイヤフラム膜に対して直角であるバックチェンバー側壁とを有する支持基板を備える。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、上記課題を解決し、高価なダイシング加工装置を使用することなく、低コストで、歩留りの高いMEMSマイクロフォンおよびその製造方法を提供することを目的とする。
Claims (3)
- 音圧によって振動し、振動電極を有するダイヤフラム膜と、
音波が通過する複数の貫通孔を備え、前記振動電極とエアギャップを介して対向してコンデンサを形成する固定電極を有するバックプレート膜と、
内側に前記エアギャップを有し、前記ダイヤフラム膜と前記バックプレート膜との間隔を保持するスペーサと、
前記振動電極及び前記固定電極と接続される電極部と、
前記振動電極と対向する位置にバックチェンバーとなる開口と、前記開口の側面に前記ダイヤフラム膜に対して直角であるバックチェンバー側壁とを有する支持基板を備えたことを特徴とするMEMSマイクロフォン。 - MEMSマイクロフォンを製造する方法であって、
シリコン基板の表面に第1絶縁層を形成する工程(A)と、
前記第1絶縁層の上に、振動電極を有するダイヤフラム膜を形成する工程(B)と、
前記第1絶縁層と前記ダイヤフラム膜の上に第2絶縁層を形成する工程(C)と、
前記第2絶縁層の上に、貫通孔を備え固定電極を有するバックプレート膜を形成する工程(D)と、
金属膜を堆積し、前記振動電極および前記固定電極と接続する電極部を形成するとともに、MEMSマイクロフォンをチップ化するためにチップの間に設けられるストリート部に堆積している前記金属膜、前記バックプレート膜、及び前記第2絶縁層を除去し、前記シリコン基板の表面の第1絶縁層を露出する工程(E)と、
前記バックプレート膜と前記電極部の上に、接着材料により仮支持基材を貼り付ける工程(F)と、
前記シリコン基板を全てエッチングにより除去し、シリコン基板の表面に形成された前記第1絶縁層を露出させる工程(G)と、
露出した前記第1絶縁層の表面に、第3絶縁層を形成し、前記第1絶縁層を挟んで前記振動電極と対応する位置にある前記第3絶縁層を除去して、バックチャンバーとバックチャンバー側壁となる層を形成する工程(H)と、
前記仮支持基材を除去する工程(I)と、
前記バックプレート膜の貫通孔からエッチングにより前記第2絶縁層の一部を除去し、エアギャップとスペーサを形成する工程(J)と、
を含むことを特徴とするMEMSマイクロフォンを製造する方法。 - 工程(H)が、
露出した前記第1絶縁層の表面に、第3絶縁層を形成し、前記第1絶縁層を挟んで前記振動電極と対応する位置にある前記第3絶縁層を除去するとともに、前記ストリート部にある前記第3絶縁層を除去して、バックチャンバーとバックチャンバー側壁を形成する工程(H1)と、
前記バックチャンバー側壁に、第2の仮支持基材を貼り付ける工程(H2)と、
を含むことを特徴とする請求項2記載のMEMSマイクロフォンを製造する方法。
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