JP2007287796A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体チップ3が形成されたデバイス領域4と該デバイス領域4を囲繞する外周余剰領域5とが表面に形成されたウェーハ1の裏面を研削し、デバイス領域4に対応する裏面領域を凹状に研削すると共に外周余剰領域に対応する裏面領域にリング状の補強部を形成する。ウェーハ1表面に、外周余剰領域5に対応した領域にのみ粘着剤6aを有する保護テープ6を貼着する保護テープ貼着工程と、ウェーハ1のデバイス領域4に対応する裏面領域を研削する凹状加工工程と、ウェーハ1に該ウェーハ1の温度が上昇する処理を行う付加工程と、補強部1bを除去する補強部除去工程と、補強部1bを除去したウェーハ1をダイシングテープに貼着し、保護テープを剥離する保護テープ剥離工程とを備えた。
【選択図】図4
Description
したがって、本発明は、保護テープの粘着剤がデバイス領域に溶融固化するといった不都合が生じることのないウェーハの加工方法を提供することを目的としている。
[1]半導体ウェーハ
図1の符号1は、半導体ウェーハ(以下ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、厚さは例えば600〜700μm程度のものである。ウェーハ1の表面には、格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ(デバイス)3の表面には、トランジスタ等の図示せぬディスクリートデバイスが形成されている。複数の半導体チップ3は、ウェーハ1と同心の概ね円形状のデバイス領域4に形成されており、このデバイス領域4の周囲に、製品となる半導体チップ3が形成されない環状の外周余剰領域5が存在している。
[2]凹状加工工程
まず、図1に示すようにウェーハ1の表面に、電子回路を保護する目的で保護テープ6を貼り付ける。保護テープ6には、例えば、厚さ70〜200μm程度のポリオレフィン等の基材が用いられ、その片面のウェーハ1の外周余剰領域に対応する部分にのみ厚さ5〜20μm程度のアクリル系等の粘着剤6aが塗布されている。
凹部1aを形成したウェーハ1の裏面には、研削による機械的なダメージ層が残余しているためウェーハ1の強度が低下している。これを回復するため、プラズマエッチングなどの化学的処理によってダメージ層に相当する部分を除去する。プラズマエッチングの場合はSF6などのフッ素系ガスを真空下でプラズマ化することでシリコンを除去することができるが、この工程も一般的にウェーハ1を昇温させる工程となっている。その後、裏面に必要な金属膜、例えば金などをスパッタリングや蒸着といった一般的に良く知られる方法によって被覆する。また、半導体チップの仕様に応じて金属イオンを打ち込むイオン注入などの工程も合わせて実施する。
図5〜12を参照して、ウェーハ1の外周余剰領域5の補強部1bを除去するための処理を行う補強部除去装置を説明する。
図5は補強部除去装置10の斜視図、図6は平面図である。処理装置10は基台11を有し、この基台11上のY方向手前側(図6において下側)には、X方向右側から左側にわたってウェーハ供給部100、ダイシングテープ貼着部200、ダイシングテープ搬送部400がこの順に配設され、また、ダイシングテープ貼着部300のY方向奥側(図6において上側)には、ウェーハ研削部300が配設されている。ウェーハ1は、ウェーハ供給部100から一旦ダイシングテープ貼着部200に移された後にウェーハ研削部300に送られ、このウェーハ研削部300で外周余剰領域5の少なくとも補強部1bが研削されてからダイシングテープ貼着部200に戻され、このダイシングテープ貼着部200で、ダイシングテープ搬送部400から送られてくるダイシングテープがウェーハ1に貼着される。以下、これら各部を説明していく。
ウェーハ供給部100は、基台11上のY方向手前側に設置されたウェーハキャリア101と、このウェーハキャリア101からY方向奥側に向かって延びる一対の搬送ベルト102と、搬送ベルト102間の下流端部(図6で上端部)に設けられたストッパ111と、ウェーハ1をピックアップしてダイシングテープ貼着部200に搬送するウェーハハンド120と、このウェーハハンド120をX・Z方向に移動させるウェーハハンド駆動機構140とを備えている。
搬送ベルト102で搬送されストッパ111で停止させられたウェーハ1の、図6でY方向に向かって左隣りに相当する位置が、ウェーハ着脱位置として設定されている。ダイシングテープ貼着部200は、その着脱位置に配される円盤状のチャックテーブル201と、ウェーハ着脱位置にあるチャックテーブル201上をY方向に横断するように移動することにより図9に示すダイシングテープ31をウェーハ1の裏面に押し付けて貼着する押し付けローラ210と、この押し付けローラ210をY・Z方向に移動させるローラ駆動機構220とを備えている。
ウェーハ研削部300は、着脱位置にあるチャックテーブル201がテーブルベース202によってY方向奥側に移動させられた先の基台11上に立設されたコラム301と、このコラム301の手前側の側面に装着された研削ユニット310とから構成されている。研削ユニット310は、コラム301の側面に、スライドプレート302およびガイドレール303を介してZ方向に昇降自在に取り付けられており、昇降駆動機構304によって昇降させられる。
ダイシングテープ搬送部400は、図9に示すダイシングテープ31を上記ダイシングテープ貼着部200に搬送する機能を有する。ダイシングテープ31は、例えば、厚さ100μm程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ5μm程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されたものが用いられる。ダイシングテープ31の粘着面には、ウェーハ1の直径よりも大きな内径を有する環状のダイシングフレーム32が貼り付けられる。ダイシングフレーム32は剛性を有する金属板等からなるもので、ウェーハ1はダイシングテープ31に貼着され、ダイシングフレーム32を保持することによって運搬等の取扱いがなされる。
ウェーハ供給部100のウェーハキャリア101から、搬送ベルト102によって1枚のウェーハ1が引き出される。そのウェーハ1は、凹部4a側、すなわち裏面側が上を向いている。ウェーハ1が搬送ベルト102によってストッパ111に当たる停止位置まで搬送されたら、搬送ベルト102が停止する。次いで、ウェーハ1がウェーハハンド120でピックアップされる。
上記のようにして補強部1bが除去されたウェーハ1は、ダイシングテープ31に貼着されたまま図13に示すダイシング装置40により分割予定ライン2に沿って切断され、複数の半導体チップ3に個片化される。以下、ダイシング装置40について説明する
1a…凹部
1b…補強部
3…半導体チップ
4…デバイス領域
5…外周余剰領域
10…研削装置
40…ダイシング装置
Claims (4)
- 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハの裏面を研削し、デバイス領域に対応する裏面領域を凹状に研削すると共に外周余剰領域に対応する裏面領域にリング状の補強部を形成するウェーハの加工方法であって、
前記ウェーハ表面に、前記外周余剰領域に対応した領域にのみ粘着剤を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
前記ウェーハのデバイス領域に対応する裏面領域を研削して前記デバイス領域よりも肉厚の補強部を形成する凹状加工工程と、
前記ウェーハに該ウェーハの温度が上昇する処理を行う付加工程と、
前記補強部を除去する補強部除去工程と、
前記補強部を除去したウェーハをダイシングテープに貼着し、前記保護テープを剥離する保護テープ剥離工程と、
を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。 - 前記付加工程は、前記ウェーハ裏面をプラズマエッチングするエッチング工程、前記ウェーハ裏面に金属膜を付与する金属膜付与工程、および前記ウェーハ裏面に金属イオンを打ち込むイオン注入工程のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 前記保護テープを貼着したまま前記付加工程を行い、次いで、前記補強部除去工程を行うことを特徴とする請求項1または2に記載のウェーハの加工方法。
- 前記保護テープを剥離してから前記付加工程を行い、該付加工程の後に前記ウェーハ表面に前記外周余剰領域に対応した領域にのみ粘着剤を有する保護テープを貼着し、次いで、前記補強部除去工程を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のウェーハの加工方法。
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