JP2011060901A5 - - Google Patents
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- 炭化ケイ素基板上に、炭化ケイ素からなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に、膜を形成する工程と、
前記膜に応力緩和用の溝を形成する工程とを備え、
前記膜は、イオン注入用マスク層および絶縁膜の少なくともいずれか一方である、半導体装置の製造方法。 - 前記溝を形成する工程では、前記溝を格子状に形成する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝を形成する工程後に、前記膜をパターニングする工程をさらに備えた、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 層間絶縁膜を有するチップを備えた半導体装置において、
前記チップに沿うように、前記層間絶縁膜に応力緩和用の溝が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
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