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  1. 基板上に多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第1の絶縁膜を成膜する工程と、
    この第1の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第1の保護膜を成膜する工程と、
    この第1の保護膜の上にフッ素添加カーボン膜からなる第2の絶縁膜を成膜する工程と、
    前記第2の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第2の保護膜を成膜する工程と、
    前記第2の保護膜の上にハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
    前記ハードマスク用の薄膜を第1のマスクとして、当該第1のマスクの下方側の膜をエッチングして前記第1の絶縁膜に電極埋め込み用のホールを形成する工程と、
    前記第1のマスク上に形成された第2のマスクを用い、前記ホールを形成する工程の後に、当該第2のマスクの下方側の膜をエッチングして前記第2の絶縁膜に配線埋め込み用の溝を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 基板上に多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第1の絶縁膜を成膜する工程と、
    この第1の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第1の保護膜を成膜する工程と、
    この第1の保護膜の上にフッ素添加カーボン膜からなる第2の絶縁膜を成膜する工程と、
    前記第2の絶縁膜の表面をシリコン及び炭素の活性種を含むプラズマに曝す工程と、
    次いで基板の表面をシリコン及び炭素の活性種に加えて窒素の活性種を更に含むプラズマに曝して窒素添加炭化ケイ素膜からなるハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
    この薄膜の上に更にハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
    これら工程で成膜されたハードマスクを用いて、前記第1の絶縁膜に電極埋め込み用のホールを形成し、次いで前記第2の絶縁膜に配線埋め込み用の溝を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 基板上に形成された多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第1の絶縁膜と、
    この第1の絶縁膜の上に形成された窒素添加炭化ケイ素膜からなる保護膜と、
    この保護膜の上に形成されたフッ素添加カーボン膜からなる第2の絶縁膜と、
    この第2の絶縁膜の上に形成された保護膜またはハードマスクである窒素添加炭化ケイ素膜と、
    前記第1の絶縁膜に形成されたのホールと、
    前記第1の保護膜、第2の絶縁膜及び窒素添加炭化ケイ素膜の各々に亘って形成された配線埋め込み用の溝と、
    前記ホールに埋め込まれた電極及び前記溝に埋め込まれた配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
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