JP2010205990A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 素子形成面となる第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する半導体基板と、
   前記半導体基板を貫通する貫通ビアと、
   前記貫通ビアの側壁と前記半導体基板との間に形成された絶縁性のビア被覆膜と、
   前記半導体基板の前記第２面上に形成された絶縁性の保護膜と、
   前記保護膜と前記貫通ビアの側壁との間に形成された絶縁膜とを備え、
   前記ビア被覆膜と前記保護膜と前記絶縁膜とはそれぞれ互いに異なる絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記絶縁膜は、前記保護膜と実質的に同じ平面上に存在していることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２に記載の半導体装置において、
   前記ビア被覆膜の前記第２面側の端は、前記半導体基板の前記第２面と実質的に同じ平面内に位置しており、
   前記ビア被覆膜の前記第２面側の端を覆うように、前記絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記ビア被覆膜の前記第１面側の端は、前記半導体基板の前記第１面と実質的に同じ平面内に位置していることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
   前記保護膜は窒化シリコンからなることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
   前記絶縁膜は、前記ビア被覆膜よりもエッチングされにくい材料からなることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置において、
   前記絶縁膜は、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜又はシリコン酸化膜からなることを特徴とする半導体装置。
8. 素子形成面となる第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する半導体基板の前記第２面上に絶縁性の保護膜を形成する工程（ａ）と、
   前記保護膜及び前記半導体基板を貫通するようにビアホールを形成する工程（ｂ）と、
   前記ビアホール内に絶縁性のビア被覆材料を埋め込む工程（ｃ）と、
   前記保護膜中に位置する部分の前記ビアホール内に埋め込まれている前記ビア被覆材料を除去する工程（ｄ）と、
   前記ビアホール内に残存する前記ビア被覆材料の上に絶縁膜を形成する工程（ｅ）と、
   前記保護膜中に位置する部分の前記ビアホールの内壁を覆う部分の前記絶縁膜を残して前記絶縁膜を除去する工程（ｆ）と、
   前記保護膜中に位置する部分の前記ビアホールの内壁上に残存する前記絶縁膜をマスクとして、前記ビアホールの内壁を覆う部分の前記ビア被覆材料をビア被覆膜として残して前記ビア被覆材料を除去する工程（ｇ）と、
   前記ビア被覆膜が残存する前記ビアホール内に導電膜を埋め込むことにより、前記半導体基板を貫通する貫通ビアを形成する工程（ｈ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（ｄ）において、前記ビア被覆材料の前記第２面側の端が、前記半導体基板の前記第２面と実質的に同じ平面内に位置するまで、前記ビア被覆材料を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記工程（ｅ）において、前記絶縁膜をＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項８〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記絶縁膜は、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜又はシリコン酸化膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項８〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記絶縁膜は前記ビア被覆材料よりもエッチングされにくい材料からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 素子形成面となる第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する半導体基板と、
    前記半導体基板を貫通する貫通ビアと、
    前記貫通ビアの側壁と前記半導体基板との間に形成された絶縁性のビア被覆膜と、
    前記半導体基板の前記第２面上に形成された絶縁性の保護膜とを備え、
    前記ビア被覆膜の前記第２面側の端は、前記保護膜の表面と実質的に同じ平面内に位置していることを特徴とする半導体装置。
14. 素子形成面となる第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する半導体基板と、
    前記半導体基板を貫通する貫通ビアと、
    前記貫通ビアの側壁と前記半導体基板との間に形成された絶縁性のビア被覆膜と、
    前記半導体基板の前記第２面上に形成された絶縁性の保護膜とを備え、
    前記ビア被覆膜は前記保護膜上にまで形成されていることを特徴とする半導体装置。
15. 請求項１〜７、１３、１４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
    前記ビア被覆膜は絶縁性ポリマーからなることを特徴とする半導体装置。
16. 素子形成面となる第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する半導体基板の前記第２面上に絶縁性の保護膜を形成する工程（ａ）と、
    前記保護膜及び前記半導体基板を貫通するようにビアホールを形成する工程（ｂ）と、
    前記ビアホール内に絶縁性のビア被覆材料を埋め込む工程（ｃ）と、
    前記ビアホールの内壁を覆う部分の前記ビア被覆材料をビア被覆膜として残して前記ビア被覆材料を除去する工程（ｄ）と、
    前記ビア被覆膜が残存する前記ビアホール内に導電膜を埋め込むことにより、前記半導体基板を貫通する貫通ビアを形成する工程（ｅ）とを備え、
    前記工程（ｄ）において、前記保護膜中に位置する部分の前記ビアホールの内壁上にも前記ビア被覆材料を前記ビア被覆膜として残存させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 請求項１６に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記工程（ｃ）において、前記ビア被覆材料を前記保護膜上にまで形成し、
    前記工程（ｄ）において、前記保護膜上にも前記ビア被覆材料を前記ビア被覆膜として残存させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
18. 請求項８〜１２、１６、１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ビア被覆材料は絶縁性ポリマーからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
19. 請求項８〜１２、１６〜１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記保護膜は窒化シリコンからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
20. 請求項８〜１２、１６〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ビア被覆膜は絶縁性ポリマーからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。