JP2014075594A5 - - Google Patents
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- 可撓性を有する基板と、
前記基板上の、第1の層と、
前記第1の層上の、半導体層と、
前記半導体層上の、導電層と、
前記導電層上の、第2の層とを有し、
前記導電層は、トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第1の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記第1の層の端を越えた領域を有し、
前記第1の層は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、または金属窒化物を有し、
前記第2の層は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物(ただし、前記導電層を陽極酸化した陽極酸化膜を除く)、または金属窒化物を有することを特徴とする半導体装置。 - 可撓性を有する基板と、
前記基板上の、第1の層と、
前記第1の層上の、半導体層と、
前記半導体層上の、導電層と、
前記導電層上の、第2の層とを有し、
前記導電層は、トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第1の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記第1の層の端を越えた領域を有し、
前記第1の層は、前記半導体層よりヤング率の高い材料を有し、
前記第2の層は、前記半導体層よりヤング率の高い材料を有することを特徴とする半導体装置。 - シート状の基板と、
前記基板上の、第1の層と、
前記第1の層上の、半導体層と、
前記半導体層上の、導電層と、
前記導電層上の、第2の層とを有し、
前記導電層は、トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第1の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記第1の層の端を越えた領域を有し、
前記第1の層は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、または金属窒化物を有し、
前記第2の層は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物(ただし、前記導電層を陽極酸化した陽極酸化膜を除く)、または金属窒化物を有することを特徴とする半導体装置。 - シート状の基板と、
前記基板上の、第1の層と、
前記第1の層上の、半導体層と、
前記半導体層上の、導電層と、
前記導電層上の、第2の層とを有し、
前記導電層は、トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第1の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記第1の層の端を越えた領域を有し、
前記第1の層は、前記半導体層よりヤング率の高い材料を有し、
前記第2の層は、前記半導体層よりヤング率の高い材料を有することを特徴とする半導体装置。 - プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルム上の、第1の層と、
前記第1の層上の、半導体層と、
前記半導体層上の、導電層と、
前記導電層上の、第2の層とを有し、
前記導電層は、トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第1の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記第1の層の端を越えた領域を有し、
前記第1の層は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、または金属窒化物を有し、
前記第2の層は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物(ただし、前記導電層を陽極酸化した陽極酸化膜を除く)、または金属窒化物を有することを特徴とする半導体装置。 - プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルム上の、第1の層と、
前記第1の層上の、半導体層と、
前記半導体層上の、導電層と、
前記導電層上の、第2の層とを有し、
前記導電層は、トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第1の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記半導体層の端を越えた領域を有し、
前記第2の層上からみたとき、前記第2の層は、前記第1の層の端を越えた領域を有し、
前記第1の層は、前記半導体層よりヤング率の高い材料を有し、
前記第2の層は、前記半導体層よりヤング率の高い材料を有することを特徴とする半導体装置。
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