JP2009111367A5 - - Google Patents
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- シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された貫通孔と、前記貫通孔に設けられ、前記シリコン基板と絶縁された貫通電極と、を備えた基板の製造方法であって、
ボッシュプロセスにより、前記シリコン基板の第1の面側から前記シリコン基板をエッチングして前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔が形成された前記シリコン基板を熱酸化して、前記シリコン基板の第1の面、前記第1の面とは反対側に位置する前記シリコン基板の第2の面、及び前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面を覆う熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、
前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、
前記熱酸化膜除去工程後に、前記シリコン基板の第1及び第2の面と、前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面とを覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜が形成された前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。 - 前記貫通孔形成工程において、前記シリコン基板の第2の面側に位置する前記貫通孔の端部にノッチが発生した場合、前記熱酸化膜形成工程を行う前に前記第2の面側から前記ノッチが形成された部分の前記シリコン基板を研削及び研磨、或いは研磨して前記ノッチを除去するノッチ除去工程を設けたことを特徴とする請求項1記載の基板の製造方法。
- 前記熱酸化膜除去工程では、ウエットエッチングにより前記熱酸化膜を除去することを特徴とする請求項1又は2記載の基板の製造方法。
- 前記シリコン基板の第2の面に設けられた前記絶縁膜に、前記貫通電極と接続される配線を形成する配線形成工程を設けたことを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
- シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された貫通孔と、前記貫通孔に設けられ、前記シリコン基板と絶縁された貫通電極と、を備えた基板の製造方法であって、
ボッシュプロセスにより、前記シリコン基板の第1の面側から前記シリコン基板をエッチングして前記開口部を形成する開口部形成工程と、
前記第1の面とは反対側に位置する前記シリコン基板の第2の面側から前記シリコン基板を、前記開口部が露出するまで研削及び研磨、或いは研磨して、前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程後に、前記貫通孔が形成された前記シリコン基板を熱酸化して、前記シリコン基板の第1の面、前記シリコン基板の第2の面、及び前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面を覆う熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、
前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、
前記熱酸化膜除去工程後に、前記シリコン基板の第1及び第2の面と、前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面とを覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜が形成された前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。 - シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された貫通孔と、前記貫通孔に設けられ、前記シリコン基板と絶縁された貫通電極と、を備えた基板の製造方法であって、
ボッシュプロセスにより、前記シリコン基板の第1の面側から前記シリコン基板をエッチングして前記開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部が形成された前記シリコン基板を熱酸化して、前記シリコン基板の第1の面、前記第1の面とは反対側に位置する前記シリコン基板の第2の面、及び前記開口部に対応する部分の前記シリコン基板の面を覆う熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、
前記シリコン基板の第2の面側から前記シリコン基板及び前記熱酸化膜を、前記開口部が露出するまで研削及び研磨、或いは研磨して、前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程後に、前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、
前記熱酸化膜除去工程後に、前記シリコン基板の第1及び第2の面と、前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面とを覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜が形成された前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。 - 前記熱酸化膜除去工程では、ウエットエッチングにより前記熱酸化膜を除去することを特徴とする請求項5又は6記載の基板の製造方法。
- 前記シリコン基板の第2の面に設けられた前記絶縁膜に、前記貫通電極と接続される配線を形成する配線形成工程を設けたことを特徴とする請求項5ないし7のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008258309A JP5536322B2 (ja) | 2007-10-09 | 2008-10-03 | 基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007263224 | 2007-10-09 | ||
JP2007263224 | 2007-10-09 | ||
JP2008258309A JP5536322B2 (ja) | 2007-10-09 | 2008-10-03 | 基板の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111367A JP2009111367A (ja) | 2009-05-21 |
JP2009111367A5 true JP2009111367A5 (ja) | 2011-08-11 |
JP5536322B2 JP5536322B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=40351813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008258309A Active JP5536322B2 (ja) | 2007-10-09 | 2008-10-03 | 基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7795140B2 (ja) |
EP (1) | EP2048923A3 (ja) |
JP (1) | JP5536322B2 (ja) |
KR (1) | KR20090036521A (ja) |
TW (1) | TW200919606A (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8569876B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-10-29 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips with array |
US8049327B2 (en) * | 2009-01-05 | 2011-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through-silicon via with scalloped sidewalls |
TWI392069B (zh) | 2009-11-24 | 2013-04-01 | Advanced Semiconductor Eng | 封裝結構及其封裝製程 |
CN102822962B (zh) | 2010-03-31 | 2015-12-09 | 京瓷株式会社 | 内插件及使用了该内插件的电子装置 |
DE102010029760B4 (de) * | 2010-06-07 | 2019-02-21 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit einer Durchkontaktierung und Verfahren zu seiner Herstellung |
US9640437B2 (en) | 2010-07-23 | 2017-05-02 | Tessera, Inc. | Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream |
TWI446420B (zh) | 2010-08-27 | 2014-07-21 | Advanced Semiconductor Eng | 用於半導體製程之載體分離方法 |
TWI445152B (zh) | 2010-08-30 | 2014-07-11 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體結構及其製作方法 |
US9007273B2 (en) | 2010-09-09 | 2015-04-14 | Advances Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna |
US8847380B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-09-30 | Tessera, Inc. | Staged via formation from both sides of chip |
TWI434387B (zh) | 2010-10-11 | 2014-04-11 | Advanced Semiconductor Eng | 具有穿導孔之半導體裝置及具有穿導孔之半導體裝置之封裝結構及其製造方法 |
TW201241941A (en) * | 2010-10-21 | 2012-10-16 | Sumitomo Bakelite Co | A method for manufacturing an electronic equipment, and the electronic equipment obtained by using the method, as well as a method for manufacturing electronics and electronic parts, and the electronics and the electronic parts obtained using the method |
TWI527174B (zh) | 2010-11-19 | 2016-03-21 | 日月光半導體製造股份有限公司 | 具有半導體元件之封裝結構 |
US8587126B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-11-19 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVs formed in stages with plural active chips |
US8736066B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-05-27 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assemby with TSVS formed in stages and carrier above chip |
TWI445155B (zh) | 2011-01-06 | 2014-07-11 | Advanced Semiconductor Eng | 堆疊式封裝結構及其製造方法 |
US8853819B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-10-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor structure with passive element network and manufacturing method thereof |
KR101767654B1 (ko) | 2011-05-19 | 2017-08-14 | 삼성전자주식회사 | 에어 갭 절연 구조를 갖는 관통전극을 구비한 반도체 소자 및 그 제조방법 |
KR101867998B1 (ko) * | 2011-06-14 | 2018-06-15 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 |
US8541883B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-09-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device having shielded conductive vias |
US8742591B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-06-03 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming insulating layer in notches around conductive TSV for stress relief |
US8975157B2 (en) | 2012-02-08 | 2015-03-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer |
US8963316B2 (en) | 2012-02-15 | 2015-02-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8786060B2 (en) | 2012-05-04 | 2014-07-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna |
US9153542B2 (en) | 2012-08-01 | 2015-10-06 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof |
US8937387B2 (en) | 2012-11-07 | 2015-01-20 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device with conductive vias |
US9159699B2 (en) * | 2012-11-13 | 2015-10-13 | Delta Electronics, Inc. | Interconnection structure having a via structure |
US8952542B2 (en) | 2012-11-14 | 2015-02-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method for dicing a semiconductor wafer having through silicon vias and resultant structures |
CN103839870B (zh) * | 2012-11-20 | 2016-08-17 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于tsv刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法 |
US9406552B2 (en) | 2012-12-20 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device having conductive via and manufacturing process |
US8841751B2 (en) | 2013-01-23 | 2014-09-23 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Through silicon vias for semiconductor devices and manufacturing method thereof |
US9978688B2 (en) | 2013-02-28 | 2018-05-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package having a waveguide antenna and manufacturing method thereof |
US9089268B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-07-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Neural sensing device and method for making the same |
US9173583B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-11-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Neural sensing device and method for making the same |
US8987734B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-03-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor wafer, semiconductor process and semiconductor package |
JP6235785B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2017-11-22 | 日本電子材料株式会社 | プローブカード用ガイド板およびプローブカード用ガイド板の製造方法 |
JP2015072996A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP5846185B2 (ja) | 2013-11-21 | 2016-01-20 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置 |
CN110265347A (zh) | 2019-06-06 | 2019-09-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种基板 |
EP3813101A1 (en) * | 2019-10-25 | 2021-04-28 | Ams Ag | Method of producing a semiconductor body with a trench, semiconductor body with at least one trench and semiconductor device |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4860022B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2012-01-25 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3949941B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2007-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
US6846746B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Method of smoothing a trench sidewall after a deep trench silicon etch process |
US6759340B2 (en) * | 2002-05-09 | 2004-07-06 | Padmapani C. Nallan | Method of etching a trench in a silicon-on-insulator (SOI) structure |
JP2004128063A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4330367B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2009-09-16 | 新光電気工業株式会社 | インターポーザー及びその製造方法ならびに電子装置 |
TWI229890B (en) | 2003-04-24 | 2005-03-21 | Sanyo Electric Co | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP3816484B2 (ja) | 2003-12-15 | 2006-08-30 | 日本航空電子工業株式会社 | ドライエッチング方法 |
JP4477435B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 偏向器作製方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4564342B2 (ja) | 2004-11-24 | 2010-10-20 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線基板およびその製造方法 |
JP4564343B2 (ja) | 2004-11-24 | 2010-10-20 | 大日本印刷株式会社 | 導電材充填スルーホール基板の製造方法 |
US7285823B2 (en) * | 2005-02-15 | 2007-10-23 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Superjunction semiconductor device structure |
JP2006351935A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体チップ実装基板及びそれを用いた半導体装置 |
US7425507B2 (en) | 2005-06-28 | 2008-09-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor substrates including vias of nonuniform cross section, methods of forming and associated structures |
JP4812512B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2011-11-09 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置の製造方法 |
JP5143382B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2013-02-13 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008053568A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008227177A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Nec Corp | インターポーザ、半導体モジュール、及びそれらの製造方法 |
JP2011009781A (ja) * | 2010-09-29 | 2011-01-13 | Fujikura Ltd | 貫通電極付き半導体デバイスの製造方法 |
-
2008
- 2008-10-03 JP JP2008258309A patent/JP5536322B2/ja active Active
- 2008-10-08 US US12/247,496 patent/US7795140B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-08 KR KR1020080098776A patent/KR20090036521A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-08 TW TW097138683A patent/TW200919606A/zh unknown
- 2008-10-08 EP EP08166150A patent/EP2048923A3/en not_active Withdrawn
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JP2012129312A5 (ja) | ||
JP2009066933A5 (ja) | ||
JP2007069341A5 (ja) |