JP2009277895A5 - - Google Patents
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- 第1面およびその反対側の第2面を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の第1面に形成された拡散層からなる素子部と、
前記シリコン基板の第1面に前記素子部を被覆して形成された窒化膜と、
前記窒化膜および前記シリコン基板を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記シリコン基板の前記貫通孔の内壁面および前記シリコン基板の第2面に形成された酸化膜と、
前記酸化膜が形成された貫通孔に形成された第1貫通電極と、
前記窒化膜に形成され、前記素子部と電気的に接続された第1コンタクト部と、
前記シリコン基板の第1面の前記窒化膜上に形成され、前記第1貫通電極と前記第1コンタクト部とを電気的に接続する第1配線と、
を備えていることを特徴とするシリコンインターポーザ。 - 前記シリコン基板の第2面の前記酸化膜上に形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続された第2配線と、
前記窒化膜に形成され、前記シリコン基板と電気的に接続された第2コンタクト部と、
前記シリコン基板の第1面の前記窒化膜上に形成され、前記第2コンタクト部と電気的に接続された第3配線と、
前記窒化膜および前記シリコン基板を厚さ方向に貫通し、前記酸化膜が形成された貫通孔に形成され、前記第3配線と電気的に接続された第2貫通電極と、
前記シリコン基板の第2面の前記酸化膜上に形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続された第4配線と、
を備えていることを特徴とする請求項1記載のシリコンインターポーザ。 - 前記シリコン基板の第1面に搭載される半導体素子と前記素子部が並列に配置されるように、前記シリコン基板の第1面に前記第1および第3配線が形成されていることを特徴とする請求項2記載のシリコンインターポーザ。
- (a)シリコン基板の第1面に、不純物をドープして拡散層からなる素子部を形成する工程と、
(b)前記シリコン基板の第1面に、前記素子部を被覆してパターニングされた窒化膜を形成する工程と、
(c)前記窒化膜をマスクとして用い、前記素子部を保護しつつ、パターニングで形成された開口穴の位置に前記シリコン基板を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
(d)前記シリコン基板の熱酸化により、前記貫通孔の内壁面および前記シリコン基板の前記第1面とは反対側の第2面に酸化膜を形成する工程と、
(e)前記(d)工程後に、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程と、
(f)前記シリコン基板の第1および第2面に、前記貫通電極と電気的に接続された配線を形成する工程と、
を含むことを特徴とするシリコンインターポーザの製造方法。 - (g)前記(e)工程と前記(f)工程の間に、前記素子部の一部および前記シリコン基板の一部のそれぞれを、前記窒化膜から露出する第1および第2コンタクトホールを形成する工程を含み、
前記(c)工程では、前記貫通孔として、第1および第2貫通孔を形成し、
前記(e)工程では、前記貫通電極として、前記第1および第2貫通孔のそれぞれに第1および第2貫通電極を形成し、
前記(f)工程では、前記配線として、
前記シリコン基板の第1面に、前記第1貫通電極と、前記第1コンタクトホールに形成された第1コンタクト部を介して前記素子部とに電気的に接続された第1配線を形成し、
前記シリコン基板の第2面に、前記第1コンタクト部、前記第1配線および前記第1貫通電極を介して、前記素子部と電気的に接続された第2配線を形成し、
前記シリコン基板の第1面に、前記第2貫通電極と、前記第2コンタクトホールに形成された第2コンタクト部を介して前記シリコン基板とに電気的に接続された第3配線を形成し、
前記シリコン基板の第2面に、前記第2コンタクト部、前記第3配線および前記第2貫通電極を介して、前記シリコン基板と電気的に接続された第4配線を形成することを特徴とする請求項4記載のシリコンインターポーザの製造方法。 - 前記(f)工程では、前記シリコン基板の第1および第2面に、めっきシード層を形成し、前記めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより、前記配線を形成することを特徴とする請求項5記載のシリコンインターポーザの製造方法。
- 前記(f)工程では、Tiシード層と、前記Tiシード層に積層されたCuシード層で前記めっきシード層を形成し、
前記Tiシード層を形成する工程では、前記第1および第2コンタクトホールのそれぞれで露出する前記素子部および前記シリコン基板に接触する前記Tiシード層にレーザ加熱することを特徴とする請求項6記載のシリコンインターポーザの製造方法。
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