JP2010087221A5 - - Google Patents

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  1. 金属板の第１の面に、半導体素子搭載部、半導体素子電極接続端子、および外枠部を有し、該金属板の第２の面には、該半導体素子電極接続端子と電気的に接続した外部接続端子、および外枠部を有しており、これらの間隙に樹脂層が形成されているリードフレーム型基板であって、
    前記樹脂層に埋設された前記外部接続端子の側面には、前記外部接続端子の側上部から側底部にかけて１箇所以上の突出部が設けてあること、
    を特徴とするリードフレーム型基板。
  2. 金属板の第１の面に、半導体素子搭載部、半導体素子電極接続端子、および外枠部を、又、該金属板の第２の面には、該半導体素子電極接続端子と接続される外部接続端子、及び外枠部を、それぞれ形成する為のフォトレジストパターンを形成し、特に該外部接続端子の形成の為の該フォトレジストパターンは一箇所以上の突起状のパターンを有するように形成し、
    前記第２の面の金属板が露出した金属板露出部に、貫通しない孔部をエッチングにより形成し、
    前記孔部に、前記外部接続端子から突出部の方向へ液状プリモールド樹脂を塗布したうえ、加熱硬化することにより樹脂層を形成し、
    その後、前記第１の面をエッチングすることにより、前記の半導体素子搭載部、前記外部接続端子と電気的に接続される前記半導体素子電極接続端子、及び外枠部を形成すること、
    以上の工程を経ることを特徴とするリードフレーム型基板の製造方法。
  3. 請求項１に記載のリードフレーム型基板に、半導体素子が搭載され、且つ、ワイヤーボンディングで該リードフレーム型基板と該半導体素子との電気的接続が成されていること、を特徴とする半導体装置。
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