JP2008277742A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 表面に電極を有する基板と、
   前記基板上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層上に設けられた配線層と、
   前記配線層と一体的に設けられ、前記絶縁層を貫通して前記電極と電気的に接続された突起部と、
   を備え、
   前記配線層は前記突起部が設けられた第１の領域とこれに連続して延在する第２の領域とを有し、前記第２の領域における前記配線層は前記第１の領域における前記配線層よりも前記基板側に凹んで形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
2. 前記突起部は複数設けられ、前記突起部間における前記絶縁層は凹形状の上面を有して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
3. 前記突起部が設けられた面と反対側の面の前記配線層上に、前記突起部と重畳しない位置に前記配線層と一体的な凸状のポスト部を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体モジュール。
4. 前記配線層の同一面に前記電極の位置とは異なる位置に対応して突出する他の突起部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
5. 前記他の突起部は前記突起部とは反対側の前記配線層の端部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
6. 前記他の突起部の高さは前記突起部の高さに比べて低いことを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュール。
7. 前記他の突起部は、前記基板と電気的に接続されていない状態で前記基板に支持されていることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体モジュール。
8. 表面に複数の電極を有する半導体基板を用意する第１の工程と、
   前記電極の位置に対応して突出して設けられた突起部が形成されるように、金属板に分離溝を設ける第２の工程と、
   前記金属板と前記半導体基板とを絶縁層を介して圧着し、前記突起部が前記絶縁層を貫通することにより、前記突起部と前記電極とを電気的に接続するとともに、前記突起部間に設けられた前記金属板を前記半導体基板側に凹形状に撓ませる第３の工程と、
   前記金属板をパターニングして所定のパターンからなる配線層を形成する第４の工程と、
   を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
9. 前記第２の工程では、前記突起部が設けられた面と反対側の面の前記配線層上に、前記突起部と重畳しない位置に前記金属板と一体的な凸状のポスト部をさらに形成することを特徴とする請求項８に記載の半導体モジュールの製造方法。
10. 前記第２の工程において、前記金属板の同一面に前記電極の位置とは異なる位置に対応して突出する他の突起部を設けることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体モジュールの製造方法。
11. 表面に複数の電極を有する半導体基板を用意する第１の工程と、
    前記電極の位置に対応して突出して設けられた突起部が形成されるように、金属板に分離溝を設ける第２の工程と、
    前記突起部が設けられた面と反対側の前記金属板の面に配線パターンをハーフエッチングする第３の工程と、
    前記金属板と前記半導体基板とを絶縁層を介して圧着し、前記突起部が前記絶縁層を貫通することにより、前記突起部と前記電極とを電気的に接続するとともに、前記突起部間に設けられた前記金属板を前記半導体基板側に凹形状に撓ませる第４の工程と、
    前記突起部が設けられた面と反対側の前記金属板の面をエッチバックして所定のパターンからなる配線層を形成する第５の工程と、
    を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。