JP2010251552A5 - - Google Patents

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本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に形成された配線層と、前記配線層と電気的に接続され、前記絶縁層の他方の面から突出する柱状の突出部と、を有し、前記突出部は上面及び下面を有し、前記上面及び下面方向の断面が矩形の柱状で、前記下面側が前記絶縁層に埋設され、前記上面側が前記絶縁層の他方の面から突出した接続端子であることを要件とする。

Claims (16)

  1. 支持体上に、前記支持体の表面を露出する柱状の貫通孔を有する第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
    前記柱状の貫通孔から露出する前記支持体の表面及び前記柱状の貫通孔の内壁面を覆うように第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
    前記第２金属層上に前記柱状の貫通孔を充填するように第３金属層を形成する第３金属層形成工程と、
    前記第３金属層を覆うように前記第１金属層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
    前記絶縁層の一方の面に、前記第３金属層と電気的に接続する配線層を形成する配線層形成工程と、
    前記支持体及び前記第１金属層を除去し、前記第２金属層及び前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部を形成する突出部形成工程（１）と、を有する配線基板の製造方法。
  2. 前記突出部は上面及び下面を有し、前記上面及び下面方向の断面が矩形の柱状で、前記下面側が前記絶縁層に埋設され、前記上面側が前記絶縁層の他方の面から突出した接続端子である請求項１記載の配線基板の製造方法。
  3. 前記突出部形成工程（１）に代えて、前記支持体及び前記第１金属層を除去した後、更に前記第２金属層を除去し、前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部を形成する突出部形成工程（２）を有する請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
  4. 前記第１金属層形成工程は、
    前記支持体上に前記柱状の貫通孔に対応する柱状のレジスト層を形成する第１工程と、
    前記支持体上の前記柱状のレジスト層が形成されていない領域に前記第１金属層を形成する第２工程と、
    前記柱状のレジスト層を除去する第３工程と、を有する請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  5. 前記支持体は導電体であり、前記第１金属層形成工程において、前記第１金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  6. 前記支持体は導電体であり、前記第２金属層形成工程において、前記第２金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  7. 前記支持体は導電体であり、前記第３金属層形成工程において、前記第３金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  8. 前記支持体及び前記第１金属層は同一のエッチング液により除去可能な材料により構成されている請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  9. 前記第２金属層は、前記支持体及び前記第１金属層を除去するエッチング液に耐性を有する材料により構成されている請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  10. 前記第２金属層は、異なる材料からなる複数の金属層が積層された構造を有する請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  11. 請求項１乃至１０の何れか一項記載の製造方法で製造された突出部を有する配線基板と、電極パッドを有する半導体チップと、を準備する準備工程と、
    前記突出部と前記電極パッドとを対向させるように、前記配線基板上に前記半導体チップを配置する配置工程と、
    前記突出部と前記電極パッドとを電気的に接続する接続工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
  12. 前記配線基板の前記突出部が形成されている面と前記半導体チップとの間に樹脂を充填する樹脂充填工程を更に有する請求項１１記載の半導体パッケージの製造方法。
  13. 絶縁層と、
    前記絶縁層の一方の面に形成された配線層と、
    前記配線層と電気的に接続され、前記絶縁層の他方の面から突出する柱状の突出部と、を有し、
    前記突出部は上面及び下面を有し、前記上面及び下面方向の断面が矩形の柱状で、前記下面側が前記絶縁層に埋設され、前記上面側が前記絶縁層の他方の面から突出した接続端子である配線基板。
  14. 前記柱状の突出部は、異なる材料からなる複数の金属層が積層された構造を有する請求項１３記載の配線基板。
  15. 請求項１３又は１４記載の配線基板と、電極パッドを有する半導体チップと、を有し、
    前記突出部と前記電極パッドとは電気的に接続されている半導体パッケージ。
  16. 前記突出部と前記電極パッドとは、前記突出部と前記電極パッドとの対向する面間に形成されたはんだを介して接続されている請求項１５記載の半導体パッケージ。
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