JP2010103129A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 上面に第１の電極ランドと接続端子とが設けられた配線基板と、
   回路形成面を前記配線基板に向けた状態で前記配線基板の上面上に搭載された半導体チップと、
   前記第１の電極ランドと前記半導体チップの回路形成面とを接続する第１の接続部材と、
   前記接続端子上であって、前記配線基板の上面のうち平面的に見て前記半導体チップの外側の領域上に設けられた第１の金属ポストと、
   少なくとも前記配線基板と前記半導体チップとの隙間に充填された封止樹脂と、
   一方の主面に第２の電極ランドが設けられた半導体装置と、
   前記第１の金属ポストと前記第２の電極ランドとを電気的に接続する第２の接続部材とを備えている積層型半導体装置。
2. 前記封止樹脂は、前記配線基板と前記半導体チップとの隙間から前記第１の金属ポスト間の領域に亘って設けられており、前記第１の金属ポストの側面は、封止樹脂より一部露出していることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
3. 前記第２の接続部材と前記第２の電極ランドとの間に設けられた第２の金属ポストをさらに備え、前記第２の金属ポストの側面は封止樹脂より露出していることを特徴とする請求項１または２に記載の積層型半導体装置。
4. 前記封止樹脂は、前記配線基板と前記半導体チップとの隙間から前記第１の金属ポスト間の領域に亘って設けられた第１の樹脂と、前記第１の樹脂上及び前記半導体チップの回路形成面と対向する面上に設けられ、前記第１の金属ポストの上面を露出させる第２の樹脂とを有していることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の積層型半導体装置。
5. 前記封止樹脂は、前記配線基板と前記半導体チップとの隙間に充填されるとともに前記第１の金属ポスト間の領域及び前記半導体チップを埋め込み、前記金属ポストの上面を露出させる均一な樹脂で構成されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の積層型半導体装置。
6. 前記半導体チップと前記第１の金属ポストとの距離は０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の積層型半導体装置。
7. 請求項１〜６のうちいずれか１つに記載の積層型半導体装置を備えた電子機器。