JP3874669B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品など外部の端子と接続される接続端子を有する配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子部品など外部の端子と接続される接続端子を有する配線基板が知られている。例えば、図１４に基板主面９０２側の要部の部分拡大断面図を示す配線基板９０１が挙げられる。この配線基板９０１は、ＩＣチップを搭載する基板主面９０２と、基板裏面（図示しない）とを有する略板形状である。配線基板９０１は、基板主面９０２側に樹脂絶縁層９０５を備える。そして、この樹脂絶縁層９０５上には、所定の位置に多数の開口９０９が形成されたソルダーレジスト層（樹脂絶縁層）９０７が積層されている。
【０００３】
各開口９０９には、ＩＣチップの端子と接続される接続端子９１９が形成されている。具体的には、これらの接続端子９１９は、開口９０９内に形成された金属層９１１と、この金属層９１１の表面上に溶着したハンダバンプ９１７とからなる。さらに、金属層９１１は、樹脂絶縁層９０５の表面上に形成されたＣｕメッキ層９１３と、このＣｕメッキ層９１３上に被着したＮｉメッキ層９１５とからなる。Ｃｕメッキ層９１３は、平面視略円形状の略板形状であり、その中央部が開口９０９内に位置し、周縁部がソルダーレジスト層９０７に覆われている。そして、Ｃｕメッキ層９１３の中央部上に、平面視略円形状のＮｉメッキ層９１５が被着している。Ｎｉメッキ層９１５上には、ハンダバンプ９１７が溶着し、開口９０９内から基板主面９０２を越えて突出している。
【０００４】
このような配線基板９０１は、次のように製造する。即ち、樹脂絶縁層９０５まで積層された基板を用意する。そして、樹脂絶縁層９０５の表面上に、公知のセミアディティブティブ法やサブトラクティブ法などにより、Ｃｕメッキ層９１３を形成する。次に、樹脂絶縁層９０５及びＣｕメッキ層９１３上に、フォトリソグラフィ法などにより、開口９０９を有するソルダーレジスト層９０７を形成する。次に、開口９０９内に露出したＣｕメッキ層９１３上に、Ｎｉメッキ層９１５を被着する。その後、このＮｉメッキ層９１５上に、酸化防止のため、ごく薄いＡｕメッキ層を形成する。次に、開口９０９に対応した所定パターンの印刷マスクを用いて、各開口９０９にハンダペーストを印刷し、その後、これをリフローしてハンダバンプ９１７を形成する。その際、Ａｕメッキは、ハンダ内に拡散するので、ハンダバンプ９１７は、Ｎｉメッキ層９１５の表面上に形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の配線基板９０１の高密度化に伴い、開口９０９の開口径が小さくなるにつれて、開口９０９内へのハンダペーストの印刷が難しいなどの理由から、所定形状で金属層９１１との接続信頼性が高いハンダバンプ９１７を形成することが困難となりつつある。また、十分な高さのハンダバンプ９１７を形成することが困難となりつつある。即ち、信頼性が高く十分な高さの接続端子９１９を形成することが難しくなってきている。
【０００６】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、電子部品などの外部の端子と接続される接続端子を有する配線基板について、信頼性が高く十分な高さの接続端子を有する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
なお、配線基板としては、基板主面を有する配線基板であって、上記基板主面をなし、この基板主面に開口する開口を有する絶縁層と、上記開口内から上記基板主面を越えて突出する金属層であって、上記開口内から上記基板主面を越えて突出するＣｕ層を有する金属層と、を備える配線基板とすると良い。
【０００８】
このような配線基板は、絶縁層の開口内から基板主面を越えて突出するＣｕ層を有する金属層を備える。従って、この金属層自体、あるいは、この金属層にハンダバンプを形成したものを、電子部品などの外部の端子に接続される接続端子とすることができる。このような接続端子は、従来のように開口内から基板主面を越えて突出するハンダバンプを要しないから、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。
【０００９】
このような配線基板は、上記の構成を満たすものであればいずれのものでもよく、例えば、コア基板の両面に複数の絶縁層と導体層が交互に形成されたものや、コア基板の片面に複数の絶縁層や導体層が交互に形成されたもの、コア基板なしで複数の絶縁層や導体層が交互に形成されたものなどが挙げられる。なお、絶縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即ち、絶縁体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセラミック、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガラス−エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材料などの複合材料などであってもよい。
【００１０】
さらに、上記の配線基板であって、上記金属層は、上記基板主面から５μｍ以上突出している配線基板とすると良い。
【００１１】
この配線基板では、金属層が基板主面から５μｍ以上突出しているので、この金属層自体あるいはこの金属層にハンダバンプを形成した接続端子を、十分な高さとすることができる。
【００１２】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記金属層は、前記Ｃｕ層と、このＣｕ層の表面上に被着したＮｉ層と、このＮｉ層の表面上に被着し、上記金属層の表面をなすＡｕ層と、を有する配線基板とすると良い。
【００１３】
この配線基板では、金属層は、Ｃｕ層上にＮｉ層が形成され、さらにＡｕ層が形成されている。このような金属層は、表面にＡｕ層があることにより、酸化が防止される。また、Ｃｕ層上にＮｉ層があることにより、この金属層にハンダを溶着したときに、Ｃｕがハンダに食われるのを防止することができる。
【００１４】
あるいは、前記のいずれかに記載の配線基板であって、前記金属層は、前記Ｃｕ層と、このＣｕ層の表面上に被着し、上記金属層の表面をなすＮｉ層と、を有し、上記金属層の表面上に溶着したハンダバンプを備える配線基板とすると良い。
【００１５】
この配線基板では、金属層は、Ｃｕ層上にＮｉ層が形成されている。そして、このＮｉ層上にはハンダバンプが溶着している。このようにＣｕ層とハンダバンプとの間にＮｉ層が介在することにより、Ｃｕがハンダに食われるのを防止することができる。
【００１６】
そして解決手段は、基板主面をなし、この基板主面に開口する開口が形成された絶縁層と、上記開口内から上記基板主面を越えて突出するメッキ層と、を備える配線基板の製造方法であって、金属板の表面上に、上記メッキ層に対応した位置に孔を有する所定パターンのエッチングレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記孔内に露出した上記金属板の表面をエッチングし、この表面に凹部を形成するエッチング工程と、メッキを施し、上記凹部内から上記金属板の表面を越えて突出する上記メッキ層を形成するメッキ工程と、上記エッチングレジスト層を除去するレジスト層除去工程と、上記金属板及び上記メッキ層上に、上記開口を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記金属板の少なくとも一部を除去し、上記メッキ層を露出させる金属板除去工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００１７】
本発明によれば、金属板上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、エッチングレジスト層の孔内に露出した金属板の表面をエッチングして凹部を形成する。その後、メッキにより、凹部内から金属板の表面を越えて突出するメッキ層を形成し、エッチングレジスト層を除去する。次に、金属板及びメッキ層上に、絶縁層を形成する。そして、金属板の少なくとも一部を除去し、メッキ層を露出させる。なお、必要に応じて、絶縁層を形成した後に、この絶縁層にビア導体や導体層を形成したり、さらに別の絶縁層を積層するなどしてもよい。
【００１８】
このような方法によれば、絶縁層の開口内から基板主面を越えて突出するメッキ層を有する配線基板を、容易に製造することができる。このメッキ層は、前述したように、それ自体あるいはメッキ層にハンダバンプを形成したものを、外部の端子に接続される接続端子とすることができる。従って、従来とは異なり、信頼性が高く十分な高さの接続端子を形成することができる。
【００１９】
また、他の解決手段は、基板主面をなし、この基板主面に開口する開口が形成された絶縁層と、上記開口内から上記基板主面を越えて突出するメッキ層と、を備える配線基板の製造方法であって、金属板の表面上に、上記開口を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記開口内に露出した上記金属板の表面をエッチングし、この表面に凹部を形成するエッチング工程と、メッキを施し、上記凹部内から上記金属板の表面を越えて突出する上記メッキ層を形成するメッキ工程と、上記金属板の少なくとも一部を除去し、上記メッキ層を露出させる金属板除去工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００２０】
本発明によれば、金属板上に開口を有する絶縁層を形成し、開口内に露出した金属板の表面をエッチングして凹部を形成する。その後、メッキにより、凹部内から金属板の表面を越えて突出するメッキ層を形成する。そして、金属板の少なくとも一部を除去し、メッキ層を露出させる。なお、必要に応じて、メッキ層を形成した後に、絶縁層にビア導体や導体層を形成したり、さらに別の絶縁層を積層するなどしてもよい。
【００２１】
このような方法によっても、絶縁層の開口内から基板主面を越えて突出するメッキ層を有する配線基板を、容易に製造することができる。このメッキ層は、前述したように、それ自体あるいはメッキ層にハンダバンプを形成したものを、外部の端子に接続される接続端子とすることができる。従って、従来とは異なり、信頼性が高く十分な高さの接続端子を形成することができる。
【００２２】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記金属板は、Ｃｕ以外の金属からなる第１金属層と、この第１金属層上に積層され、上記金属板の表面をなし、ＣｕからなるＣｕ金属層と、を有し、前記エッチング工程は、露出した上記金属板の表面をなす上記Ｃｕ金属層をエッチング除去し、上記第１金属層の表面を底面とする前記凹部を形成する配線基板の製造方法とすると良い。
【００２３】
金属層の表面に凹部を形成する際、エッチング条件を厳密に調整しないと、凹部の深さにバラツキを生じることがある。
これに対し、本発明で用いる金属板は、Ｃｕ以外の金属からなる第１金属層と、その上に積層され、金属板の表面をなすＣｕ金属層とを有する。そして、エッチング工程で、露出したＣｕ金属層をエッチング除去し、金属板の表面に第１金属層の表面を底面とする凹部を形成する。その際、Ｃｕ金属層をエッチングするが第１金属層はエッチングしないエッチング液を用いれば、エッチング条件を厳密に調整しなくても、Ｃｕ金属層だけを容易に除去することができる。従って、第１金属層の表面を底面とする所定の深さの凹部を容易に形成することができる。またその結果、所定の高さの金属層を形成することができる。
【００２４】
さらに、前記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記メッキ工程は、Ａｕメッキを施し、前記凹部の内周面上にＡｕメッキ層を形成するＡｕメッキ工程と、Ｎｉメッキを施し、上記Ａｕメッキ層の表面上にＮｉメッキ層を形成するＮｉメッキ工程と、Ｃｕメッキを施し、上記Ｎｉメッキ層の表面上にＣｕメッキ層を形成するＣｕメッキ工程と、を有する配線基板の製造方法とすると良い。
【００２５】
本発明によれば、メッキ工程として、順に、Ａｕメッキ工程、Ｎｉメッキ工程、Ｃｕメッキ工程を有する。このようにメッキを行えば、形成されるメッキ層は、その表面がＡｕメッキ層となり、その下にＮｉメッキ層が配置され、その下にＣｕメッキ層が配置される。このため、Ａｕメッキ層によりメッキ層の酸化が防止される他、Ｎｉメッキ層により、メッキ層にハンダを溶着したときに、Ｃｕメッキがハンダに食われるのを防止することができる。
【００２６】
さらに、前記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記金属板は、少なくとも前記表面がＣｕからなり、前記メッキ工程は、Ｎｉメッキを施し、前記凹部の内周面上に第１Ｎｉメッキ層を形成する第１Ｎｉメッキ工程と、Ａｕメッキを施し、上記第１Ｎｉメッキ層の表面上にＡｕメッキ層を形成するＡｕメッキ工程と、Ｎｉメッキを施し、上記Ａｕメッキ層の表面上に第２Ｎｉメッキ層を形成する第２Ｎｉメッキ工程と、Ｃｕメッキを施し、上記第２Ｎｉメッキ層の表面上にＣｕメッキ層を形成するＣｕメッキ工程と、を有し、前記金属板除去工程の後に、上記第１Ｎｉメッキ層を除去する第１Ｎｉ層除去工程を備える配線基板の製造方法とすると良い。
【００２７】
本発明によれば、金属板の少なくとも表面はＣｕからなり、メッキ工程として、順に、第１Ｎｉメッキ工程、Ａｕメッキ工程、第２Ｎｉメッキ工程、Ｃｕメッキ工程を有する。このようにＡｕメッキより前にＮｉメッキを行えば、Ａｕメッキが金属板中のＣｕに拡散するのを防止することができる。
他方、金属板除去工程の後に、第１Ｎｉメッキ層を除去するので、形成されるメッキ層は、その表面がＡｕメッキ層となり、その下にＮｉメッキ層（第２Ｎｉメッキ層）が配置され、その下にＣｕメッキ層が配置される。このため、メッキ層の酸化が防止される他、メッキ層にハンダを溶着したときに、Ｃｕメッキがハンダに食われるのを防止することができる。
【００２８】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記Ｃｕメッキ工程は、前記Ｎｉメッキ層または前記第２Ｎｉメッキ層によって形成された穴部を、前記Ｃｕメッキ層で充填する配線基板の製造方法とすると良い。
【００２９】
本発明によれば、Ｃｕメッキ工程は、Ｎｉメッキ層または第２Ｎｉメッキ層によって形成された穴部を、Ｃｕメッキ層で充填する。従って、メッキ層の設計の自由度を高くすることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の第１の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態１の配線基板１０１の断面図を図１に示す。この配線基板１０１は、ＩＣチップ等の電子部品が搭載される基板主面１０２と、マザーボードに搭載される基板裏面１０３とを有する略矩形の略板形状である。配線基板１０１は、エポキシ樹脂等からなる３層の樹脂絶縁層（基板主面１０２側から第１絶縁層１１１、第２絶縁層１１２、第３絶縁層１１３）が積層されている。第１絶縁層１１１の厚さは約５０μｍ、第２絶縁層１１２の厚さは約４０μｍ、第３絶縁層１１３の厚さは約３０μｍである。
【００３１】
第１絶縁層１１１には、基板主面１０２に開口する主面側開口１２１が、基板主面の略中央のＩＣ搭載領域に略格子状に多数形成されている。これらの主面側開口１２１には、ＩＣチップの各端子と接続される接続端子１３０がそれぞれ形成されている。具体的には、接続端子１３０は、主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出する金属層（メッキ層）１２５と、この金属層１２５の表面上に溶着したハンダバンプ１２９とからなる。金属層１２５は、主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出する厚さ（高さ）約３０μｍのＣｕ層（Ｃｕメッキ層）１２６と、このＣｕ層１２６の表面上に被着した厚さ約５μｍのＮｉ層（Ｎｉメッキ層）１２７とからなる。金属層１２５のうち、基板主面１０２から突出する部分の高さは約１５μｍである。
【００３２】
さらに、第１絶縁層１１１には、各主面側開口１２１に繋がる第１ビア孔１３１が形成され、その内部には、Ｃｕからなる第１フィルドビア１３３がそれぞれ形成されている。
また、第２絶縁層１１２には、これを貫通する第２ビア孔１３５が所定の位置に多数形成され、その内部には、Ｃｕからなる第２フィルドビア１３７がそれぞれ形成されている。
また、第３絶縁層１１３には、これを貫通する裏面側開口１３９が所定の位置に多数形成されている。
【００３３】
第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２との層間には、配線やパッドを有し、第１絶縁層１１１の第１フィルドビア１３３及び第２絶縁層１１２の第２フィルドビア１３７と接続する所定パターンの第１導体層１４１が形成されている。
また、第２絶縁層１１２と第３絶縁層１１３との層間にも、配線やパッドを有し、第２絶縁層１１２の第２フィルドビア１３７と接続する所定パターンの第２導体層１４３が形成されている。この第２導体層１４３のうち、一部のパッド１４３Ｐは、第３絶縁層１１３の裏面側開口１３９内に配置されている。これらのパッド１４３Ｐは、マザーボードの各端子と接続される。
【００３４】
以上で説明したように、本実施形態１の配線基板１０１は、第１絶縁層１１１の主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出するＣｕ層１２６を有する金属層１２５を備える。そして、金属層１２５上にはハンダバンプ１２９が形成され、接続端子１３０を構成している。このような接続端子１３０は、従来のように開口内から基板主面を越えて突出するハンダバンプを要しないから、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。特に、本実施形態１では、金属層１２５が基板主面１０２から５μｍ以上（約１５μｍ）突出しているので、この金属層１２５にハンダバンプ１２９を形成した接続端子１３０を、十分な高さ（約３０μｍ）とすることができる。
また、本実施形態１では、金属層１２５は、Ｃｕ層１２６上にＮｉ層１２７を有する。そして、このＮｉ層１２７上にハンダバンプ１２９が溶着している。このようにＣｕ層１２６とハンダバンプ１２９との間にＮｉ層１２７が介在することにより、Ｃｕがハンダに食われるのを防止することができる。
【００３５】
次いで、この配線基板１０１の製造方法について説明する。
まず、ＳＵＳからなる厚さ約５００μｍのキャリアメタル（金属板）ＫＢを用意する（図２参照）。
そして、レジスト層形成工程において、図２に示すように、このキャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１上に、公知のフォトリソグラフィ法により、配線基板１０１の金属層（メッキ層）１２５に対応した位置に孔を有する所定パターンのエッチングレジスト層ＥＲ１を形成する。また、キャリアメタルＫＢの裏面ＫＢ２上には、ベタ状のエッチングレジスト層ＥＲ２を形成する。
【００３６】
次に、エッチング工程において、ＳＵＳを溶解するエッチング液を噴射し、図３に示すように、エッチングレジスト層ＫＢ１の孔内に露出したキャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１をエッチングする。そして、キャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１に、平面視略円形状で深さが約２０μｍの凹部ＫＢ３を形成する。
【００３７】
次に、メッキ工程において、図４に示すように、キャリアメタルＫＢの凹部ＫＢ３内からその表面ＫＢ１を越えて突出する金属層（メッキ層）１２５′を形成する。
具体的には、まず、Ａｕメッキ工程において、電解Ａｕメッキを施し、凹部ＫＢ３の内周面上に厚さ約０．５μｍのＡｕメッキ層１２８を形成する。その後、Ｎｉメッキ工程において、電解Ｎｉメッキを施し、Ａｕメッキ層１２８の表面上に厚さ約５μｍのＮｉメッキ層１２７を形成する。さらに、Ｃｕメッキ工程において、電解Ｃｕメッキを施し、Ｎｉメッキ層１２７の表面上に、厚さ（高さ）約３０μｍのＣｕメッキ層１２６を形成して、Ｎｉメッキ層１２７により形成された穴部をＣｕメッキ層１２６で充填する。この工程では、Ｎｉメッキ層１２７による穴部を容易に埋めるために、フィルドビア形成用のＣｕ電解メッキ液を使用するのが好ましい。
このような３つのメッキ工程を経て、Ａｕメッキ層１２８とＮｉメッキ層１２７とＣｕメッキ層１２６とからなる金属層１２５′を形成する。
【００３８】
次に、レジスト層除去工程において、図５に示すように、キャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１上と裏面ＫＢ２上のエッチングレジスト層ＥＲ１，ＥＲ２をそれぞれ除去する。
【００３９】
次に、第１絶縁層形成工程において、キャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１上及び金属層１２５′上に、公知のフォトリソグラフィ法により、金属層１２５′の位置に主面側開口１２１と第１ビア孔１３１を有する第１絶縁層１１１を形成する（図６参照）。なお、主面側開口１２１は、半硬化の第１絶縁層１１１を形成したときに形成され、第１ビア孔１３１は、露光・現像により形成する。
【００４０】
次に、第１ビア導体・第１導体層形成工程において、公知のセミアディティブ法により、第１絶縁層１１１の第１ビア孔１３１内にＣｕからなる第１フィルドビア１３３を形成すると共に、第１絶縁層１１１の表面上に所定パターンの第１導体層１４１を形成する（図６参照）。その際、第１ビア孔１３１は、金属層１２５′が内部に配置された主面側開口１２１と繋がり、第１ビア孔１３１の底面には、金属層１２５′（Ｃｕメッキ層１２６）が露出しているので、第１フィルドビア１３３は、金属層１２５′（Ｃｕメッキ層１２６）に接続する。
なお、導体層は、公知のサブトラクティブ法やフルアディティブ法などにより形成してもよい。
【００４１】
次に、第２絶縁層形成工程において、第１絶縁層１１１上及び第１導体層１４１上に、公知のフォトリソグラフィ法により、所定の位置に第２ビア孔１３５を有する第２絶縁層１１２を形成する（図６参照）。
また、第２ビア導体・第２導体層形成工程において、公知のセミアディティブ法により、第２絶縁層１１２の第２ビア孔１３５内にＣｕからなる第２フィルドビア１３７を形成すると共に、第２絶縁層１１２の表面上に所定パターンの第２導体層１４３を形成する（図６参照）。
【００４２】
次に、第３絶縁層形成工程において、図６に示すように、第２絶縁層１１２上及び第２導体層１４３上に、公知のフォトリソグラフィ法により、所定の位置に裏面側開口１３９を有する第３絶縁層１１３を形成する。
このようにして、配線基板１０１の本体ができる。
【００４３】
次に、金属板除去工程において、図７に示すように、エッチングにより、キャリアメタルＫＢ全体を除去し、金属層１２５′と基板主面１０２全体を露出させる。
なお、この工程では、図中に破線で示すように、キャリアメタルＫＢのうち、中央のＩＣチップ搭載領域上の部分だけを除去して、金属層１２５′を露出させてもよい。このようにするには、所定パターンのエッチングレジスト層をキャリアメタルＫＢの裏面ＫＢ２上に形成して、エッチングを行えばよい。このようにすれば、枠状になったキャリアメタルＫＢが基板主面１０２上に残るので、キャリアメタルＫＢが配線基板１０１の補強板となる。
【００４４】
次に、ハンダバンプ形成工程において、各々の金属層１２５上にハンダバンプ１２９をそれぞれ形成する（図１参照）。
具体的には、金属層１２５′の位置に対応した所定パターンの印刷マスクを用いて、各々の金属層１２５′上にハンダペーストを印刷する。その際、金属層１２５′は、基板主面１０２よりも突出しているため、ハンダペーストの印刷量を従来よりも少なくすることができる。従って、印刷マスクを薄くできるので、印刷マスクの孔にハンダペーストを確実に充填することができ、また、印刷後印刷マスクを剥離したときに、孔内のハンダペーストを確実に配線基板１０１に移すことができる。また、金属層１２５′が突出しているので、金属層１２５′の表面にハンダペーストを確実に接触させることができる。
印刷後は、ハンダペーストをリフローし、ハンダバンプ１２９を形成する。その際、Ａｕメッキはハンダ内に拡散するので、ハンダバンプ１２９は、Ｎｉメッキ層１２７上（金属層１２５上）に形成される。なお、印刷時にハンダペーストが良好に印刷されているので、所定形状のハンダバンプ１２９を、金属層１２５の表面上に確実に溶着することができる。また、ハンダバンプ１２９内にボイドも生じにくい。
【００４５】
このようにして、配線基板１０１が完成する。なお、本実施形態１では、金属層１２５にハンダバンプ１２９を形成し、これを接続端子１３０としているが、ハンダバンプ１２９のない金属層１２５′を接続端子とすることもできる（図７）。このような配線基板では、金属層１２５′の表面にＡｕ層１２８があるので、金属層１２５′の酸化が防止される。
【００４６】
以上で説明したように、本実施形態１の製造方法によれば、第１絶縁層１１１の主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出する金属層１２５を有する配線基板１０１を、容易に製造することができる。また、この金属層１２５にハンダバンプ１２９が溶着した接続端子１３０を、前述したように、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。
【００４７】
また、本実施形態１では、メッキ工程として、順に、Ａｕメッキ工程、Ｎｉメッキ工程、Ｃｕメッキ工程を有する。このようにメッキを行えば、形成される金属層１２５′は、その表面がＡｕメッキ層１２８となり、その下にＮｉメッキ層１２７が配置され、その下にＣｕメッキ層１２６が配置される。このため、Ａｕメッキ層１２８により金属層１２５′の酸化が防止される他、Ｎｉメッキ層１２７により、ハンダ（ハンダバンプ１２９）を溶着したときに、Ｃｕメッキがハンダに食われるのを防止することができる。
さらに、Ｃｕメッキ工程では、Ｎｉメッキ層１２７によって形成された穴部を、Ｃｕメッキ層１２６で充填する。従って、金属層１２５′あるいは金属層１２５の設計の自由度を高くすることができる。
【００４８】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について、図を参照しつつ説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２の配線基板２０１の断面図を図８に示す。この配線基板２０１は、ＩＣチップが搭載される基板主面２０２と、マザーボードに搭載される基板裏面２０３とを有する。配線基板２０１は、４層の樹脂絶縁層（基板主面２０２側から第１絶縁層２１１、第２絶縁層２１２、第３絶縁層２１３、第４絶縁層２１４）が積層されている。第１絶縁層２１１の厚さは約２５μｍ、第２絶縁層２１２の厚さは約２５μｍ、第３絶縁層２１３の厚さは約４０μｍ、第４絶縁層２１４の厚さは約３０μｍである。
【００４９】
第１絶縁層２１１には、上記実施形態１と同様に、基板主面２０２に開口する主面側開口２２１が多数形成され、これらの主面側開口２２１には、ＩＣチップの各端子と接続される接続端子２３０がそれぞれ形成されている。これらの接続端子も、上記実施形態１と同様に、主面側開口２２１内から基板主面２０２を越えて突出する金属層（メッキ層）２２５と、これに溶着したハンダバンプ２２９とからなる。そして、金属層２２５は、主面側開口２２１内から基板主面２０２を越えて突出するＣｕ層（Ｃｕメッキ層）２２６と、これに被着したＮｉ層（第２Ｎｉメッキ層）２２７とからなる。
【００５０】
また、第２絶縁層２１２には、これを貫通し各主面側開口２２１に繋がる第１ビア孔２３１が形成され、第１フィルドビア２３３が内部に形成されている。また、第３絶縁層２１３には、第２ビア孔２３５が多数形成され、内部に第２フィルドビア２３７が形成されている。また、第４絶縁層２１４には、裏面側開口２３９が多数形成されている。
第２絶縁層２１２と第３絶縁層２１３との層間には、所定パターンの第１導体層２４１が形成され、また、第３絶縁層２１３と第４絶縁層２１４との層間にも、裏面側開口２３９内に配置されるパッド２４３Ｐ等を有する所定パターンの第２導体層２４３が形成されている。
【００５１】
このように、本実施形態２の配線基板２０１も、第１絶縁層２１１の主面側開口２２１内から基板主面２０２を越えて突出するＣｕ層２２６を有する金属層２２５を備える。そして、金属層２２５上にはハンダバンプ２２９が形成され、接続端子２３０を構成している。このような接続端子２３０は、従来のように開口内から基板主面を越えて突出するハンダバンプを要しないから、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。なお、その他上記実施形態１と同様な部分については、同様な効果を奏する。
【００５２】
次いで、この配線基板２０１の製造方法について説明する。
まず、キャリアメタル（金属板）ＫＣを用意する（図９参照）。本実施形態２のキャリアメタルＫＣは、ＳＵＳからなり厚さ約５００μｍの第１金属層ＫＣ５と、この第１金属層ＫＣ５上に積層され、キャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１をなし、ＣｕからなるＣｕ金属層ＫＣ６とからなる。
次に、絶縁層形成工程において、図９に示すように、このキャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１上に、公知のフォトリソグラフィ法により、主面側開口２２１を有する第１絶縁層２１１を形成する。
【００５３】
次に、エッチング工程において、Ｃｕを溶解しＳＵＳを溶解しないエッチング液を噴射し、図１０に示すように、第１絶縁層２１１の主面側開口２２１内に露出したキャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１をエッチングする。そして、キャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１に、平面視略円形状で深さが約２０μｍの凹部ＫＣ３を形成する。
【００５４】
次に、メッキ工程において、図１１に示すように、キャリアメタルＫＣの凹部ＫＣ３内からその表面ＫＣ１を越えて突出する金属層（メッキ層）２２５′′を形成する。具体的には、まず、第１Ｎｉメッキ工程において、電解Ｎｉメッキを施し、凹部ＫＣ３の内周面上に厚さ約２μｍの第１Ｎｉメッキ層２２４を形成する。その後、Ａｕメッキ工程において、電解Ａｕメッキを施し、第１Ｎｉメッキ層２２４の表面上に厚さ約０．５μｍのＡｕメッキ層２２８を形成する。その後、第２Ｎｉメッキ工程において、電解Ｎｉメッキを施し、Ａｕメッキ層２２８の表面上に厚さ約５μｍの第２Ｎｉメッキ層２２７を形成する。さらに、Ｃｕメッキ工程において、電解Ｃｕメッキを施し、第２Ｎｉメッキ層２２７の表面上に、厚さ（高さ）約３０μｍのＣｕメッキ層２２６を形成して、第２Ｎｉメッキ層２２７により形成された穴部をＣｕメッキ層２２６で充填する。
このような４つのメッキ工程を経て、第１Ｎｉメッキ層２２４とＡｕメッキ層２２８と第２Ｎｉメッキ層２２７とＣｕメッキ層２２６とからなる金属層２２５′′を形成する。
【００５５】
次に、第２絶縁層形成工程において、第１絶縁層２１１上及び金属層２２５′′上に、主面側開口２２１と繋がる第１ビア孔２３１を有する第２絶縁層２１２を形成する（図１２参照）。
また、第１ビア導体・第１導体層形成工程において、第２絶縁層２１２の第１ビア孔２３１内に第１フィルドビア２３３を形成すると共に、第２絶縁層２１２の表面上に所定パターンの第１導体層２４１を形成する（図１２参照）。
【００５６】
次に、第３絶縁層形成工程において、第２絶縁層２１２上及び第１導体層２４１上に、第２ビア孔２３５を有する第３絶縁層２１３を形成する（図１２参照）。
また、第２ビア導体・第２導体層形成工程において、第３絶縁層２１３の第２ビア孔２３５内に第２フィルドビア２３７を形成すると共に、第３絶縁層２１３の表面上に所定パターンの第２導体層２４３を形成する（図１２参照）。
その後、第４絶縁層形成工程において、図１２に示すように、第３絶縁層２１３上及び第２導体層２４３上に、裏面側開口２３９を有する第３絶縁層２１４を形成し、配線基板の本体と製造する。
【００５７】
次に、金属板除去工程において、図１３に示すように、エッチングにより、キャリアメタルＫＣ全体を除去し、金属層２２５′′と基板主面２０２全体を露出させる。
その後、第１Ｎｉ層除去工程において、金属層２２５′′の表面の第１Ｎｉメッキ層２２４をエッチングにより除去し、Ａｕメッキ層２２８が表面をなす金属層２２５′とする。
次に、ハンダバンプ形成工程において、上記実施形態１と同様にして、各々の金属層１２５上（第２Ｎｉメッキ層２２７上）にハンダバンプ１２９をそれぞれ形成する（図８参照）。
このようにして、配線基板２０１が完成する。
【００５８】
以上で説明したように、本実施形態２の製造方法によれば、第１絶縁層２１１の主面側開口２２１内から基板主面２０２を越えて突出する金属層２２５を有する配線基板２０１を、容易に製造することができる。また、この金属層２２５にハンダバンプ１２９が溶着した接続端子１３０は、前述したように、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。
【００５９】
また、本実施形態２では、キャリアメタルＫＣの表面はＣｕ金属層ＫＣ６からなり、メッキ工程として、順に、第１Ｎｉメッキ工程、Ａｕメッキ工程、第２Ｎｉメッキ工程、Ｃｕメッキ工程を有する。このようにＡｕメッキより前にＮｉメッキを行えば、ＡｕメッキがキャリアメタルＫＣのＣｕ金属層ＫＣ６に拡散するのを防止することができる。
他方、金属板除去工程の後に、第１Ｎｉメッキ層２２４を除去するので、形成される金属層２２５′は、その表面がＡｕメッキ層２２８となり、その下にＮｉメッキ層（第２Ｎｉメッキ層）２２７が配置され、その下にＣｕメッキ層２２６が配置される。このため、金属層２２５′の酸化が防止される他、ハンダ（ハンダバンプ２２９）を溶着したときに、Ｃｕメッキがハンダに食われるのを防止することができる。
【００６０】
また、本実施形態２では、キャリアメタルＫＣは、ＳＵＳからなる第１金属層ＫＣ５と、その上に積層され、キャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１をなすＣｕ金属層ＫＣ６とからなる。そして、エッチング工程で、露出したＣｕ金属層ＫＣ６をエッチング除去し、キャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１に第１金属層ＫＣ５の表面を底面とする凹部ＫＣ３を形成する。その際、Ｃｕ金属層ＫＣ６をエッチングするが第１金属層ＫＣ５はエッチングしないエッチング液を用いているので、エッチング条件を厳密に調整しなくても、Ｃｕ金属層ＫＣ６だけを容易に除去することができる。従って、第１金属層ＫＣ５の表面を底面とする所定の深さの凹部ＫＣ３を容易に形成することができる。
その他、上記実施形態１と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００６１】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、ＩＣチップの端子と接続される接続端子１３０，２３０が形成された配線基板１０１，２０１とその製造方法について述べたが、例えば、チップコンデンサなど他の電子部品の端子と接続される接続端子が形成された配線基板とその製造方法についても、本発明を適用することもできる。また、マザーボードなど他の基板の端子と接続される接続端子が形成された配線基板とその製造方法についても同様である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態１に係る配線基板の断面図である。
【図２】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、キャリアメタルにエッチングレジスト層を形成した様子を示す説明図である。
【図３】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、エッチングにより凹部を形成した様子を示す説明図である。
【図４】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、金属層（メッキ層）を形成した様子を示す説明図である。
【図５】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、エッチングレジスト層を除去した様子を示す説明図である。
【図６】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、配線基板の本体を形成した様子を示す説明図である。
【図７】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、キャリアメタルを除去した様子を示す説明図である。
【図８】 実施形態２に係る配線基板の断面図である。
【図９】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、キャリアメタルに第１絶縁層を形成した様子を示す説明図である。
【図１０】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、エッチングにより凹部を形成した様子を示す説明図である。
【図１１】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、金属層（メッキ層）を形成した様子を示す説明図である。
【図１２】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、配線基板の本体を形成した様子を示す説明図である。
【図１３】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、キャリアメタルを除去した様子を示す説明図である。
【図１４】 従来技術に係る配線基板の要部の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１０１，２０１ 配線基板
１０２，２０２ 基板主面
１１１，２１１ 第１絶縁層
１２１，２２１ 主面側開口
１２５，２２５ 金属層（メッキ層）
１２５′，２２５′ 金属層（メッキ層）
１２６，２２６ Ｃｕ層（Ｃｕメッキ層）
１２７ Ｎｉ層（Ｎｉメッキ層）
１２８，２２８ Ａｕ層（Ａｕメッキ層）
１２９，２２９ ハンダバンプ
１３０，２３０ 接続端子
２２４ 第１Ｎｉメッキ層
２２５′′ 金属層（メッキ層）
２２７ Ｎｉ層（第２Ｎｉメッキ層）
ＫＢ，ＫＣ 金属板
ＫＢ１，ＫＣ１ （金属板の）表面
ＫＢ３，ＫＣ３ 凹部
ＥＲ１ エッチングレジスト層
ＫＣ５ 第１金属層
ＫＣ６ Ｃｕ金属層
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品など外部の端子と接続される接続端子を有する配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子部品など外部の端子と接続される接続端子を有する配線基板が知られている。例えば、図１４に基板主面９０２側の要部の部分拡大断面図を示す配線基板９０１が挙げられる。この配線基板９０１は、ＩＣチップを搭載する基板主面９０２と、基板裏面（図示しない）とを有する略板形状である。配線基板９０１は、基板主面９０２側に樹脂絶縁層９０５を備える。そして、この樹脂絶縁層９０５上には、所定の位置に多数の開口９０９が形成されたソルダーレジスト層（樹脂絶縁層）９０７が積層されている。
【０００３】
各開口９０９には、ＩＣチップの端子と接続される接続端子９１９が形成されている。具体的には、これらの接続端子９１９は、開口９０９内に形成された金属層９１１と、この金属層９１１の表面上に溶着したハンダバンプ９１７とからなる。さらに、金属層９１１は、樹脂絶縁層９０５の表面上に形成されたＣｕメッキ層９１３と、このＣｕメッキ層９１３上に被着したＮｉメッキ層９１５とからなる。Ｃｕメッキ層９１３は、平面視略円形状の略板形状であり、その中央部が開口９０９内に位置し、周縁部がソルダーレジスト層９０７に覆われている。そして、Ｃｕメッキ層９１３の中央部上に、平面視略円形状のＮｉメッキ層９１５が被着している。Ｎｉメッキ層９１５上には、ハンダバンプ９１７が溶着し、開口９０９内から基板主面９０２を越えて突出している。
【０００４】
このような配線基板９０１は、次のように製造する。即ち、樹脂絶縁層９０５まで積層された基板を用意する。そして、樹脂絶縁層９０５の表面上に、公知のセミアディティブティブ法やサブトラクティブ法などにより、Ｃｕメッキ層９１３を形成する。次に、樹脂絶縁層９０５及びＣｕメッキ層９１３上に、フォトリソグラフィ法などにより、開口９０９を有するソルダーレジスト層９０７を形成する。次に、開口９０９内に露出したＣｕメッキ層９１３上に、Ｎｉメッキ層９１５を被着する。その後、このＮｉメッキ層９１５上に、酸化防止のため、ごく薄いＡｕメッキ層を形成する。次に、開口９０９に対応した所定パターンの印刷マスクを用いて、各開口９０９にハンダペーストを印刷し、その後、これをリフローしてハンダバンプ９１７を形成する。その際、Ａｕメッキは、ハンダ内に拡散するので、ハンダバンプ９１７は、Ｎｉメッキ層９１５の表面上に形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の配線基板９０１の高密度化に伴い、開口９０９の開口径が小さくなるにつれて、開口９０９内へのハンダペーストの印刷が難しいなどの理由から、所定形状で金属層９１１との接続信頼性が高いハンダバンプ９１７を形成することが困難となりつつある。また、十分な高さのハンダバンプ９１７を形成することが困難となりつつある。即ち、信頼性が高く十分な高さの接続端子９１９を形成することが難しくなってきている。
【０００６】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、電子部品などの外部の端子と接続される接続端子を有する配線基板について、信頼性が高く十分な高さの接続端子を有する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
なお、配線基板としては、基板主面を有する配線基板であって、上記基板主面をなし、この基板主面に開口する開口を有する絶縁層と、上記開口内から上記基板主面を越えて突出する金属層であって、上記開口内から上記基板主面を越えて突出するＣｕ層を有する金属層と、を備える配線基板とすると良い。
【０００８】
このような配線基板は、絶縁層の開口内から基板主面を越えて突出するＣｕ層を有する金属層を備える。従って、この金属層自体、あるいは、この金属層にハンダバンプを形成したものを、電子部品などの外部の端子に接続される接続端子とすることができる。このような接続端子は、従来のように開口内から基板主面を越えて突出するハンダバンプを要しないから、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。
【０００９】
このような配線基板は、上記の構成を満たすものであればいずれのものでもよく、例えば、コア基板の両面に複数の絶縁層と導体層が交互に形成されたものや、コア基板の片面に複数の絶縁層や導体層が交互に形成されたもの、コア基板なしで複数の絶縁層や導体層が交互に形成されたものなどが挙げられる。なお、絶縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即ち、絶縁体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセラミック、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガラス−エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材料などの複合材料などであってもよい。
【００１０】
さらに、上記の配線基板であって、上記金属層は、上記基板主面から５μｍ以上突出している配線基板とすると良い。
【００１１】
この配線基板では、金属層が基板主面から５μｍ以上突出しているので、この金属層自体あるいはこの金属層にハンダバンプを形成した接続端子を、十分な高さとすることができる。
【００１２】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記金属層は、前記Ｃｕ層と、このＣｕ層の表面上に被着したＮｉ層と、このＮｉ層の表面上に被着し、上記金属層の表面をなすＡｕ層と、を有する配線基板とすると良い。
【００１３】
この配線基板では、金属層は、Ｃｕ層上にＮｉ層が形成され、さらにＡｕ層が形成されている。このような金属層は、表面にＡｕ層があることにより、酸化が防止される。また、Ｃｕ層上にＮｉ層があることにより、この金属層にハンダを溶着したときに、Ｃｕがハンダに食われるのを防止することができる。
【００１４】
あるいは、前記のいずれかに記載の配線基板であって、前記金属層は、前記Ｃｕ層と、このＣｕ層の表面上に被着し、上記金属層の表面をなすＮｉ層と、を有し、上記金属層の表面上に溶着したハンダバンプを備える配線基板とすると良い。
【００１５】
この配線基板では、金属層は、Ｃｕ層上にＮｉ層が形成されている。そして、このＮｉ層上にはハンダバンプが溶着している。このようにＣｕ層とハンダバンプとの間にＮｉ層が介在することにより、Ｃｕがハンダに食われるのを防止することができる。
【００１６】
そして解決手段は、基板主面をなし、この基板主面に開口する開口が形成された絶縁層と、上記開口内から上記基板主面を越えて突出するメッキ層と、を備える配線基板の製造方法であって、金属板の表面上に、上記メッキ層に対応した位置に孔を有する所定パターンのエッチングレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記孔内に露出した上記金属板の表面をエッチングし、この表面に凹部を形成するエッチング工程と、メッキを施し、上記凹部内から上記金属板の表面を越えて突出する上記メッキ層を形成するメッキ工程と、上記エッチングレジスト層を除去するレジスト層除去工程と、上記金属板及び上記メッキ層上に、上記開口を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記金属板の少なくとも一部を除去し、上記メッキ層を露出させる金属板除去工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００１７】
本発明によれば、金属板上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、エッチングレジスト層の孔内に露出した金属板の表面をエッチングして凹部を形成する。その後、メッキにより、凹部内から金属板の表面を越えて突出するメッキ層を形成し、エッチングレジスト層を除去する。次に、金属板及びメッキ層上に、絶縁層を形成する。そして、金属板の少なくとも一部を除去し、メッキ層を露出させる。なお、必要に応じて、絶縁層を形成した後に、この絶縁層にビア導体や導体層を形成したり、さらに別の絶縁層を積層するなどしてもよい。
【００１８】
このような方法によれば、絶縁層の開口内から基板主面を越えて突出するメッキ層を有する配線基板を、容易に製造することができる。このメッキ層は、前述したように、それ自体あるいはメッキ層にハンダバンプを形成したものを、外部の端子に接続される接続端子とすることができる。従って、従来とは異なり、信頼性が高く十分な高さの接続端子を形成することができる。
【００１９】
また、他の解決手段は、基板主面をなし、この基板主面に開口する開口が形成された絶縁層と、上記開口内から上記基板主面を越えて突出するメッキ層と、を備える配線基板の製造方法であって、金属板の表面上に、上記開口を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記開口内に露出した上記金属板の表面をエッチングし、この表面に凹部を形成するエッチング工程と、メッキを施し、上記凹部内から上記金属板の表面を越えて突出する上記メッキ層を形成するメッキ工程と、上記金属板の少なくとも一部を除去し、上記メッキ層を露出させる金属板除去工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００２０】
本発明によれば、金属板上に開口を有する絶縁層を形成し、開口内に露出した金属板の表面をエッチングして凹部を形成する。その後、メッキにより、凹部内から金属板の表面を越えて突出するメッキ層を形成する。そして、金属板の少なくとも一部を除去し、メッキ層を露出させる。なお、必要に応じて、メッキ層を形成した後に、絶縁層にビア導体や導体層を形成したり、さらに別の絶縁層を積層するなどしてもよい。
【００２１】
このような方法によっても、絶縁層の開口内から基板主面を越えて突出するメッキ層を有する配線基板を、容易に製造することができる。このメッキ層は、前述したように、それ自体あるいはメッキ層にハンダバンプを形成したものを、外部の端子に接続される接続端子とすることができる。従って、従来とは異なり、信頼性が高く十分な高さの接続端子を形成することができる。
【００２２】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記金属板は、Ｃｕ以外の金属からなる第１金属層と、この第１金属層上に積層され、上記金属板の表面をなし、ＣｕからなるＣｕ金属層と、を有し、前記エッチング工程は、露出した上記金属板の表面をなす上記Ｃｕ金属層をエッチング除去し、上記第１金属層の表面を底面とする前記凹部を形成する配線基板の製造方法とすると良い。
【００２３】
金属層の表面に凹部を形成する際、エッチング条件を厳密に調整しないと、凹部の深さにバラツキを生じることがある。
これに対し、本発明で用いる金属板は、Ｃｕ以外の金属からなる第１金属層と、その上に積層され、金属板の表面をなすＣｕ金属層とを有する。そして、エッチング工程で、露出したＣｕ金属層をエッチング除去し、金属板の表面に第１金属層の表面を底面とする凹部を形成する。その際、Ｃｕ金属層をエッチングするが第１金属層はエッチングしないエッチング液を用いれば、エッチング条件を厳密に調整しなくても、Ｃｕ金属層だけを容易に除去することができる。従って、第１金属層の表面を底面とする所定の深さの凹部を容易に形成することができる。またその結果、所定の高さの金属層を形成することができる。
【００２４】
さらに、前記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記メッキ工程は、Ａｕメッキを施し、前記凹部の内周面上にＡｕメッキ層を形成するＡｕメッキ工程と、Ｎｉメッキを施し、上記Ａｕメッキ層の表面上にＮｉメッキ層を形成するＮｉメッキ工程と、Ｃｕメッキを施し、上記Ｎｉメッキ層の表面上にＣｕメッキ層を形成するＣｕメッキ工程と、を有する配線基板の製造方法とすると良い。
【００２５】
本発明によれば、メッキ工程として、順に、Ａｕメッキ工程、Ｎｉメッキ工程、Ｃｕメッキ工程を有する。このようにメッキを行えば、形成されるメッキ層は、その表面がＡｕメッキ層となり、その下にＮｉメッキ層が配置され、その下にＣｕメッキ層が配置される。このため、Ａｕメッキ層によりメッキ層の酸化が防止される他、Ｎｉメッキ層により、メッキ層にハンダを溶着したときに、Ｃｕメッキがハンダに食われるのを防止することができる。
【００２６】
さらに、前記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記金属板は、少なくとも前記表面がＣｕからなり、前記メッキ工程は、Ｎｉメッキを施し、前記凹部の内周面上に第１Ｎｉメッキ層を形成する第１Ｎｉメッキ工程と、Ａｕメッキを施し、上記第１Ｎｉメッキ層の表面上にＡｕメッキ層を形成するＡｕメッキ工程と、Ｎｉメッキを施し、上記Ａｕメッキ層の表面上に第２Ｎｉメッキ層を形成する第２Ｎｉメッキ工程と、Ｃｕメッキを施し、上記第２Ｎｉメッキ層の表面上にＣｕメッキ層を形成するＣｕメッキ工程と、を有し、前記金属板除去工程の後に、上記第１Ｎｉメッキ層を除去する第１Ｎｉ層除去工程を備える配線基板の製造方法とすると良い。
【００２７】
本発明によれば、金属板の少なくとも表面はＣｕからなり、メッキ工程として、順に、第１Ｎｉメッキ工程、Ａｕメッキ工程、第２Ｎｉメッキ工程、Ｃｕメッキ工程を有する。このようにＡｕメッキより前にＮｉメッキを行えば、Ａｕメッキが金属板中のＣｕに拡散するのを防止することができる。
他方、金属板除去工程の後に、第１Ｎｉメッキ層を除去するので、形成されるメッキ層は、その表面がＡｕメッキ層となり、その下にＮｉメッキ層（第２Ｎｉメッキ層）が配置され、その下にＣｕメッキ層が配置される。このため、メッキ層の酸化が防止される他、メッキ層にハンダを溶着したときに、Ｃｕメッキがハンダに食われるのを防止することができる。
【００２８】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記Ｃｕメッキ工程は、前記Ｎｉメッキ層または前記第２Ｎｉメッキ層によって形成された穴部を、前記Ｃｕメッキ層で充填する配線基板の製造方法とすると良い。
【００２９】
本発明によれば、Ｃｕメッキ工程は、Ｎｉメッキ層または第２Ｎｉメッキ層によって形成された穴部を、Ｃｕメッキ層で充填する。従って、メッキ層の設計の自由度を高くすることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の第１の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態１の配線基板１０１の断面図を図１に示す。この配線基板１０１は、ＩＣチップ等の電子部品が搭載される基板主面１０２と、マザーボードに搭載される基板裏面１０３とを有する略矩形の略板形状である。配線基板１０１は、エポキシ樹脂等からなる３層の樹脂絶縁層（基板主面１０２側から第１絶縁層１１１、第２絶縁層１１２、第３絶縁層１１３）が積層されている。第１絶縁層１１１の厚さは約５０μｍ、第２絶縁層１１２の厚さは約４０μｍ、第３絶縁層１１３の厚さは約３０μｍである。
【００３１】
第１絶縁層１１１には、基板主面１０２に開口する主面側開口１２１が、基板主面の略中央のＩＣ搭載領域に略格子状に多数形成されている。これらの主面側開口１２１には、ＩＣチップの各端子と接続される接続端子１３０がそれぞれ形成されている。具体的には、接続端子１３０は、主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出する金属層（メッキ層）１２５と、この金属層１２５の表面上に溶着したハンダバンプ１２９とからなる。金属層１２５は、主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出する厚さ（高さ）約３０μｍのＣｕ層（Ｃｕメッキ層）１２６と、このＣｕ層１２６の表面上に被着した厚さ約５μｍのＮｉ層（Ｎｉメッキ層）１２７とからなる。金属層１２５のうち、基板主面１０２から突出する部分の高さは約１５μｍである。
【００３２】
さらに、第１絶縁層１１１には、各主面側開口１２１に繋がる第１ビア孔１３１が形成され、その内部には、Ｃｕからなる第１フィルドビア１３３がそれぞれ形成されている。
また、第２絶縁層１１２には、これを貫通する第２ビア孔１３５が所定の位置に多数形成され、その内部には、Ｃｕからなる第２フィルドビア１３７がそれぞれ形成されている。
また、第３絶縁層１１３には、これを貫通する裏面側開口１３９が所定の位置に多数形成されている。
【００３３】
第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２との層間には、配線やパッドを有し、第１絶縁層１１１の第１フィルドビア１３３及び第２絶縁層１１２の第２フィルドビア１３７と接続する所定パターンの第１導体層１４１が形成されている。
また、第２絶縁層１１２と第３絶縁層１１３との層間にも、配線やパッドを有し、第２絶縁層１１２の第２フィルドビア１３７と接続する所定パターンの第２導体層１４３が形成されている。この第２導体層１４３のうち、一部のパッド１４３Ｐは、第３絶縁層１１３の裏面側開口１３９内に配置されている。これらのパッド１４３Ｐは、マザーボードの各端子と接続される。
【００３４】
以上で説明したように、本実施形態１の配線基板１０１は、第１絶縁層１１１の主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出するＣｕ層１２６を有する金属層１２５を備える。そして、金属層１２５上にはハンダバンプ１２９が形成され、接続端子１３０を構成している。このような接続端子１３０は、従来のように開口内から基板主面を越えて突出するハンダバンプを要しないから、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。特に、本実施形態１では、金属層１２５が基板主面１０２から５μｍ以上（約１５μｍ）突出しているので、この金属層１２５にハンダバンプ１２９を形成した接続端子１３０を、十分な高さ（約３０μｍ）とすることができる。
また、本実施形態１では、金属層１２５は、Ｃｕ層１２６上にＮｉ層１２７を有する。そして、このＮｉ層１２７上にハンダバンプ１２９が溶着している。このようにＣｕ層１２６とハンダバンプ１２９との間にＮｉ層１２７が介在することにより、Ｃｕがハンダに食われるのを防止することができる。
【００３５】
次いで、この配線基板１０１の製造方法について説明する。
まず、ＳＵＳからなる厚さ約５００μｍのキャリアメタル（金属板）ＫＢを用意する（図２参照）。
そして、レジスト層形成工程において、図２に示すように、このキャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１上に、公知のフォトリソグラフィ法により、配線基板１０１の金属層（メッキ層）１２５に対応した位置に孔を有する所定パターンのエッチングレジスト層ＥＲ１を形成する。また、キャリアメタルＫＢの裏面ＫＢ２上には、ベタ状のエッチングレジスト層ＥＲ２を形成する。
【００３６】
次に、エッチング工程において、ＳＵＳを溶解するエッチング液を噴射し、図３に示すように、エッチングレジスト層ＫＢ１の孔内に露出したキャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１をエッチングする。そして、キャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１に、平面視略円形状で深さが約２０μｍの凹部ＫＢ３を形成する。
【００３７】
次に、メッキ工程において、図４に示すように、キャリアメタルＫＢの凹部ＫＢ３内からその表面ＫＢ１を越えて突出する金属層（メッキ層）１２５′を形成する。
具体的には、まず、Ａｕメッキ工程において、電解Ａｕメッキを施し、凹部ＫＢ３の内周面上に厚さ約０．５μｍのＡｕメッキ層１２８を形成する。その後、Ｎｉメッキ工程において、電解Ｎｉメッキを施し、Ａｕメッキ層１２８の表面上に厚さ約５μｍのＮｉメッキ層１２７を形成する。さらに、Ｃｕメッキ工程において、電解Ｃｕメッキを施し、Ｎｉメッキ層１２７の表面上に、厚さ（高さ）約３０μｍのＣｕメッキ層１２６を形成して、Ｎｉメッキ層１２７により形成された穴部をＣｕメッキ層１２６で充填する。この工程では、Ｎｉメッキ層１２７による穴部を容易に埋めるために、フィルドビア形成用のＣｕ電解メッキ液を使用するのが好ましい。
このような３つのメッキ工程を経て、Ａｕメッキ層１２８とＮｉメッキ層１２７とＣｕメッキ層１２６とからなる金属層１２５′を形成する。
【００３８】
次に、レジスト層除去工程において、図５に示すように、キャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１上と裏面ＫＢ２上のエッチングレジスト層ＥＲ１，ＥＲ２をそれぞれ除去する。
【００３９】
次に、第１絶縁層形成工程において、キャリアメタルＫＢの表面ＫＢ１上及び金属層１２５′上に、公知のフォトリソグラフィ法により、金属層１２５′の位置に主面側開口１２１と第１ビア孔１３１を有する第１絶縁層１１１を形成する（図６参照）。なお、主面側開口１２１は、半硬化の第１絶縁層１１１を形成したときに形成され、第１ビア孔１３１は、露光・現像により形成する。
【００４０】
次に、第１ビア導体・第１導体層形成工程において、公知のセミアディティブ法により、第１絶縁層１１１の第１ビア孔１３１内にＣｕからなる第１フィルドビア１３３を形成すると共に、第１絶縁層１１１の表面上に所定パターンの第１導体層１４１を形成する（図６参照）。その際、第１ビア孔１３１は、金属層１２５′が内部に配置された主面側開口１２１と繋がり、第１ビア孔１３１の底面には、金属層１２５′（Ｃｕメッキ層１２６）が露出しているので、第１フィルドビア１３３は、金属層１２５′（Ｃｕメッキ層１２６）に接続する。
なお、導体層は、公知のサブトラクティブ法やフルアディティブ法などにより形成してもよい。
【００４１】
次に、第２絶縁層形成工程において、第１絶縁層１１１上及び第１導体層１４１上に、公知のフォトリソグラフィ法により、所定の位置に第２ビア孔１３５を有する第２絶縁層１１２を形成する（図６参照）。
また、第２ビア導体・第２導体層形成工程において、公知のセミアディティブ法により、第２絶縁層１１２の第２ビア孔１３５内にＣｕからなる第２フィルドビア１３７を形成すると共に、第２絶縁層１１２の表面上に所定パターンの第２導体層１４３を形成する（図６参照）。
【００４２】
次に、第３絶縁層形成工程において、図６に示すように、第２絶縁層１１２上及び第２導体層１４３上に、公知のフォトリソグラフィ法により、所定の位置に裏面側開口１３９を有する第３絶縁層１１３を形成する。
このようにして、配線基板１０１の本体ができる。
【００４３】
次に、金属板除去工程において、図７に示すように、エッチングにより、キャリアメタルＫＢ全体を除去し、金属層１２５′と基板主面１０２全体を露出させる。
なお、この工程では、図中に破線で示すように、キャリアメタルＫＢのうち、中央のＩＣチップ搭載領域上の部分だけを除去して、金属層１２５′を露出させてもよい。このようにするには、所定パターンのエッチングレジスト層をキャリアメタルＫＢの裏面ＫＢ２上に形成して、エッチングを行えばよい。このようにすれば、枠状になったキャリアメタルＫＢが基板主面１０２上に残るので、キャリアメタルＫＢが配線基板１０１の補強板となる。
【００４４】
次に、ハンダバンプ形成工程において、各々の金属層１２５上にハンダバンプ１２９をそれぞれ形成する（図１参照）。
具体的には、金属層１２５′の位置に対応した所定パターンの印刷マスクを用いて、各々の金属層１２５′上にハンダペーストを印刷する。その際、金属層１２５′は、基板主面１０２よりも突出しているため、ハンダペーストの印刷量を従来よりも少なくすることができる。従って、印刷マスクを薄くできるので、印刷マスクの孔にハンダペーストを確実に充填することができ、また、印刷後印刷マスクを剥離したときに、孔内のハンダペーストを確実に配線基板１０１に移すことができる。また、金属層１２５′が突出しているので、金属層１２５′の表面にハンダペーストを確実に接触させることができる。
印刷後は、ハンダペーストをリフローし、ハンダバンプ１２９を形成する。その際、Ａｕメッキはハンダ内に拡散するので、ハンダバンプ１２９は、Ｎｉメッキ層１２７上（金属層１２５上）に形成される。なお、印刷時にハンダペーストが良好に印刷されているので、所定形状のハンダバンプ１２９を、金属層１２５の表面上に確実に溶着することができる。また、ハンダバンプ１２９内にボイドも生じにくい。
【００４５】
このようにして、配線基板１０１が完成する。なお、本実施形態１では、金属層１２５にハンダバンプ１２９を形成し、これを接続端子１３０としているが、ハンダバンプ１２９のない金属層１２５′を接続端子とすることもできる（図７）。このような配線基板では、金属層１２５′の表面にＡｕ層１２８があるので、金属層１２５′の酸化が防止される。
【００４６】
以上で説明したように、本実施形態１の製造方法によれば、第１絶縁層１１１の主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出する金属層１２５を有する配線基板１０１を、容易に製造することができる。また、この金属層１２５にハンダバンプ１２９が溶着した接続端子１３０を、前述したように、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。
【００４７】
また、本実施形態１では、メッキ工程として、順に、Ａｕメッキ工程、Ｎｉメッキ工程、Ｃｕメッキ工程を有する。このようにメッキを行えば、形成される金属層１２５′は、その表面がＡｕメッキ層１２８となり、その下にＮｉメッキ層１２７が配置され、その下にＣｕメッキ層１２６が配置される。このため、Ａｕメッキ層１２８により金属層１２５′の酸化が防止される他、Ｎｉメッキ層１２７により、ハンダ（ハンダバンプ１２９）を溶着したときに、Ｃｕメッキがハンダに食われるのを防止することができる。
さらに、Ｃｕメッキ工程では、Ｎｉメッキ層１２７によって形成された穴部を、Ｃｕメッキ層１２６で充填する。従って、金属層１２５′あるいは金属層１２５の設計の自由度を高くすることができる。
【００４８】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について、図を参照しつつ説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２の配線基板２０１の断面図を図８に示す。この配線基板２０１は、ＩＣチップが搭載される基板主面２０２と、マザーボードに搭載される基板裏面２０３とを有する。配線基板２０１は、４層の樹脂絶縁層（基板主面２０２側から第１絶縁層２１１、第２絶縁層２１２、第３絶縁層２１３、第４絶縁層２１４）が積層されている。第１絶縁層２１１の厚さは約２５μｍ、第２絶縁層２１２の厚さは約２５μｍ、第３絶縁層２１３の厚さは約４０μｍ、第４絶縁層２１４の厚さは約３０μｍである。
【００４９】
第１絶縁層２１１には、上記実施形態１と同様に、基板主面２０２に開口する主面側開口２２１が多数形成され、これらの主面側開口２２１には、ＩＣチップの各端子と接続される接続端子２３０がそれぞれ形成されている。これらの接続端子も、上記実施形態１と同様に、主面側開口２２１内から基板主面２０２を越えて突出する金属層（メッキ層）２２５と、これに溶着したハンダバンプ２２９とからなる。そして、金属層２２５は、主面側開口２２１内から基板主面２０２を越えて突出するＣｕ層（Ｃｕメッキ層）２２６と、これに被着したＮｉ層（第２Ｎｉメッキ層）２２７とからなる。
【００５０】
また、第２絶縁層２１２には、これを貫通し各主面側開口２２１に繋がる第１ビア孔２３１が形成され、第１フィルドビア２３３が内部に形成されている。また、第３絶縁層２１３には、第２ビア孔２３５が多数形成され、内部に第２フィルドビア２３７が形成されている。また、第４絶縁層２１４には、裏面側開口２３９が多数形成されている。
第２絶縁層２１２と第３絶縁層２１３との層間には、所定パターンの第１導体層２４１が形成され、また、第３絶縁層２１３と第４絶縁層２１４との層間にも、裏面側開口２３９内に配置されるパッド２４３Ｐ等を有する所定パターンの第２導体層２４３が形成されている。
【００５１】
このように、本実施形態２の配線基板２０１も、第１絶縁層２１１の主面側開口２２１内から基板主面２０２を越えて突出するＣｕ層２２６を有する金属層２２５を備える。そして、金属層２２５上にはハンダバンプ２２９が形成され、接続端子２３０を構成している。このような接続端子２３０は、従来のように開口内から基板主面を越えて突出するハンダバンプを要しないから、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。なお、その他上記実施形態１と同様な部分については、同様な効果を奏する。
【００５２】
次いで、この配線基板２０１の製造方法について説明する。
まず、キャリアメタル（金属板）ＫＣを用意する（図９参照）。本実施形態２のキャリアメタルＫＣは、ＳＵＳからなり厚さ約５００μｍの第１金属層ＫＣ５と、この第１金属層ＫＣ５上に積層され、キャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１をなし、ＣｕからなるＣｕ金属層ＫＣ６とからなる。
次に、絶縁層形成工程において、図９に示すように、このキャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１上に、公知のフォトリソグラフィ法により、主面側開口２２１を有する第１絶縁層２１１を形成する。
【００５３】
次に、エッチング工程において、Ｃｕを溶解しＳＵＳを溶解しないエッチング液を噴射し、図１０に示すように、第１絶縁層２１１の主面側開口２２１内に露出したキャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１をエッチングする。そして、キャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１に、平面視略円形状で深さが約２０μｍの凹部ＫＣ３を形成する。
【００５４】
次に、メッキ工程において、図１１に示すように、キャリアメタルＫＣの凹部ＫＣ３内からその表面ＫＣ１を越えて突出する金属層（メッキ層）２２５′′を形成する。具体的には、まず、第１Ｎｉメッキ工程において、電解Ｎｉメッキを施し、凹部ＫＣ３の内周面上に厚さ約２μｍの第１Ｎｉメッキ層２２４を形成する。その後、Ａｕメッキ工程において、電解Ａｕメッキを施し、第１Ｎｉメッキ層２２４の表面上に厚さ約０．５μｍのＡｕメッキ層２２８を形成する。その後、第２Ｎｉメッキ工程において、電解Ｎｉメッキを施し、Ａｕメッキ層２２８の表面上に厚さ約５μｍの第２Ｎｉメッキ層２２７を形成する。さらに、Ｃｕメッキ工程において、電解Ｃｕメッキを施し、第２Ｎｉメッキ層２２７の表面上に、厚さ（高さ）約３０μｍのＣｕメッキ層２２６を形成して、第２Ｎｉメッキ層２２７により形成された穴部をＣｕメッキ層２２６で充填する。
このような４つのメッキ工程を経て、第１Ｎｉメッキ層２２４とＡｕメッキ層２２８と第２Ｎｉメッキ層２２７とＣｕメッキ層２２６とからなる金属層２２５′′を形成する。
【００５５】
次に、第２絶縁層形成工程において、第１絶縁層２１１上及び金属層２２５′′上に、主面側開口２２１と繋がる第１ビア孔２３１を有する第２絶縁層２１２を形成する（図１２参照）。
また、第１ビア導体・第１導体層形成工程において、第２絶縁層２１２の第１ビア孔２３１内に第１フィルドビア２３３を形成すると共に、第２絶縁層２１２の表面上に所定パターンの第１導体層２４１を形成する（図１２参照）。
【００５６】
次に、第３絶縁層形成工程において、第２絶縁層２１２上及び第１導体層２４１上に、第２ビア孔２３５を有する第３絶縁層２１３を形成する（図１２参照）。
また、第２ビア導体・第２導体層形成工程において、第３絶縁層２１３の第２ビア孔２３５内に第２フィルドビア２３７を形成すると共に、第３絶縁層２１３の表面上に所定パターンの第２導体層２４３を形成する（図１２参照）。
その後、第４絶縁層形成工程において、図１２に示すように、第３絶縁層２１３上及び第２導体層２４３上に、裏面側開口２３９を有する第３絶縁層２１４を形成し、配線基板の本体と製造する。
【００５７】
次に、金属板除去工程において、図１３に示すように、エッチングにより、キャリアメタルＫＣ全体を除去し、金属層２２５′′と基板主面２０２全体を露出させる。
その後、第１Ｎｉ層除去工程において、金属層２２５′′の表面の第１Ｎｉメッキ層２２４をエッチングにより除去し、Ａｕメッキ層２２８が表面をなす金属層２２５′とする。
次に、ハンダバンプ形成工程において、上記実施形態１と同様にして、各々の金属層１２５上（第２Ｎｉメッキ層２２７上）にハンダバンプ１２９をそれぞれ形成する（図８参照）。
このようにして、配線基板２０１が完成する。
【００５８】
以上で説明したように、本実施形態２の製造方法によれば、第１絶縁層２１１の主面側開口２２１内から基板主面２０２を越えて突出する金属層２２５を有する配線基板２０１を、容易に製造することができる。また、この金属層２２５にハンダバンプ１２９が溶着した接続端子１３０は、前述したように、信頼性が高く十分な高さの接続端子とすることができる。
【００５９】
また、本実施形態２では、キャリアメタルＫＣの表面はＣｕ金属層ＫＣ６からなり、メッキ工程として、順に、第１Ｎｉメッキ工程、Ａｕメッキ工程、第２Ｎｉメッキ工程、Ｃｕメッキ工程を有する。このようにＡｕメッキより前にＮｉメッキを行えば、ＡｕメッキがキャリアメタルＫＣのＣｕ金属層ＫＣ６に拡散するのを防止することができる。
他方、金属板除去工程の後に、第１Ｎｉメッキ層２２４を除去するので、形成される金属層２２５′は、その表面がＡｕメッキ層２２８となり、その下にＮｉメッキ層（第２Ｎｉメッキ層）２２７が配置され、その下にＣｕメッキ層２２６が配置される。このため、金属層２２５′の酸化が防止される他、ハンダ（ハンダバンプ２２９）を溶着したときに、Ｃｕメッキがハンダに食われるのを防止することができる。
【００６０】
また、本実施形態２では、キャリアメタルＫＣは、ＳＵＳからなる第１金属層ＫＣ５と、その上に積層され、キャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１をなすＣｕ金属層ＫＣ６とからなる。そして、エッチング工程で、露出したＣｕ金属層ＫＣ６をエッチング除去し、キャリアメタルＫＣの表面ＫＣ１に第１金属層ＫＣ５の表面を底面とする凹部ＫＣ３を形成する。その際、Ｃｕ金属層ＫＣ６をエッチングするが第１金属層ＫＣ５はエッチングしないエッチング液を用いているので、エッチング条件を厳密に調整しなくても、Ｃｕ金属層ＫＣ６だけを容易に除去することができる。従って、第１金属層ＫＣ５の表面を底面とする所定の深さの凹部ＫＣ３を容易に形成することができる。
その他、上記実施形態１と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００６１】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、ＩＣチップの端子と接続される接続端子１３０，２３０が形成された配線基板１０１，２０１とその製造方法について述べたが、例えば、チップコンデンサなど他の電子部品の端子と接続される接続端子が形成された配線基板とその製造方法についても、本発明を適用することもできる。また、マザーボードなど他の基板の端子と接続される接続端子が形成された配線基板とその製造方法についても同様である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態１に係る配線基板の断面図である。
【図２】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、キャリアメタルにエッチングレジスト層を形成した様子を示す説明図である。
【図３】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、エッチングにより凹部を形成した様子を示す説明図である。
【図４】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、金属層（メッキ層）を形成した様子を示す説明図である。
【図５】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、エッチングレジスト層を除去した様子を示す説明図である。
【図６】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、配線基板の本体を形成した様子を示す説明図である。
【図７】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、キャリアメタルを除去した様子を示す説明図である。
【図８】 実施形態２に係る配線基板の断面図である。
【図９】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、キャリアメタルに第１絶縁層を形成した様子を示す説明図である。
【図１０】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、エッチングにより凹部を形成した様子を示す説明図である。
【図１１】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、金属層（メッキ層）を形成した様子を示す説明図である。
【図１２】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、配線基板の本体を形成した様子を示す説明図である。
【図１３】 実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、キャリアメタルを除去した様子を示す説明図である。
【図１４】 従来技術に係る配線基板の要部の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１０１，２０１ 配線基板
１０２，２０２ 基板主面
１１１，２１１ 第１絶縁層
１２１，２２１ 主面側開口
１２５，２２５ 金属層（メッキ層）
１２５′，２２５′ 金属層（メッキ層）
１２６，２２６ Ｃｕ層（Ｃｕメッキ層）
１２７ Ｎｉ層（Ｎｉメッキ層）
１２８，２２８ Ａｕ層（Ａｕメッキ層）
１２９，２２９ ハンダバンプ
１３０，２３０ 接続端子
２２４ 第１Ｎｉメッキ層
２２５′′ 金属層（メッキ層）
２２７ Ｎｉ層（第２Ｎｉメッキ層）
ＫＢ，ＫＣ 金属板
ＫＢ１，ＫＣ１ （金属板の）表面
ＫＢ３，ＫＣ３ 凹部
ＥＲ１ エッチングレジスト層
ＫＣ５ 第１金属層
ＫＣ６ Ｃｕ金属層
Claims (6)
- 基板主面をなし、この基板主面に開口する開口が形成された絶縁層と、
上記開口内から上記基板主面を越えて突出するメッキ層と、
を備える配線基板の製造方法であって、
金属板の表面上に、上記メッキ層に対応した位置に孔を有する所定パターンのエッチングレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
上記孔内に露出した上記金属板の表面をエッチングし、この表面に凹部を形成するエッチング工程と、
メッキを施し、上記凹部内から上記金属板の表面を越えて突出する上記メッキ層を形成するメッキ工程と、
上記エッチングレジスト層を除去するレジスト層除去工程と、
上記金属板及び上記メッキ層上に、上記開口を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
上記金属板の少なくとも一部を除去し、上記メッキ層を露出させる金属板除去工程と、
を備える配線基板の製造方法。 - 基板主面をなし、この基板主面に開口する開口が形成された絶縁層と、
上記開口内から上記基板主面を越えて突出するメッキ層と、
を備える配線基板の製造方法であって、
金属板の表面上に、上記開口を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
上記開口内に露出した上記金属板の表面をエッチングし、この表面に凹部を形成するエッチング工程と、
メッキを施し、上記凹部内から上記金属板の表面を越えて突出する上記メッキ層を形成するメッキ工程と、
上記金属板の少なくとも一部を除去し、上記メッキ層を露出させる金属板除去工程と、
を備える配線基板の製造方法。 - 請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記金属板は、
Ｃｕ以外の金属からなる第１金属層と、
この第１金属層上に積層され、上記金属板の表面をなし、ＣｕからなるＣｕ金属層と、
を有し、
前記エッチング工程は、露出した上記金属板の表面をなす上記Ｃｕ金属層をエッチング除去し、上記第１金属層の表面を底面とする前記凹部を形成する
配線基板の製造方法。 - 請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記メッキ工程は、
Ａｕメッキを施し、前記凹部の内周面上にＡｕメッキ層を形成するＡｕメッキ工程と、
Ｎｉメッキを施し、上記Ａｕメッキ層の表面上にＮｉメッキ層を形成するＮｉメッキ工程と、
Ｃｕメッキを施し、上記Ｎｉメッキ層の表面上にＣｕメッキ層を形成するＣｕメッキ工程と、
を有する
配線基板の製造方法。 - 請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記金属板は、少なくとも前記表面がＣｕからなり、
前記メッキ工程は、
Ｎｉメッキを施し、前記凹部の内周面上に第１Ｎｉメッキ層を形成する第１Ｎｉメッキ工程と、
Ａｕメッキを施し、上記第１Ｎｉメッキ層の表面上にＡｕメッキ層を形成するＡｕメッキ工程と、
Ｎｉメッキを施し、上記Ａｕメッキ層の表面上に第２Ｎｉメッキ層を形成する第２Ｎｉメッキ工程と、
Ｃｕメッキを施し、上記第２Ｎｉメッキ層の表面上にＣｕメッキ層を形成するＣｕメッキ工程と、
を有し、
前記金属板除去工程の後に、上記第１Ｎｉメッキ層を除去する第１Ｎｉ層除去工程を備える
配線基板の製造方法。 - 請求項４または請求項５に記載の配線基板の製造方法であって、
前記Ｃｕメッキ工程は、前記Ｎｉメッキ層または前記第２Ｎｉメッキ層によって形成された穴部を、前記Ｃｕメッキ層で充填する
配線基板の製造方法。
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