JP2003152311A

JP2003152311A - 配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2003152311A
Application number: JP2001350314A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Takahashi; 和幸高橋; Kazuhisa Sato; 和久佐藤; Kozo Yamazaki; 耕三山崎
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2001-11-15
Filing date: 2001-11-15
Publication date: 2003-05-23

Abstract

(57)【要約】【課題】開口を有するソルダーレジスト層を備える配
線基板について、小さな開口を精度よく形成することが
できる配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】配線基板１０１は、開口径が６０μｍ以
下である主面側第２開口１２９が形成されたソルダーレ
ジスト層１２７を備える。そして、この配線基板１０１
の製造方法は、レーザにより上記主面側第２開口１２９
を形成する開口形成工程を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ソルダーレジスト
層を有する配線基板の製造方法に関し、特に、ソルダー
レジスト層に開口が形成された配線基板の製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、開口を有するソルダーレジス
ト層が形成された配線基板が知られている。例えば、図
１１に基板主面９０２側の要部の部分拡大断面図を示す
配線基板９０１が挙げられる。この配線基板９０１は、
ＩＣチップを搭載する基板主面９０２と、基板裏面（図
示しない）とを有する略板形状である。配線基板９０１
は、図に示すように、基板主面９０２側に樹脂絶縁層９
０５を備える。そして、この樹脂絶縁層９０５上には、
所定の位置に多数の開口９０９が形成されたソルダーレ
ジスト層９０７が積層されている。

【０００３】また、樹脂絶縁層９０５の表面９０５Ｈに
は、ＩＣチップ等の電子部品の端子と接続されるパッド
９１１が多数形成されている。これらのパッド９１１
は、平面視略円形状で平板形状である。各々のパッド９
１１は、ソルダーレジスト層９０７の開口９０９の下に
位置し、その中央部９１１Ｔが開口９０９の底面をな
し、周縁部９１１Ｓがソルダーレジスト層９０７で覆わ
れている。パッド９１１のうち開口９０９の底面をなす
中央部９１１Ｔ上には、Ｎｉメッキ層９１３が形成され
ている。さらに、このＮｉメッキ層９１３上には、開口
９０９の内部からソルダーレジスト層９０７の表面９０
７Ｈ（基板主面９０２）を越えて膨出するハンダバンプ
９１５がそれぞれ形成されている。

【０００４】このような配線基板９０１は、次のように
して製造する。即ち、樹脂絶縁層９０５とパッド９１１
が形成された基板を用意する。そして、この基板の樹脂
絶縁層９０５及びパッド９１１上に、写真法（フォトリ
ソグラフィ法）により、開口９０９を有するソルダーレ
ジスト層９０７を形成する。具体的には、樹脂絶縁層９
０５及びパッド９１１上に、エポキシ樹脂等からなる半
硬化のソルダーレジスト層を形成し、開口９０９に対応
した所定パターンのマスクを用いて露光し、その後現像
する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、所定パタ
ーンのソルダーレジスト層９０７を形成する。

【０００５】次に、Ｎｉメッキを施し、ソルダーレジス
ト層９０７の開口９０９内に露出するパッド９１１の中
央部９１１Ｔ上に、Ｎｉメッキ層９１３を形成する。そ
の後、Ａｕメッキを施して、このＮｉメッキ層９１３上
に、酸化防止のため、Ａｕメッキ層を形成する。次に、
ソルダーレジスト層９０７の開口９０９に対応した所定
パターンの印刷マスクを用いて、各開口９０９にハンダ
ペーストを印刷し、その後、これをリフローしてハンダ
バンプ９１５を形成する。その際、Ａｕメッキは、ハン
ダ内に拡散するので、ハンダバンプ９１５は、上述した
ようにＮｉメッキ層９１３上に形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この配
線基板９０１の製造方法では、ソルダーレジスト層９０
７の開口９０９の開口径が小さくなると、精度よく開口
９０９を形成することが困難となる。特に近年、ＩＣチ
ップ等の搭載する電子部品の小型化に伴い、電子部品の
端子が狭ピッチで配置されていることから、ソルダーレ
ジスト層９０７の開口９０９も狭ピッチで配置され、開
口径の小さくなってきているので、開口９０７をいかに
精度よく形成するかが課題となっている。

【０００７】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、開口を有するソルダーレジスト層を備える配
線基板について、小さな開口を精度よく形成することが
できる配線基板の製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、開口径が６０μｍ以下の開口を有するソルダー
レジスト層を備える配線基板の製造方法であって、レー
ザにより上記開口を形成する開口形成工程を備える配線
基板の製造方法である。

【０００９】本発明によれば、ソルダーレジスト層に形
成する開口が６０μｍ以下と小さい場合に、それを光を
微少なスポットに絞ったレーザにより形成する。レーザ
による開口の形成は、従来の写真法（フォトリソグラフ
ィ法）による開口の形成よりも精度よく開口を形成する
ことができる。従って、開口径が６０μｍ以下であって
も、精度よく開口を形成することができる。一般に、フ
リップチップ型のＩＣチップを搭載する配線基板では、
ＩＣチップの各端子と接続される接続端子が形成された
開口は、狭ピッチで配置され、開口径が小さい。従っ
て、このような配線基板の製造に本発明を適用するのが
好適である。

【００１０】なお、開口は、平面視略円形状のものに限
定されるものではなく、例えば、平面視略矩形状、平面
視略楕円形状、平面視略長円形状など、いずれの形状で
あっても構わない。従って、本明細書でいう「開口径」
とは、開口を平面視したときに、開口内の任意の２点間
の距離が最大となる寸法をいう。配線基板は、上記の構
成を満たすものであればいずれのものでもよく、例え
ば、コア基板の両面に複数の絶縁層と配線層が交互に形
成され、その両面にソルダーレジスト層が形成されたも
のや、コア基板の片面に複数の絶縁層や配線層が交互に
形成され、その上にソルダーレジスト層が形成されたも
のなどが挙げられる。また、コア基板を有しない基板に
ソルダーレジスト層が形成されたものでもよい。なお、
絶縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即ち、絶
縁体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセラミッ
ク、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、エポキ
シ樹脂、ＢＴ樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材料など
の複合材料などであってもよい。

【００１１】また、他の解決手段は、第１開口とこの第
１開口よりも小さい第２開口とを有するソルダーレジス
ト層を備える配線基板の製造方法であって、写真法によ
り、上記第１開口を有するソルダーレジスト層を形成す
るソルダーレジスト層形成工程と、上記第１開口を有す
るソルダーレジスト層に、レーザにより、上記第２開口
を形成する第２開口形成工程と、を備える配線基板の製
造方法である。

【００１２】本発明で製造する配線基板は、ソルダーレ
ジスト層に大きさの異なる開口、即ち、第１開口とこれ
よりも小さい第２開口とを有する。ここで、従来の写真
法による開口の形成は、開口径が小さい場合に精度よく
開口を形成することが困難である。一方、レーザによる
開口の形成は、開口を１つ１つ順番に形成しなければな
らないので、時間を要する。これに対し、本発明では、
まず、ソルダーレジスト層形成工程で、写真法（フォト
リソグラフィ法）により、大きな開口（第１開口）だけ
を一挙に形成し、後に、第２開口形成工程で、レーザに
より小さな開口（第２開口）を１つずつ順番に形成す
る。このため、開口を効率よくかつ精度よく形成するこ
とができる。

【００１３】一般に、フリップチップ型のＩＣチップ
と、チップコンデンサなどの他の電子部品とを搭載する
配線基板では、ＩＣチップの各端子と接続される接続端
子が形成された開口は、狭ピッチで配置され、開口径が
小さく、一方、他の電子部品の各端子と接続される接続
端子が形成された開口は、比較的広いピッチで配置さ
れ、開口径が比較的大きい。従って、このような配線基
板の製造に本発明を適用するのが好適である。

【００１４】また、他の解決手段は、複数の開口を有す
るソルダーレジスト層を備える配線基板の製造方法であ
って、写真法により、上記開口のうち開口径が６０μｍ
を越える第１開口を有するソルダーレジスト層を形成す
るソルダーレジスト層形成工程と、上記第１開口を有す
るソルダーレジスト層に、レーザにより、上記開口のう
ち開口径が６０μｍ以下の第２開口を形成する第２開口
形成工程と、を備える配線基板の製造方法である。

【００１５】本発明で製造する配線基板は、ソルダーレ
ジスト層に開口径が６０μｍを越える第１開口と開口径
が６０μｍ以下の第２開口とを有する。ここで、従来の
写真法による開口の形成は、開口径が６０μｍ以下と小
さい場合、精度よく開口を形成することが困難である。
一方、レーザによる開口の形成は、開口を１つ１つ順番
に形成しなければならないので、時間を要する。これに
対し、本発明では、まず、ソルダーレジスト層形成工程
で、写真法により６０μｍを越える大きな開口（第１開
口）だけを一挙に形成し、後に、第２開口形成工程で、
レーザにより６０μｍ以下の小さな開口（第２開口）を
１つずつ順番に形成する。このため、開口を効率よく、
かつ、精度よく形成することができる。

【００１６】また、他の解決手段は、基板主面をなし、
主面側開口を有する主面側ソルダーレジスト層と、基板
裏面をなし、上記主面側開口よりも大きい裏面側開口を
有する裏面側ソルダーレジスト層と、を備える配線基板
の製造方法であって、主面側ソルダーレジスト層に、レ
ーザにより、上記主面側開口を形成する主面側開口形成
工程と、写真法により、上記裏面側開口を有する裏面側
ソルダーレジスト層を形成する裏面側ソルダーレジスト
層形成工程と、を備える配線基板の製造方法である。

【００１７】本発明で製造する配線基板は、主面側ソル
ダーレジスト層に比較的小さな主面側開口を有し、裏面
側ソルダーレジスト層に主面側開口よりも大きな裏面側
開口を有する。ここで、上記のように、写真法による開
口の形成は、開口径が小さい場合に精度よく開口を形成
することが困難であり、一方、レーザによる開口の形成
は、１つ１つの開口を順番に形成しなければならないの
で、時間を要する。これに対し、本発明では、比較的小
さな主面側開口は、精度よく開口を形成するため、レー
ザにより形成し、比較的大きな裏面側開口は、効率よく
開口を形成するため、写真法により形成する。このた
め、配線基板の開口を効率よくかつ精度よく形成するこ
とができる。

【００１８】一般に、フリップチップ型のＩＣチップを
基板主面に搭載し、基板裏面がマザーボード等の他の基
板に搭載される配線基板では、ＩＣチップの各端子と接
続される接続端子が形成された主面側開口は、狭ピッチ
で配置され、開口径が小さい。一方、他の基板の各端子
と接続される接続端子が形成された裏面側開口は、比較
的広いピッチで配置され、開口径が比較的大きい。従っ
て、このような配線基板の製造に本発明を適用するのが
好適である。

【００１９】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記主面側開口にハンダペーストを印刷し、リフロ
ーして、上記主面側開口にハンダバンプを形成するハン
ダバンプ形成工程を備える配線基板の製造方法とすると
良い。

【００２０】本発明によれば、開口が小さい主面側開口
にハンダペーストを印刷し、ハンダバンプを形成するハ
ンダバンプ形成工程を備える。開口が小さくなるにつ
れ、開口に所定形状のハンダバンプを形成するのが困難
となる。ハンダペーストを印刷したときに、開口内に空
気が閉じこめられたり、開口に所定量のハンダペースト
が印刷されない場合があるからである。特に、開口が精
度よく形成されていない場合には、この傾向が顕著に現
れる。しかし、本発明では、前述したように、レーザに
より精度よく主面側開口を形成しているので、主面側開
口により確実にハンダペーストを印刷することができ、
より確実に所定形状のハンダバンプを形成することがで
きる。

【００２１】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記主面側開口は、開口径が６０
μｍ以下であり、前記裏面側開口は、開口径が６０μｍ
を越える配線基板の製造方法とすると良い。

【００２２】従来の写真法による開口の形成は、開口径
が６０μｍ以下と小さい場合、精度よく開口を形成する
ことが困難である。一方、レーザによる開口の形成は、
開口を１つ１つ順番に形成しなければならないので、時
間を要する。これに対し、本発明では、開口径が６０μ
ｍ以下の主面側開口は、レーザにより形成し、開口径が
６０μｍを越える裏面側開口は、写真法により一挙に形
成する。このため、開口を効率よく、かつ、精度よく形
成することができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しつつ説明する。本実施形態で製造される配線
基板１０１について、図１に概略図を、図２にＩＣチッ
プ搭載領域１０５の投影領域近傍の部分拡大断面図を、
図３にコンデンサ搭載領域１０６の投影領域近傍の部分
拡大断面図を示す。この配線基板１０１は、図１に示す
ように、基板主面１０２と基板裏面１０３とを有する略
矩形の略板形状である。基板主面１０２の略中央のＩＣ
チップ搭載領域１０５には、フリップチップ型のＩＣチ
ップＩＣが搭載され、基板主面１０２の周縁の複数のコ
ンデンサ搭載領域１０６には、チップコンデンサＣＯＮ
がそれぞれ搭載される。一方、基板裏面１０３は、マザ
ーボードＭＢに搭載される。

【００２４】配線基板１０１は、図２及び図３に示すよ
うに、その中心にガラス−エポキシ樹脂からなる厚さ約
８００μｍのコア基板１１１を備える。そして、このコ
ア基板１１１のコア主面１１２上には、エポキシ樹脂等
からなる厚さ約３５μｍの主面側第１絶縁層１２１が積
層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚
さ約３５μｍの主面側第２絶縁層１２４が積層され、さ
らにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約
２１μｍの主面側ソルダーレジスト層１２７が積層され
ている。また同様に、コア基板１１１のコア裏面１１３
上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面
側第１絶縁層１３１が積層され、その上には、同じくエ
ポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第２絶縁
層１３４が積層され、さらにその上には、同じくエポキ
シ樹脂等からなる厚さ約２１μｍの裏面側ソルダーレジ
スト層１３７が積層されている。

【００２５】このうちコア基板１１１には、これを貫通
する直径８００μｍのスルーホール１１５が所定の位置
に多数形成され、その内周面には、Ｃｕからなる略筒状
の厚さ約２０μｍのスルーホール導体１１６がそれぞれ
形成されている。そして、スルーホール導体１１６内に
は、エポキシ樹脂等からなる略円柱形状の樹脂充填体１
１７がそれぞれ形成されている。主面側第１絶縁層１２
１には、これを貫通するビア孔１２２が所定の位置に多
数形成され、その内壁面には、Ｃｕからなる椀状のビア
導体１２３がそれぞれ形成されている。また、主面側第
２絶縁層１２４にも、これを貫通するビア孔１２５が所
定の位置に多数形成され、その内壁面には、Ｃｕからな
る椀状のビア導体１２６がそれぞれ形成されている。ま
た、主面側ソルダーレジスト層１２７には、これを貫通
する平面視矩形状で開口径約６００μｍの主面側第１開
口１２８がコンデンサ搭載領域１０６の所定の位置に多
数形成され（図３参照）、平面視略円形状で直径約５０
μｍの主面側第２開口１２９がＩＣチップ搭載領域１０
５の所定の位置に多数形成されている（図２参照）。

【００２６】また同様に、裏面側第１絶縁層１３１に
も、これを貫通するビア孔１３２が所定の位置に多数形
成され、その内壁面には、Ｃｕからなる椀状のビア導体
１３３がそれぞれ形成されている。また、裏面側第２絶
縁層１３４にも、これを貫通するビア孔１３５が所定の
位置に多数形成され、その内壁面には、Ｃｕからなる椀
状のビア導体１３６がそれぞれ形成されている。また、
裏面側ソルダーレジスト層１３７には、これを貫通する
平面視略円形状で直径約６５０μｍの裏面側開口１３８
が所定の位置に多数形成されている。

【００２７】コア基板１１１と主面側第１絶縁層１２１
との層間には、配線やパッドを有し、コア基板１１１の
スルーホール導体１１６及び主面側第１絶縁層１２１の
ビア導体１２３と接続する主面側第１導体層１４１が形
成されている。また、主面側第１絶縁層１２１と主面側
第２絶縁層１２４との層間には、配線やパッドを有し、
主面側第１絶縁層１２１のビア導体１２３及び主面側第
２絶縁層１２４のビア導体１２６と接続する主面側第２
導体層１４３が形成されている。また、主面側第２絶縁
層１２４と主面側ソルダーレジスト層１２７との層間に
は、配線やパッドを有し、主面側第２絶縁層１２４のビ
ア導体１２６と接続する主面側第３導体層１４５が形成
されている。

【００２８】この主面側第３導体層１４５の一部の主面
側第１パッド１４７は、図３に示すように、主面側ソル
ダーレジスト層１２７の主面側第１開口１２８の下にそ
れぞれ位置している。これらの主面側第１パッド１４７
は、搭載するコンデンサＣＯＮの端子と接続されるパッ
ドであり、平面視略円形状の略板形状である。主面側第
１パッド１４７のうち、主面側第１開口１２８の底面を
なす中央部上には、厚さ約５μｍの主面側第１Ｎｉメッ
キ層１４９がそれぞれ形成されている。さらに、この主
面側第１Ｎｉメッキ層１４９上には、主面側第１開口１
２８の内部から主面側ソルダーレジスト層１２７の表面
１２７Ｈ（基板主面１０２）を越えて膨出する第１ハン
ダバンプ１５１がそれぞれ形成されている。

【００２９】また、主面側第３導体層１４５の一部の主
面側第２パッド１４８は、図２に示すように、主面側ソ
ルダーレジスト層１２７の主面側第２開口１２９の下に
それぞれ位置している。これらの主面側第２パッド１４
８は、搭載するＩＣチップＩＣの端子と接続されるパッ
ドであり、平面視略円形状の略板形状である。主面側第
２パッド１４８のうち、主面側第２開口１２９の底面を
なす中央部上には、厚さ約５μｍの主面側第２Ｎｉメッ
キ層１５０がそれぞれ形成されている。さらに、この主
面側第１Ｎｉメッキ層１５０上には、主面側第２開口１
２９の内部から主面側ソルダーレジスト層１２７の表面
１２７Ｈ（基板主面１０２）を越えて略半球状に膨出す
る第２ハンダバンプ１５２がそれぞれ形成されている。

【００３０】一方、コア基板１１１と裏面側第１絶縁層
１３１との層間にも、配線やパッドを有し、コア基板１
１１のスルーホール導体１１６及び裏面側第１絶縁層１
３１のビア導体１３３と接続する裏面側第１導体層１６
１が形成されている。また、裏面側第１絶縁層１３１と
裏面側第２絶縁層１３４との層間には、配線やパッドを
有し、裏面側第１絶縁層１３１のビア導体１３３及び裏
面側第２絶縁層１３４のビア導体１３６と接続する裏面
側第２導体層１６３が形成されている。また、裏面側第
２絶縁層１３４と裏面側ソルダーレジスト層１３７との
層間には、配線やパッドを有し、裏面側第２絶縁層１３
４のビア導体１３６と接続する裏面側第３導体層１６５
が形成されている。

【００３１】この裏面側第３導体層１６５の一部の裏面
側パッド１６７は、裏面側ソルダーレジスト層１３７の
裏面側開口１３８の下にそれぞれ位置している。これら
の裏面側パッド１６７は、マザーボードＭＢの端子と接
続されるパッドであり、平面視略円形状の略板形状であ
る。裏面側パッド１６７のうち、裏面側開口１３８の底
面をなす中央部上には、厚さ約５μｍの裏面側Ｎｉメッ
キ層１６９がそれぞれ形成されている。さらに、この裏
面側Ｎｉメッキ層１６９上には、酸化防止のため、厚さ
約０．０５μｍのごく薄い裏面側Ａｕメッキ層１７０が
それぞれ形成されている。

【００３２】次いで、この配線基板１０１の製造方法に
ついて説明する。まず、コア基板１１１を用意する（図
４参照）。そして、これにドリル等で所定の位置にスル
ーホール１１５を穿孔する。次に、Ｃｕ無電解メッキと
Ｃｕ電解メッキを順次施し、スルーホール１１５の内周
面に略筒状のスルーホール導体１１６を形成すると共
に、コア主面１１２とコア裏面１１３の略全面にベタ状
導体層を形成する。次に、スルーホール導体１１６内に
樹脂充填体１１７を形成する。具体的には、スルーホー
ル導体１１６の孔に対応した所定パターンの印刷マスク
を用いて、スルーホール導体１１６内に樹脂ペーストを
印刷充填し、その後、樹脂ペーストを熱硬化させて、樹
脂充填体１１７を形成する。そして、樹脂充填体１１７
の端部を研磨除去し、コア主面１１２及びコア裏面１１
３を面一にする。さらに、Ｃｕ無電解メッキとＣｕ電解
メッキを順次施し、樹脂充填体１１７上に蓋メッキ層を
形成する。次に、コア主面１１２とコア裏面１１３のベ
タ状導体層上にそれぞれ所定パターンのエッチングレジ
スト層を公知の写真法（フォトリソグラフィ法）により
形成する。そして、エッチングレジスト層から露出する
導体層をエッチング除去し、導体層をパターン化する。
その後、エッチングレジスト層をそれぞれ除去すれば、
図４に示すように、コア主面１１２に所定パターンの主
面側第１導体層１４１が、コア裏面１１３に所定パター
ンの裏面側第１導体層１６１が形成される。

【００３３】次に、主面側第１絶縁層形成工程におい
て、コア主面１１２及び主面側第１導体層１４１上に、
写真法（フォトリソグラフィ法）により、所定の位置に
多数のビア孔１２２を有する主面側第１絶縁層１２１を
形成する（図５参照）。具体的には、コア主面１１２及
び主面側第１導体層１４１上に、エポキシ樹脂等からな
る半硬化の主面側第１絶縁層を形成し、ビア孔１２２に
対応した所定パターンのマスクを用いて露光し、その後
現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、所定
パターンの主面側第１絶縁層１２１を形成する。また同
様にして、裏面側第１絶縁層形成工程において、コア裏
面１１３及び裏面側第１導体層１６１上に、所定の位置
に多数のビア孔１３２を有する裏面側第１絶縁層１３１
を形成する。

【００３４】次に、ビア導体・主面側第２導体層・裏面
側第２導体層形成工程において、図５に示すように、主
面側第１絶縁層１２１のビア孔１２２にビア導体１２３
を形成すると共に、裏面側第１絶縁層１３１のビア孔１
３２にビア導体１３３を形成する。また、主面側第１絶
縁層１２１上に主面側第２導体層１４３を形成し、裏面
側第１絶縁層１３１上に裏面側第２導体層１６３を形成
する。具体的には、Ｃｕ無電解メッキを施し、主面側第
１絶縁層１２１上及びそのビア孔１２２内、裏面側第１
絶縁層１３１上及びそのビア孔１３２内に、無電解メッ
キ層を形成する。次に、主面側第１絶縁層１２１上の無
電解メッキ層上に、所定パターンのメッキレジスト層を
公知の写真法（フォトリソグラフィ法）により形成す
る。また、裏面側第１絶縁層１３１上の無電解メッキ層
上にも、同様に所定パターンのメッキレジスト層を形成
する。次に、Ｃｕ電解メッキを施し、各々のメッキレジ
スト層から露出する無電解メッキ層上に電解メッキ層を
形成する。その後、表裏面のメッキレジスト層をそれぞ
れ剥離して、露出した無電解メッキ層をエッチングによ
り除去し、所定パターンの主面側第２導体層１４３と裏
面側第２導体層１６３を形成する。

【００３５】次に、主面側第２絶縁層形成工程におい
て、主面側第１絶縁層形成工程と同様にして、主面側第
１絶縁層１２１及び主面側第２導体層１４３上に、所定
の位置に多数のビア孔１２５を有する主面側第２絶縁層
１２４を形成する（図６参照）。また同様に、裏面側第
２絶縁層形成工程において、裏面側第１絶縁層１３１及
び裏面側第２導体層１６３上に、所定の位置に多数のビ
ア孔１３５を有する裏面側第２絶縁層１３４を形成す
る。

【００３６】次に、ビア導体・主面側第３導体層・裏面
側第３導体層形成工程において、図６に示すように、主
面側第２絶縁層１２４のビア孔１２５にビア導体１２６
を形成すると共に、裏面側第２絶縁層１３４のビア孔１
３５にビア導体１３６を形成する。また、主面側第２絶
縁層１２１上に主面側第３導体層１４５を形成し、裏面
側第１絶縁層１３４上に裏面側第２導体層１６５を形成
する。この工程は、上記のビア導体・主面側第２導体層
・裏面側第２導体層形成工程と同様に行えばよい。

【００３７】次に、主面側ソルダーレジスト層形成工程
において、図７及び図８に示すように、主面側第２絶縁
層１２４及び主面側第３導体層１４５上に、公知の写真
法（フォトリソグラフィ法）により、所定の位置に多数
の主面側第１開口１２８を有する主面側ソルダーレジス
ト層１２７を形成する。なお、図７は、ＩＣチップ搭載
領域１０５の投影領域近傍を示す説明図であり、図８
は、コンデンサ搭載領域１０６の投影領域近傍を示す説
明図である。具体的には、主面側第２絶縁層１２４及び
主面側第３導体層１４５上に、エポキシ樹脂等からなる
半硬化の主面側ソルダーレジスト層を形成し、主面側第
１開口１２８に対応した所定パターンのマスクを用いて
露光し、その後現像する。その後、さらに加熱処理し硬
化させて、主面側第１開口１２８を有する所定パターン
の主面側ソルダーレジスト層１２７を形成する。その
際、主面側第１開口１２８（開口径約６００μｍ）は、
開口径が６０μｍよりも大きいので、これを写真法によ
り形成しても、精度よく形成することができる。しか
も、写真法によれば、一挙にすべての主面側第１開口１
２８を形成することができるので、効率よくこれらを形
成することができる。

【００３８】次に、主面側第２開口形成工程において、
図９に示すように、主面側第１開口１２８が形成された
主面側ソルダーレジスト層１２７に、レーザにより、所
定の位置に多数の主面側第２開口１２９を形成する。具
体的には、光を微少なスポットに絞ったＣＯ₂レーザに
より、主面側第２開口１２９を１つずつ順番に形成す
る。その際、主面側第２開口１２９（直径約５０μｍ）
は、開口径が６０μｍよりも小さいが、レーザによりこ
れを穿孔しているので、精度よく形成することができ
る。なお、開口内の樹脂残渣などを除去するデスミア処
理をする場合には、主面側第１開口１２８と主面側第２
開口１２９を形成した後に行うのが好ましい。両方の開
口を形成した後であれば、１回のデスミア処理で済むか
らである。

【００３９】また、裏面側ソルダーレジスト層形成工程
において、図１０に示すように、裏面側第２絶縁層１３
４及び裏面側第３導体層１６５上に、写真法（フォトリ
ソグラフィ法）により、所定の位置に多数の裏面側開口
１３８を有する裏面側ソルダーレジスト層１３７を形成
する。即ち、裏面側第２絶縁層１３４及び裏面側第３導
体層１６５上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の裏面
側ソルダーレジスト層を形成し、裏面側開口１３８に対
応した所定パターンのマスクを用いて露光し、その後現
像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、裏面側
開口１３８を有する所定パターンの裏面側ソルダーレジ
スト層１３７を形成する。その際、裏面側開口１３８
（直径約６５０μｍ）は、開口径が６０μｍよりも大き
いので、これを写真法により形成しても、精度よく形成
することができる。しかも、写真法によれば、一挙にす
べての裏面側開口１３８を形成することができるので、
効率よくこれらを形成することができる。

【００４０】次に、Ｎｉメッキ工程において、Ｎｉメッ
キを施し、主面側ソルダーレジスト層１２７の主面側第
１開口１２８内に露出する主面側第１パッド１４７上
に、厚さ約５μｍの主面側第１Ｎｉメッキ層１４９を形
成し、主面側第２開口１２９内に露出する主面側第２パ
ッド１４８上に、同じく厚さ約５μｍの主面側第２Ｎｉ
メッキ層１５０を形成する。またこれと共に、裏面側ソ
ルダーレジスト層１３７の裏面側開口１３８内に露出す
る裏面側パッド１６７上にも、厚さ約５μｍの裏面側Ｎ
ｉメッキ層１６９を形成する（図２及び図３参照）。

【００４１】次に、Ａｕメッキ工程において、Ａｕメッ
キを施し、主面側第１Ｎｉメッキ層１４９上に厚さ約
０．０５μｍのごく薄い主面側第１Ａｕメッキ層（図示
しない）を形成し、主面側第２Ｎｉメッキ層１５０上に
同じく厚さ約０．０５μｍのごく薄い主面側第２Ａｕメ
ッキ層（図示しない）を形成する。またこれと共に、裏
面側Ｎｉメッキ層１６９上にも、厚さ約０．０５μｍの
ごく薄い裏面側Ａｕメッキ層１７０を形成する（図２及
び図３参照）。

【００４２】次に、ハンダバンプ形成工程において、主
面側第１Ｎｉメッキ層１４９上に第１ハンダバンプ１５
１を形成すると共に、主面側第２Ｎｉメッキ層１５０上
に第２ハンダバンプ１５２を形成する。具体的には、主
面側ソルダーレジスト層１２７の主面側第１開口１２８
及び主面側第２開口１２９に対応した所定パターンの印
刷マスクを用いて、主面側第１Ａｕメッキ層及び主面側
第２Ａｕメッキ層上にハンダペーストをそれぞれ印刷す
る。その後、これをリフローすれば、Ａｕメッキがハン
ダ内に拡散し、主面側第１Ｎｉメッキ層１４９上に第１
ハンダバンプ１５１が、主面側第２Ｎｉメッキ層１５０
上に第２ハンダバンプ１５２が形成される（図２及び図
３参照）。以上のようにして、配線基板１０１が完成す
る。

【００４３】以上で説明したように、本実施形態の配線
基板１０１の製造方法では、開口径６０μｍ以下の主面
側第２開口１２９を、レーザにより形成する。このた
め、従来の写真法で形成する場合よりも精度よく形成す
ることができる。また、本実施形態では、主面側ソルダ
ーレジスト層形成工程で、写真法により、大きな開口
（主面側第１開口１２８）だけを一挙に形成し、後に、
主面側第２開口形成工程で、レーザにより小さな開口
（主面側第２開口１２９）を１つずつ順番に形成する。
換言すれば、主面側ソルダーレジスト層形成工程で、写
真法により６０μｍを越える大きな開口（主面側第１開
口１２８）だけを一挙に形成し、後に、主面側第２開口
形成工程で、レーザにより６０μｍ以下の小さな開口
（主面側第２開口１２９）を１つずつ順番に形成する。
このため、主面側第１開口１２８及び主面側第２開口１
２９を、効率よくかつ精度よく主面側ソルダーレジスト
層１２７に形成することができる。

【００４４】また、本実施形態では、開口径が６０μｍ
以下の比較的小さな主面側第２開口１２９は、レーザに
より形成し、開口径が６０μｍを越える比較的大きな裏
面側開口１３８は、写真法により形成する。このため、
主面側第２開口１２９及び裏面側開口１３８を、効率よ
くかつ精度よく形成することができる。また、本実施形
態では、レーザにより精度よく主面側第２開口１２９を
形成しているので、ハンダバンプ形成工程において、主
面側第２開口１２９により確実にハンダペーストを印刷
することができ、より確実に所定形状の第２ハンダバン
プ１５２を形成することができる。

【００４５】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
では、パッド（主面側第１，第２パッド１４７，１４
８、裏面側パッド１６７）が底面に形成された開口を示
したが、ソルダーレジスト層に形成される開口は、この
ようなものに限るものではない。例えば、位置合わせマ
ークを露出させるための開口や、ロゴマークを表す開口
なども挙げられる。また、上記実施形態では、主面側第
１絶縁層１２１のビア孔１２２、主面側第２絶縁層１２
４のビア孔１２５、裏面側第１絶縁層１３１のビア孔１
３２、裏面側第２絶縁層１３４のビア孔１３５を、写真
法により形成している。しかし、これらのビア孔１２２
等をレーザにより形成することもできる。このようにす
れば、より精度よくビア孔１２２等を形成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態に係る配線基板の概略図である。

【図２】実施形態に係る配線基板のうち、ＩＣチップ搭
載領域の投影領域近傍を示す部分拡大断面図である。

【図３】実施形態に係る配線基板のうち、コンデンサ搭
載領域の投影領域近傍を示す部部分拡大断面図である。

【図４】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、コ
ア基板にスルーホール導体や主面側第１導体層、裏面側
第１導体層を形成した様子を示す説明図である。

【図５】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第１絶縁層、裏面側第１絶縁層、主面側第２導体
層、裏面側第２導体層等を形成した様子を示す説明図で
ある。

【図６】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第２絶縁層、裏面側第２絶縁層、主面側第３導体
層、裏面側第３導体層等を形成した様子を示す説明図で
ある。

【図７】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第１開口を有する主面側ソルダーレジスト層を形成
した様子を示す説明図のうち、ＩＣチップ搭載領域の投
影領域近傍を示す説明図である。

【図８】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第１開口を有する主面側ソルダーレジスト層を形成
した様子を示す説明図のうち、コンデンサ搭載領域の投
影領域近傍を示す説明図である。

【図９】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第１開口を有する主面側ソルダーレジスト層に主面
側第２開口を形成した様子を示す説明図である。

【図１０】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、
裏面側開口を有する裏面側ソルダーレジスト層を形成し
た様子を示す説明図である。

【図１１】従来形態に係る配線基板の基板主面側の部分
拡大断面図である。

【符号の説明】

１０１配線基板１０２基板主面１０３基板裏面１２７主面側ソルダーレジスト層１２８主面側第１開口１２９主面側第２開口１３７裏面側ソルダーレジスト層１３８裏面側開口ＩＣＩＣチップＣＯＮチップコンデンサＭＢマザーボード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 ＸＨ０１Ｌ 23/12 Ｑ (72)発明者山崎耕三愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号日本特殊陶業株式会社内Ｆターム(参考） 5E314 AA24 AA27 AA32 BB06 BB10 BB11 BB12 CC01 DD07 FF05 FF17 GG17 5E319 AA03 AA07 AA08 AB05 AC02 AC16 AC17 BB02 CC33 CD25 GG01 5E346 AA06 AA12 AA15 AA17 AA43 BB01 BB16 CC02 CC08 CC31 CC54 DD02 DD13 DD25 DD33 DD44 DD47 EE34 FF15 GG15 GG17 GG19 GG22 GG25 GG28 HH11 HH25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】開口径が６０μｍ以下の開口を有するソル
ダーレジスト層を備える配線基板の製造方法であって、レーザにより上記開口を形成する開口形成工程を備える
配線基板の製造方法。
【請求項２】第１開口とこの第１開口よりも小さい第２
開口とを有するソルダーレジスト層を備える配線基板の
製造方法であって、写真法により、上記第１開口を有するソルダーレジスト
層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、上記第１開口を有するソルダーレジスト層に、レーザに
より、上記第２開口を形成する第２開口形成工程と、を
備える配線基板の製造方法。
【請求項３】複数の開口を有するソルダーレジスト層を
備える配線基板の製造方法であって、写真法により、上記開口のうち開口径が６０μｍを越え
る第１開口を有するソルダーレジスト層を形成するソル
ダーレジスト層形成工程と、上記第１開口を有するソルダーレジスト層に、レーザに
より、上記開口のうち開口径が６０μｍ以下の第２開口
を形成する第２開口形成工程と、を備える配線基板の製
造方法。
【請求項４】基板主面をなし、主面側開口を有する主面
側ソルダーレジスト層と、基板裏面をなし、上記主面側開口よりも大きい裏面側開
口を有する裏面側ソルダーレジスト層と、を備える配線
基板の製造方法であって、主面側ソルダーレジスト層に、レーザにより、上記主面
側開口を形成する主面側開口形成工程と、写真法により、上記裏面側開口を有する裏面側ソルダー
レジスト層を形成する裏面側ソルダーレジスト層形成工
程と、を備える配線基板の製造方法。
【請求項５】請求項４に記載の配線基板の製造方法であ
って、前記主面側開口にハンダペーストを印刷し、リフローし
て、上記主面側開口にハンダバンプを形成するハンダバ
ンプ形成工程を備える配線基板の製造方法。
【請求項６】請求項４または請求項５に記載の配線基板
の製造方法であって、前記主面側開口は、開口径が６０μｍ以下であり、前記裏面側開口は、開口径が６０μｍを越える配線基板
の製造方法。