JP5712615B2 - 電子部品パッケージおよび電子部品パッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品パッケージおよび電子部品パッケージの製造方法に関する。

近年の電子機器の高機能化ならびに軽量薄型化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化および高密度実装化が進んでいる。

この種の技術に関し、下記特許文献１には、インタポーザ基板より突出した導体ポストの表面に金またはニッケルのメッキ層を設け、かかる導体ポストと、半導体チップに形成された電極パッドとを接合してなる半導体パッケージの発明が記載されている。

特開２００８−１５３４８２号公報

しかしながら、上記特許文献に記載の半導体パッケージにおいては、導体ポストと電極パッドとの接合性が十分ではなく、更なる改良が望まれていた。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、電子部品の高密度実装を実現するとともに、電子部品の電極パッドと回路基板とが高い接合力で一体化された電子部品パッケージ、およびその製造方法を提供するものである。

本発明の電子部品パッケージは、基材と、前記基材に埋設された導電性の導体ポストと、前記導体ポストの先端部に前記基材の表面より露出して設けられたハンダ層と、を備える回路基板と、
金属層が搭載された電極パッドが主面に設けられた電子部品と、
フラックス活性化合物を含有し、前記基材の前記表面と前記電子部品の前記主面とを接合する接着層と、
を含むとともに、
前記金属層と前記ハンダ層とが金属接合されていることを特徴とする。

また本発明の電子部品パッケージにおいては、より具体的な実施の態様として、前記ハンダ層が錫を含み、
前記金属層が、金、ニッケル、アルミニウムもしくは銅より選択される少なくとも１種の金属、または前記金属を含む合金もしくは錫を含有するハンダであってもよい。

また本発明の電子部品パッケージにおいては、より具体的な実施の態様として、前記回路基板がフレキシブル基板であってもよい。

本発明の電子部品パッケージの製造方法は、基材と、前記基材に埋設された導電性の導体ポストと、前記導体ポストの先端部に前記基材の表面より露出して設けられたハンダ層と、を備える回路基板を用意する工程と、
金属層が搭載された電極パッドが主面に設けられた電子部品を用意する工程と、
フラックス活性化合物を含有する接着層を、前記回路基板の前記表面または前記電子部品の前記主面の少なくとも一方に被着して、前記ハンダ層または前記金属層を被覆する接着層形成工程と、
前記導体ポストと前記電極パッドとを対向させた状態で前記回路基板と前記電子部品とを加熱状態で圧接して、前記回路基板と前記電子部品とを前記接着層により接合するとともに前記ハンダ層と前記金属層とを位置合わせする位置合わせ工程と、
前記ハンダ層を加熱溶融して該ハンダ層と前記金属層とを金属接合する接合工程と、
を含む。

なお、本発明の電子部品パッケージの製造方法は、複数の工程を順番に記載してあるが、明示の場合を除き、その記載の順番は複数の工程を実行する順番を必ずしも限定するものではない。このため、本発明の電子部品パッケージの製造方法を実施するときには、その複数の工程の順番は内容的に支障しない範囲で変更することができる。
さらに、本発明の電子部品パッケージの製造方法は、複数の工程が個々に相違するタイミングで実行されることに限定されない。このため、ある工程の実行中に他の工程が発生すること、ある工程の実行タイミングと他の工程の実行タイミングとの一部ないし全部が重複していること、等でもよい。

本発明の電子部品パッケージは、導体ポストが設けられた回路基板の裏面側を実装面とすることができるため、実装面に対する高密度実装が可能である。
そして本発明によれば、回路基板と電子部品とを接合する接着層がフラックス活性化合物を含有していることにより、ハンダ層と金属層の表面は当該化合物により還元されて酸化膜が形成されることがない。このため、ハンダ層と金属層とは良好に金属接合して導体ポストと電極パッドとが高い接合強度にて一体化される。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

本発明の第一実施形態の電子部品パッケージの一例を示す積層断面図である。 図１にて円IIで示す領域の拡大図である。 第一実施形態の変形例にかかる電子部品パッケージの積層断面図である。 （ａ）から（ｆ）は、第一準備工程を示す工程断面図である。 （ａ）は回路基板に接着層形成工程を施した状態を示す断面図、（ｂ）は位置合わせ工程を示す断面図、（ｃ）は接合工程を示す断面図、（ｄ）はバンプ搭載工程を示す断面図である。 （ａ）から（ｄ）は、電子部品パッケージの製造方法の第一変形例にかかる工程断面図である。 （ａ）から（ｄ）は、電子部品パッケージの製造方法の第二変形例にかかる工程断面図である。 第二実施形態にかかる電子部品パッケージの導体ポスト近傍に関する拡大断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

＜第一実施形態＞
（電子部品パッケージ）
図１は、本発明の第一の実施形態の電子部品パッケージ１００の一例を示す積層断面図である。
図２は、図１にて円IIで示す領域の拡大図である。

はじめに、本実施形態の電子部品パッケージ１００の概要について説明する。
本実施形態の電子部品パッケージ１００は、回路基板１０と電子部品２０と接着層３０とを含む。
回路基板１０は、基材１２と、基材１２に埋設された導電性の導体ポスト１６と、導体ポスト１６の先端部１３に基材１２の表面１２１より露出して設けられたハンダ層１８と、を備える。
電子部品２０は、金属層２２が搭載された電極パッド２４が主面２６に設けられている。
接着層３０は、フラックス活性化合物を含有し、基材１２の表面１２１と電子部品２０の主面２６とを接合する。
そして、本実施形態の電子部品パッケージ１００は、金属層２２とハンダ層１８とが金属接合されている。

次に、本実施形態の電子部品パッケージ１００について詳細に説明する。
電子部品２０としては、トランジスタなどの半導体素子のほか、抵抗素子やコンデンサを用いることができる。より具体的には、本実施形態に用いる電子部品２０は半導体素子であり、回路基板１０はインタポーザ基板である。
半導体素子である電子部品２０は、チップ基板２１の内部に半導体回路が形成され、一方側（図１，２における下方側）の主面２６に露出して複数の金属製の電極パッド２４が分散して設けられている。
そして、電子部品２０は、フェイスダウン方式により回路基板１０に搭載されている。

本実施形態の回路基板１０はフレキシブル基板である。
インタポーザ基板である回路基板１０は、絶縁性の基材１２を主体として構成されている。
基材１２を構成する材料としては、繊維基材または樹脂フィルムなどが挙げられる。
繊維基材としては、例えばガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、またはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布もしくは不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材が挙げられる。
また、樹脂フィルム基材としては、例えばポリイミド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリアミドイミド樹脂フィルム等のポリイミド樹脂系樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム等のポリアミド樹脂系フィルム、ポリエステル樹脂フィルム等のポリエステル樹脂系フィルムが挙げられる。これらの中でも主としてポリイミド樹脂系フィルムが好ましい。これにより、弾性率と耐熱性を特に向上し、良好な微細レーザー加工性を得ることができる。
なお、基材１２には、微細粒径の無機フィラー（ナノフィラー）を含有してもよい。

基材１２の厚さは特に限定されず、例えば５〜１２５μｍとすることができる。特に、１２．５〜１００μｍとすることにより、基材１２の面直方向の屈曲性と、面内方向の伸縮性が良好に得られる。
基材１２の面内方向の寸法は特に限定されず、電子部品２０の主面２６よりも小さくても、主面２６と同寸法でも、または主面２６よりも大きくてもよい。図１では、基材１２の表面１２１の面積が、これに対向する電子部品２０の主面２６よりも小さく、基材１２の形成領域が主面２６の形成領域に包含される態様を例示している。

基材１２には、電子部品２０の電極パッド２４に対向する位置に、これを貫通するビアホール１２５（図４を参照）が形成されている。ビアホール１２５の内部には導体ポスト１６が形成されている。これにより、導体ポスト１６は基材１２に埋設されている。

導体ポスト１６には金属材料を用いることができる。かかる金属材料としては、例えば銅、アルミニウム、インジウムもしくは錫などの金属、またはこれらの合金を用いることができる。導体ポスト１６は、ペーストまたは電解メッキ法によって作製することができる。
導体ポスト１６の先端部１３は、基材１２の内部に設けられてもよく、または基材１２の表面１２１と面一もしくは表面１２１より突出して設けられてもよい。
本実施形態では、導体ポスト１６の先端部１３は、基材１２の表面１２１から上方に、すなわち電子部品２０に向かって突出している。

導体ポスト１６の先端部１３には、その一部または全部を覆うようにハンダ層１８が設けられている。ハンダ層１８は基材１２の表面１２１より露出している。
なお、ハンダ層１８は、基材１２の表面１２１と面一に設けられても、表面１２１より突出して設けられてもよい。本実施形態では、ハンダ層１８は導体ポスト１６の先端部１３とともに基材１２の表面１２１より突出している。
電子部品２０の電極パッド２４は、導体ポスト１６のハンダ層１８を利用して、一対一の関係で電気的に接続されるフリップチップボンディングにより実装されている。

なお、導体ポスト１６の先端部１３の表面には、ハンダ層１８の下地層として、導体ポスト１６とは異種の金属材料を積層して設けてもよい。具体的には、導体ポスト１６を銅とした場合、先端部１３に、例えばニッケルメッキ層またはアルミメッキ層を形成してもよい。これにより、ハンダ層１８の形成時に、かかる下地層とハンダ層１８との界面に合金が形成されるため、導体ポスト１６に対するハンダ層１８の密着性が向上してハンダ層１８の拡散が防止される。

インタポーザ基板である回路基板１０は、その表面または内部に配線層が単層に形成された単層基板でもよく、または配線層が多層に形成された多層配線基板でもよい。
本実施形態の回路基板１０は、図２に示すように、基材１２は、導体ポスト１６が貫通して設けられた表面基材１２ａと、その裏面側（図１，２における下方側）に接合された裏面基材１２ｂとを組み合わせた単層基板である。

回路基板１０の内部には、導体ポスト１６と電気的に接続された電極部１６１が形成されている。本実施形態の場合、一つまたは複数の導体ポスト１６が電極部１６１により接続されている。より具体的には、図１の左方に示す電極部１６１（電極部１６１ａ）には二つの導体ポスト１６が接続されており、同図の右方に示す電極部１６１（電極部１６１ｂ）には一つの導体ポスト１６が接続されている。
回路基板１０の裏面１２２の側には、電極部１６１に接合されたボールパッド１６２が設けられている。そして、ボールパッド１６２には、ハンダバンプ４０が搭載されている。
これにより、導体ポスト１６およびハンダ層１８は、ハンダバンプ４０と導通している。
すなわち、本実施形態の回路基板１０は、ボンディングワイヤを経由せずに導体ポスト１６がボールパッド１６２に接続されている。

電子部品パッケージ１００の面内方向におけるハンダバンプ４０と導体ポスト１６との位置関係は特に限定されない。図１に示す本実施形態の場合、電極部１６１ａでは、一部の導体ポスト１６（導体ポスト１６ａ）とハンダバンプ４０とは面内方向（同図左右方向）に重なり合っており、他の導体ポスト１６（導体ポスト１６ｂ）とハンダバンプ４０とは互いにオフセットしている。

なお、本実施形態の変形例として、回路基板１０の基材１２に多層配線基板を用いた場合の電子部品パッケージ１００の積層断面図を図３に示す。
本変形例の電子部品パッケージ１００は、回路基板１０が、導体ポスト１６と電気的に接続された複数の配線層１６３、１６４を互いに積層してなる多層基板である。より具体的には、樹脂材料からなる基材１２の内部に、導電性の配線層１６３、１６４が多層に形成されている。配線層は、三層以上に形成してもよい。
配線層同士は所定の積層間隔で離間して形成され、導電性のビア１６５によって電気的に接続されている。
配線層１６４およびビア１６５は、電極部１６１と同様に銅やアルミニウムなどの金属材料からなる。ビア１６５は、一例としてメッキ成長法により形成することができる。
本件変形例において、配線層１６３は電極部１６１と同一材料により同層に形成されている。

図３に示すように、電極部１６１と配線層１６４とは、ビア１６６によって互いに電気的に接続されていてもよい。
ハンダバンプ４０を搭載するためのボールパッド１６２（ボールパッド１６２ａ）は、配線層１６４と同層に形成されたパッド１６８の表面に形成されてもよい。パッド１６８と電極部１６１とは、ビア１６７によって互いに電気的に接続されている。また、ボールパッド１６２（ボールパッド１６２ｂ）は、パッド１６８を介在させずに、ビア１６７の端面に対して直接形成してもよい。すなわち、ボールパッド１６２は、ボールパッド１６２ａおよびパッド１６８のように多層に形成してもよく、またはボールパッド１６２ｂのように単層に形成してもよい。
ビア１６６、１６７は、ビア１６５と同様の方法で形成することができる。

ハンダバンプ４０は略球状をなしている。ハンダバンプ４０は、実装基板（図示せず）に対して電子部品パッケージ１００を実装するための部材である。
本実施形態の電子部品パッケージ１００の場合、導体ポスト１６および電極部１６１は、鉄、アルミ、ステンレスまたは銅などの金属材料からなる。このうち、電気特性の面から銅が好ましい。
また、本実施形態の場合、ボールパッド１６２は金からなる。

電子部品２０の電極パッド２４に搭載される金属層２２は、本実施形態の場合、回路基板１０に向かって突出する金属スタッド２２ａ（図５を参照）である。
より具体的には、金属スタッド２２ａは鋲形状をなし、電極パッド２４の面直方向に突出する突起部２３を有している。
金属スタッド２２ａは、溶融した金ワイヤを電極パッド２４に接合して形成することができる。

本実施形態の金属層２２（金属スタッド２２ａ）の少なくとも一部は、ハンダ層１８の内部に貫入している。
ハンダ層１８に対する金属層２２の貫入深さは特に限定されるものではない。図２では、金属層２２がハンダ層１８の中間深さまで貫入して、導体ポスト１６の先端部１３と金属層２２の突起部２３とが互いに非接触である状態を示している。ただし、本発明においては、突起部２３が導体ポスト１６の先端部１３に到達する深さまで金属層２２をハンダ層１８に完全に貫入させてもよい。後述のように、金属層２２と導体ポスト１６とを互いに接触させた状態でハンダ層１８により両者を固定することで、回路基板１０と電子部品２０との厚み方向の距離に関する再現性が向上する。
そして、ハンダ層１８は、突起部２３を含む金属スタッド２２ａの表面のほぼ全体に対して金属接合されている。

ハンダ層１８および金属層２２は金属または合金材料からなり、具体的な成分は限定されるものではない。本実施形態の場合、ハンダ層１８は錫を含んでいる。より具体的には、錫−鉛系のハンダのほか、耐環境性の観点から、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系または錫−銅系などの鉛フリーハンダをハンダ層１８として、用いることができる。また、ハンダ層１８として、金錫ハンダを用いてもよい。
一方、金属層２２は、金、ニッケル、アルミニウムもしくは銅より選択される少なくとも１種の金属、またはかかる金属を含む合金もしくは錫を含有するハンダである。このうち、本実施形態では、比抵抗の低さから、金属層２２には金を用いている。

ここで、錫と金とは、１００〜２００℃程度の加熱状態で互いに押圧することにより、両者の界面に金と錫との化合物（金錫化合物：ＡｕＳｎ、ＡｕＳｎ_２、ＡｕＳｎ_４）が層状に形成される。
本実施形態の電子部品パッケージ１００の場合、ハンダ層１８の内部に貫入した金属層２２の表面からハンダ層１８の内部に向かって、Ａｕ−ＡｕＳｎ−ＡｕＳｎ_２−ＡｕＳｎ_４−Ｓｎの層が順に積層され、ハンダ層１８と金属層２２とは互いに強固に金属接合する。

ハンダ層１８および金属層２２の周囲には、フラックス活性化合物を含有する接着層３０が充填されている。
接着層３０は、ハンダ層１８と金属層２２を内包しつつ、回路基板１０の表面１２１と電子部品２０の主面２６とを接合している。
本実施形態の接着層３０は熱硬化性樹脂を主成分として含む。

接着層３０に含有しているフラックス活性化合物としては、分子中にカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基が少なくとも１つ以上存在する化合物をもちいることができる。かかる化合物は液状であっても固体であってもよい。

カルボキシル基を含有するフラックス活性化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。フェノール性水酸基を有するフラックス活性化合物としては、フェノール類が挙げられる。

脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。

脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。

芳香族酸無水物としては、無水フタル酸無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。

脂肪族カルボン酸としては、下記式（１）で示される化合物が挙げられる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＯＯＨ （１）
上記式（１）において、ｎは、０以上２０以下の整数である。
また、フラックス活性、接着時のアウトガスやガラス転移温度のバランスから、上記式（１）中のｎは、３以上１０以下が好ましい。ｎを３以上とすることにより、硬化後の弾性率の増加を抑制し、回路基板１０および電子部品２０との接着性を向上させることができる。また、ｎを１０以下とすることにより、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができる。
上記式（１）で示される化合物として、たとえば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ_２）_３−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ_２）_４−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ_２）_５−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ_２）_８−ＣＯＯＨ）およびｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ_２）_１０−ＣＯＯＨが挙げられる。
他の脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。

芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；ジフェノール酸等が挙げられる。

フェノール性水酸基を有するフラックス活性化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等が挙げられる。

フラックス活性化合物は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂との反応で三次元的に取り込まれるため、１分子中にエポキシ樹脂に付加することができる少なくとも２個のフェノール性水酸基と、金属酸化膜にフラックス作用を示す芳香族に直接結合したカルボキシル基を一分子中に少なくとも１個有する化合物が好ましい。このような化合物としては、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられる。
これらのフラックス活性化合物は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記のフラックス活性化合物を含有する接着層３０の構成としては、さらに、三つ以上のグリシジルエーテル基を有し、エポキシ当量が１００〜３００である多官能エポキシ樹脂（ａ）と、融点が５０℃以上、２３０℃以下であるカルボキシル基を有する化合物（ｂ）と、硬化剤（ｃ）を含むことが好ましい。これにより、耐熱信頼性に優れる接着層３０を得ることができる。

多官能エポキシ樹脂（ａ）としては、特に限定はされないが、例えばフェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、アミノトリアジンフェノールノボラックエポキシ樹脂、アミノトリアジンクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂を、単独もしくは組み合わせて使用できる。これらの中でも、ナフタレン骨格型４官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型３官能エポキシ樹脂および３官能固形エポキシ樹脂が好ましい。
多官能エポキシ樹脂（ａ）の含有量は、特に限定はされないが、多官能エポキシ樹脂（ａ）と硬化剤（ｃ）を合わせて１００重量部としたとき、多官能エポキシ樹脂（ａ）を６０重量部以上、８０重量部以下が好ましい。含有量がこの範囲内にあると、接着層３０は密着力に優れる。

カルボキシル基を有する化合物（ｂ）は、ハンダ層１８、金属層２２（金属スタッド２２ａ）および電極パッド２４の表面に形成されることのある酸化膜を除去して濡れ性を向上させる働きがある。
化合物（ｂ）の活性化が最も発現するのは融点を超えたときであるため、化合物（ｂ）の融点は２３０℃以下であることが好ましい。また、融点が５０℃以上とすることにより、化合物（ｂ）が接着層３０から流れ出してくることが防止される。

化合物（ｂ）の含有量は、多官能エポキシ樹脂（ａ）、化合物（ｂ）および硬化剤（ｃ）を合わせて１００重量部としたとき、３重量部以上、１５重量部以下であることが好ましい。含有量がこの範囲にあると、金属表面の還元性に優れ良好な金属接合とすることができる。また、接着層３０をシート状のキャリア材料とした場合の作業性に優れる。

化合物（ｂ）としては、特に限定はされないが、例えば、以下のものが挙げられる。２，３−ピラジンジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、シクロブタンジカルボン酸、安息香酸、ｍ−メチル安息香酸、ｐ−メチル安息香酸、クマリン−３−カルボン酸、ベンゾフェノン−２−カルボン酸、セバシン酸、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸、２−ビフェニルカルボン酸、４−ビフェニルカルボン酸などの１種または２種以上の組合せで使用可能である。

なお、接着層３０は、合成ゴム系エラストマーをさらに含んでいてもよい。これにより、接着層３０をシート状のキャリア材料としたときにフィルム加工性に優れる。合成ゴム系エラストマーは、カルボン酸変性したものがポリイミドフィルムに対する密着力が良いため、好ましく使用できる。例えばカルボン酸変性ＮＢＲ、カルボン酸変性アクリルゴム、カルボン酸変性ブタジエンゴムなど市販されている一般的なものでよい。

合成ゴム系エラストマーの含有量は、特に限定はされないが、多官能エポキシ樹脂（ａ）、合成ゴム系エラストマーおよび硬化剤（ｃ）を合わせて１００重量部としたとき、５重量部以上、３０重量部以下が好ましい。含有量がこの範囲内にあると、密着性と耐熱性のバランスに優れた接着層３０とすることができる。また、合成ゴム系エラストマーの重量平均分子量が５０万以上であることが好ましい。これにより、加熱加圧時の成形性に優れた接着層３０とすることができる。

接着層３０は、硬化剤（ｃ）としてノボラックフェノール樹脂を含んでいてもよい。ノボラックフェノール樹脂としては、特に限定されないが、アミノトリアジンノボラック型フェノール樹脂、または、アミノトリアジンクレゾールノボラック型フェノール樹脂であることが好ましい。アミノ基が存在することで塗工時の熱により一部のエポキシ基の反応が起こりＢステージ化する。これにより積層プレス時の染み出しが抑えられる。また、トリアジン部の窒素が難燃性に寄与する。
ノボラックフェノール樹脂の含有量は、特に限定されないが、多官能エポキシ樹脂（ａ）に対して０．８〜１．２当量を含むことが好ましい。当量がこの範囲内にあると、接着層３０は硬化性や反りなどに優れる。

接着層３０は、密着力を向上させるためのカップリング剤、塗工の際に発泡やハジキを抑える消泡剤やレベリング剤、ゲルタイムを調整する為の少量の硬化促進剤や無機フィラーなどを添加することも可能である。

第二の好ましい接着層３０の構成としては、フェノール性水酸基を有するフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などの樹脂（Ａ）と、樹脂（Ａ）の硬化剤（Ｂ）を含むものである。硬化剤としては、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族などの骨格をベースとしてエポキシ化されたエポキシ樹脂やイソシアネート化合物が挙げられる。

樹脂（Ａ）の配合量は、接着層３０の全重量中、２０重量部以上〜８０重量部以下が好ましい。２０重量部以上であると金属表面を清浄化する作用に優れる。また、これが８０重量部以下であると十分な硬化物を得ることができる。
一方、硬化剤（Ｂ）として作用する樹脂または化合物は、接着層３０の全重量中、２０重量部以上〜８０重量部以下が好ましい。接着層３０には、必要に応じて着色剤、無機充填材、各種のカップリング剤、溶媒などを添加してもよい。

第三の好ましい接着層３０の構成としては、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族などの骨格をベースとしてエポキシ化されたエポキシ樹脂（Ｃ）と、イミダゾール環を有し、かつエポキシ樹脂（Ｃ）に対する硬化剤（Ｄ）と、硬化性酸化防止剤（Ｅ）を含むものである。

エポキシ樹脂（Ｃ）には、上記の多官能エポキシ樹脂（ａ）と共通の材料を用いることができる。
硬化剤（Ｄ）としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、ビス（２−エチル−４−メチル−イミダゾール）などが挙げられる。
硬化性酸化防止剤（Ｅ）は、酸化防止剤として作用し、かつ硬化剤と反応して硬化できる化合物であり、ベンジリデン構造を有する化合物や３−ヒドロキシ−２−ナフトイック酸、パモイック酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸などが挙げられる。

エポキシ樹脂（Ｃ）の配合量は、接着層３０の全重量中、３０重量部以上〜９９重量部以下が好ましい。３０重量部以上であれば十分な硬化物を得ることができる。
上記２成分以外に、シアネート樹脂、アクリル酸樹脂、メタクリル酸樹脂、マレイミド樹脂などの熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を配合してもよい。また、必要に応じて着色剤、無機充填材、各種のカップリング剤、溶媒などを添加してもよい。

硬化剤（Ｄ）と硬化性酸化防止剤（Ｅ）の配合量としては、接着層３０の全重量中、両者をあわせて１重量部以上〜２０重量部以下が好ましい。これを１重量部以上とすることにより、ハンダ層１８、金属層２２、電極パッド２４の表面を清浄化する十分な作用が得られ、またエポキシ樹脂（Ｃ）の硬化性に優れる。また、これを１０重量部以下とすることにより、硬化反応が緩やかに進行し、接着層３０に高い流動性を得ることができる。また、硬化剤（Ｄ）と硬化性酸化防止剤（Ｅ）は、両方を併用してもよく、または片方の成分のみを単独で配合して使用してもよい。

接着層３０の調整方法は、例えば、固形の樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）を溶媒に溶解して調整する方法、固形の樹脂（Ａ）を液状の樹脂（Ｂ）に溶解して調整する方法、固形の樹脂（Ｂ）を液状の樹脂（Ａ）に溶解して調整する方法、または、固形のエポキシ樹脂（Ｃ）を溶媒に溶解した溶液に、硬化剤（Ｄ）と硬化性酸化防止剤（Ｅ）を分散もしくは溶解する方法などが挙げられる。
使用する溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサン、トルエン、ブチルセルソブル、エチルセロソブル、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチルラクトンなどが挙げられる。好ましくは沸点が２００℃以下の溶媒である。

（電子部品パッケージの製造方法）
つぎに、本実施形態の電子部品パッケージ１００の製造方法（以下、本方法という場合がある）について説明する。

まず、本方法の概要について説明する。
本方法は、第一準備工程と、第二準備工程と、接着層形成工程と、位置合わせ工程と、接合工程とを含む。
第一準備工程は、基材１２と、基材１２に埋設された導電性の導体ポスト１６と、導体ポスト１６の先端部１３に基材１２の表面１２１より露出して設けられたハンダ層１８と、を備える回路基板１０を用意する工程である。
第二準備工程は、金属層２２が搭載された電極パッド２４が主面２６に設けられた電子部品２０を用意する工程である。
接着層形成工程は、フラックス活性化合物を含有する接着層３０を、回路基板１０の表面１２１または電子部品２０の主面２６の少なくとも一方に被着して、ハンダ層１８または金属層２２を被覆する工程である。
位置合わせ工程は、導体ポスト１６と電極パッド２４とを対向させた状態で回路基板１０と電子部品２０とを加熱状態で圧接して、回路基板１０と電子部品２０とを接着層３０により接合するとともにハンダ層１８と金属層２２とを位置合わせする工程である。
接合工程は、ハンダ層１８を加熱溶融してハンダ層１８と金属層２２とを金属接合する工程である。

なお、本方法は、接合工程にて電子部品２０と回路基板１０とを接合してなる電子部品パッケージ１００を個片化するダイシング工程（図６，７を参照）と、回路基板１０に対して実装用のハンダバンプ４０を搭載する工程（バンプ搭載工程）と、をさらに含んでもよい。

つぎに、本方法をより詳細に説明する。
図４（ａ）から（ｆ）は、第一準備工程を示す工程断面図である。
図５（ａ）は、回路基板１０に接着層形成工程を施した状態を示す断面図である。同図（ｂ）は位置合わせ工程を示す断面図である。同図（ｃ）は接合工程を示す断面図である。同図（ｄ）は、バンプ搭載工程を示す断面図である。

本実施形態の回路基板１０は、図４（ａ）に示す片面板１１をもとにして作成される。片面板１１は、絶縁性の表面基材１２ａの裏面に銅箔１６０が被着された銅張積層板である。
銅箔１６０の厚さは、５〜３５μｍが好ましい。
片面板１１としては、例えば住友ベークライト株式会社製のＬαＺを用いることができる。
表面基材１２ａには、所定の間隔および個数にて、レーザー法を用いてビアホール１２５が穿設される。ビアホール１２５は、表面基材１２ａの表面側より、銅箔１６０が露出する深さで形成される。

つぎに、図４（ｂ）に示すように、金属ペーストの塗布または電解メッキ法を用いて、ビアホール１２５の一部または全部を埋める導体ポスト１６を形成する。導体ポスト１６は、その先端部１３がビアホール１２５の表面より凹んだ状態、当該表面と面一の状態、または当該表面より突出した状態に形成される。同図では、先端部１３がビアホール１２５から表面側に突出するよう、導体ポスト１６が表面基材１２ａの厚みよりも高く形成された状態を例示している。導体ポスト１６の先端部１３を表面基材１２ａより突出させることにより、金属層２２の厚みや形状によらず、後述する接合工程において金属層２２と導体ポスト１６とを当接させて、回路基板１０と電子部品２０との厚み方向の距離に関する再現性を向上することができる。
導体ポスト１６の先端部１３の形状は特に限定されない。図４（ｂ）では半球状の先端部１３を模式的に図示しているが、円柱状や角柱状でもよい。また、先端部１３は、表面基材１２ａに向かって拡径する末広形状の順テーパー形状、または逆に表面基材１２ａに向かって縮径する杯状の逆テーパー形状としてもよい。

表面基材１２ａより突出した導体ポスト１６の先端部１３の表面には、図４（ｂ）に示すようにハンダ層１８を被着する。ハンダ層１８の厚さは特に限定されないが、０．５〜３０μｍ、好ましくは１〜２０μｍとするとよい。ハンダ層１８の厚さを０．５μｍ以上とすることにより、導体ポスト１６の先端部１３に対してハンダ層１８の被着厚さに不均一が仮に生じたとしても、金属層２２との接続不良が生じることがない。また、ハンダ層１８の厚さを１μｍ以上とすることにより、金属層２２が鋲形状の金属スタッド２２ａである場合に、突起部２３の近傍領域のみならず、その他領域に対してもハンダ層１８の接触が十分に確保される。

つぎに、図４（ｃ）に示すように、表面基材１２ａの表面に保護層３２を塗布、またはラミネートなどにより形成して、導体ポスト１６に形成されたハンダ層１８を被覆保護する。
ハンダ層１８は、表面基材１２ａより露出して形成される。すなわち、ハンダ層１８は、同図に図示するように表面基材１２ａより突出して形成されてもよく、表面基材１２ａと面一に形成されてもよく、または表面基材１２ａ（ビアホール１２５）の内部に形成されてもよい。

つぎに、図４（ｄ）に示すように、銅箔１６０を所定のパターンにエッチングして、電極部１６１を形成する。これにより、複数個（図示では二個）の導体ポスト１６同士が電極部１６１（電極部１６１ａ）により接続される。なお、電極部１６１の形成方法としては、エッチング法のほか、表面基材１２ａの表面に電極部１６１を選択的に堆積するアディティブ法、表面基材１２ａの表面にパターン形成した導電性のシード層（図示せず）の上に電解メッキにより電極部１６１を堆積するセミアディティブ法、または印刷法を用いてもよい。

つぎに、図４（ｅ）に示すように、エッチングされた電極部１６１の表面（図示では下面）に裏面基材１２ｂを形成する。裏面基材１２ｂは、表面基材１２ａとあわせて基材１２を構成する。
裏面基材１２ｂと表面基材１２ａとは、同種材料であっても異種材料であってもよい。
裏面基材１２ｂには開口１２６が形成される。開口１２６は、電極部１６１が露出する深さにて形成される。

裏面基材１２ｂに開口１２６を形成する方法は種々をとることができる。一例として、
（i）裏面基材１２ｂの樹脂組成物を表面基材１２ａの表面（同図の下面）の全面に塗布したのち、これをエッチングして開口１２６をパターン形成するエッチング方法；
（ii）開口１２６が予め開口して形成されるように裏面基材１２ｂを塗工する印刷方法；
を用いることができる。
ここで、エッチング方法（i）に関しては、感光性材料を裏面基材１２ｂの樹脂組成物として用い、フォトリソグラフィー法により開口１２６をパターン形成してもよい。または、塗布および硬化された裏面基材１２ｂの表面に、印刷法によりレジスト層をパターン形成し、当該レジスト層より臨む開口部をエッチング除去して開口１２６を形成してもよい。エッチングに関しては、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザーエッチングなど種々の方法を用いることができる。
また、印刷方法（ii）に関しては、例えばスクリーン印刷法を用いることができる。

開口１２６の内部には、図４（ｆ）に示すように、電極部１６１の表面を金メッキすることによりボールパッド１６２が形成される。
以上の工程により、回路基板１０は作成される。

図５（ａ）に示す電子部品２０は、第二準備工程にて用意される。本方法に用いる電子部品２０はフリップチップなどのフェイスダウン式の半導体素子であり、その具体的な作成方法の詳説は省略する。
第一準備工程と第二準備工程とは、いずれを先におこなってもよく、または同時におこなってもよい。なお、本方法にて、複数の工程を同時に行うとは、両工程の一部または全部が重複したタイミングで実施されることをいう。

チップ基板２１の主面２６に露出して形成された電極パッド２４に、鋲形状の金属スタッド２２ａが設けられている。金属スタッド２２ａの突起部２３は、図中下方、すなわちチップ基板２１の面直方向に突出している。
なお、チップ基板２１の主面２６には、フラックス活性化合物を含有する接着層３０を設けておいてもよい。

回路基板１０は、保護層３２（図４（ｃ）から（ｆ）を参照）が剥離されて、接着層３０が基材１２の表面１２１に被着されている。
接着層３０は、ハンダ層１８を完全に覆うよう、基材１２の表面１２１の実質的に全面に被着されている。
より具体的には、接着層形成工程は、熱硬化性のエポキシ樹脂を含む未硬化の接着層組成物を基材１２の表面１２１の全面に塗布するか、またはフィルム状に成形された接着層３０を基材１２の表面１２１に貼付しておこなう。
なお、接着層形成工程は、第一準備工程とともに一連の工程として実施してもよい。
回路基板１０と電子部品２０とは、ハンダ層１８の突出方向が電極パッド２４を向くよう、接着層３０と金属スタッド２２ａを内側に向けて対向配置している。

図５（ｂ）に示す位置合わせ工程では、対向配置された回路基板１０と電子部品２０とを平面方向および面直方向に相対駆動して金属スタッド２２ａとハンダ層１８とを互いに位置合わせする。位置合わせ工程は、６０から１５０℃程度の加熱状態でおこなう。かかる温度（位置合わせ温度）では、ハンダ層１８は固体状態であり、接着層３０は接着活性状態となっている。また、かかる温度は、接着層３０の硬化温度より低い。

また、位置合わせ工程では、回路基板１０と電子部品２０とを押圧することにより、金属スタッド２２ａは接着層３０の内部に貫入してハンダ層１８の表面近傍にいたる。
位置合わせ工程においては、金属層２２とハンダ層１８とが接触するまで回路基板１０と電子部品２０とを圧接してもよく、または金属層２２とハンダ層１８とが非接触の深さまで金属層２２を接着層３０に貫入させてもよい。
さらに、位置合わせ工程にて金属層２２とハンダ層１８とを接触させる場合においては、金属層２２をハンダ層１８に貫入させてもよい。本実施形態の位置合わせ工程はハンダ層１８の融点未満の温度でおこなうが、ハンダ層１８を構成するハンダ合金の低剛性ゆえ、特に金属層２２を金属スタッド２２ａとした場合には、位置合わせ工程における押圧力によって突起部２３の一部をハンダ層１８に貫入することができる。

図５（ｃ）に示す接合工程は、回路基板１０および電子部品２０を１５０から２５０℃程度のリフロー温度に加熱し、互いに圧接しておこなう。かかるリフロー温度は、位置合わせ温度よりも高温であり、またハンダ層１８の溶融または軟化温度である。リフロー温度への加熱は、伝熱加熱または超音波加熱によりおこなうことができる。
リフロー温度は、ハンダ層１８の融点−１０℃から＋３０℃とすることが好ましい。ハンダ層１８の融点−１０℃から融点温度までの温度とすることにより、ハンダ層１８は軟化して金属スタッド２２ａの貫入が可能となる。また、リフロー温度として、ハンダ層１８の融点から融点＋３０℃までの温度を選択することにより、ハンダ層１８は溶融する。ここで、図２に示すようにハンダ層１８の周囲は接着層３０および金属層２２（または電極パッド２４）で囲まれており、溶融したハンダ層１８は、周囲の接着層３０よりも、金属材料である金属層２２に対する濡れ性が高い。したがって、溶融したハンダ層１８は金属層２２の表面を覆う。

また接合工程においては、接着層３０を熱硬化させる。ハンダ層１８のリフローと接着層３０の熱硬化とは同時に行ってもよく、またはリフローしたハンダ層１８を再凝固させた後に接着層３０を熱硬化させてもよい。
すなわち、接合工程においては、回路基板１０および電子部品２０を所定のリフロー温度に保持してもハンダ層１８の溶融と接着層３０の熱硬化を同時に行ってもよく、または接合工程中に温度を多段階に変化させて、ハンダ層１８のリフローと接着層３０の熱硬化を順次おこなってもよい。後者の場合、接着層３０の熱硬化温度として１２０〜１９０℃を選択することができ、かかる熱硬化温度はハンダ層１８の溶融温度未満とすることができる。
そして、接着層３０の熱硬化温度をハンダ層１８のリフロー温度未満とすることにより、熱硬化時の接着層３０への熱負荷を低減することができる。

接合工程においては、金属層２２（金属スタッド２２ａ）の少なくとも一部をハンダ層１８の内部に貫入させるとともに、接着層３０を電子部品２０の主面２６に被着する。
ハンダ層１８に対する金属スタッド２２ａの貫入深さは特に限定されない。突起部２３の先端をハンダ層１８の中間深さ位置まで貫入させてもよく、または導体ポスト１６の表面に至るまで貫入させてもよい。さらに、金属スタッド２２ａが導体ポスト１６に押圧されて変形する深さまで、金属スタッド２２ａをハンダ層１８に貫入させてもよい。

ここで、図５（ｃ）に示すように、突起部２３の先端を導体ポスト１６の表面に至るまで貫入させることにより、回路基板１０と電子部品２０との厚み方向の距離は、接合された突起部２３および導体ポスト１６の突出高さに基づいて決められることとなる。これにより、電子部品パッケージ１００ごとに回路基板１０と電子部品２０との厚み方向の距離に関する再現性が向上し、電子部品パッケージ１００の厚み寸法が均一化する。

接合温度にて加圧されたハンダ層１８と金属層２２とは、両者の界面において層間化合物が生成および成長する。
本方法のハンダ層１８は錫を含み、金属層２２には金を用いている。このため、ハンダ層１８と金属層２２との界面には金錫化合物が層状に形成され、両者は金属接合する。これにより、回路基板１０と電子部品２０とは強固に一体化する。

図５（ｄ）に示すバンプ搭載工程は、開口１２６（同図（ｃ）を参照）に対して、公知の方法によりハンダバンプ４０を搭載しておこなう。詳説は省略する。
以上により、図１に示す本実施形態の電子部品パッケージ１００が作成される。

本方法においては、複数の電子部品パッケージ１００を、いわゆる多面づけにより作成してもよい。
図６および図７各図は、多面づけされた電子部品パッケージ１００を個片化するダイシング工程を含む、本方法の変形例を模式的に示す工程断面図である。

図６（ａ）から（ｄ）は、予め個片化された複数の回路基板１０を、一枚のチップ基板２１に接合する、本方法の第一変形例にかかる工程断面図である。

図６（ａ）に示すチップ基板２１には、複数の素子領域２７が一次元または二次元にパターン形成されている。各素子領域２７には、一つまたは二つ以上の電極パッド２４が設けられている。電極パッド２４には、金属スタッド２２ａがそれぞれ搭載されている。
チップ基板２１の主面２６には接着層３０が被着されている。電極パッド２４および金属スタッド２２ａは接着層３０に覆われて表面の酸化が防止されている。
チップ基板２１の下面２８（主面２６の反対面）には、伸縮性のダイシングシート５０が貼り付けられている。
一方、個片化された回路基板１０は、基材１２の表面１２１より導体ポスト１６（同図では不図示）が突出して、その表面にハンダ層１８が設けられている。

図６（ｂ）に示すように、複数の回路基板１０はチップ基板２１に対して位置合わせがされて接合される。ハンダ層１８は接着層３０に入り込んで金属スタッド２２ａと接触し、さらに金属スタッド２２ａの一部がハンダ層１８に貫入する。
かかる接合温度は、ハンダ層１８の溶融温度以下で行うとよい。
そして、ハンダ層１８の溶融温度よりも高温の所定のリフロー温度にハンダ層１８および接着層３０を加熱することにより、ハンダ層１８と金属スタッド２２ａとをハンダ接合するとともに、接着層３０を熱硬化させてチップ基板２１と基材１２とを接合する。

かかる状態から、ダイシングブレード５２を用いて、素子領域２７同士の間にあたるダイシング領域２９を切断する。
かかるダイシング工程では、ダイシングシート５０の中間深さまでダイシングする。
ここで、ダイシング領域２９のうち一部の幅寸法にてチップ基板２１をダイシングすることにより、図６（ｃ），（ｄ）に示すように、電子部品パッケージ１００におけるチップ基板２１の面積を、基材１２の面積よりも大きくすることができる。

図６（ｃ）に示すように、ダイシングされたチップ基板２１は、必要に応じて矢印で示すようにダイシングシート５０を面内方向にエキスパンドして個片化する。

個片化されたチップ基板２１はダイシングシート５０から取り外されたのち、図６（ｄ）に示すように基材１２の裏面１２２にハンダバンプ４０を搭載して電子部品パッケージ１００が作成される。
なお、本方法の第一変形例においては、接合工程の後、かつダイシング工程の前に、回路基板１０の基材１２の裏面１２２に対して予めハンダバンプ４０を搭載してもよい。

図７（ａ）から（ｄ）は、複数の回路領域１７がパターン形成された一枚の基材１２に対して、予め個片化された複数の電子部品２０を接合する、本方法の第二変形例にかかる工程断面図である。

図７（ａ）に示す基材１２には、複数の回路領域１７が一次元または二次元にパターン形成されている。各回路領域１７には、一つまたは二つ以上の導体ポスト１６（同図では不図示）が設けられている。導体ポスト１６の先端にはハンダ層１８がそれぞれ設けられている。
そして、基材１２の表面１２１には接着層３０が被着されている。ハンダ層１８は接着層３０に覆われて表面の酸化が防止されている。
基材１２の裏面１２２にはダイシングシート５０が貼り付けられている。
一方、個片化された電子部品２０には、それぞれ電極パッド２４および金属層２２（金属スタッド２２ａ）が設けられている。
電子部品２０と基材１２とは、金属スタッド２２ａとハンダ層１８を内向きにして対向配置されている。

図７（ｂ）に示すように、所定の接合温度に加熱された複数の電子部品２０は基材１２に対して位置合わせがされて接合される。金属スタッド２２ａは接着層３０およびハンダ層１８に貫入する。
そして、ハンダ層１８および接着層３０を、さらに高温のリフロー温度に加熱することにより、ハンダ層１８と金属スタッド２２ａとがハンダ接合され、基材１２とチップ基板２１とが接着層３０により接合される。

かかる状態から、ダイシングブレード５２を用いて、回路領域１７同士の間にあたるダイシング領域１９において接着層３０および基材１２を切断する。
ここで、ダイシングブレード５２によるダイシング幅がチップ基板２１に接するように調整して基材１２を切断することにより、図７（ｃ），（ｄ）に示すように、電子部品パッケージ１００におけるチップ基板２１と基材１２の面積を互いに等しくすることができる。
そして、図７（ｃ）に示すように、必要に応じて矢印で示すようにダイシングシート５０を面内方向にエキスパンドして、基材１２を個片化する。

個片化された基材１２はダイシングシート５０から取り外されたのち、図７（ｄ）に示すように基材１２の裏面１２２にハンダバンプ４０を搭載して電子部品パッケージ１００が作成される。

なお、本方法においては、上記変形例のほか、それぞれ複数の回路領域１７と素子領域２７がパターン形成された基材１２とチップ基板２１とを接合し、両者をあわせてダイシングしてもよい。

上記本実施形態の電子部品パッケージ１００の作用効果について説明する。本実施形態の電子部品パッケージ１００は、接着層３０が含有するフラックス活性化合物によりハンダ層１８と金属層２２の表面が還元されて酸化膜が形成されることがない。このため、ハンダ層１８と金属層２２とは良好に金属接合して導体ポスト１６と電極パッド２４とが高い接合強度にて一体化される。

また本実施形態では、ハンダ層１８は錫を含み、金属層２２は金、ニッケル、アルミニウムもしくは銅より選択される少なくとも１種の金属、またはかかる金属を含む合金もしくは錫を含有するハンダである。これにより、ハンダ層１８の半溶融状態に加熱してハンダ層１８と金属層２２とを加熱した場合に、両者の界面に層状化合物が生じ、強固な金属接合が実現する。

また本実施形態の金属層２２は、回路基板１０に向かって突出する金属スタッド２２ａである。これにより、回路基板１０と電子部品２０とを加圧した際に、鋲形状の突起部２３がハンダ層１８に容易に貫入して、確実にハンダ層１８と金属層２２とが接触する。
そして、ハンダ層１８と金属層２２とが単純に当接する場合に比べて、本実施形態のように金属スタッド２２ａの少なくとも一部がハンダ層１８の内部に貫入することにより、両者の接触長さが大きくなって金属接合力が向上する。

また本実施形態の回路基板１０はフレキシブル基板である。導体ポスト１６と電極パッド２４とを強固に接合する発明において回路基板１０をフレキシブル基板とすることにより、接合部に生じる熱応力を緩和することができる。すなわち、導体ポスト１６と電極パッド２４との接合を単純に強化した場合、基材１２とチップ基板２１との線膨張係数の相違により、ハンダ層１８および金属層２２には大きな熱応力が作用する。このため、リフロー温度から常温に冷却された場合の熱衝撃、および電子部品パッケージ１００の稼働・停止時の熱サイクルにより、電子部品パッケージ１００の歩留まり率や耐久性は低下する。これに対し、回路基板１０の基材１２に面内方向の伸縮性を与えることにより、基材１２の撓みによって熱応力が緩和されて上記の問題が解消する。
換言すると、フラックス活性化合物を含有する接着層３０を用いてハンダ層１８と金属層２２とを強固に接合する本発明において、本実施形態のように回路基板１０をフレキシブル基板としたことの相乗効果により、導体ポスト１６と電極パッド２４とのコンタクト性と、電子部品パッケージ１００の熱強度とがバランスして向上する。

また、近年の電子部品２０では、パッケージの高密度・高機能化に伴う、いわゆる多ピン化により、電極パッド２４の数は数百から数千、またはそれ以上にのぼるものとなっている。このため、電子部品２０を回路基板１０に実装するにあたっては、回路基板１０の配線が複雑化するとともに、導体ポスト１６と金属層２２とを接合する個々のハンダ層１８がきわめて小型化している。
したがって、図３に示すように回路基板１０に多層基板を用いて配線の複雑化を実現するとともに、本実施形態のようにフラックス活性化合物を含有する接着層３０を用いて金属層２２とハンダ層１８との金属接合を良好かつ確実に行うことにより、近年の多ピン化に対応することが可能となる。

また、本方法では、位置合わせ工程において、導体ポスト１６と電極パッド２４とを対向させた状態で回路基板１０と電子部品２０とを加熱状態で圧接して、回路基板１０と電子部品２０とを接着層３０により接合する。そして、接合工程ではハンダ層１８を加熱溶融してハンダ層１８と金属層２２とを金属接合する。また、本実施形態の接着層３０は熱硬化性である。これにより、位置合わせ工程と接合工程の一連の加熱ステップにて、ハンダ層１８と金属層２２との界面に生じる層状化合物領域の成長と、接着層３０の熱硬化の両方の作用を得ている。

＜第二実施形態＞
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される限りにおける種々の変形、改良等の態様も含む。
図８は本実施形態にかかる電子部品パッケージ１００の導体ポスト１６近傍に関する拡大断面図である。同図は、第一実施形態の図２に対応している。

本実施形態は、電極パッド２４に搭載された金属層２２が皮膜状に形成されている点で第一実施形態と相違する。
より具体的には、本実施形態の金属層２２としては、ニッケル金メッキ層、アルミメッキ層、金メッキ層、ニッケルメッキ層もしくは銅メッキ層の少なくとも１種、または錫を含有するハンダメッキ層を用いることができる。ここで、ニッケル金メッキ層とは、電極パッド２４に当接するニッケルまたはニッケル合金の下地層のうえに、金または金合金のトップ層を形成したものである。
金属層２２として銅メッキ層を用いる場合、その表面にはプリフラックスを塗工するとよい。

本実施形態の金属層２２は、電極パッド２４の表面に層状に形成されている。かかる金属層２２に対して、導体ポスト１６の先端部１３に設けられたハンダ層１８を加熱状態で押圧することにより、ハンダ層１８は半溶融状態となって金属層２２の表面に当接して金属接合を生じる。そして、再凝固したハンダ層１８は、金属層２２と表面基材１２ａとを結合する。

すなわち、金属層２２は、第一実施形態のように鋲形状の金属スタッド２２ａとするほか、本実施形態のように平坦な層状に形成してもよく、その形状は特に限定されるものではない。
この出願は、２００８年１１月２５日に出願された日本特許出願２００８−３００１１３を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
以下、参考形態の例を付記する。
１．基材と、前記基材に埋設された導電性の導体ポストと、前記導体ポストの先端部に前記基材の表面より露出して設けられたハンダ層と、を備える回路基板と、
金属層が搭載された電極パッドが主面に設けられた電子部品と、
フラックス活性化合物を含有し、前記基材の前記表面と前記電子部品の前記主面とを接合する接着層と、
を含むとともに、
前記金属層と前記ハンダ層とが金属接合されていることを特徴とする電子部品パッケージ。
２．前記ハンダ層が錫を含み、
前記金属層が、金、ニッケル、アルミニウムもしくは銅より選択される少なくとも１種の金属、または前記金属を含む合金もしくは錫を含有するハンダである１．に記載の電子部品パッケージ。
３．前記金属層が、前記回路基板に向かって突出する金属スタッドである１．または２．に記載の電子部品パッケージ。
４．前記金属スタッドの少なくとも一部が、前記ハンダ層の内部に貫入していることを特徴とする３．に記載の電子部品パッケージ。
５．前記金属層が皮膜状に形成されている２．に記載の電子部品パッケージ。
６．前記回路基板がフレキシブル基板である１．から５．のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
７．前記回路基板が、前記導体ポストと電気的に接続された複数の配線層を互いに積層してなる多層基板である１．から６．のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
８．前記電子部品が半導体素子であり、前記回路基板がインタポーザ基板である１．から７．のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
９．基材と、前記基材に埋設された導電性の導体ポストと、前記導体ポストの先端部に前記基材の表面より露出して設けられたハンダ層と、を備える回路基板を用意する工程と、
金属層が搭載された電極パッドが主面に設けられた電子部品を用意する工程と、
フラックス活性化合物を含有する接着層を、前記回路基板の前記表面または前記電子部品の前記主面の少なくとも一方に被着して、前記ハンダ層または前記金属層を被覆する接着層形成工程と、
前記導体ポストと前記電極パッドとを対向させた状態で前記回路基板と前記電子部品とを加熱状態で圧接して、前記回路基板と前記電子部品とを前記接着層により接合するとともに前記ハンダ層と前記金属層とを位置合わせする位置合わせ工程と、
前記ハンダ層を加熱溶融して該ハンダ層と前記金属層とを金属接合する接合工程と、
を含む、電子部品パッケージの製造方法。
１０．前記接合工程において、前記金属層の少なくとも一部を前記ハンダ層の内部に貫入させることを特徴とする９．に記載の電子部品パッケージの製造方法。
１１．前記接合工程にて前記電子部品と前記回路基板とを接合してなる電子部品パッケージを個片化するダイシング工程と、
前記回路基板に対して実装用のハンダバンプを搭載する工程と、
をさらに含む９．または１０．に記載の電子部品パッケージの製造方法。

Claims (11)

1. 基材と、前記基材に埋設された導電性の導体ポストと、前記導体ポストの先端部に前記基材の表面より露出して設けられたハンダ層と、を備える回路基板と、
   電極パッドと、前記電極パッド上に設けられた金属層と、が主面に設けられた電子部品と、
   フラックス活性化合物を含有し、前記基材の前記表面と前記電子部品の前記主面とを接合する接着層と、
   を含むとともに、
   前記金属層と前記ハンダ層とが金属接合されており、
   前記導体ポストの前記先端部は、前記基材の内部に設けられている、または前記基材の前記表面と面一に設けられていることを特徴とする電子部品パッケージ。
2. 前記ハンダ層が錫を含み、
   前記金属層が、金、ニッケル、アルミニウムもしくは銅より選択される少なくとも１種の金属、または前記金属を含む合金もしくは錫を含有するハンダである請求項１に記載の電子部品パッケージ。
3. 前記金属層が、前記回路基板に向かって突出する金属スタッドである請求項１または２に記載の電子部品パッケージ。
4. 前記金属スタッドの少なくとも一部が、前記ハンダ層の内部に貫入していることを特徴とする請求項３に記載の電子部品パッケージ。
5. 前記金属層が皮膜状に形成されている請求項２に記載の電子部品パッケージ。
6. 前記回路基板がフレキシブル基板である請求項１から５のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
7. 前記回路基板が、前記導体ポストと電気的に接続された複数の配線層を互いに積層してなる多層基板である請求項１から６のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
8. 前記電子部品が半導体素子であり、前記回路基板がインタポーザ基板である請求項１から７のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
9. 基材と、前記基材に埋設された導電性の導体ポストと、前記導体ポストの先端部に前記基材の表面より露出して設けられたハンダ層と、を備える回路基板を用意する工程と、
   電極パッドと、前記電極パッド上に設けられた金属層と、が主面に設けられた電子部品を用意する工程と、
   フラックス活性化合物を含有する接着層を、前記回路基板の前記表面または前記電子部品の前記主面の少なくとも一方に被着して、前記ハンダ層または前記金属層を被覆する接着層形成工程と、
   前記導体ポストと前記電極パッドとを対向させた状態で前記回路基板と前記電子部品とを加熱状態で圧接して、前記回路基板と前記電子部品とを前記接着層により接合するとともに前記ハンダ層と前記金属層とを位置合わせする位置合わせ工程と、
   前記ハンダ層を加熱溶融して該ハンダ層と前記金属層とを金属接合する接合工程と、
   を含み、
   前記回路基板を用意する前記工程において、前記導体ポストの前記先端部は、前記基材の内部に設けられている、または前記基材の前記表面と面一に設けられている、電子部品パッケージの製造方法。
10. 前記接合工程において、前記金属層の少なくとも一部を前記ハンダ層の内部に貫入させることを特徴とする請求項９に記載の電子部品パッケージの製造方法。
11. 前記接合工程にて前記電子部品と前記回路基板とを接合してなる電子部品パッケージを個片化するダイシング工程と、
    前記回路基板に対して実装用のハンダバンプを搭載する工程と、
    をさらに含む請求項９または１０に記載の電子部品パッケージの製造方法。

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