JP2013033894A5 - - Google Patents

Description

本配線基板は、絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体を備えたコア基板と、前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側に接合されたシリコン層と、前記シリコン層を貫通する貫通配線と、を有し、前記貫通配線は、バンプを介さずに前記線状導体と電気的に接続されており、１つの前記貫通配線の端部に対して、複数の前記線状導体が電気的に接続されていることを要件とする。

Claims (15)

1. 絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体を備えたコア基板と、
   前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側に接合されたシリコン層と、
   前記シリコン層を貫通する貫通配線と、を有し、
   前記貫通配線は、バンプを介さずに前記線状導体と電気的に接続されており、
   １つの前記貫通配線の端部に対して、複数の前記線状導体が電気的に接続されている配線基板。
2. 前記貫通配線の端部が複数の前記線状導体の端部と直接接続されている請求項１記載の配線基板。
3. 複数の前記線状導体の端部と電気的に接続された配線層が形成され、
   前記貫通配線の端部が前記配線層と直接接続されている請求項１記載の配線基板。
4. 前記貫通配線は前記絶縁性基材に形成された凹部内に延在しており、前記凹部には前記線状導体の端部と側面とが露出している請求項２記載の配線基板。
5. 前記シリコン層に更に他のシリコン層が積層形成されている請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
6. 請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板において、前記シリコン層の少なくとも１層に半導体回路が形成されている半導体装置。
7. 絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体を備えたコア基板と、
   前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側に接合されたガラス層と、
   前記ガラス層を貫通する貫通配線と、を有し、
   複数の前記線状導体の端部と電気的に接続された配線層が形成され、
   前記貫通配線の端部が前記配線層と直接接続されており、
   前記配線層の表面が粗化されている配線基板。
8. 前記ガラス層は、前記一方の面及び前記他方の面の少なくとも一面に直接接合されている請求項７記載の配線基板。
9. 請求項７又は８記載の配線基板において、前記ガラス層上に前記貫通配線と電気的に接続される機能素子が形成されている半導体装置。
10. 絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体を備えたコア基板を作製する第１工程と、
    前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側にシリコン層を接合する第２工程と、
    前記シリコン層を貫通する貫通孔を形成する第３工程と、
    前記貫通孔に導電材料を充填し、バンプを介さずに前記線状導体と電気的に接続された貫通配線を形成する第４工程と、を有し、
    前記第４工程では、１つの前記貫通配線の端部に対して、複数の前記線状導体を電気的に接続する配線基板の製造方法。
11. 前記第３工程は、前記第２工程よりも前に行われる請求項１０記載の配線基板の製造方法。
12. 絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体を備えたコア基板を作製する第１工程と、
    前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側に配線層を形成する第２工程と、
    前記配線層の表面を粗化する第３工程と、
    前記一面側に前記配線層を覆うガラス層を形成する第４工程と、
    前記ガラス層を貫通する貫通孔を形成する第５工程と、
    前記貫通孔に導電材料を充填し、前記配線層と電気的に接続する第６工程と、を有し、
    前記第２工程では、１つの前記配線層に対して、複数の前記線状導体を電気的に接続する配線基板の製造方法。
13. 前記第４工程では、前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側にガラスペーストを塗布した後、固化させて前記ガラス層を形成する請求項１２記載の配線基板の製造方法。
14. 前記第４工程では、前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側に、固体のガラスを配置し、所定の温度で加熱及び押圧して軟化させた後、固化させて前記ガラス層を形成する請求項１２記載の配線基板の製造方法。
15. 前記複数の線状導体を給電経路の一部とする電解めっき法により前記貫通孔に前記導電材料を充填する請求項１０乃至１４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。