CN103779290B - 连接基板及层叠封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种连接基板，其包括绝缘基材、多个导电柱及导热金属框，所述绝缘基材具有相对的第一表面和第二表面，所述导电柱嵌设于所述绝缘基材内，所述导电柱沿着垂直于第二表面的方向延伸，所述导电柱凸出于第二表面的长度大于所述绝缘基材的厚度，所述导热金属框嵌设于绝缘基材的第二表面一侧，用于收容电子元件。本发明还提供一种包括所述连接基板的层叠封装结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体封装技术，特别涉及一种连接基板及层叠封装（package-on-package, POP）结构。
背景技术
随着半导体器件尺寸的不断减小，具有半导体器件的层叠封装结构也逐渐地备受关注。层叠封装结构一般通过层叠制作方法制成。在传统的层叠制作方法中，为了实现高密度集成及小面积安装，通常通过直径为200微米至300微米的焊球将上下两个封装器件电连接。然而，直径为200微米至300微米的焊球不仅体积较大，而且容易在焊球与其连接的电性接触垫之间产生断裂，因此，不仅使得下封装器件上与锡球对应的焊盘的面积也较大，进而难以缩小层叠封装结构的体积，而且降低了层叠封装结构的成品率及可靠性。下封装器件封装于上下两个电路载板之间，其产生的热量并不容易发散出，下封装器件的散热性较差，影响整个层叠封装结构使用寿命。
发明内容
本发明提供一种可靠性较高并且散热性良好的连接基板及层叠封装结构。
一种连接基板，其包括绝缘基材、多个导电柱及导热金属框，所述绝缘基材具有相对的第一表面和第二表面，所述导电柱嵌设于所述绝缘基材内，所述导电柱沿着垂直于第二表面的方向延伸，所述导电柱凸出于第二表面的长度大于所述绝缘基材的厚度，所述导热金属框嵌设于绝缘基材的第二表面一侧，用于收容电子元件。
一种连接基板，其包括绝缘基材、多个导电柱、多个导电盲孔及导热金属框，所述绝缘基材具有相对的第一表面和第二表面，多个导电盲孔设置于所述绝缘基材内，多个所述导电柱一一对应地连接于所述导电盲孔的一端，所述导电柱沿着垂直于第二表面的方向延伸，所述导电柱凸出于第二表面的长度大于所述绝缘基材的厚度，所述导热金属框形成于绝缘基材的第二表面一侧，用于收容电子元件。
一种层叠封装结构，其包括第一封装基板、封装于第一封装基板的第一芯片、第二封装基板、封装于第二封装基板的第二芯片、第一焊接材料、第二焊接材料及所述的连接基板，所述第一封装基板设置于所述连接基板的第二表面一侧，所述第一封装基板与连接基板相接触的表面具有多个第三电性接触垫及多个第四电性接触垫，所述第一芯片通过多个第三电性接触垫与第一封装基板电连接，每个所述导电柱的一端通过第一焊接材料与一个对应的第三电性接触垫相互电连接，所述第一芯片收容于所述连接基板的导热金属框内，所述第二封装基板设置于连接基板的第一表面的一侧，所述第二封装基板具有与多个导电柱一一对应的第七电性接触垫，每个导电柱的另一端通过第二焊接材料与对应的第七电性接触垫电连接。
本技术方案提供的连接基板，其内部形成有导热金属框，以用于收容芯片并将芯片产生的热量快速传导。本技术方案提供的层叠封装机构，由于第一芯片收容于连接基板的导热金属框中，从而第一芯片产生的热量能够快速地从第一芯片传导出来，使得第一芯片在使用过程中不会温度过高，提高第一芯片的使用寿命。
附图说明
图1为本技术方案第一实施例提供的连接基板的剖面示意图。
图2为图1的仰视图。
图3为本技术方案第二实施例提供的连接基板的剖面示意图。
图4为本技术方案第三实施例提供的连接基板的剖面示意图。
图5-7分别为本技术方案提供的层叠封装结构的剖面示意图。
主要元件符号说明
| 层叠封装结构 | 10 |
| 第一封装基板 | 20 |
| 第一基底层 | 21 |
| 第三表面 | 2110 |
| 第四表面 | 2120 |
| 第一导电线路图形 | 22 |
| 第三电性接触垫 | 2210 |
| 第四电性接触垫 | 2220 |
| 第二导电线路图形 | 23 |
| 第五电性接触垫 | 2310 |
| 第一防焊层 | 24 |
| 第二防焊层 | 25 |
| 锡球 | 26 |
| 第一芯片 | 30 |
| 导电孔 | 31 |
| 第一封装胶体 | 32 |
| 散热胶片 | 33 |
| 第二封装基板 | 40 |
| 第二基底层 | 42 |
| 第五表面 | 421 |
| 第六表面 | 422 |
| 第三导电线路图形 | 43 |
| 第六电性接触垫 | 431 |
| 第四导电线路图形 | 44 |
| 第七电性接触垫 | 441 |
| 第三防焊层 | 45 |
| 第四防焊层 | 46 |
| 导电孔 | 47 |
| 第二芯片 | 50 |
| 键合导线 | 501 |
| 第二封装胶体 | 502 |
| 第一焊接材料 | 60 |
| 第二焊接材料 | 70 |
| 连接基板 | 100、200、300 |
| 绝缘基材 | 110、210、310 |
| 第一表面 | 111、211、311 |
| 第二表面 | 112、212、312 |
| 通孔 | 113、313 |
| 收容槽 | 114 |
| 导电柱 | 120、220、320 |
| 第一端面 | 121、321 |
| 第二端面 | 122、322 |
| 导热金属框 | 130、230、330 |
| 顶板 | 131、231、331 |
| 顶面 | 1311、2311、3311 |
| 导热柱 | 132、232、332 |
| 第一电性接触垫 | 150、260、350 |
| 导电盲孔 | 250、160 |
| 导热连接体 | 240、140 |
| 第五防焊层 | 101 |
| 开口 | 1011 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图及实施例，对本技术方案提供的连接基板及层叠封装结构作进一步的详细说明。
请一并参阅图1及图2，本技术方案第一实施例提供一种连接基板100，连接基板100包括绝缘基材110、多个导电柱120及导热金属框130。
绝缘基材110具有相对的第一表面111和第二表面112。在绝缘基材110内形成有多个贯穿第一表面111和第二表面112的相互分离的多个通孔113。自第二表面112向绝缘基材110还形成有收容槽114。多个导电柱120一一对应地形成于多个通孔113中。每个导电柱120具有相对的第一端面121和第二端面122。本实施例中，每个导电柱120的长度均大于绝缘基材110的厚度。第一端面121与第一表面111平齐。第二端面122凸出于第二表面112。其中，每个导电柱120凸出于绝缘基材110的长度大于绝缘基材110的厚度。
导热金属框130嵌设于绝缘基材110内。本实施例中，导热金属框130包括顶板131及与顶板131相互垂直连接多个导热柱132。多个导热柱132沿着顶板131的边界延伸。顶板131的中心区域并不形成有导热柱132。多个导热柱132相互分离。顶板131收容于收容槽114内。多个导热柱132的延伸方向与多个导电柱120的延伸方向相同。导热金属框130采用导热金属，如铜、铝及银等制成。优选地，导热金属框130的材料与导电柱120的材料相同，均采用金属铜制成。优选地，多个导电柱120凸出于绝缘基材110的长度与多个导热柱132凸出于绝缘基材110的长度相等。
连接基板100还包括多个第一电性接触垫150，其形成于绝缘基材110的第一表面111，每个第一电性接触垫150于对应的一个导电柱120的第一端面121相互连接。
本实施例中，连接基板100的绝缘基材110的第一表面111还可以形成有第五防焊层101，所述第五防焊层101形成有多个开口1011，多个第一电性接触垫150从对应的开口1011露出。
请参阅图3，本技术方案第二实施例提供一种连接基板200，所述连接基板200的结构与第一实施例提供的连接基板100的结构相近。连接基板200包括绝缘基材210、多个导电柱220、导热连接体240、多个导电盲孔250及导热金属框230。
绝缘基材210具有相对的第一表面211和第二表面212。自第一表面211向第二表面212形成有多个导电盲孔250。自第一表面211向第二表面212，导电盲孔250的孔径逐渐减小。多个导电柱220与多个导电盲孔250一一对应连接。每个导电柱220自对应的导电盲孔250的一端向远离导电盲孔250的方向延伸。每个导电柱220的长度大于绝缘基材210的厚度。
导热金属框230形成于绝缘基材210的第二表面212一侧。导热金属框230包括顶板231及多个导热柱232。多个导热柱232沿着顶板231的边界设置。多个导热柱232相互分离。顶板231的中心区域并未设置有导热柱232。所述顶板231具有远离所述多个导热柱232的顶面2311，所述顶面2311与第二表面212相接触。导热金属框230采用导热金属，如铜、铝及银等制成。优选地，导热金属框230的材料与导电柱220的材料相同，均采用金属铜制成。
导热连接体240也形成于第二表面212。导热连接体240连接于导热金属框230与一根导电柱220之间。
本实施例中，连接基板200还包括第一电性接触垫260。每个第一电性接触垫260均与一个导电盲孔250电连接。第一电性接触垫260形成于第一表面211。优选地，每个第一电性接触垫260与其相互电连接的导电盲孔250一体成形。所述连接基板200还可以包括第二电性接触垫，每个第二电性接触垫均与一个导电柱220远离导电盲孔250的一端电连接。
请参阅图4，本技术方案第三实施例提供一种连接基板300，连接基板300的结构与第一实施例提供的连接基板100的结构相近，连接基板300包括绝缘基材310、多个导电柱320及导热金属框330。
绝缘基材310具有相对的第一表面311和第二表面312。在绝缘基材310内形成有多个贯穿第一表面311和第二表面312的相互分离的多个通孔313。自第二表面312向第一表面311还形成有收容孔314。多个通孔313环绕所述收容孔314设置，且并不与收容孔314相互连通。
多个导电柱320一一对应地形成于多个通孔313中。每个导电柱320具有相对的第一端面321和第二端面322。本实施例中，每个导电柱320的长度均大于绝缘基材110的厚度。第一端面321与第一表面311平齐。第二端面322凸出于第二表面312。导电柱320凸出于绝缘基材310的长度大于所述绝缘基材310的厚度。
导热金属框330收容于收容孔314内。导热金属框330的外围形状与收容孔314的形状相对应。本实施例中，导热金属框330包括顶板331及与顶板331相互垂直连接的多个导热柱332。多个导热柱332沿着顶板331的边界延伸。多个导热柱332的延伸方向与多个导电柱320的延伸方向相同。顶板331具有远离所述导热柱332的顶面3311。顶面3311与第一表面311平齐。导热金属框330采用导热金属，如铜、铝及银等制成。优选地，导热金属框330的材料与导电柱320的材料相同，均采用金属铜制成。
本实施例中，连接基板300还包括多个第一电性接触垫350。所述第一电性接触垫350形成于绝缘基材310的第一表面311，并与对应的一个导电柱320相互电连接。
可以理解的是，本技术方案第二实施例及第三实施例提供的连接基板均可以包括防焊层，所述防焊层形成于绝缘基材的第一表面，所述防焊层内形成有多个开口，使得第一电性接触垫从对应的开口露出。
可以理解的是，第一实施例和第三实施例提供的连接基板中也可以包括导热连接体，从而使得导热金属框与部分导电柱相互连接。
请参阅图5，本技术方案第四实施例提供一种层叠封装结构10，其包括第一封装基板20、封装于第一封装基板20的第一芯片30、第二封装基板40、封装于第二封装基板40的第二芯片50、第一焊接材料60、第二焊接材料70及本技术方案第一实施例至第三实施例提供的任意一个连接基板。本实施例中，以本技术方案第一实施例提供的连接基板100为例来进行说明。
第一封装基板20包括第一基底层21、分别设置于该第一基底层21相对的两个表面的第一导电线路图形22和第二导电线路图形23、以及分别形成于该第一导电线路图形22和第二导电线路图形23上的第一防焊层24和第二防焊层25及多个锡球26。
该第一基底层21为多层基板，包括交替排列的多个层树脂层与多个层导电线路图形（图未示）。该第一基底层21包括相对的第三表面2110及第四表面2120，该第一导电线路图形22设置于该第一基底层21的第三表面2110上，该第二导电线路图形23设置于该第一基底层21的第四表面2120上。该第一基底层21的多个层导电线路图形之间及该第一基底层21的多个层导电线路图形与该第一导电线路图形22和第二导电线路图形23分别通过导电孔（图未示）电连接。
该第一防焊层24覆盖部分该第一导电线路图形22及从该第一导电线路图形22露出的第三表面2110，使部分该第一导电线路图形22从该第一防焊层24露出，构成多个第三电性接触垫2210及多个第四电性接触垫2220。该第三电性接触垫2210呈阵列式排布，该多个第四电性接触垫2220围绕该多个第三电性接触垫2210设置，该多个第四电性接触垫2220设置于该多个第三电性接触垫2210的四周。
该第二防焊层25覆盖部分该第二导电线路图形23及从该第二导电线路图形23露出的第四表面2120，使部分该第二导电线路图形23从该第二防焊层25露出，构成多个第五电性接触垫2310，该第五电性接触垫2310呈阵列式排布。该多个第三电性接触垫2210和多个第四电性接触垫2220通过第一导电线路图形22、第二导电线路图形23的导电线路及第一基底层21内的导电线路图形及导电孔与该多个第五电性接触垫2310电连接。
多个锡球26一一对应地形成于多个第五电性接触垫2310上。
第一芯片30封装于第一封装基板20的第一防焊层24的一侧。本实施例中，第一芯片30通过第一封装胶体32粘结于第一封装基板20的第一防焊层24表面。所述第一封装胶体32采用高散热粘着材料制成，其可以为导热胶。所述第一芯片30通过覆晶封装技术构装于所述第一封装基板20上。第一芯片30具有多个与第三电性接触垫2210一一对应的多个电连接垫（图未示），第三电性接触垫2210与对应的电连接垫之间通过导电孔31相互电连接。可以理解的是，所述导电孔31可以为锡球或者铜膏，也可以为金属导电柱与锡球相互结合，或者铜膏与铜导电盲孔相互结合。
连接基板100的导电柱120的一端与第一封装基板20的第四电性接触垫2220一一对应。相互对应的一个导电柱120与一个第四电性接触垫2220通过第一焊接材料60相互电连接。第一芯片30收容于所述导热金属框130内。在第一芯片30与顶板131之间通过散热胶片33相互连接，以便于第一芯片30产生的热量可以快速的通过散热胶片33传送至顶板131。
第二封装基板40形成于连接基板100远离第一封装基板20的一侧。第二封装基板40包括包括第二基底层42、分别设置于该第二基底层42相对的两个表面的第三导电线路图形43和第四导电线路图形44、以及分别形成于该第三导电线路图形43和第四导电线路图形44上的第三防焊层45和第四防焊层46。
该第二基底层42括相对的第五表面421及第六表面422，该第三导电线路图形43设置于该第二基底层42的第五表面421上，该第四导电线路图形44设置于该第二基底层42的第六表面422上。该第三导电线路图形43与该第四导电线路图形44通过多个导电孔47电导通。
该第三防焊层45覆盖部分该第三导电线路图形43及从该第三导电线路图形43露出的第五表面421，使部分该第三导电线路图形43从该第三防焊层45露出，构成多个第六电性接触垫431。该第三防焊层45的表面具有芯片固定区用于使芯片固定于其上。该多个第六电性接触垫431围绕该芯片固定区设置。
该第四防焊层46覆盖部分该第四导电线路图形44及从该第四导电线路图形44露出的第二基底层42的第六表面422，使部分该第四导电线路图形44从该第四防焊层46露出，构成多个第七电性接触垫441，该多个第七电性接触垫441与该多个第一电性接触垫150一一对应。该多个第六电性接触垫431通过第三导电线路图形43和第四导电线路图形44的导电线路及导电孔47与该多个第七电性接触垫441电导通。第七电性接触垫441与多个第一电性接触垫150一一对应，每个第一电性接触垫150与其对应的第七电性接触垫441通过第二焊接材料70相互电连接。
该第三导电线路图形43和第四导电线路图形44可以采用选择性蚀刻铜层的方法制成。本实施例中，该第二封装基板40为双面线路板，当然，该第二封装基板40也可以为导电线路图形多于两层的多层板，即第二基底层42可以为多层基板，包括交替排列的多层树脂层与多层导电线路图形。
第二芯片50封装于第二封装基板40的第三防焊层45的表面。本实施例中，该第二芯片50为导线键合（wire bonding, WB）芯片，并将第二芯片50与第六电性接触垫431电性连接。具体的，第二芯片50具有多个键合接点以及自多个键合接点延伸的多个条键合导线501，键合导线501与第六电性接触垫431一一对应。多个条键合导线501的一端电性连接该第二芯片50，另一端分别电性连接该多个第六电性接触垫431，从而使第二芯片50与第三导电线路图形43电连接。
优选的，该第二芯片50通过一粘胶层固定于该第三防焊层45表面的芯片固定区，该键合导线501可通过焊接的方式连接于第六电性接触垫431。该键合导线501的材料一般为金。本实施例中，采用第二封装胶体502将键合导线501、第二芯片50及第二封装基板40外露的第三防焊层45和第六电性接触垫431表面进行包覆封装。该键合导线501、第二芯片50均完全包覆于该第二封装胶体502内。本实施例中，该第二封装胶体502为黑胶，当然，该第二封装胶体502也可以其它封装胶体材料，并不以本实施例为限。
本实施例中，当连接基板100及第二封装基板40的横截面积小于第一封装基板20的横截面积，可以在连接基板100及第二封装基板40的侧面、连接基板100于第二封装基板40之间以及连接基板100的绝缘基材110与第一封装基板20之间也形成第二封装胶体502，从而将连接基板100及第二封装基板40也被第二封装胶体502包覆。另外，当第二封装胶体502的材料不是高散热胶时，可以在顶板131与第一芯片30之间通过高散热胶片相互结合。
本技术方案提供的层叠封装结构10，由于第一芯片30收容于连接基板100的导热金属框130内，第一芯片30在工作过程中产生的热量可以快速的传递至导热金属框130，并传送至连接基板100的绝缘基材110，使得热量快速扩散出层叠封装结构10，从而可以提高第一芯片30产生的热量的传导速率。
本技术方案提供的层叠封装结构也可以采用本技术方案第二实施例提供的连接基板，请参阅图6，即连接基板内还包括导电盲孔160，则第二封装基板40的第七电性接触垫441与对应的导电盲孔或者形成于导电盲孔160上的第一电性接触垫150通过第二焊接材料70相互对电连接。并在导热金属框130与部分导电柱120之间形成导热连接体140，从而使得第一芯片30产生的热量可以通过导热金属框130传递至导电柱120，并传导致第一封装基板20及第二封装基板40，进一步提高第一芯片30产生的热量的传导速率。
如图7所示，本技术方案提供的层叠封装结构也可以采用本技术方案第三实施例提供的连接基板，即导热金属框130的顶板131与第一表面111平齐，从而可以减小连接基板100的厚度，从而减小层叠封装结构的厚度。
本技术方案提供的连接基板，其内部形成有导热金属框，以用于收容芯片并将芯片产生的热量快速传导。本技术方案提供的层叠封装机构，由于第一芯片收容于连接基板的导热金属框中，从而第一芯片产生的热量能够快速地从第一芯片传导出来，使得第一芯片在使用过程中不会温度过高，提高第一芯片的使用寿命。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以个据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (16)
1.一种连接基板，其包括绝缘基材、多个导电柱及导热金属框，所述绝缘基材具有相对的第一表面和第二表面，所述导电柱嵌设于所述绝缘基材内，所述导电柱沿着垂直于第二表面的方向延伸，所述导电柱凸出于第二表面的长度大于所述绝缘基材的厚度，所述导热金属框嵌设于绝缘基材的第二表面一侧，用于收容电子元件。
2.如权利要求1所述的连接基板，其特征在于，所述导热金属框包括顶板及垂直连接于顶板的多根导热柱，所述顶板嵌设于所述绝缘基材，所述多根导热柱沿着垂直于第二表面的方向延伸，所述导热柱凸出于第二表面的长度大于所述绝缘基材的厚度。
3.如权利要求2所述的连接基板，其特征在于，所述导热柱凸出于第二表面的长度等于导电柱凸出于第二表面的长度。
4.如权利要求2所述的连接基板，其特征在于，所述顶板具有远离所述导热柱的顶面，所述顶面与所述第一表面平齐。
5.如权利要求2所述的连接基板，其特征在于，所述顶板具有远离所述导热柱的顶面，所述顶面嵌设于所述绝缘基材内。
6.如权利要求1所述的连接基板，其特征在于，所述导电柱具有相对的第一端面和第二端面，所述第一端面与第一表面平齐，所述第二端面凸出于所述第二表面。
7.如权利要求6所述的连接基板，其特征在于，所述连接基板还包括与多个导电柱一一对应连接的多个第一电性接触垫，所述第一电性接触垫形成于绝缘基材的第一表面。
8.如权利要求1所述的连接基板，其特征在于，所述连接基板还包括导热连接体，所述导热连接体连接于导热金属框与导电柱之间。
9.一种连接基板，其包括绝缘基材、多个导电柱、多个导电盲孔及导热金属框，所述绝缘基材具有相对的第一表面和第二表面，多个导电盲孔设置于所述绝缘基材内，多个所述导电柱一一对应地连接于所述导电盲孔的一端，所述导电柱沿着垂直于第二表面的方向延伸，所述导电柱凸出于第二表面的长度大于所述绝缘基材的厚度，所述导热金属框形成于绝缘基材的第二表面一侧，用于收容电子元件。
10.如权利要求9所述的连接基板，其特征在于，所述导热金属框包括顶板及垂直连接于顶板的多根导热柱，所述顶板具有远离所述多根导热柱的顶面，所述顶面设置于所述绝缘基材的第二表面，所述多根导热柱沿着垂直于第二表面的方向延伸，所述导热柱凸出于第二表面的长度大于所述绝缘基材的厚度。
11.如权利要求10所述的连接基板，其特征在于，所述导热柱凸出于第二表面的长度等于导电柱凸出于第二表面的长度。
12.如权利要求9所述的连接基板，其特征在于，所述连接基板还包括导热连接体，所述导热连接体连接于导热金属框与导电柱之间。
13.如权利要求9所述的连接基板，其特征在于，所述连接基板还包括防焊层及多个第一电性接触垫，所述第一电性接触垫形成于第一表面，多个第一电性接触垫与多个导电柱一一对应电连接，所述防焊层形成于第一表面，所述防焊层内形成有与第一电性接触垫一一对应的开口，每个第一电性接触垫从对应的开口露出。
14.一种层叠封装结构，其包括第一封装基板、封装于第一封装基板的第一芯片、第二封装基板、封装于第二封装基板的第二芯片、第一焊接材料及第二焊接材料，其特征在于，所述层叠封装结构还包括如权利要求1至12任一项所述的连接基板，所述第一封装基板设置于所述连接基板的第二表面一侧，所述第一封装基板与连接基板相接触的表面具有多个第三电性接触垫及多个第四电性接触垫，所述第一芯片通过多个第三电性接触垫与第一封装基板电连接，每个所述导电柱的一端通过第一焊接材料与一个对应的第三电性接触垫相互电连接，所述第一芯片收容于所述连接基板的导热金属框内，所述第二封装基板设置于连接基板的第一表面的一侧，所述第二封装基板具有与多个导电柱一一对应的第七电性接触垫，每个导电柱的另一端通过第二焊接材料与对应的第七电性接触垫电连接。
15.如权利要求14所述的层叠封装结构，其特征在于，所述连接基板及第二封装基板的横截面积均小于第一封装基板的横截面积，在连接基板及第二封装基板的侧面、连接基板与第二封装基板之间以及连接基板的绝缘基材与第一封装基板之间形成第二封装胶体，使得连接基板及第二封装基板被封装胶体包覆。
16.如权利要求14所述的层叠封装结构，其特征在于，所述第一封装基板远离连接基板的表面具有多个第五电性接触垫，每个所述第五电性接触垫上形成有锡球。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001118970A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミックス層と金属導体層の接合体 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2001118970A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミックス層と金属導体層の接合体 |
| KR20010056372A (ko) * | 1999-12-15 | 2001-07-04 | 박종섭 | 적층가능한 반도체 패키지 |
| CN1835654A (zh) * | 2005-03-15 | 2006-09-20 | 新光电气工业株式会社 | 配线基板及其制造方法 |
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