JP2011071315A5 - - Google Patents

Description

本発明の一実施態様によれば、第１の面と第２の面とを備えた積層体からなる配線基板であって、第１の熱膨張率を有する複数の第１の層と、第２の熱膨張率を有する複数の第２の層とを有し、前記第１の層は互いに異なる厚みを有し、且つ前記第２の層は互いに異なる厚みを有し、前記第１の層と前記第２の層とは、一層ずつ交互に積層されて、前記第１の面と前記第２の面とを備えた前記積層体を形成し、前記積層体の前記第１の面側から前記第２の面側に向けて前記第１の層の厚みは減少し、前記積層体の前記第２の面側から前記第１の面側に向けて前記第２の層の厚みは減少し、前記積層体の前記第１の面側と前記第２の面側とは、前記積層体に形成された配線を介して電気的に導通し、前記第１の層の前記第１の熱膨張率は、前記第２の層の前記第２の熱膨張率よりも低いことを特徴とする配線基板が提供される。

本発明の他の実施態様によれば、第１の面と第２の面とを備えた積層体からなる配線基板の製造方法であって、底面に電極配線が形成された凹部を有する有機基板コア材を準備し、前記凹部内に、互いに厚みの異なる複数の第１の層と互いに厚みの異なる複数の第２の層を、前記積層体の前記第１の面側から前記第２の面側に向けて前記第１の層の厚みは減少し、且つ 前記積層体の前記第２の面側から前記第１の面側に向けて前記第２の層の厚みが減少するように、交互に積層して前記積層体を形成し、前記積層体の前記第１の面側に半導体チップ搭載面が形成され、且つ、前記第２の面側に有機基板搭載面が形成され、前記有機基板コア材の前記電極配線に相当する位置において前記積層体を貫通する第１の孔を形成し、前記積層体の表面に絶縁樹脂層を形成する共に前記孔に絶縁樹脂を充填し、前記第１の孔に充填された絶縁樹脂を貫通する第２の孔を形成し、前記絶縁樹脂層の表面に配線を形成すると共に該配線の導電材料を前記第２の孔に充填して前記配線と前記有機基板コア材の電極配線とを電気的に接続することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。

Claims (10)

1. 第１の面と第２の面とを備えた積層体からなる配線基板であって、
   第１の熱膨張率を有する複数の第１の層と、
   第２の熱膨張率を有する複数の第２の層と
   を有し、
   前記第１の層は互いに異なる厚みを有し、且つ前記第２の層は互いに異なる厚みを有し、
   前記第１の層と前記第２の層とは、一層ずつ交互に積層されて、前記第１の面と前記第２の面とを備えた前記積層体を形成し、
   前記積層体の前記第１の面側から前記第２の面側に向けて前記第１の層の厚みは減少し、
   前記積層体の前記第２の面側から前記第１の面側に向けて前記第２の層の厚みは減少し、
   前記積層体の前記第１の面側と前記第２の面側とは、前記積層体に形成された配線を介して電気的に導通し、
   前記第１の層の前記第１の熱膨張率は、前記第２の層の前記第２の熱膨張率よりも低い
   ことを特徴とする配線基板。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１の面側に半導体チップ搭載面が形成され、且つ、前記第２の面側に有機基板搭載面が形成され、
   前記第１の熱膨張率は、前記半導体チップ搭載面に搭載される半導体チップの熱膨張率と等しく、
   前記第２の熱膨張率は、前記有機基板搭載面に接続される有機基板コア材の熱膨張率と等しい
   ことを特徴とする配線基板。
3. 請求項２記載の配線基板であって、
   前記第１の層と前記第２の層の積層体は、両面に電極配線が形成された前記有機基板コア材上に形成され、
   前記有機基板コア材の両面に形成された該電極配線は、前記有機基板コア材を貫通した配線部により互いに電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
4. 請求項３記載の配線基板であって、
   前記有機基板コア材は凹部を有し、
   前記電極配線は該凹部の底面に形成され、
   前記積層体は前記凹部内に形成されている
   ことを特徴とする配線基板
5. 請求項４記載の配線基板であって、
   前記積層体において、前記有機基板コア材の前記電極配線に相当する位置で前記積層体の厚み方向に貫通して延在する絶縁部と、
   前記積層体の厚み方向に前記絶縁部を貫通して延在する導電部と
   をさらに有し、
   該導電部の一端は前記積層体の表面に絶縁層を介して形成された配線に接続され、反対端は前記有機基板コア材の前記電極配線に接続されることを特徴とする配線基板。
6. 請求項２乃至５のうちいずれか一項記載の配線基板であって、
   前記第１の層は前記半導体チップを形成するシリコンにより形成され、前記第２の層は前記有機基板コア材を形成する樹脂により形成されることを特徴とする配線基板。
7. 第１の面と第２の面とを備えた積層体からなる配線基板の製造方法であって、
   底面に電極配線が形成された凹部を有する有機基板コア材を準備し、
   前記凹部内に、互いに厚みの異なる複数の第１の層と互いに厚みの異なる複数の第２の層を、前記積層体の前記第１の面側から前記第２の面側に向けて前記第１の層の厚みは減少し、且つ 前記積層体の前記第２の面側から前記第１の面側に向けて前記第２の層の厚みが減少するように、交互に積層して前記積層体を形成し、
   前記積層体の前記第１の面側に半導体チップ搭載面が形成され、且つ、前記第２の面側に有機基板搭載面が形成され、
   前記有機基板コア材の前記電極配線に相当する位置において前記積層体を貫通する第１の孔を形成し、
   前記積層体の表面に絶縁樹脂層を形成する共に前記孔に絶縁樹脂を充填し、
   前記第１の孔に充填された絶縁樹脂を貫通する第２の孔を形成し、
   前記絶縁樹脂層の表面に配線を形成すると共に該配線の導電材料を前記第２の孔に充填して前記配線と前記有機基板コア材の電極配線とを電気的に接続する
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 請求項７記載の配線基板の製造方法であって、
   前記有機基板コア材に複数の前記凹部を形成し、
   前記凹部の各々に前記積層体を形成し、
   前記積層体上の前記配線と前記有機基板コア材の電極配線とを電気的に接続し、
   前記有機基板コア材を切断して個々の配線基板に分割する
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。
9. 請求項７又は８記載の配線基板の製造方法であって、
   前記第１の層を前記半導体チップを形成するシリコンにより形成し、前記第２の層を前記有機基板コア材を形成する樹脂により形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
10. 請求項９記載の配線基板の製造方法であって、
    前記第２の層を半硬化状態で積層することを特徴とする配線基板の製造方法。