JP2006253289A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板と、この基板に形成された樹脂絶縁膜と、この樹脂絶縁膜上に形成した金属膜とを含む電子回路であって、
   前記金属膜上には、導体ワイヤを超音波ボンディングするバンプが更に形成されていることを特徴とする電子回路。
2. 基板と、この基板に形成された樹脂絶縁膜と、この樹脂絶縁膜の表面に形成された金属膜からなる第１のボンディングパッドと、この第１のボンディングパッド上に形成されたバンプと、前記第１のボンディングパッドと電気的接続をされた第２のボンディングパッドとからなる電子回路であって、
   前記電気的接続は、前記第２のボンディングパッドと前記バンプとの間を接続する金属ワイヤによりなされていることを特徴とする電子回路。
3. 基板と、この基板に形成された樹脂絶縁膜と、この樹脂絶縁膜の表面に形成された金属膜をパタンニングすることによって第１配線、第２配線、第３配線が形成され、前記第２配線を間に挟んだ前記第１配線と前記第３配線とが電気的に接続されてなる電子回路であって、
   前記第１配線にはバンプが形成され、このバンプと前記第３配線とが金属ワイヤにより接続されていることを特徴とする電子回路。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の電子回路であって、
   前記樹脂絶縁膜はポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂のいずれかを主成分とする部材であることを特徴とする電子回路。
5. 請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の電子回路であって、
   前記バンプがＡｕ、Ａｌのいずれか、あるいはこれらのいずれかを主成分とする部材であることを特徴とする電子回路。
6. 請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の電子回路であって、
   前記金属膜の表層がＡｕ、Ａｌのいずれか、もしくはこれらのいずれかを主成分とする部材であることを特徴とする電子回路。
7. 請求項６に記載の電子回路であって、
   前記金属膜の膜厚は０.０２μｍを超え３０μｍ以下であることを特徴とする電子回路。
8. 基板に樹脂絶縁膜を形成する工程と、
   前記樹脂絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、
   前記金属膜をパタンニングする工程と、
   パタンニングされた金属膜に導体ワイヤを超音波ボンディングするバンプを形成する工程と、
   からなる電子回路の製造方法。
9. 基板と、この基板に形成された樹脂絶縁膜と、この樹脂絶縁膜の表面に形成された金属膜からなる第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを具備してなる電子回路の製造方法であって、
   前記第一のボンディングパッドに導体バンプを形成する工程と、
   前記第二のボンディングパッドにワイヤボンディングの第一回目のボンディングを行う工程と
   前記導体バンプにワイヤボンディングの第二回目のボンディングを行い、前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを電気的に接続する工程と、
   を含む電子回路の製造方法。