JP2004289069A - 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器 - Google Patents
配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004289069A JP2004289069A JP2003082274A JP2003082274A JP2004289069A JP 2004289069 A JP2004289069 A JP 2004289069A JP 2003082274 A JP2003082274 A JP 2003082274A JP 2003082274 A JP2003082274 A JP 2003082274A JP 2004289069 A JP2004289069 A JP 2004289069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- manufacturing
- lands
- wiring
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【課題】配線基板の設計自由度を向上させることにある。
【解決手段】配線基板は、屈曲可能なフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０上に形成され、複数の配線２１と配線２１よりも幅が拡大してなる複数のランドとを有する配線パターン２０と、複数のランドのうち、第１のランド２２と、第１のランド２２から離れた位置に設けられた第２のランド２６とを電気的に接続するワイヤ３０と、を含む。
【選択図】 図２
【解決手段】配線基板は、屈曲可能なフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０上に形成され、複数の配線２１と配線２１よりも幅が拡大してなる複数のランドとを有する配線パターン２０と、複数のランドのうち、第１のランド２２と、第１のランド２２から離れた位置に設けられた第２のランド２６とを電気的に接続するワイヤ３０と、を含む。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−１８８５５９号公報
【０００４】
【発明の背景】
電気光学パネル（例えば液晶パネル）に半導体チップを電気的に接続する技術として適用されるＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）実装では、電気光学パネルに接続する配線基板として、両面配線基板が使用されることがある。これによれば、各配線を電気的に独立させた状態で交差させることが可能になるので、配線基板の設計自由度が高い。しかし、両面配線基板では、配線加工（フォトリソグラフィ技術など）を基板の両面に行い、スルーホールも必要となるので、製造工程が手間でコストがかかる。したがって、製造工程が簡単かつ低コストの配線基板が要求されている。
【０００５】
本発明の目的は、配線基板の設計自由度を向上させることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板は、屈曲可能なフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に形成され、複数の配線と前記配線よりも幅が拡大してなる複数のランドとを有する配線パターンと、
前記複数のランドのうち、第１のランドと、前記第１のランドから離れた位置に設けられた第２のランドとを電気的に接続するワイヤと、
を含む。本発明によれば、ワイヤによって、例えば、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができる。すなわち、ワイヤによって、実質的に多層配線を実現することができるので、配線基板の設計自由度が大幅に向上する。また、ワイヤを電気的接続の領域が広いランドに接続するので、両者の電気的接続が安定する。
（２）この配線基板において、
前記複数の配線のうち少なくとも１つは、前記第１及び第２のランドの間の領域を通るように引き回され、
前記ワイヤは、前記少なくとも１つの配線を跨いで形成されていてもよい。
（３）この配線基板において、
前記第１及び第２のランドは、それぞれ複数設けられ、
前記ワイヤは、それぞれの前記第１及び第２のランドを電気的に接続していてもよい。
（４）この配線基板において、
前記複数の第１のランドは、複数列に配列され、隣同士の第１のランドは、千鳥状に配置され、
前記複数の第２のランドは、複数列に配列され、隣同士の第２のランドは、千鳥状に配置されていてもよい。これによれば、見かけ上の接続ピッチを広くすることができるので、基板の限られた領域内で複数のランドを密集させて設けることができる。
（５）この配線基板において、
前記複数のワイヤのうち少なくとも２つは、互いに交差して形成されていてもよい。これによれば、さらなる多層配線が可能になり、配線基板の設計自由度がさらに向上する。
（６）この配線基板において、
前記複数のランドは、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記第１及び第２のランドのいずれか１つは、前記少なくとも１つのセレクト端子から選択されたものであってもよい。これによれば、配線基板の設計変更が可能になるので、その設計自由度を大幅に向上させることができる。
（７）本発明に係る配線基板は、基板と、
前記基板上に形成され、複数の配線と複数の電気的接続部とを有する配線パターンと、
前記複数の電気的接続部のうち、第１の電気的接続部と、前記第１の電気的接続部から離れた位置に設けられた第２の電気的接続部とを電気的に接続するワイヤと、
を含み、
前記第１及び第２の電気的接続部の少なくとも１つは、前記ワイヤのボンディング部が窪んでなる。本発明によれば、ワイヤによって、例えば、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができる。すなわち、ワイヤによって、実質的に多層配線を実現することができるので、配線基板の設計自由度が大幅に向上する。また、第１及び第２の電気的接続部の少なくとも１つが窪んでいるので、電気的接続部とワイヤとの密着面積が大きくなり、両者の接続信頼性が向上する。
（８）この配線基板において、
前記基板は、前記窪み部と重なる部分が前記配線パターンとは反対側に突出していてもよい。
（９）この配線基板において、
前記複数の配線のうち少なくとも１つは、前記第１及び第２の電気的接続部の間の領域を通るように引き回され、
前記ワイヤは、前記少なくとも１つの配線を跨いで形成されていてもよい。
（１０）この配線基板において、
前記第１及び第２の電気的接続部は、それぞれ複数設けられ、
前記ワイヤは、それぞれの前記第１及び第２の電気的接続部を電気的に接続していてもよい。
（１１）この配線基板において、
前記複数の第１の電気的接続部は、複数列に配列され、隣同士の第１の電気的接続部は、千鳥状に配置され、
前記複数の第２の電気的接続部は、複数列に配列され、隣同士の第２の電気的接続部は、千鳥状に配置されていてもよい。これによれば、見かけ上の接続ピッチを広くすることができるので、基板の限られた領域内で複数の電気的接続部を密集させて設けることができる。
（１２）この配線基板において、
前記複数のワイヤのうち少なくとも２つは、互いに交差して形成されていてもよい。これによれば、さらなる多層配線が可能になり、配線基板の設計自由度がさらに向上する。
（１３）この配線基板において、
前記複数の電気的接続部は、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記第１及び第２の電気的接続部のいずれか１つは、前記少なくとも１つのセレクト端子から選択されたものであってもよい。これによれば、配線基板の設計変更が可能になるので、その設計自由度を大幅に向上させることができる。
（１４）この配線基板において、
前記ワイヤは、導電線と、前記導電線の表面を覆う絶縁被覆と、を含んでもよい。これによれば、導電線の絶縁が図れるので、例えば、ワイヤの封止部を省略することができ、これによって、基板のフレキシブル性を大幅に向上させることができる。
（１５）この配線基板において、
前記ワイヤを封止する封止部をさらに含んでもよい。こうすることで、ワイヤなどの電気的ショートを防止することができる。
（１６）この配線基板において、
前記封止部は、前記ワイヤのそれぞれの端部を封止していてもよい。これによれば、ワイヤの全体を封止する場合よりも、基板のフレキシブル性が向上する。
（１７）本発明に係る半導体装置は、
上記配線基板と、
前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を含む。
（１８）本発明に係る電子デバイスは、
上記半導体装置と、
前記半導体装置の前記配線パターンに電気的に接続された電気光学パネルと、
を含む。
（１９）本発明に係る電子機器は、上記電子デバイスを含む。
（２０）本発明に係る配線基板の製造方法は、（ａ）屈曲可能なフレキシブル基板上に形成され、複数の配線と前記配線よりも幅が拡大してなる複数のランドとを有する配線パターンのうち、第１のランドにワイヤの一方の端部をボンディングし、前記第１のランドから離れた位置に設けられた第２のランドに前記ワイヤの他方の端部をボンディングすることを含む。本発明によれば、ワイヤによって、例えば、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができる。すなわち、ワイヤによって、実質的に多層配線を実現することができるので、配線基板の設計自由度が大幅に向上する。また、ワイヤを電気的接続の領域が広いランドに接続するので、両者の電気的接続が安定する。
（２１）この配線基板の製造方法において、
（ｂ）前記（ａ）工程後に、前記ワイヤを封止することを含んでもよい。
（２２）この配線基板の製造方法において、
前記フレキシブル基板には、複数の前記配線パターンが形成され、
前記各工程の少なくともいずれか１つの工程を、前記複数の配線パターンに対して、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して行ってもよい。これによれば、複数の配線基板を流れ作業で製造することができるので、生産性が向上し、製造コストを削減することができる。
（２３）この配線基板の製造方法を含み、
（ｃ）半導体チップを前記フレキシブル基板に搭載することをさらに含んでもよい。
（２４）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｃ）工程後に行ってもよい。
（２５）この半導体装置の製造方法において、
（ｄ）前記フレキシブル基板に搭載される電子部品をハンダ付けすることをさらに含んでもよい。
（２６）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｄ）工程後に行ってもよい。これによれば、例えば、ワイヤ及び封止部を高温の炉にさらさずに済むので、封止部のクラックやポップコーン現象を防止することができる。
（２７）この半導体装置の製造方法において、
（ｅ）前記配線パターンの電気的検査を行うことをさらに含んでもよい。
（２８）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｅ）工程後に行ってもよい。
（２９）この半導体装置の製造方法において、
前記複数のランドは、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記（ａ）工程で、前記（ｅ）工程の検査結果に基づいて、前記第１及び第２のランドのうち、いずれか一方を前記セレクト端子として、他方に電気的に接続してもよい。これによれば、半導体装置の電気特性の調整を行うことができる。
（３０）この半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板には、複数の前記配線パターンが形成され、
前記各工程の少なくともいずれか１つの工程を、前記複数の配線パターンに対して、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して行ってもよい。これによれば、複数の半導体装置を流れ作業で製造することができるので、生産性が向上し、製造コストを削減することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において、作図の便宜上、配線２１が省略されている部分があるが、配線２１は適宜連続している。
【０００８】
（電子デバイス・半導体装置）
図１は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。電子デバイス１は、半導体装置３を含む。半導体装置３は、後述する配線基板（基板１０を含む）に半導体チップ６０，６２が実装されたものである。
【０００９】
電子デバイス１は、電気的情報信号を視覚的に認識できる光情報信号に変換する表示装置であってもよい。電子デバイス１は、電気光学パネル１００をさらに含む。電気光学パネル（例えば表示パネル）１００として、例えば、液晶パネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルなどが挙げられる。電気光学パネル１００は、基板（例えばガラス基板）１０２を含み、基板１０２に形成されている複数の端子（図示しない）と、半導体装置３の複数の端子（配線パターン２０）とがオーバーラップして互いに電気的に接続されている。
【００１０】
図１に示す例では、基板１０には、図示しない第１のパターン（配線パターン２０の一部）に半導体チップ（第１のドライバ）６０が電気的に接続され、図示しない第２のパターン（配線パターン２０の一部）に他の半導体チップ（第２のドライバ）６２が電気的に接続されている。アクティブマトリクス型の液晶装置では、第１及び第２のパターンのいずれか一方は走査電極であり、他方は信号電極である。第１及び第２のパターンは、電気光学パネル１００の１辺側に接続されている。その場合、基板１０の限られた領域内で第１及び第２のパターン（配線パターン２０）を形成することが要求されるが、このような場合に、本実施の形態に係る配線基板を適用すると効果的である。
【００１１】
（配線基板）
図２及び図３は、本発明の実施の形態に係る配線基板の一部を示す図である。この配線基板は、基板１０と、配線パターン２０と、ワイヤ３０と、を含む。
【００１２】
基板１０は、ベース基板である。本実施の形態では、基板１０は、屈曲可能な（例えば平面的に重なるように屈曲可能な）フレキシブル基板である。フレキシブル基板は、有機系の材料（例えば樹脂（ポリマー））で形成され、例えば、ポリイミド基板又はポリエステル基板などであってもよい。基板１０は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）用のフレキシブル基板であってもよい。変形例として、基板１０は、リジッド基板であってもよく、無機系の材料を少なくとも一部に含むものであってもよい。なお、基板１０は、単層基板であってもよいし、多層基板（例えば２層又は３層基板）であってもよい。多層基板の場合、上下の層間に接着材料が介在してもよい。
【００１３】
本実施の形態では、配線パターン２０は、基板１０上（例えば基板１０の一方の面）に形成されている。配線パターン２０は、導電材料で構成され、例えば金属をエッチングして形成してもよい。配線パターン２０は、複数層で形成されてもよく、例えば、銅（Ｃｕ）系のコア層と、金（Ａｕ）系の表面層と、を有してもよい。あるいは、銅系及び金系の各層の間に、ニッケル（Ｎｉ）系の中間層を介在させてもよい。後述するワイヤ３０が金系のワイヤである場合には、金同士の拡散によって、ワイヤ３０と配線パターン２０との電気的な接続を図ることができる。
【００１４】
配線パターン２０は、複数の配線２１と、複数の電気的接続部とを含む。それぞれの電気的接続部は、いずれかの配線２１に電気的に接続されている。電気的接続部は、ランド（図２では第１及び第２のランド２２，２６）であってもよい。ランドは、後述するワイヤボンディングに要する幅よりも拡大していることが好ましい。そのため、ランドは配線２１よりも幅が拡大していることが好ましい。こうすることで、電気的接続の領域を広く確保できるので、電気的接続が安定する。ランドの形状は、四角形又は円形のいずれであってもよい。本実施の形態では、電気的接続部はランドであるが、本発明はこれに限定されず、電気的接続部は配線２１とほぼ同じ幅を有する配線２１そのものであっても良い。
【００１５】
ワイヤ３０は、導電線である。ワイヤ３０は、ジャンパ部品（配線）と呼ぶこともできる。ワイヤ３０は、半導体チップのワイヤボンディングで使用されるもの（例えば金系のワイヤ）であってもよい。ワイヤ３０は、導電線全体が剥き出しになっていてもよい。
【００１６】
ワイヤ３０は、第１のランド（第１の電気的接続部）２２と、第２のランド（第２の電気的接続部）２６とを電気的に接続している。第２のランド２６は、第１のランド２２から離れた位置に設けられている。少なくとも１つ（図２では複数）の配線２１が第１及び第２のランド２２，２６の間の領域を通るように引き回されている場合、ワイヤ３０は、その配線２１を跨いで（その配線２１と非接触になるように）形成されている。すなわち、ワイヤ３０は、第１及び第２のランド２２，２６の間の領域の配線２１の上方を通過するように形成されている。こうすることで、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができ、配線パターンの設計自由度を高めることができる。変形例として、ワイヤ３０は、図示しない電子部品を跨いで（その電子部品と非接触になるように）形成されてもよい。
【００１７】
図２に示すように、第１及び第２のランド２２，２６のいずれか一方には、バンプが設けられてもよい。例えば、第１のランド２２にワイヤ３０のファーストボンディングを行った場合、第１のランド２２上には、ワイヤ３０の一部がバンプとして残る。このように、バンプ上にボンディングを行なうことで、ワイヤループ高さを低く抑えることができる。
【００１８】
図２に示す例では、第１及び第２のランド２２，２６は、それぞれ複数設けられ、ワイヤ３０は、それぞれ（１対）の第１及び第２のランド２２，２６を電気的に接続している。図２に示すように、複数のワイヤ３０は、互いに交差しない方向（例えば平行方向）に引き出されてもよい。
【００１９】
複数のランドは、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、第１及び第２のランド２２，２６のいずれか１つは、そのセレクト端子から選択されたものであってもよい。セレクト端子の選択は、複数からいずれか１つを選択する形態であってもよいし、１つしか存在しないものを（取捨選択の結果として）選択する形態であってもよい。例えば、それぞれ異なる数値の電気信号を供給する複数のセレクト端子を用意し、それらから最適な数値の電気信号を供給するセレクト端子を、第１又は第２のランド２２，２６として選択してもよい。これによれば、基板１０に配線パターン２０を形成した後に、配線基板の設計変更が可能になるので、その設計自由度を大幅に向上させることができる。したがって、客先ごとの仕様に合わせた複数種類の配線基板を、効率良く製造することができる。
【００２０】
基板１０における配線パターン２０の形成面には、図示しないレジスト（例えばソルダレジスト）が形成されていてもよい。レジストは、電気的接続部（第１及び第２のランド２２，２６）を避けて、配線パターン２０の一部を覆っている。すなわち、電気的接続部（第１及び第２のランド２２，２６）は、レジストの開口部４０内に配置されている。図２に示す例では、１つの開口部４０内に１つの電気的接続部が配置されているが、これとは別に、１つの開口部４０内に複数の電気的接続部が配置されてもよい。レジストによって、配線パターン２０の酸化、腐食及び電気的不良を防止することができる。
【００２１】
図３に示す例では、配線基板は、ワイヤ３０を封止する封止部４２をさらに含む。封止部４２は、絶縁材料（例えば樹脂）で形成されている。封止部４２は、ポッティングモールドでもよいし、トランスファーモールドで成形してもよい。封止部４２は、ワイヤ３０の全体を封止してもよい。複数のワイヤ３０がある場合、封止部４２はワイヤ３０ごとに封止してもよいし、複数のワイヤ３０を一括して封止してもよい。封止部４２は、第１及び第２のランド２２，２６も封止する。こうすることで、ワイヤ３０などの電気的ショートを防止することができる。
【００２２】
本実施の形態によれば、ワイヤ３０によって、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができる。すなわち、ワイヤ３０によって、実質的に多層配線（立体配線）を実現することができるので、配線基板の設計自由度が大幅に向上する。特に、上述したように基板１０の限られた領域内で高密度な配線の引き回しが要求される場合に、本実施の形態に係る配線基板を使用すると効果的である。また、高コストで製造に手間のかかる両面又は多層配線基板を使用しなくてもよいので、低コストかつ製造が簡単な配線基板を提供することができる。
【００２３】
図４〜図７は、本発明の実施の形態に係る配線基板の変形例を示す図である。
【００２４】
第１変形例として、図４に示すように、複数の第１のランド２２，２３，２４と、複数の第２のランド２６，２７，２８とは、それぞれ複数列で配列されてもよい。第１のランドを例にして詳しく説明すると、第１及び第２のランド２２，２６の間の領域を通る少なくとも１つ（図４では２つ）の配線２１側から順に、複数の第１のランド２２が第１の列を形成し、複数の第１のランド２３が第２の列を形成し、複数の第１のランド２４が第３の列を形成している。それぞれの列のランドは、直線状に配置されてもよい。隣同士の列のランド（例えば第１及び第２の列の第１のランド２２，２３あるいは第２及び第３の列の第１のランド２３，２４）は、千鳥状に配置されている。さらに、第１及び第３の列の第１のランド２２，２４も千鳥状に配置されている。これらのことは、複数の第２のランド２６，２７，２８についても同様である。これによれば、見かけ上の接続ピッチを広くすることができるので、基板１０の限られた領域内で複数のランドを密集させて設けることができる。
【００２５】
図４に示すように、例えば、ワイヤ３０によって、第１の列の複数の第１のランド２２と、第３の列の複数の第２のランド２８とを電気的に接続してもよい。また、ワイヤ３０によって、第２の列の複数の第１のランド２３と、第２の列の複数の第２のランド２７とを電気的に接続してもよい。さらに、ワイヤ３０によって、第３の列の複数の第１のランド２４と、第１の列の複数の第２のランド２６とを電気的に接続してもよい。これによれば、複数のワイヤ３０を互いに交差しない方向（例えば平行方向）に引き出すことができ、ワイヤ３０同士の電気的ショートを防止することができる。
【００２６】
第２変形例として、図５に示すように、複数のワイヤ３０，３６は、互いに交差して形成してもよい。図５に示す例では、第１及び第２のランド２２，２６の間の領域（配線２１が通る領域）の上方で、複数のワイヤ３０，３６が互いに交差している。複数のワイヤ３０，３６は、互いに直交方向に引き出してもよい。ワイヤ３０は、ワイヤ３６とは非接触になっている。例えば、図５に示すように、ワイヤ３０のループ高さを、ワイヤ３６のループ高さよりも高くなるようにしてもよい。なお、図５に示す例とは別に、３つ以上のワイヤを互いに交差させてもよい。これによれば、さらなる多層配線が可能になり、配線基板の設計自由度がさらに向上する。
【００２７】
第３変形例として、図６に示すように、導電線（例えば金線）５２と、導電線５２の表面を覆う絶縁被覆（例えば樹脂被覆）５４と、を含むワイヤ５０を使用してもよい。詳しくは、ワイヤ５０は、導電線５２の周面が絶縁被覆５４で覆われている。これによれば、導電線５２の絶縁が図れるので、例えば、封止部４２を省略することができ、これによって、基板１０のフレキシブル性を大幅に向上させることができる。したがって、基板１０の屈曲が容易になる。
【００２８】
ワイヤ５０のうち、第１及び第２のランド２２，２６のそれぞれの端部では、導電線が剥き出しになっていてもよい。その場合、図７に示すように、封止部４４は、ワイヤ５０のそれぞれの端部（ボンディング部）を封止してもよい。封止部４４は、第１及び第２のランド２２，２６のそれぞれも封止してもよい。こうすることで、ワイヤ５０などの電気的ショートを防止するとともに、ワイヤ５０及びランドの機械的接続の信頼性を向上させることができる。また、ワイヤ５０の全体を封止する場合よりも、基板１０のフレキシブル性が向上するので、例えば基板１０の屈曲が容易になる。
【００２９】
第４変形例として、図８に示すように、第１及び第２のランド２２，２６の少なくとも１つ（例えば少なくともファーストボンディング側の第１のランド２２）は、ワイヤ３０のボンディング部が窪んでいてもよい。図８に示す例では、第１及び第２のランド２２，２６の両方に、窪み部（凹部）２５，２９が形成されている。すなわち、ワイヤ３０の一方の端部（バンプ）３２は第１のランド２２にめり込み、ワイヤ３０の他方の端部３４も第２のランド２６にめり込む。ワイヤ３０が第１のランド２２にファーストボンディングされる場合、第１のランド２２の窪み部２５は、第２のランド２６の窪み部２９よりも深くてもよい。すなわち、ワイヤ３０の第１のランド２２側の端部（バンプ）３２は、第２のランド２６側の端部３４よりもランドに深くめり込んでもよい。これによれば、ワイヤ３０と、第１又は第２のランド２２，２６との密着面積が大きくなるので、両者の接続信頼性が向上する。なお、窪み部２５，２９は、フレキシブル基板のように基板１０が柔らかい場合に、より深く形成される。
【００３０】
基板１０は、第１及び第２のランド２２，２６の少なくとも１つに形成される窪み部（図８では窪み部２５，２９）と重なる部分が配線パターン２０とは反対側に突出していてもよい。図８に示す例では、基板１０には、第１のランド２２の窪み部２５と重なる部分に凸部１５が形成され、第２のランド２６の窪み部２９と重なる部分に凸部１９が形成されている。言い換えれば、配線基板は、ワイヤ３０のボンディング部が窪んでいる（又は突出している）。
【００３１】
（配線基板の製造方法・半導体装置の製造方法）
図９は、半導体装置の製造工程の流れの一例を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板の製造方法（Ｓ１２，Ｓ１３）を含む。
【００３２】
図１０に示すように、基板１０がフレキシブル基板で長尺状をなす場合には、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して、各製造工程（図１０では一部（Ｓ１４，Ｓ１５）が省略してある）を行ってもよい。基板１０の長さ方向には、複数の配線パターン２０が配列されている。これによれば、複数の配線基板又は半導体装置を流れ作業で製造することができるので、生産性が向上し、製造コストを削減することができる。
【００３３】
基板１０に配線パターン２０が形成されたテープを準備する。配線パターン２０には、複数のランド（第１及び第２のランド２２，２６を含む）が形成されている。必要があれば、基板１０の表面に、第１及び第２のランド２２，２６を避けて、レジストを形成しておいてもよい。リール・トゥ・リール搬送の方式を適用する場合には、テープ（基板１０）を一対のリール７０，７２に掛け渡す。詳しくは、テープは、リール７０に巻き取られてあり、端部が引き出されて、他のリール７２において巻き取るようになっている。そして、リール７０，７２の間で、後述するＳ１１〜Ｓ１５の少なくとも１つの工程が行われる。
【００３４】
予め準備しておいた複数の半導体チップ６０をテープに取り付ける（Ｓ１１）。詳しくは、それぞれの半導体チップ６０を、いずれかの配線パターン２０に電気的に接続する。半導体チップ６０は、ＣＯＦ実装してもよい。図１０に示すように、ボンディングツール７４によって、半導体チップ６０をテープにフェースダウン実装してもよい。
【００３５】
第１及び第２のランド２２，２６のワイヤボンディング工程（ＷＢジャンパ工程）を行う（Ｓ１２）。本工程は、ボールボンディング法を適用してもよい。すなわち、ツール（例えばキャピラリ）７６の外部に引き出したワイヤ３０の先端部をボール状に溶融させ、その先端部を第１のランド２２にボンディングする。ボンディング時には、熱及び圧力を加えて、金属同士の拡散を生じさせる。その場合、超音波振動も併用すると好ましい。その後、ワイヤ３０を第２のランド２６の方向に引き出して、ワイヤ３０の一部を第２のランド２６にボンディングする。ワイヤ３０を第１及び第２のランド２２，２６のいずれかにめり込ませてもよい。
【００３６】
ワイヤボンディング工程後、ワイヤ３０を封止する工程（モールド塗布キュア工程）を行う（Ｓ１３）。例えば、図１０に示すように、液滴吐出装置（例えばニードル）７８によって、液状の樹脂をポッティングして、ワイヤ３０の封止部４２を形成してもよい。これによれば、樹脂の粘度及び単位時間あたりの滴下量などから、封止部４２の形状及び大きさを決めることができ、ワイヤ３０を確実に封止することが可能になる。また、樹脂を滴下するだけであるので、成形型が必要となるトランスファーモールドよりも製造工程が簡略である。なお、封止部４２は、その後、キュアすることが好ましい。
【００３７】
予め準備しておいた複数の電子部品（例えばＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）部品）をテープに取り付ける（Ｓ１４）。その後、電子部品をハンダ付け（例えばリフローハンダ付け）する。本工程では、例えば、高温のリフロー炉にテープをさらすことになる。したがって、図９に示す製造工程の流れの場合、封止部４２は、リフロー工程に対する耐熱性が要求される。
【００３８】
半導体装置の電気特性を検査する検査工程を行う（Ｓ１５）。本工程は、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して行ってもよいし、テープを個片に切断した後、それぞれの半導体装置を検査してもよい。
【００３９】
その後の次工程では、複数の半導体装置を電気光学パネル１００に電気的に接続して、電子デバイス１を製造してもよい（図１参照）。
【００４０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の流れは、上述に限定されず、様々な変形が可能である。以下の変形例においても、少なくとも１つの工程について、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用してもよい。
【００４１】
第１変形例として、ワイヤボンディング工程（Ｓ１２）及び封止工程（Ｓ１３）を、半導体チップ実装工程（Ｓ１１）前に行ってもよい（ＯＦ１１）。すなわち、テープに半導体チップ６０が取り付けられる前に、ワイヤ３０及び封止部４２を形成する。これによれば、製造工程の初期の段階で、ワイヤ３０及び封止部４２を形成する。そのため、配線パターン２０（特に第１及び第２のランド２２，２６）が外部環境によって最も汚染されていない状態でそれらの工程を行うことができるので、ワイヤボンディング工程及び封止工程の信頼性が高い。なお、ワイヤボンディング工程及び封止工程の終了後に、半導体チップを取り付ける前に、完成した配線基板を電気的に検査する検査工程を行ってもよい。
【００４２】
第２変形例として、ワイヤボンディング工程（Ｓ１２）及び封止工程（Ｓ１３）を、電子部品の実装工程（詳しくはハンダ付け工程）（Ｓ１４）後に行ってもよい（ＯＦ１２）。これによれば、ワイヤ３０及び封止部４２を高温の炉にさらさずに済むので、例えば、封止部４２のクラックやポップコーン現象を防止することができる。
【００４３】
第３変形例として、ワイヤボンディング工程（Ｓ１２）及び封止工程（Ｓ１３）を、検査工程（Ｓ１５）後に行ってもよい（ＯＦ１３）。これによれば、基板１０上の複数のランドのうちの少なくとも１つが上述したセレクト端子である場合に、検査工程の検査結果に基づいて、いずれのセレクト端子を第１又は第２のランド２２，２６としてワイヤボンディングするかを決定することができる。すなわち、半導体装置の電気特性の調整を行うことができる。
【００４４】
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図１１にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１２には携帯電話２０００が示されている。これらの電子機器は、上述の電子デバイス、半導体装置又は配線基板を有する。
【００４５】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第１変形例を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第２変形例を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第３変形例を示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第３変形例を示す図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第４変形例を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１…電子デバイス ３…半導体装置 １０…基板 ２０…配線パターン
２１…配線 ２２…第１のランド ２３…第１のランド ２４…第１のランド
２６…第２のランド ２７…第２のランド ２８…第２のランド
３０…ワイヤ ３６…ワイヤ ４２…封止部 ４４…封止部 ５０…ワイヤ
５２…導電線 ５４…絶縁被覆 ６０…半導体チップ ６２…半導体チップ
１００…電気光学パネル
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−１８８５５９号公報
【０００４】
【発明の背景】
電気光学パネル（例えば液晶パネル）に半導体チップを電気的に接続する技術として適用されるＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）実装では、電気光学パネルに接続する配線基板として、両面配線基板が使用されることがある。これによれば、各配線を電気的に独立させた状態で交差させることが可能になるので、配線基板の設計自由度が高い。しかし、両面配線基板では、配線加工（フォトリソグラフィ技術など）を基板の両面に行い、スルーホールも必要となるので、製造工程が手間でコストがかかる。したがって、製造工程が簡単かつ低コストの配線基板が要求されている。
【０００５】
本発明の目的は、配線基板の設計自由度を向上させることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板は、屈曲可能なフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に形成され、複数の配線と前記配線よりも幅が拡大してなる複数のランドとを有する配線パターンと、
前記複数のランドのうち、第１のランドと、前記第１のランドから離れた位置に設けられた第２のランドとを電気的に接続するワイヤと、
を含む。本発明によれば、ワイヤによって、例えば、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができる。すなわち、ワイヤによって、実質的に多層配線を実現することができるので、配線基板の設計自由度が大幅に向上する。また、ワイヤを電気的接続の領域が広いランドに接続するので、両者の電気的接続が安定する。
（２）この配線基板において、
前記複数の配線のうち少なくとも１つは、前記第１及び第２のランドの間の領域を通るように引き回され、
前記ワイヤは、前記少なくとも１つの配線を跨いで形成されていてもよい。
（３）この配線基板において、
前記第１及び第２のランドは、それぞれ複数設けられ、
前記ワイヤは、それぞれの前記第１及び第２のランドを電気的に接続していてもよい。
（４）この配線基板において、
前記複数の第１のランドは、複数列に配列され、隣同士の第１のランドは、千鳥状に配置され、
前記複数の第２のランドは、複数列に配列され、隣同士の第２のランドは、千鳥状に配置されていてもよい。これによれば、見かけ上の接続ピッチを広くすることができるので、基板の限られた領域内で複数のランドを密集させて設けることができる。
（５）この配線基板において、
前記複数のワイヤのうち少なくとも２つは、互いに交差して形成されていてもよい。これによれば、さらなる多層配線が可能になり、配線基板の設計自由度がさらに向上する。
（６）この配線基板において、
前記複数のランドは、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記第１及び第２のランドのいずれか１つは、前記少なくとも１つのセレクト端子から選択されたものであってもよい。これによれば、配線基板の設計変更が可能になるので、その設計自由度を大幅に向上させることができる。
（７）本発明に係る配線基板は、基板と、
前記基板上に形成され、複数の配線と複数の電気的接続部とを有する配線パターンと、
前記複数の電気的接続部のうち、第１の電気的接続部と、前記第１の電気的接続部から離れた位置に設けられた第２の電気的接続部とを電気的に接続するワイヤと、
を含み、
前記第１及び第２の電気的接続部の少なくとも１つは、前記ワイヤのボンディング部が窪んでなる。本発明によれば、ワイヤによって、例えば、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができる。すなわち、ワイヤによって、実質的に多層配線を実現することができるので、配線基板の設計自由度が大幅に向上する。また、第１及び第２の電気的接続部の少なくとも１つが窪んでいるので、電気的接続部とワイヤとの密着面積が大きくなり、両者の接続信頼性が向上する。
（８）この配線基板において、
前記基板は、前記窪み部と重なる部分が前記配線パターンとは反対側に突出していてもよい。
（９）この配線基板において、
前記複数の配線のうち少なくとも１つは、前記第１及び第２の電気的接続部の間の領域を通るように引き回され、
前記ワイヤは、前記少なくとも１つの配線を跨いで形成されていてもよい。
（１０）この配線基板において、
前記第１及び第２の電気的接続部は、それぞれ複数設けられ、
前記ワイヤは、それぞれの前記第１及び第２の電気的接続部を電気的に接続していてもよい。
（１１）この配線基板において、
前記複数の第１の電気的接続部は、複数列に配列され、隣同士の第１の電気的接続部は、千鳥状に配置され、
前記複数の第２の電気的接続部は、複数列に配列され、隣同士の第２の電気的接続部は、千鳥状に配置されていてもよい。これによれば、見かけ上の接続ピッチを広くすることができるので、基板の限られた領域内で複数の電気的接続部を密集させて設けることができる。
（１２）この配線基板において、
前記複数のワイヤのうち少なくとも２つは、互いに交差して形成されていてもよい。これによれば、さらなる多層配線が可能になり、配線基板の設計自由度がさらに向上する。
（１３）この配線基板において、
前記複数の電気的接続部は、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記第１及び第２の電気的接続部のいずれか１つは、前記少なくとも１つのセレクト端子から選択されたものであってもよい。これによれば、配線基板の設計変更が可能になるので、その設計自由度を大幅に向上させることができる。
（１４）この配線基板において、
前記ワイヤは、導電線と、前記導電線の表面を覆う絶縁被覆と、を含んでもよい。これによれば、導電線の絶縁が図れるので、例えば、ワイヤの封止部を省略することができ、これによって、基板のフレキシブル性を大幅に向上させることができる。
（１５）この配線基板において、
前記ワイヤを封止する封止部をさらに含んでもよい。こうすることで、ワイヤなどの電気的ショートを防止することができる。
（１６）この配線基板において、
前記封止部は、前記ワイヤのそれぞれの端部を封止していてもよい。これによれば、ワイヤの全体を封止する場合よりも、基板のフレキシブル性が向上する。
（１７）本発明に係る半導体装置は、
上記配線基板と、
前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を含む。
（１８）本発明に係る電子デバイスは、
上記半導体装置と、
前記半導体装置の前記配線パターンに電気的に接続された電気光学パネルと、
を含む。
（１９）本発明に係る電子機器は、上記電子デバイスを含む。
（２０）本発明に係る配線基板の製造方法は、（ａ）屈曲可能なフレキシブル基板上に形成され、複数の配線と前記配線よりも幅が拡大してなる複数のランドとを有する配線パターンのうち、第１のランドにワイヤの一方の端部をボンディングし、前記第１のランドから離れた位置に設けられた第２のランドに前記ワイヤの他方の端部をボンディングすることを含む。本発明によれば、ワイヤによって、例えば、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができる。すなわち、ワイヤによって、実質的に多層配線を実現することができるので、配線基板の設計自由度が大幅に向上する。また、ワイヤを電気的接続の領域が広いランドに接続するので、両者の電気的接続が安定する。
（２１）この配線基板の製造方法において、
（ｂ）前記（ａ）工程後に、前記ワイヤを封止することを含んでもよい。
（２２）この配線基板の製造方法において、
前記フレキシブル基板には、複数の前記配線パターンが形成され、
前記各工程の少なくともいずれか１つの工程を、前記複数の配線パターンに対して、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して行ってもよい。これによれば、複数の配線基板を流れ作業で製造することができるので、生産性が向上し、製造コストを削減することができる。
（２３）この配線基板の製造方法を含み、
（ｃ）半導体チップを前記フレキシブル基板に搭載することをさらに含んでもよい。
（２４）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｃ）工程後に行ってもよい。
（２５）この半導体装置の製造方法において、
（ｄ）前記フレキシブル基板に搭載される電子部品をハンダ付けすることをさらに含んでもよい。
（２６）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｄ）工程後に行ってもよい。これによれば、例えば、ワイヤ及び封止部を高温の炉にさらさずに済むので、封止部のクラックやポップコーン現象を防止することができる。
（２７）この半導体装置の製造方法において、
（ｅ）前記配線パターンの電気的検査を行うことをさらに含んでもよい。
（２８）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｅ）工程後に行ってもよい。
（２９）この半導体装置の製造方法において、
前記複数のランドは、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記（ａ）工程で、前記（ｅ）工程の検査結果に基づいて、前記第１及び第２のランドのうち、いずれか一方を前記セレクト端子として、他方に電気的に接続してもよい。これによれば、半導体装置の電気特性の調整を行うことができる。
（３０）この半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板には、複数の前記配線パターンが形成され、
前記各工程の少なくともいずれか１つの工程を、前記複数の配線パターンに対して、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して行ってもよい。これによれば、複数の半導体装置を流れ作業で製造することができるので、生産性が向上し、製造コストを削減することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において、作図の便宜上、配線２１が省略されている部分があるが、配線２１は適宜連続している。
【０００８】
（電子デバイス・半導体装置）
図１は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。電子デバイス１は、半導体装置３を含む。半導体装置３は、後述する配線基板（基板１０を含む）に半導体チップ６０，６２が実装されたものである。
【０００９】
電子デバイス１は、電気的情報信号を視覚的に認識できる光情報信号に変換する表示装置であってもよい。電子デバイス１は、電気光学パネル１００をさらに含む。電気光学パネル（例えば表示パネル）１００として、例えば、液晶パネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルなどが挙げられる。電気光学パネル１００は、基板（例えばガラス基板）１０２を含み、基板１０２に形成されている複数の端子（図示しない）と、半導体装置３の複数の端子（配線パターン２０）とがオーバーラップして互いに電気的に接続されている。
【００１０】
図１に示す例では、基板１０には、図示しない第１のパターン（配線パターン２０の一部）に半導体チップ（第１のドライバ）６０が電気的に接続され、図示しない第２のパターン（配線パターン２０の一部）に他の半導体チップ（第２のドライバ）６２が電気的に接続されている。アクティブマトリクス型の液晶装置では、第１及び第２のパターンのいずれか一方は走査電極であり、他方は信号電極である。第１及び第２のパターンは、電気光学パネル１００の１辺側に接続されている。その場合、基板１０の限られた領域内で第１及び第２のパターン（配線パターン２０）を形成することが要求されるが、このような場合に、本実施の形態に係る配線基板を適用すると効果的である。
【００１１】
（配線基板）
図２及び図３は、本発明の実施の形態に係る配線基板の一部を示す図である。この配線基板は、基板１０と、配線パターン２０と、ワイヤ３０と、を含む。
【００１２】
基板１０は、ベース基板である。本実施の形態では、基板１０は、屈曲可能な（例えば平面的に重なるように屈曲可能な）フレキシブル基板である。フレキシブル基板は、有機系の材料（例えば樹脂（ポリマー））で形成され、例えば、ポリイミド基板又はポリエステル基板などであってもよい。基板１０は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）用のフレキシブル基板であってもよい。変形例として、基板１０は、リジッド基板であってもよく、無機系の材料を少なくとも一部に含むものであってもよい。なお、基板１０は、単層基板であってもよいし、多層基板（例えば２層又は３層基板）であってもよい。多層基板の場合、上下の層間に接着材料が介在してもよい。
【００１３】
本実施の形態では、配線パターン２０は、基板１０上（例えば基板１０の一方の面）に形成されている。配線パターン２０は、導電材料で構成され、例えば金属をエッチングして形成してもよい。配線パターン２０は、複数層で形成されてもよく、例えば、銅（Ｃｕ）系のコア層と、金（Ａｕ）系の表面層と、を有してもよい。あるいは、銅系及び金系の各層の間に、ニッケル（Ｎｉ）系の中間層を介在させてもよい。後述するワイヤ３０が金系のワイヤである場合には、金同士の拡散によって、ワイヤ３０と配線パターン２０との電気的な接続を図ることができる。
【００１４】
配線パターン２０は、複数の配線２１と、複数の電気的接続部とを含む。それぞれの電気的接続部は、いずれかの配線２１に電気的に接続されている。電気的接続部は、ランド（図２では第１及び第２のランド２２，２６）であってもよい。ランドは、後述するワイヤボンディングに要する幅よりも拡大していることが好ましい。そのため、ランドは配線２１よりも幅が拡大していることが好ましい。こうすることで、電気的接続の領域を広く確保できるので、電気的接続が安定する。ランドの形状は、四角形又は円形のいずれであってもよい。本実施の形態では、電気的接続部はランドであるが、本発明はこれに限定されず、電気的接続部は配線２１とほぼ同じ幅を有する配線２１そのものであっても良い。
【００１５】
ワイヤ３０は、導電線である。ワイヤ３０は、ジャンパ部品（配線）と呼ぶこともできる。ワイヤ３０は、半導体チップのワイヤボンディングで使用されるもの（例えば金系のワイヤ）であってもよい。ワイヤ３０は、導電線全体が剥き出しになっていてもよい。
【００１６】
ワイヤ３０は、第１のランド（第１の電気的接続部）２２と、第２のランド（第２の電気的接続部）２６とを電気的に接続している。第２のランド２６は、第１のランド２２から離れた位置に設けられている。少なくとも１つ（図２では複数）の配線２１が第１及び第２のランド２２，２６の間の領域を通るように引き回されている場合、ワイヤ３０は、その配線２１を跨いで（その配線２１と非接触になるように）形成されている。すなわち、ワイヤ３０は、第１及び第２のランド２２，２６の間の領域の配線２１の上方を通過するように形成されている。こうすることで、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができ、配線パターンの設計自由度を高めることができる。変形例として、ワイヤ３０は、図示しない電子部品を跨いで（その電子部品と非接触になるように）形成されてもよい。
【００１７】
図２に示すように、第１及び第２のランド２２，２６のいずれか一方には、バンプが設けられてもよい。例えば、第１のランド２２にワイヤ３０のファーストボンディングを行った場合、第１のランド２２上には、ワイヤ３０の一部がバンプとして残る。このように、バンプ上にボンディングを行なうことで、ワイヤループ高さを低く抑えることができる。
【００１８】
図２に示す例では、第１及び第２のランド２２，２６は、それぞれ複数設けられ、ワイヤ３０は、それぞれ（１対）の第１及び第２のランド２２，２６を電気的に接続している。図２に示すように、複数のワイヤ３０は、互いに交差しない方向（例えば平行方向）に引き出されてもよい。
【００１９】
複数のランドは、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、第１及び第２のランド２２，２６のいずれか１つは、そのセレクト端子から選択されたものであってもよい。セレクト端子の選択は、複数からいずれか１つを選択する形態であってもよいし、１つしか存在しないものを（取捨選択の結果として）選択する形態であってもよい。例えば、それぞれ異なる数値の電気信号を供給する複数のセレクト端子を用意し、それらから最適な数値の電気信号を供給するセレクト端子を、第１又は第２のランド２２，２６として選択してもよい。これによれば、基板１０に配線パターン２０を形成した後に、配線基板の設計変更が可能になるので、その設計自由度を大幅に向上させることができる。したがって、客先ごとの仕様に合わせた複数種類の配線基板を、効率良く製造することができる。
【００２０】
基板１０における配線パターン２０の形成面には、図示しないレジスト（例えばソルダレジスト）が形成されていてもよい。レジストは、電気的接続部（第１及び第２のランド２２，２６）を避けて、配線パターン２０の一部を覆っている。すなわち、電気的接続部（第１及び第２のランド２２，２６）は、レジストの開口部４０内に配置されている。図２に示す例では、１つの開口部４０内に１つの電気的接続部が配置されているが、これとは別に、１つの開口部４０内に複数の電気的接続部が配置されてもよい。レジストによって、配線パターン２０の酸化、腐食及び電気的不良を防止することができる。
【００２１】
図３に示す例では、配線基板は、ワイヤ３０を封止する封止部４２をさらに含む。封止部４２は、絶縁材料（例えば樹脂）で形成されている。封止部４２は、ポッティングモールドでもよいし、トランスファーモールドで成形してもよい。封止部４２は、ワイヤ３０の全体を封止してもよい。複数のワイヤ３０がある場合、封止部４２はワイヤ３０ごとに封止してもよいし、複数のワイヤ３０を一括して封止してもよい。封止部４２は、第１及び第２のランド２２，２６も封止する。こうすることで、ワイヤ３０などの電気的ショートを防止することができる。
【００２２】
本実施の形態によれば、ワイヤ３０によって、複数の配線を電気的に独立させた状態で互いに交差させることができる。すなわち、ワイヤ３０によって、実質的に多層配線（立体配線）を実現することができるので、配線基板の設計自由度が大幅に向上する。特に、上述したように基板１０の限られた領域内で高密度な配線の引き回しが要求される場合に、本実施の形態に係る配線基板を使用すると効果的である。また、高コストで製造に手間のかかる両面又は多層配線基板を使用しなくてもよいので、低コストかつ製造が簡単な配線基板を提供することができる。
【００２３】
図４〜図７は、本発明の実施の形態に係る配線基板の変形例を示す図である。
【００２４】
第１変形例として、図４に示すように、複数の第１のランド２２，２３，２４と、複数の第２のランド２６，２７，２８とは、それぞれ複数列で配列されてもよい。第１のランドを例にして詳しく説明すると、第１及び第２のランド２２，２６の間の領域を通る少なくとも１つ（図４では２つ）の配線２１側から順に、複数の第１のランド２２が第１の列を形成し、複数の第１のランド２３が第２の列を形成し、複数の第１のランド２４が第３の列を形成している。それぞれの列のランドは、直線状に配置されてもよい。隣同士の列のランド（例えば第１及び第２の列の第１のランド２２，２３あるいは第２及び第３の列の第１のランド２３，２４）は、千鳥状に配置されている。さらに、第１及び第３の列の第１のランド２２，２４も千鳥状に配置されている。これらのことは、複数の第２のランド２６，２７，２８についても同様である。これによれば、見かけ上の接続ピッチを広くすることができるので、基板１０の限られた領域内で複数のランドを密集させて設けることができる。
【００２５】
図４に示すように、例えば、ワイヤ３０によって、第１の列の複数の第１のランド２２と、第３の列の複数の第２のランド２８とを電気的に接続してもよい。また、ワイヤ３０によって、第２の列の複数の第１のランド２３と、第２の列の複数の第２のランド２７とを電気的に接続してもよい。さらに、ワイヤ３０によって、第３の列の複数の第１のランド２４と、第１の列の複数の第２のランド２６とを電気的に接続してもよい。これによれば、複数のワイヤ３０を互いに交差しない方向（例えば平行方向）に引き出すことができ、ワイヤ３０同士の電気的ショートを防止することができる。
【００２６】
第２変形例として、図５に示すように、複数のワイヤ３０，３６は、互いに交差して形成してもよい。図５に示す例では、第１及び第２のランド２２，２６の間の領域（配線２１が通る領域）の上方で、複数のワイヤ３０，３６が互いに交差している。複数のワイヤ３０，３６は、互いに直交方向に引き出してもよい。ワイヤ３０は、ワイヤ３６とは非接触になっている。例えば、図５に示すように、ワイヤ３０のループ高さを、ワイヤ３６のループ高さよりも高くなるようにしてもよい。なお、図５に示す例とは別に、３つ以上のワイヤを互いに交差させてもよい。これによれば、さらなる多層配線が可能になり、配線基板の設計自由度がさらに向上する。
【００２７】
第３変形例として、図６に示すように、導電線（例えば金線）５２と、導電線５２の表面を覆う絶縁被覆（例えば樹脂被覆）５４と、を含むワイヤ５０を使用してもよい。詳しくは、ワイヤ５０は、導電線５２の周面が絶縁被覆５４で覆われている。これによれば、導電線５２の絶縁が図れるので、例えば、封止部４２を省略することができ、これによって、基板１０のフレキシブル性を大幅に向上させることができる。したがって、基板１０の屈曲が容易になる。
【００２８】
ワイヤ５０のうち、第１及び第２のランド２２，２６のそれぞれの端部では、導電線が剥き出しになっていてもよい。その場合、図７に示すように、封止部４４は、ワイヤ５０のそれぞれの端部（ボンディング部）を封止してもよい。封止部４４は、第１及び第２のランド２２，２６のそれぞれも封止してもよい。こうすることで、ワイヤ５０などの電気的ショートを防止するとともに、ワイヤ５０及びランドの機械的接続の信頼性を向上させることができる。また、ワイヤ５０の全体を封止する場合よりも、基板１０のフレキシブル性が向上するので、例えば基板１０の屈曲が容易になる。
【００２９】
第４変形例として、図８に示すように、第１及び第２のランド２２，２６の少なくとも１つ（例えば少なくともファーストボンディング側の第１のランド２２）は、ワイヤ３０のボンディング部が窪んでいてもよい。図８に示す例では、第１及び第２のランド２２，２６の両方に、窪み部（凹部）２５，２９が形成されている。すなわち、ワイヤ３０の一方の端部（バンプ）３２は第１のランド２２にめり込み、ワイヤ３０の他方の端部３４も第２のランド２６にめり込む。ワイヤ３０が第１のランド２２にファーストボンディングされる場合、第１のランド２２の窪み部２５は、第２のランド２６の窪み部２９よりも深くてもよい。すなわち、ワイヤ３０の第１のランド２２側の端部（バンプ）３２は、第２のランド２６側の端部３４よりもランドに深くめり込んでもよい。これによれば、ワイヤ３０と、第１又は第２のランド２２，２６との密着面積が大きくなるので、両者の接続信頼性が向上する。なお、窪み部２５，２９は、フレキシブル基板のように基板１０が柔らかい場合に、より深く形成される。
【００３０】
基板１０は、第１及び第２のランド２２，２６の少なくとも１つに形成される窪み部（図８では窪み部２５，２９）と重なる部分が配線パターン２０とは反対側に突出していてもよい。図８に示す例では、基板１０には、第１のランド２２の窪み部２５と重なる部分に凸部１５が形成され、第２のランド２６の窪み部２９と重なる部分に凸部１９が形成されている。言い換えれば、配線基板は、ワイヤ３０のボンディング部が窪んでいる（又は突出している）。
【００３１】
（配線基板の製造方法・半導体装置の製造方法）
図９は、半導体装置の製造工程の流れの一例を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板の製造方法（Ｓ１２，Ｓ１３）を含む。
【００３２】
図１０に示すように、基板１０がフレキシブル基板で長尺状をなす場合には、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して、各製造工程（図１０では一部（Ｓ１４，Ｓ１５）が省略してある）を行ってもよい。基板１０の長さ方向には、複数の配線パターン２０が配列されている。これによれば、複数の配線基板又は半導体装置を流れ作業で製造することができるので、生産性が向上し、製造コストを削減することができる。
【００３３】
基板１０に配線パターン２０が形成されたテープを準備する。配線パターン２０には、複数のランド（第１及び第２のランド２２，２６を含む）が形成されている。必要があれば、基板１０の表面に、第１及び第２のランド２２，２６を避けて、レジストを形成しておいてもよい。リール・トゥ・リール搬送の方式を適用する場合には、テープ（基板１０）を一対のリール７０，７２に掛け渡す。詳しくは、テープは、リール７０に巻き取られてあり、端部が引き出されて、他のリール７２において巻き取るようになっている。そして、リール７０，７２の間で、後述するＳ１１〜Ｓ１５の少なくとも１つの工程が行われる。
【００３４】
予め準備しておいた複数の半導体チップ６０をテープに取り付ける（Ｓ１１）。詳しくは、それぞれの半導体チップ６０を、いずれかの配線パターン２０に電気的に接続する。半導体チップ６０は、ＣＯＦ実装してもよい。図１０に示すように、ボンディングツール７４によって、半導体チップ６０をテープにフェースダウン実装してもよい。
【００３５】
第１及び第２のランド２２，２６のワイヤボンディング工程（ＷＢジャンパ工程）を行う（Ｓ１２）。本工程は、ボールボンディング法を適用してもよい。すなわち、ツール（例えばキャピラリ）７６の外部に引き出したワイヤ３０の先端部をボール状に溶融させ、その先端部を第１のランド２２にボンディングする。ボンディング時には、熱及び圧力を加えて、金属同士の拡散を生じさせる。その場合、超音波振動も併用すると好ましい。その後、ワイヤ３０を第２のランド２６の方向に引き出して、ワイヤ３０の一部を第２のランド２６にボンディングする。ワイヤ３０を第１及び第２のランド２２，２６のいずれかにめり込ませてもよい。
【００３６】
ワイヤボンディング工程後、ワイヤ３０を封止する工程（モールド塗布キュア工程）を行う（Ｓ１３）。例えば、図１０に示すように、液滴吐出装置（例えばニードル）７８によって、液状の樹脂をポッティングして、ワイヤ３０の封止部４２を形成してもよい。これによれば、樹脂の粘度及び単位時間あたりの滴下量などから、封止部４２の形状及び大きさを決めることができ、ワイヤ３０を確実に封止することが可能になる。また、樹脂を滴下するだけであるので、成形型が必要となるトランスファーモールドよりも製造工程が簡略である。なお、封止部４２は、その後、キュアすることが好ましい。
【００３７】
予め準備しておいた複数の電子部品（例えばＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）部品）をテープに取り付ける（Ｓ１４）。その後、電子部品をハンダ付け（例えばリフローハンダ付け）する。本工程では、例えば、高温のリフロー炉にテープをさらすことになる。したがって、図９に示す製造工程の流れの場合、封止部４２は、リフロー工程に対する耐熱性が要求される。
【００３８】
半導体装置の電気特性を検査する検査工程を行う（Ｓ１５）。本工程は、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して行ってもよいし、テープを個片に切断した後、それぞれの半導体装置を検査してもよい。
【００３９】
その後の次工程では、複数の半導体装置を電気光学パネル１００に電気的に接続して、電子デバイス１を製造してもよい（図１参照）。
【００４０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の流れは、上述に限定されず、様々な変形が可能である。以下の変形例においても、少なくとも１つの工程について、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用してもよい。
【００４１】
第１変形例として、ワイヤボンディング工程（Ｓ１２）及び封止工程（Ｓ１３）を、半導体チップ実装工程（Ｓ１１）前に行ってもよい（ＯＦ１１）。すなわち、テープに半導体チップ６０が取り付けられる前に、ワイヤ３０及び封止部４２を形成する。これによれば、製造工程の初期の段階で、ワイヤ３０及び封止部４２を形成する。そのため、配線パターン２０（特に第１及び第２のランド２２，２６）が外部環境によって最も汚染されていない状態でそれらの工程を行うことができるので、ワイヤボンディング工程及び封止工程の信頼性が高い。なお、ワイヤボンディング工程及び封止工程の終了後に、半導体チップを取り付ける前に、完成した配線基板を電気的に検査する検査工程を行ってもよい。
【００４２】
第２変形例として、ワイヤボンディング工程（Ｓ１２）及び封止工程（Ｓ１３）を、電子部品の実装工程（詳しくはハンダ付け工程）（Ｓ１４）後に行ってもよい（ＯＦ１２）。これによれば、ワイヤ３０及び封止部４２を高温の炉にさらさずに済むので、例えば、封止部４２のクラックやポップコーン現象を防止することができる。
【００４３】
第３変形例として、ワイヤボンディング工程（Ｓ１２）及び封止工程（Ｓ１３）を、検査工程（Ｓ１５）後に行ってもよい（ＯＦ１３）。これによれば、基板１０上の複数のランドのうちの少なくとも１つが上述したセレクト端子である場合に、検査工程の検査結果に基づいて、いずれのセレクト端子を第１又は第２のランド２２，２６としてワイヤボンディングするかを決定することができる。すなわち、半導体装置の電気特性の調整を行うことができる。
【００４４】
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図１１にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１２には携帯電話２０００が示されている。これらの電子機器は、上述の電子デバイス、半導体装置又は配線基板を有する。
【００４５】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第１変形例を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第２変形例を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第３変形例を示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第３変形例を示す図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る配線基板の第４変形例を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１…電子デバイス ３…半導体装置 １０…基板 ２０…配線パターン
２１…配線 ２２…第１のランド ２３…第１のランド ２４…第１のランド
２６…第２のランド ２７…第２のランド ２８…第２のランド
３０…ワイヤ ３６…ワイヤ ４２…封止部 ４４…封止部 ５０…ワイヤ
５２…導電線 ５４…絶縁被覆 ６０…半導体チップ ６２…半導体チップ
１００…電気光学パネル
Claims (30)
- 屈曲可能なフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に形成され、複数の配線と前記配線よりも幅が拡大してなる複数のランドとを有する配線パターンと、
前記複数のランドのうち、第１のランドと、前記第１のランドから離れた位置に設けられた第２のランドとを電気的に接続するワイヤと、
を含む配線基板。 - 請求項１記載の配線基板において、
前記複数の配線のうち少なくとも１つは、前記第１及び第２のランドの間の領域を通るように引き回され、
前記ワイヤは、前記少なくとも１つの配線を跨いで形成されてなる配線基板。 - 請求項１又は請求項２記載の配線基板において、
前記第１及び第２のランドは、それぞれ複数設けられ、
前記ワイヤは、それぞれの前記第１及び第２のランドを電気的に接続してなる配線基板。 - 請求項３記載の配線基板において、
前記複数の第１のランドは、複数列に配列され、隣同士の第１のランドは、千鳥状に配置され、
前記複数の第２のランドは、複数列に配列され、隣同士の第２のランドは、千鳥状に配置されてなる配線基板。 - 請求項３又は請求項４記載の配線基板において、
前記複数のワイヤのうち少なくとも２つは、互いに交差して形成されてなる配線基板。 - 請求項１から請求項５のいずれかに記載の配線基板において、
前記複数のランドは、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記第１及び第２のランドのいずれか１つは、前記少なくとも１つのセレクト端子から選択されたものである配線基板。 - 基板と、
前記基板上に形成され、複数の配線と複数の電気的接続部とを有する配線パターンと、
前記複数の電気的接続部のうち、第１の電気的接続部と、前記第１の電気的接続部から離れた位置に設けられた第２の電気的接続部とを電気的に接続するワイヤと、
を含み、
前記第１及び第２の電気的接続部の少なくとも１つは、前記ワイヤのボンディング部が窪んでなる配線基板。 - 請求項７記載の配線基板において、
前記基板は、前記窪み部と重なる部分が前記配線パターンとは反対側に突出してなる配線基板。 - 請求項７又は請求項８記載の配線基板において、
前記複数の配線のうち少なくとも１つは、前記第１及び第２の電気的接続部の間の領域を通るように引き回され、
前記ワイヤは、前記少なくとも１つの配線を跨いで形成されてなる配線基板。 - 請求項７から請求項９のいずれかに記載の配線基板において、
前記第１及び第２の電気的接続部は、それぞれ複数設けられ、
前記ワイヤは、それぞれの前記第１及び第２の電気的接続部を電気的に接続してなる配線基板。 - 請求項１０記載の配線基板において、
前記複数の第１の電気的接続部は、複数列に配列され、隣同士の第１の電気的接続部は、千鳥状に配置され、
前記複数の第２の電気的接続部は、複数列に配列され、隣同士の第２の電気的接続部は、千鳥状に配置されてなる配線基板。 - 請求項１０又は請求項１１記載の配線基板において、
前記複数のワイヤのうち少なくとも２つは、互いに交差して形成されてなる配線基板。 - 請求項７から請求項１２のいずれかに記載の配線基板において、
前記複数の電気的接続部は、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記第１及び第２の電気的接続部のいずれか１つは、前記少なくとも１つのセレクト端子から選択されたものである配線基板。 - 請求項１から請求項１３のいずれかに記載の配線基板において、
前記ワイヤは、導電線と、前記導電線の表面を覆う絶縁被覆と、を含む配線基板。 - 請求項１から請求項１４のいずれかに記載の配線基板において、
前記ワイヤを封止する封止部をさらに含む配線基板。 - 請求項１５記載の配線基板において、
前記封止部は、前記ワイヤのそれぞれの端部を封止してなる配線基板。 - 請求項１から請求項１６のいずれかに記載の配線基板と、
前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を含む半導体装置。 - 請求項１７記載の半導体装置と、
前記半導体装置の前記配線パターンに電気的に接続された電気光学パネルと、
を含む電子デバイス。 - 請求項１８記載の電子デバイスを含む電子機器。
- （ａ）屈曲可能なフレキシブル基板上に形成され、複数の配線と前記配線よりも幅が拡大してなる複数のランドとを有する配線パターンのうち、第１のランドにワイヤの一方の端部をボンディングし、前記第１のランドから離れた位置に設けられた第２のランドに前記ワイヤの他方の端部をボンディングすることを含む配線基板の製造方法。
- 請求項２０記載の配線基板の製造方法において、
（ｂ）前記（ａ）工程後に、前記ワイヤを封止することを含む配線基板の製造方法。 - 請求項２０又は請求項２１記載の配線基板の製造方法において、
前記フレキシブル基板には、複数の前記配線パターンが形成され、
前記各工程の少なくともいずれか１つの工程を、前記複数の配線パターンに対して、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して行う配線基板の製造方法。 - 請求項２０又は請求項２１記載の配線基板の製造方法を含み、
（ｃ）半導体チップを前記フレキシブル基板に搭載することをさらに含む半導体装置の製造方法。 - 請求項２３記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｃ）工程後に行う半導体装置の製造方法。 - 請求項２３又は請求項２４記載の半導体装置の製造方法において、
（ｄ）前記フレキシブル基板に搭載される電子部品をハンダ付けすることをさらに含む半導体装置の製造方法。 - 請求項２５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｄ）工程後に行う半導体装置の製造方法。 - 請求項２３から請求項２６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
（ｅ）前記配線パターンの電気的検査を行うことをさらに含む半導体装置の製造方法。 - 請求項２７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程を、前記（ｅ）工程後に行う半導体装置の製造方法。 - 請求項２８記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のランドは、設計変更を可能にする少なくとも１つのセレクト端子を含み、
前記（ａ）工程で、前記（ｅ）工程の検査結果に基づいて、前記第１及び第２のランドのうち、いずれか一方を前記セレクト端子として、他方に電気的に接続する半導体装置の製造方法。 - 請求項２３から請求項２９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板には、複数の前記配線パターンが形成され、
前記各工程の少なくともいずれか１つの工程を、前記複数の配線パターンに対して、リール・トゥ・リール搬送の方式を適用して行う半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003082274A JP2004289069A (ja) | 2003-03-25 | 2003-03-25 | 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003082274A JP2004289069A (ja) | 2003-03-25 | 2003-03-25 | 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004289069A true JP2004289069A (ja) | 2004-10-14 |
Family
ID=33295608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003082274A Pending JP2004289069A (ja) | 2003-03-25 | 2003-03-25 | 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004289069A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006095805A1 (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | 電子回路およびその製造方法 |
| CN112818624A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-05-18 | 深圳沸石智能技术有限公司 | 印制线路板设计图的生成方法、印制电路板及其制作方法 |
-
2003
- 2003-03-25 JP JP2003082274A patent/JP2004289069A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006095805A1 (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | 電子回路およびその製造方法 |
| JP2006253289A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | 電子回路およびその製造方法 |
| JP4558539B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2010-10-06 | 日立協和エンジニアリング株式会社 | 電子回路用基板、電子回路、電子回路用基板の製造方法および電子回路の製造方法 |
| CN112818624A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-05-18 | 深圳沸石智能技术有限公司 | 印制线路板设计图的生成方法、印制电路板及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004343030A (ja) | 配線回路基板とその製造方法とその配線回路基板を備えた回路モジュール | |
| US20060091524A1 (en) | Semiconductor module, process for producing the same, and film interposer | |
| JP4083638B2 (ja) | フレキシブル配線基板、半導体チップ実装フレキシブル配線基板、表示装置、半導体チップ実装方法 | |
| JP2005057258A (ja) | 安価型フレキシブルフィルムパッケージモジュール及びその製造方法 | |
| KR20050023930A (ko) | 테이프 배선 기판과 그를 이용한 반도체 칩 패키지 | |
| CN103515348A (zh) | 布线基板 | |
| JP5238274B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
| US20190254164A1 (en) | Circuit board, method of manufacturing circuit board, and electronic device | |
| JP6109078B2 (ja) | リードクラックが強化された電子素子用テープ | |
| CN102256435A (zh) | 使用柔性互连结构的多层印制电路板及其制作方法 | |
| JP4443324B2 (ja) | フレキシブル配線基板及びその製造方法、半導体チップ実装フレキシブル配線基板、電子機器 | |
| US9426887B2 (en) | Wiring board and electronic device using the same | |
| US6896173B2 (en) | Method of fabricating circuit substrate | |
| US7786478B2 (en) | Semiconductor integrated circuit having terminal for measuring bump connection resistance and semiconductor device provided with the same | |
| JP2004289069A (ja) | 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器 | |
| JP2005109088A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| KR100396869B1 (ko) | 연성인쇄회로기판의 접합방법 | |
| JP3977072B2 (ja) | 配線基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法 | |
| US20030159282A1 (en) | Wiring board and method of fabricating the same, semiconductor device, and electronic instrument | |
| KR100556277B1 (ko) | 배선 기판 및 그 제조 방법, 전자 부품 및 전자기기 | |
| JP2004289071A (ja) | 配線基板及びその製造方法、半導体装置、電子デバイス並びに電子機器 | |
| JP2001250842A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2006128429A (ja) | 回路基板および半導体装置 | |
| JP2007184415A (ja) | 半導体素子実装用基板および高周波半導体装置ならびにこれを用いた電子機器 | |
| JP2005079129A (ja) | プラスチックパッケージ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060112 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060302 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081217 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20090205 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20090603 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |