DE10137872C1 - Drahtbondkontakt - Google Patents
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Abstract
Es ist ein Drahtbondkontakt vorgesehen, der auf einer Kontaktfläche ausgebildet ist. Dabei ist das Drahtende über einen Zwischenkontakt mit der Kontaktfläche verbunden. Das Drahtende ist gegenüber dem weiteren Draht abgeflacht, wobei der Übergang zwischen der Abflachung und dem Draht innerhalb des Bereichs der Oberfläche des Zwischenkontaktes liegt, auf der der elektrisch leitende Kontakt hergestellt ist.
Description
Die Erfindung betrifft einen Drahtbondkontakt gemäß Oberbe
griff des Patentanspruchs 1.
Drahtbondkontakte sind in der Elektronik an vielfältigen
Stellen eingesetzt, beispielsweise zur Kontaktierung von so
genannten Halbleiterchips, bei denen die Anschlußkontakte
mittels derartiger Drahtbondkontakte verbunden werden. Hierzu
wird auf einer ersten Kontaktfläche der Draht mit dem Werk
zeug, dem so genannten Bondkopf geführt, dann wird der Draht
angeschmolzen und auf der ersten Kontaktfläche aufgesetzt, so
daß eine innige gut leitende Verbindung zwischen der ersten
Kontaktfläche und dem Draht entsteht. Der Draht wird sodann
weitergeführt zu einer zweiten Kontaktfläche. Hier ist es nun
nicht mehr möglich, das Kontaktende anzuschmelzen und aufzu
setzen, da aus dem Bondkopf nunmehr der Draht herausgeführt
ist und ein Anschmelzen zum Durchtrennen des Drahtes führen
würde. Aus diesem Grund wird ein sogenannter Wedge-Kontakt am
zweiten Drahtende hergestellt. Bei einem solchen Wedge-
Kontakt wird das Drahtende auf der Kontaktfläche abgequetscht
und dabei eine Reibverbindung zwischen Draht und Kontaktflä
che hergestellt.
Bei sehr engen Drahtführungen hat es sich in einigen Fällen
vorteilhaft erwiesen, wenn auf der Kontaktfläche ein sockel
förmiger Zwischenkontakt hergestellt wird, um den Aufsetz
punkt für den Wedge-Kontakt zu erhöhen. Dies ist bei Draht
bond-Verbindungen notwendig, die auf einem Chip bzw. bei zwei
übereinander sitzenden Chips ausgebildet werden und bei de
nen von dem einen Chip auf den anderen kontaktiert werden
soll, um an Oberflächenkanten des oberen Chips oder zu ande
ren Drahtbondverbindungen Kurzschlüsse zu vermeiden.
Aus der DE 195 35 775 ist eine derartige Vorgehensweise be
schrieben. Hier erfolgt ein Drahtkontakt von einer ersten
Ebene zu einer Kontaktfläche auf einem Chip. Um zu vermeiden,
daß an der Chipoberkante der Draht aufliegt, ist ein Zwi
schenkontakt hergestellt.
Nachteil dieser Anordnung ist, daß der Draht leicht an der
Kante des Zwischenkontaktes geknickt wird und an dieser Stel
le abbricht.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, einen Draht
bondkontakt herzustellen, der eine ausreichende Stabilität
aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Patentan
spruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Dadurch, daß der Über
gang vom Draht auf das abgeflachte Drahtende innerhalb des
Bereichs der Oberfläche des Zwischenkontaktes liegt, auf dem
die elektrisch leitende Verbindung hergestellt ist, kommt es
an der Oberkante des Zwischenkontaktes zu keiner Bruchstelle,
da hier der Draht noch mit seinem vollständigen Durchmesser
vorhanden ist.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltung sind in den Unteransprü
chen angegeben. Dadurch, daß das Drahtende und der Zwischen
kontakt aus dem selben Material hergestellt ist, ist eine gu
te elektrisch leitende Verbindung leicht mit ausreichender
Festigkeit herzustellen. Wird ein sogenannter "Wedge-Kontakt"
für den Zwischenkontakt verwendet, ist dieser leicht in Keil
form herstellbar, so daß die notwendige Drahtführung des
Bonddrahtes unterstützbar ist.
Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die
Zeichnung an Hand eines Ausführungsbeispiels beschrieben.
In der linken Seite der Figur ist eine Kontaktfläche 1 auf
einem Träger 10 dargestellt. Auf der Kontaktfläche 1 ist ein
Zwischenkontakt 2 ausgebildet, der vorteilhafterweise als
"Wedge-Kontakt" hergestellt ist. Dieser Zwischenkontakt 2
weist dabei eine Keilform auf. Auf einer Oberfläche 5 des
Zwischenkontaktes 2 ist ein Draht 4 mit der Wedge-Verbindung
aufgebracht. Dabei endet der Draht 4 mit seinem Drahtende 3
am dünneren Ende der Keilform des Zwischenkontaktes 2. We
sentlich für die Erfindung ist dabei, daß das durch die Wed
ge-Verbindung abgeflachte Teil des Drahtendes 3 so auf der
Oberfläche 5 des Zwischenkontaktes 3 aufliegt, daß der Über
gang 6 des abgeflachten Endes 3 zur ursprünglichen Drahtform
des Drahtes 4 innerhalb des Bereichs der Oberfläche 5 liegt,
auf der die Verbindung ausgebildet ist.
Auf der rechten Seite der Figur ist der Vollständigkeit hal
ber und zum besseren Verständnis das zweite Ende des Drahtes
dargestellt. Hier ist der Draht 4 mittels eines sogenannten
"nail head" 7 auf einer Kontaktfläche 1 eines Trägers 10 aus
gebildet. Diese Verbindung wird in der üblichen Weise herge
stellt. Dabei kann die Oberfläche des Trägers 10 bzw. die
Kontaktfläche 1 auf gleicher oder aber auch unterschiedlicher
Höhe wie die Oberfläche des Trägers 10 bzw. der Kontaktfläche
1 in der linken Hälfte des Bildes sein. Bei den links und
rechts dargestellten Trägern 10 muß es sich nicht zwangsweise
um den selben Träger handeln.
Es können sich beim Träger dabei um die Oberfläche eines
Halbleiterchips, jedoch auch um Leiterplattenoberflächen oder
Leitungsbahnen jeglicher Art, die in der Elektronik üblich
sind, handeln.
1
Kontaktfläche
2
Zwischenkontakt
3
Drahtende
4
Draht
5
Oberfläche
6
Übergang
7
Wedge-Verbindung
10
Träger
Claims (3)
1. Drahtbondkontakt mit einer Kontaktfläche (1), einem Zwi
schenkontakt (2) und einem Drahtende (3), das im Verhältnis
zum Draht (4) abgeflacht ist, wobei die Kontaktfläche (1),
der Zwischenkontakt (2) und das Drahtende (3) miteinander
elektrisch leitend fest verbunden sind, und der Zwischenkon
takt (2) keilförmig ausgebildet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
ein Übergang (6) zwischen dem abgeflachten Drahtende (3) und
dem Draht (4) innerhalb des Bereichs der Oberfläche (5) des
Zwischenkontaktes (2) liegt, auf dem die elektrisch leitende
Fläche hergestellt ist.
2. Drahtbondkontakt nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Zwischenkontakt (2) und das Drahtende (3) aus dem selben
Material hergestellt sind.
3. Drahtbondkontakt nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Zwischenkontakt (2) ein sogenannter "Wedge-Kontakt" ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10137872A DE10137872C1 (de) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | Drahtbondkontakt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10137872A DE10137872C1 (de) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | Drahtbondkontakt |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10137872C1 true DE10137872C1 (de) | 2003-06-05 |
Family
ID=7694112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10137872A Expired - Fee Related DE10137872C1 (de) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | Drahtbondkontakt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10137872C1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP1860691A1 (de) * | 2005-03-09 | 2007-11-28 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Elektronische schaltung und herstellungsverfahren dafür |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19535775A1 (de) * | 1995-09-26 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Anordnung und Verfahren zum elektrischen Verbinden eines Halbleiterchips mit zumindest einer Kontaktfläche |
-
2001
- 2001-08-02 DE DE10137872A patent/DE10137872C1/de not_active Expired - Fee Related
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8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |